JPS5928019B2 - ガス放電パネル - Google Patents
ガス放電パネルInfo
- Publication number
- JPS5928019B2 JPS5928019B2 JP54051909A JP5190979A JPS5928019B2 JP S5928019 B2 JPS5928019 B2 JP S5928019B2 JP 54051909 A JP54051909 A JP 54051909A JP 5190979 A JP5190979 A JP 5190979A JP S5928019 B2 JPS5928019 B2 JP S5928019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gas discharge
- dielectric layer
- discharge panel
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス放電パネルの改良に関し、特に該パネルの
電極上に設けられる誘電体層の改良に関するものである
。
電極上に設けられる誘電体層の改良に関するものである
。
グラズマ・ディスプレイ・パネルの名称で知られるＡＣ
駆動型のガス放電パネルは、ドツト表示形式のマトリッ
クス型を始め、特殊な電極パターンヲ採用した数字表示
用のパネルあるいはセルフシフト型のパネル等種々のタ
イプが提案されている。
駆動型のガス放電パネルは、ドツト表示形式のマトリッ
クス型を始め、特殊な電極パターンヲ採用した数字表示
用のパネルあるいはセルフシフト型のパネル等種々のタ
イプが提案されている。
しかして従来のこの種ガス放電パネルにあっては、基板
上に形成された電極をガス放電空間から絶縁するための
誘電体層として低融点ガラス等の融着層を用いるのが通
例であった。
上に形成された電極をガス放電空間から絶縁するための
誘電体層として低融点ガラス等の融着層を用いるのが通
例であった。
ところがこの低融点ガラスよりなる誘電体層は印刷法な
どによって塗布し、焼成して形成されるものであるから
、層内に気泡が残ったり、厚みが部分的に不均一となる
等の欠点があり、パネルの高密度、高品質表示を困難と
し、さらには、パネルの大型化が阻害されていた。
どによって塗布し、焼成して形成されるものであるから
、層内に気泡が残ったり、厚みが部分的に不均一となる
等の欠点があり、パネルの高密度、高品質表示を困難と
し、さらには、パネルの大型化が阻害されていた。
このため、最近のパネルでは、たとえば電子ビーム蒸着
法等を駆使した薄膜技術によって膜質の改良された均一
性の良い薄膜誘電体層を用いることが試みられている。
法等を駆使した薄膜技術によって膜質の改良された均一
性の良い薄膜誘電体層を用いることが試みられている。
すなわちこの種薄膜技術によるパネルでは、たとえばＣ
ｒとＣｕの薄膜を２重に積層してなる電極を形成したガ
ラス基板上にアルミナＡｌ２Ｏ３を真空蒸着法等によっ
て被着し、さらにその上面に放電特性の優れた酸化マグ
ネシウムＭｇＯからなる表面層を、同じく真空蒸着法あ
るいはスパッタ法等によって被覆して誘電体層としたも
のが提案されている。
ｒとＣｕの薄膜を２重に積層してなる電極を形成したガ
ラス基板上にアルミナＡｌ２Ｏ３を真空蒸着法等によっ
て被着し、さらにその上面に放電特性の優れた酸化マグ
ネシウムＭｇＯからなる表面層を、同じく真空蒸着法あ
るいはスパッタ法等によって被覆して誘電体層としたも
のが提案されている。
しかしながら上記アルミナＡｌ２Ｏ３によって形成され
る誘電体層の膜厚は、その部材の誘電率との関係からｆ
ことえは４〜２０μｍ程度と厚い膜を必要としており、
これがために膜形成に長時間を要すると共に、その膜厚
が１０μｍ以上に及ぶと、その後の熱処理工程、たとえ
ばパネルの封止工程においてその膜面にクラックが生じ
やすい欠点があった。
る誘電体層の膜厚は、その部材の誘電率との関係からｆ
ことえは４〜２０μｍ程度と厚い膜を必要としており、
これがために膜形成に長時間を要すると共に、その膜厚
が１０μｍ以上に及ぶと、その後の熱処理工程、たとえ
ばパネルの封止工程においてその膜面にクラックが生じ
やすい欠点があった。
またこの長時間蒸着によって、蒸着中に蒸着チャンバ内
の保持具類に被着した蒸着物が剥離落下しやすくなり、
これに起因して誘電体層を汚損し、放電特性にバラツキ
を与える問題があった。
の保持具類に被着した蒸着物が剥離落下しやすくなり、
これに起因して誘電体層を汚損し、放電特性にバラツキ
を与える問題があった。
そこで誘電体層の部材として、その蒸看速度が従来のア
ルミナＡｌ２Ｏ３工りも２倍以上大きく、しかも形成さ
れた膜質は従来のものと遜色のないＳ ｉｏ ２ ｋ
８０％以上含む高硅酸ガラスを用いることが考えられる
が、この場合前記高砂酸ガラスは、その熱膨張係数（４
〜３０Ｘ１０ ／’Ｃ）が前記ガラス基板の熱膨張係
数（約９０Ｘ１０’７Ｇ）工りも非常に小さいため、こ
の高硅酸ガラスケ直接前記基板上に形成すれば、その後
の熱処理によってクラックが発生することは明らかであ
る。
ルミナＡｌ２Ｏ３工りも２倍以上大きく、しかも形成さ
れた膜質は従来のものと遜色のないＳ ｉｏ ２ ｋ
８０％以上含む高硅酸ガラスを用いることが考えられる
が、この場合前記高砂酸ガラスは、その熱膨張係数（４
〜３０Ｘ１０ ／’Ｃ）が前記ガラス基板の熱膨張係
数（約９０Ｘ１０’７Ｇ）工りも非常に小さいため、こ
の高硅酸ガラスケ直接前記基板上に形成すれば、その後
の熱処理によってクラックが発生することは明らかであ
る。
したがって本発明は上記５ｔ０２に８０％以上含む高硅
酸ガラスを主要部とした誘電体層の実現を図るべく、前
記ガラス基板と高硅酸ガラスの中間の熱膨張係数（５０
〜８０Ｘ１０’／’Ｃ）を有するＡｌ２Ｏ３で前記高硅
酸ガラスをサンドインチ状に挾んだ構造全提案し、もっ
てクラック発生のない高品質の誘電体層を得ようとする
ものである。
酸ガラスを主要部とした誘電体層の実現を図るべく、前
記ガラス基板と高硅酸ガラスの中間の熱膨張係数（５０
〜８０Ｘ１０’／’Ｃ）を有するＡｌ２Ｏ３で前記高硅
酸ガラスをサンドインチ状に挾んだ構造全提案し、もっ
てクラック発生のない高品質の誘電体層を得ようとする
ものである。
すなわちさらに具体的に述べると、本発明は以上の、Ｊ
：うな状況から高品質の誘電体層を短時間で効率よく形
成することを目的とするもので、誘電体層、ＭｇＯ層が
順に被覆された電極を形成してなる１対の基板を、ガス
放電空間を介して対向配置した構成を有するガス放電パ
ネルにおいて、前記誘電体層を、電極上に直接被覆した
Ａｌ２Ｏ３からなる第１層と８１０２ ｋ ８０ ％以
上含むガラスからなる第２層およびＡｌ２Ｏ３からなる
第３層ケ順に積層形成した多層膜構造とした点に特徴を
有するものである。
：うな状況から高品質の誘電体層を短時間で効率よく形
成することを目的とするもので、誘電体層、ＭｇＯ層が
順に被覆された電極を形成してなる１対の基板を、ガス
放電空間を介して対向配置した構成を有するガス放電パ
ネルにおいて、前記誘電体層を、電極上に直接被覆した
Ａｌ２Ｏ３からなる第１層と８１０２ ｋ ８０ ％以
上含むガラスからなる第２層およびＡｌ２Ｏ３からなる
第３層ケ順に積層形成した多層膜構造とした点に特徴を
有するものである。
以下本発明の好ましい一実施例につき図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
図は本発明の一実施例を説明する定めのパネル構成基板
の要部断面図である。
の要部断面図である。
図において１及び１１はガラス基板であり、その各−表
面には、たとえばクローム−銅（Ｃｒ−Ｃｕ ）等の多
層構造からなる複数のＸ電極２及びＸ電極１２が形成さ
れている。
面には、たとえばクローム−銅（Ｃｒ−Ｃｕ ）等の多
層構造からなる複数のＸ電極２及びＸ電極１２が形成さ
れている。
該電極２または１２を形成せる基板１，１１上に誘電体
層を構成するには、まずその蒸着速度が従来のアルミナ
Ａｌ２Ｏ３工り２倍以上大きく、誘電体層の主体となる
ＳｉＯ２’ｅ８０％以上含む高硅酸ガラス（以下高砂酸
ガラスと呼ぶ）層を形成するに先だち、アルミナＡｌ２
Ｏ３からなる第１層３ｔ１１、好ましくは３０００〜１
００００Ａ０の厚みに真空蒸着法等によって形成する。
層を構成するには、まずその蒸着速度が従来のアルミナ
Ａｌ２Ｏ３工り２倍以上大きく、誘電体層の主体となる
ＳｉＯ２’ｅ８０％以上含む高硅酸ガラス（以下高砂酸
ガラスと呼ぶ）層を形成するに先だち、アルミナＡｌ２
Ｏ３からなる第１層３ｔ１１、好ましくは３０００〜１
００００Ａ０の厚みに真空蒸着法等によって形成する。
引き続きその上面に前記高硅酸ガラスからなる第２層４
．１４に２〜１０μｍの厚みに被着形成し、さらに続い
て第１層３，１３と同質の７／Ｌ／ミナＡｌ２Ｏ３から
なる第３層５２１５に３０００−１０００ＯＡ’の厚み
に被着形成する。
．１４に２〜１０μｍの厚みに被着形成し、さらに続い
て第１層３，１３と同質の７／Ｌ／ミナＡｌ２Ｏ３から
なる第３層５２１５に３０００−１０００ＯＡ’の厚み
に被着形成する。
引続いてその層上に２０００〜１００ＯＯＡ’の厚さに
、放電特性が優れた酸化マグネシウムＭｇＯ等の■Ａ族
元素の表面層６．Ｉｎ同じく真空蒸着法またはスパッタ
法によって形成した構成とする。
、放電特性が優れた酸化マグネシウムＭｇＯ等の■Ａ族
元素の表面層６．Ｉｎ同じく真空蒸着法またはスパッタ
法によって形成した構成とする。
このよつに構成した誘電体層は、その主材とする高硅酸
ガラスからなる第２層４，１４が、基板１．１１との間
にアルミナＡｌ２Ｏ３からなる第１層３，１３の３００
０〜１００ＯＯＡ’の膜厚を介在させて形成しているた
め、各熱膨張係数の差が緩衝され、前記第２層４，１４
をｉｏμｍ程度と厚く形成してもクラックが生じること
がない。
ガラスからなる第２層４，１４が、基板１．１１との間
にアルミナＡｌ２Ｏ３からなる第１層３，１３の３００
０〜１００ＯＯＡ’の膜厚を介在させて形成しているた
め、各熱膨張係数の差が緩衝され、前記第２層４，１４
をｉｏμｍ程度と厚く形成してもクラックが生じること
がない。
また表面層に形成するＭｇＯ（熱膨張係数、約８６Ｘ１
０−７／’Ｃ） 膜６，１６についても、前記同様高
砂酸ガラスとＭｇＯとの中間の熱膨張係数を有するＡｌ
２Ｏ３を介在させることによって、前記ＭｇＯ膜６，１
６にクラックが発生する問題を解消するものである。
０−７／’Ｃ） 膜６，１６についても、前記同様高
砂酸ガラスとＭｇＯとの中間の熱膨張係数を有するＡｌ
２Ｏ３を介在させることによって、前記ＭｇＯ膜６，１
６にクラックが発生する問題を解消するものである。
以上のように誘電体層全多層構造とすることで、その後
の熱処理工程においてクラックが発生することなく、し
かも主材とする前記高硅酸ガラスの蒸着速度が大きいの
で、このようにクラックの緩衝層としてアルミナ層會介
在させる構造としても従来に比べ、短時間で効率よく高
品質の誘電体層全形成することが可能となる。
の熱処理工程においてクラックが発生することなく、し
かも主材とする前記高硅酸ガラスの蒸着速度が大きいの
で、このようにクラックの緩衝層としてアルミナ層會介
在させる構造としても従来に比べ、短時間で効率よく高
品質の誘電体層全形成することが可能となる。
以、上の説明から明らかなように、本発明によれば、ガ
ス放電パネルを構成する誘電体層に、その基板と熱膨張
係数の差を持つ８１０２ ｋ ８０ ％以上含む高硅酸
ガラスを用いることが可能となり、その蒸着速度が大き
いこと、またその誘電率が小さいこととあいまって従来
より誘電体膜厚を薄く構成できること等から、クラック
発生がなく、高品質で安定な誘電体層ケ短時間で効率よ
く形成することができ、製造工数の低減、歩留り向上が
可能となるなど実用上の効果は太きい。
ス放電パネルを構成する誘電体層に、その基板と熱膨張
係数の差を持つ８１０２ ｋ ８０ ％以上含む高硅酸
ガラスを用いることが可能となり、その蒸着速度が大き
いこと、またその誘電率が小さいこととあいまって従来
より誘電体膜厚を薄く構成できること等から、クラック
発生がなく、高品質で安定な誘電体層ケ短時間で効率よ
く形成することができ、製造工数の低減、歩留り向上が
可能となるなど実用上の効果は太きい。
図は本発明の一実施例を説明するためのパネル構成基板
の要部断面図である。 １．１１：基板、２，１２：電極、３，１３：Ａｌ２Ｏ
３からなる第１層、４．１４ ’ ８１０２全８０％以
上含む高硅酸ガラスからなる第２層、５゜１５：Ａｌ２
Ｏ３からなる第３層、６，１６：酸化物膜。
の要部断面図である。 １．１１：基板、２，１２：電極、３，１３：Ａｌ２Ｏ
３からなる第１層、４．１４ ’ ８１０２全８０％以
上含む高硅酸ガラスからなる第２層、５゜１５：Ａｌ２
Ｏ３からなる第３層、６，１６：酸化物膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘電体層、酸化マグネシウム層が順に被覆された電
極を形成してなる１対の基板ケ、ガス放電空間を介して
対向配置した構成を有するガス放電パネルにおいて、前
記誘電体層が、電極上に直接被覆し７’ｖＡ１２０３か
らなる第１層と、Ｓ ｉｏ ２’ｊｆ：８０係以上含む
ガラスからなる第２層、およびＡｌ２Ｏ３からなる第３
層會順に積層形成した多層膜構造を有してなることを特
徴とするガス放電パネル。 ２ 前記多層膜誘電体層を構成する第１および第３のＡ
ｌ２Ｏ３層がそれぞれ３０００〜１０００ＯＮ の厚み
を有し、第２のＳ ｉｏ ２ ｋ ８０％以上含むガラ
ス層が２〜１０μｍの厚みを有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載のガス放電パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54051909A JPS5928019B2 (ja) | 1979-04-25 | 1979-04-25 | ガス放電パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54051909A JPS5928019B2 (ja) | 1979-04-25 | 1979-04-25 | ガス放電パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55143754A JPS55143754A (en) | 1980-11-10 |
| JPS5928019B2 true JPS5928019B2 (ja) | 1984-07-10 |
Family
ID=12899995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54051909A Expired JPS5928019B2 (ja) | 1979-04-25 | 1979-04-25 | ガス放電パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928019B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823152U (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-14 | 日本電気株式会社 | ガス放電表示板 |
| JPH0744002B2 (ja) * | 1988-10-31 | 1995-05-15 | 日本電気株式会社 | ガス放電表示板 |
| JPH03233832A (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-17 | Noritake Co Ltd | 有孔金属板を共通陰極としたプラズマディスプレイパネル |
| JP2525280B2 (ja) * | 1990-09-19 | 1996-08-14 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 隔壁中の有孔金属板を電極としたプラズマディスプレイパネル |
| JP2741418B2 (ja) * | 1989-10-18 | 1998-04-15 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | メタルコアリブおよびその製造方法、並びに該メタルコアリブを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2844980B2 (ja) * | 1991-08-12 | 1999-01-13 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| KR19990002169A (ko) * | 1997-06-19 | 1999-01-15 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 판넬의 하판구조 |
| EP1156506A1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas discharge panel, gas discharge device, and method of manufacture thereof |
| US7956540B2 (en) | 2004-08-17 | 2011-06-07 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| JP4800895B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2011-10-26 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
-
1979
- 1979-04-25 JP JP54051909A patent/JPS5928019B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55143754A (en) | 1980-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100516715B1 (ko) | 고품위의디스플레이에적합한플라즈마디스플레이패널및그제조방법 | |
| WO2003087001A1 (fr) | Composition de verre de bismuth, et tete magnetique et ecran a plasma contenant ladite composition sous forme d'element d'obturation | |
| JPS5928019B2 (ja) | ガス放電パネル | |
| US3926763A (en) | Method for fabricating a gas discharge panel structure | |
| JPH0679512B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JP2663909B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3442634B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3486762B2 (ja) | 放電型表示装置の構造 | |
| JPS62194225A (ja) | 表示パネル用電極基板の製造方法 | |
| JP3317175B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPS6038006B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JP2003007217A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP2509354B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPS58179668A (ja) | フアクシミリ用グレ−ズ基板 | |
| JPS5986194A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH06243786A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPS6038010B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0436923A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPH02306583A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 | |
| JPH0766237B2 (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
| JPS5816433A (ja) | ガス放電パネルの製造方法 | |
| JPS63241846A (ja) | 耐熱性黒色電極およびその製造方法 | |
| JPS62227657A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPH0353429A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPS5850586A (ja) | 透明電極基板の形成方法 |