JPH0436923A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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- JPH0436923A JPH0436923A JP2144172A JP14417290A JPH0436923A JP H0436923 A JPH0436923 A JP H0436923A JP 2144172 A JP2144172 A JP 2144172A JP 14417290 A JP14417290 A JP 14417290A JP H0436923 A JPH0436923 A JP H0436923A
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Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔4既 要〕
プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、熱処理
で生しる基板の収縮による電極ピッチの変化を防止して
歩留りの向上を図ることを目的とし、 放電のための電極と当該電極を覆う誘電体とを有したプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法において、基板の
表面を一様にIWう導電体層を形成する覆膜工程と、前
記導電体層の上に低融点ガラス層を形成する塗布工程と
、低融点ガラス層を焼成して誘電体層を形成する熱処理
工程と、前記誘電体層と前記導電体層とをフォトグラフ
ィ法によって部分的に除去し、前記電極及び前記誘電体
を形成するパターンニング工程とを含むことを特徴とす
る。
で生しる基板の収縮による電極ピッチの変化を防止して
歩留りの向上を図ることを目的とし、 放電のための電極と当該電極を覆う誘電体とを有したプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法において、基板の
表面を一様にIWう導電体層を形成する覆膜工程と、前
記導電体層の上に低融点ガラス層を形成する塗布工程と
、低融点ガラス層を焼成して誘電体層を形成する熱処理
工程と、前記誘電体層と前記導電体層とをフォトグラフ
ィ法によって部分的に除去し、前記電極及び前記誘電体
を形成するパターンニング工程とを含むことを特徴とす
る。
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関
する。
する。
A、C型(交流駆動型)のプラズマディスプレイバ不ル
(FDP)は、放電用電極が誘電体で覆われ、これによ
り交流電圧の印加による放電の維1、′jが可能とされ
ている。
(FDP)は、放電用電極が誘電体で覆われ、これによ
り交流電圧の印加による放電の維1、′jが可能とされ
ている。
通常、誘電体の形成には熱処理が伴い、ごの熱処理によ
って放電用電極の支持体となる基板の熱収縮が生じる。
って放電用電極の支持体となる基板の熱収縮が生じる。
それ故、i)D Pの製造に際して、基板の熱収縮に起
因した歩留りの低下が問題よなっζいる。
因した歩留りの低下が問題よなっζいる。
例えば、対向放電形式のFDPは、表示側及び背面側の
一対のガラス基板を、スペーサを介して対向配置し、各
基板の内側にそれぞれ設BJた複数の帯状のX電極及び
X電極によって画定される各放電セルが選択的に放電す
るように構成されている。
一対のガラス基板を、スペーサを介して対向配置し、各
基板の内側にそれぞれ設BJた複数の帯状のX電極及び
X電極によって画定される各放電セルが選択的に放電す
るように構成されている。
X電極及びX電極の表面は、それぞれ誘電体によって覆
われ、これにより、放電開始電圧の印加によって開始さ
れた放電が、放電開始電圧より低い放電維持電圧の印加
によって維持される。
われ、これにより、放電開始電圧の印加によって開始さ
れた放電が、放電開始電圧より低い放電維持電圧の印加
によって維持される。
スペーサは、表示品質に係わる対向間隙の寸法を表示面
の全面にわたって均一とするために、各放電セルを除く
適所に設iノられる。
の全面にわたって均一とするために、各放電セルを除く
適所に設iノられる。
このようなP D Pの従来の製造方法は、まず、表示
側のガラス暴板十に、スパンタリング蒸着などによって
金属膜を被着し、この金属膜をフォI・リソグラフィ法
によってパターンニングしてX電極を形成する。
側のガラス暴板十に、スパンタリング蒸着などによって
金属膜を被着し、この金属膜をフォI・リソグラフィ法
によってパターンニングしてX電極を形成する。
続けて、X電極を覆うようにガラス基板」−に鉛ガラス
などの低融点ガラスペーストを塗布し、580°C程度
の温度で低融点ガラスベーストを焼成して誘電体を形成
する。この焼成において、ガラス基板の収縮が生しる。
などの低融点ガラスペーストを塗布し、580°C程度
の温度で低融点ガラスベーストを焼成して誘電体を形成
する。この焼成において、ガラス基板の収縮が生しる。
収縮の割合は例えば−万骨の3程度である。つまり、長
さが40cmのガラス基板であれば、約120μmだけ
長さが縮む。
さが40cmのガラス基板であれば、約120μmだけ
長さが縮む。
次に、スクリーン印刷法により、誘電体−にの適所に球
状のスペーサを載置する。このとき、スクリーンマスク
と、以前にパターンニングされたX電極との位置合ね−
Uが行われる。
状のスペーサを載置する。このとき、スクリーンマスク
と、以前にパターンニングされたX電極との位置合ね−
Uが行われる。
そして、再び熱処理を行い、誘電体を軟化さ・Uてスペ
ーサを融着によって固定する。
ーサを融着によって固定する。
その後、誘電体上に保護膜を形成した表示側のガラス基
板と、別にX電極、誘電体、及び保護膜を設りた背面側
のガラス基板とを、各X電極と各X電極とが格子状に対
向するように重ね合わせる。
板と、別にX電極、誘電体、及び保護膜を設りた背面側
のガラス基板とを、各X電極と各X電極とが格子状に対
向するように重ね合わせる。
最後に、封止ガラスによる密封、放電ガスの」′・1人
などが行われ、FDPが完成される。
などが行われ、FDPが完成される。
[発明が解決しようとする課題]
上述したように、従来でば、X電極又はX電極を形成し
た後、誘電体を形成するだめの焼成(熱処理)が行われ
るので、熱処理で生しるガラス基板の収縮により、X電
極又はX電極の電極ピンチが誘電体の形成の前後で変化
する。
た後、誘電体を形成するだめの焼成(熱処理)が行われ
るので、熱処理で生しるガラス基板の収縮により、X電
極又はX電極の電極ピンチが誘電体の形成の前後で変化
する。
特に、生産性を高めるために、大型のガラス基板を用い
て複数個のPDPに対応した電極及び誘電体を一括して
形成し、後にガラス基板を分割して個々のFDPを鉗み
立てる場合には、ガラス基板の周縁部における電極ピッ
チの変化量は大きい。
て複数個のPDPに対応した電極及び誘電体を一括して
形成し、後にガラス基板を分割して個々のFDPを鉗み
立てる場合には、ガラス基板の周縁部における電極ピッ
チの変化量は大きい。
このよ・)な電極ピッチの変化量は−・定でななく、一
定サイズのガラス基板であっても製造条件の微妙な差異
などにより、各ガラス基板毎に差がある。
定サイズのガラス基板であっても製造条件の微妙な差異
などにより、各ガラス基板毎に差がある。
また、1枚のガラス基板内においても、部位によって収
縮の変化量が異なる。
縮の変化量が異なる。
したがって、X電極又はX電極を位置合ねゼの基準とす
る後工程、ずなわぢスペーサ・の載置工程、一対のガラ
ス基板の対向配置工程などにおいて、部分的に表示品質
に影響するような位置ずれがイ]:じ、ごのためにFD
Pの製造における歩留りが低下するという問題があった
。
る後工程、ずなわぢスペーサ・の載置工程、一対のガラ
ス基板の対向配置工程などにおいて、部分的に表示品質
に影響するような位置ずれがイ]:じ、ごのためにFD
Pの製造における歩留りが低下するという問題があった
。
本発明は、上述の問題に鑑み、熱処理で生しる基板の収
縮による電極ピンチの変化を防止して歩留りの向上を図
ることを目的としている。
縮による電極ピンチの変化を防止して歩留りの向上を図
ることを目的としている。
〔課題を解決するだめの手段]
本発明に係る製造方法は、上述の課題を解決するため、
第1図に示すように、放電のための電極13と当該電極
13を覆う誘電体15とを有したプラズマディスプレイ
バ不ル1の製造方法において、基板1. ]、 aの表
面を一様に覆う導電体層13aを形成する覆膜工程と、
前記導電体層+3aの1−に低融点ガラス層15aを形
成する塗布工程と、前記低融点ガラス層15aを焼成し
て誘電体層I5bを形成する熱処理工程と、前記誘電体
層15bと前記導電体層13aとをフォトグラフィ法に
よって部分的に除去し、前記電極13及び前記誘電体1
5を形成するパターンニンク下程とを含む。
第1図に示すように、放電のための電極13と当該電極
13を覆う誘電体15とを有したプラズマディスプレイ
バ不ル1の製造方法において、基板1. ]、 aの表
面を一様に覆う導電体層13aを形成する覆膜工程と、
前記導電体層+3aの1−に低融点ガラス層15aを形
成する塗布工程と、前記低融点ガラス層15aを焼成し
て誘電体層I5bを形成する熱処理工程と、前記誘電体
層15bと前記導電体層13aとをフォトグラフィ法に
よって部分的に除去し、前記電極13及び前記誘電体1
5を形成するパターンニンク下程とを含む。
〔作 用]
基板1.1. aの表面は、導電体層13aにより様に
覆われる。
覆われる。
導電体層13aの」二に低融点ガラス層15aが形成さ
れる。
れる。
この状態での熱処理により、低融点ガラス層15aが焼
成されて誘電体層15bが形成される。
成されて誘電体層15bが形成される。
その後、フォトグラフィ法によって誘電体層15bと導
電体層1.3 aとが部分的に除去され、放電のための
電極13及び電極13を覆う誘電体15が形成される。
電体層1.3 aとが部分的に除去され、放電のための
電極13及び電極13を覆う誘電体15が形成される。
つまり、低融点ガラス層1.5 aを焼成する熱処理の
後に、電極13を形成するための導電体層13aのパタ
ーンニングが行われる。したがって、電極13は、熱処
理に際して生じる基板1.1 aの収縮の影客を受けな
い。
後に、電極13を形成するための導電体層13aのパタ
ーンニングが行われる。したがって、電極13は、熱処
理に際して生じる基板1.1 aの収縮の影客を受けな
い。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第2図は本発明に係るP l) P Iの構造を示す要
部断面図である。
部断面図である。
P D P lは、表示側のガラス基板1】、背面側の
ガラス基板12、各ガラス基板11,1.2の表面に形
成された複数の帯状のX電極13及びY電極14、遮光
マスク20.誘電体15.1(i、保護層2]、22、
周囲を密封する封止ガラス17、及び球状のスペーサ1
8などから構成され、内部の放電空間19には、ネオン
及びキセノンの混合ガスが封入されている。第2図にお
いて、ガラス基板11の上面が表示面11Hとなる。
ガラス基板12、各ガラス基板11,1.2の表面に形
成された複数の帯状のX電極13及びY電極14、遮光
マスク20.誘電体15.1(i、保護層2]、22、
周囲を密封する封止ガラス17、及び球状のスペーサ1
8などから構成され、内部の放電空間19には、ネオン
及びキセノンの混合ガスが封入されている。第2図にお
いて、ガラス基板11の上面が表示面11Hとなる。
P i) P 1では、X電極13及びY電極14のそ
れぞれの幅は約1.00 It mとされ、また、各電
極間のビ・ンチは約300I1mとされている。
れぞれの幅は約1.00 It mとされ、また、各電
極間のビ・ンチは約300I1mとされている。
第1図(a) 〜(e)は本発明に係るP D ])1
の各製造段階を示す部分断面図である。
の各製造段階を示す部分断面図である。
まず、表示側のガラス基板11aの表面を一様に覆うよ
うに、スパンタリング蒸着によってりIコム、銅、クロ
ムを順に積層し、三層構造の金属薄膜13a(膜厚は5
000−1.0000人)を形成する[第1図(a)]
。
うに、スパンタリング蒸着によってりIコム、銅、クロ
ムを順に積層し、三層構造の金属薄膜13a(膜厚は5
000−1.0000人)を形成する[第1図(a)]
。
次に、鉛ガラスなどの低融点ガラス粉末とフィラー(粘
着剤)及び有機溶剤とを混ぜ合わせたガラスペーストを
、金属薄膜13aの上に塗布し、乾燥処理を行ってガラ
スペースト層]、 5 aを形成する[第1図(b)]
。
着剤)及び有機溶剤とを混ぜ合わせたガラスペーストを
、金属薄膜13aの上に塗布し、乾燥処理を行ってガラ
スペースト層]、 5 aを形成する[第1図(b)]
。
続いて、金属薄膜1.3 a及びガラスペースト層層1
5aを設けたガラス基板11を、低融点ガラスの転移温
度より高い温度(580°C)まで加熱し、その温度を
60〜90分間保った後、常温まで自然冷却する。この
熱処理により、ガラスペースト層15aは、有機溶剤な
どが蒸発してガラス化ずろ。つまり、ガラスペースト層
1.5 aが焼成され、これにより、厚みが20μm程
度の誘電体層15bが形成される。
5aを設けたガラス基板11を、低融点ガラスの転移温
度より高い温度(580°C)まで加熱し、その温度を
60〜90分間保った後、常温まで自然冷却する。この
熱処理により、ガラスペースト層15aは、有機溶剤な
どが蒸発してガラス化ずろ。つまり、ガラスペースト層
1.5 aが焼成され、これにより、厚みが20μm程
度の誘電体層15bが形成される。
また、ガラス基板11aは熱処理によって収縮し、ガラ
ス基板11となる[第1図(c)1゜次に、感光性レジ
ストの塗布、パターン露光、及び感光性レジストの現像
を行い、誘電体層15bの上に所定パターンのエソヂン
グマスク3oを設ける[第1図(d)1゜ 続けて、エツチングマスク3oを用いたエツチングによ
り、誘電体層]、 5 b及び金属薄膜13aのパター
ンニングを行い、X電極13と誘電体15とを形成する
[第1図(e)コ。
ス基板11となる[第1図(c)1゜次に、感光性レジ
ストの塗布、パターン露光、及び感光性レジストの現像
を行い、誘電体層15bの上に所定パターンのエソヂン
グマスク3oを設ける[第1図(d)1゜ 続けて、エツチングマスク3oを用いたエツチングによ
り、誘電体層]、 5 b及び金属薄膜13aのパター
ンニングを行い、X電極13と誘電体15とを形成する
[第1図(e)コ。
なお、金属i’7)I!J 13 aのパターンニング
に際しては、スペーサ18を設ける位置に対応させて遮
光マスク20を形成しておく。
に際しては、スペーサ18を設ける位置に対応させて遮
光マスク20を形成しておく。
その後、各X電極13の間の適所にスクリーン印刷法を
用いてスペーサ18を点在さセて載置し、誘電体15を
覆うようにガラス基板11の表面に酸化マグネシウムか
らなる保護層21(厚みは約5000人)を被着する。
用いてスペーサ18を点在さセて載置し、誘電体15を
覆うようにガラス基板11の表面に酸化マグネシウムか
らなる保護層21(厚みは約5000人)を被着する。
そして、ガラス基板11と、別にX電極14、誘電体1
6、及び保護層22を設けた背面側のガラス基板12と
を、各X電極13と各Y電極14とが格子状に対向する
ように重ね合わせ、封止ガラス17による密封、及び放
電用の混合ガスの封入などを行い、PDP ]を完成す
る。
6、及び保護層22を設けた背面側のガラス基板12と
を、各X電極13と各Y電極14とが格子状に対向する
ように重ね合わせ、封止ガラス17による密封、及び放
電用の混合ガスの封入などを行い、PDP ]を完成す
る。
上述の実施例によれば、ガラス基板11の収縮が生じる
熱処理の後、すなわち誘電体層15bの形成後にX電極
13を形成するようにしたので、ガラス基板11の収縮
にかかわらず、各X電極13間の電極ピッチpの変動を
無くすことができる。
熱処理の後、すなわち誘電体層15bの形成後にX電極
13を形成するようにしたので、ガラス基板11の収縮
にかかわらず、各X電極13間の電極ピッチpの変動を
無くすことができる。
したがって、X電極13の形成後の工程の内、X電極1
3を基準とした位置合わせを伴う工程、すなわちスベー
ザ18の載置用のスクリーンマスクのマスク合わせ工程
、及びガラス基板11とガラス基板12との重ね合わせ
工程が容易となり、■〕DPIの製造工程が簡単化され
るとともに、X電極13に対する各部の位置ずれを無く
ずことかでき、PDP 1の製造における歩留りが向上
する。
3を基準とした位置合わせを伴う工程、すなわちスベー
ザ18の載置用のスクリーンマスクのマスク合わせ工程
、及びガラス基板11とガラス基板12との重ね合わせ
工程が容易となり、■〕DPIの製造工程が簡単化され
るとともに、X電極13に対する各部の位置ずれを無く
ずことかでき、PDP 1の製造における歩留りが向上
する。
上述の実施例においては、X電極13を基準とした位置
合ねせを伴う工程として、スベーザ18の載置工程を例
示したが、X電極13をフロート電極(容量結合電極)
とする場合には、X %極13の端部に容量結合部を設
ける工程もX電極13を基準とした位置合わせを伴う工
程となる。
合ねせを伴う工程として、スベーザ18の載置工程を例
示したが、X電極13をフロート電極(容量結合電極)
とする場合には、X %極13の端部に容量結合部を設
ける工程もX電極13を基準とした位置合わせを伴う工
程となる。
」二連の実施例において、X電極13及び誘電体15の
幅、それぞれの厚の、材質、製造条件は適宜変更するこ
とができる。例えば、X電極13を透明電極としてもよ
い。
幅、それぞれの厚の、材質、製造条件は適宜変更するこ
とができる。例えば、X電極13を透明電極としてもよ
い。
上述の実施例においては、対向放電形式のPDPlを例
示したが、面放電形式のPDPにも本発明を適用するこ
とが可能である。
示したが、面放電形式のPDPにも本発明を適用するこ
とが可能である。
〔発明の効果]
本発明によれば、熱処理で生じる基板の収縮による電極
ピンチの変化を防止して歩留りの向上を図ることができ
る。
ピンチの変化を防止して歩留りの向上を図ることができ
る。
第1図は本発明に係るFDPの各製造段階を示す部分断
面図、 第2図は本発明に係るFDPの構造を示す要部断面図で
ある。 図において、 】ばI)DP(ブラズマディスプレイバ不ル)、11a
はガラス基板(基板)、 13はX電極(電極)、 13aは金属薄膜(導電体層)、 15は誘電体、 15aはガラスペースト層(低融点ガラス層)、15b
は誘電体層である。
面図、 第2図は本発明に係るFDPの構造を示す要部断面図で
ある。 図において、 】ばI)DP(ブラズマディスプレイバ不ル)、11a
はガラス基板(基板)、 13はX電極(電極)、 13aは金属薄膜(導電体層)、 15は誘電体、 15aはガラスペースト層(低融点ガラス層)、15b
は誘電体層である。
Claims (1)
- (1)放電のための電極(13)と当該電極(13)を
覆う誘電体(15)とを有したプラズマディスプレイパ
ネル(1)の製造方法において、基板(11a)の表面
を一様に覆う導電体層(13a)を形成する覆膜工程と
、 前記導電体層(13a)の上に低融点ガラス層(15a
)を形成する塗布工程と、 前記低融点ガラス層(15a)を焼成して誘電体層(1
5b)を形成する熱処理工程と、前記誘電体層(15b
)と前記導電体層(13a)とをフォトグラフィ法によ
って部分的に除去し、前記電極(13)及び前記誘電体
(15)を形成するパターンニング工程とを含むことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2144172A JPH0436923A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2144172A JPH0436923A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0436923A true JPH0436923A (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=15355885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2144172A Pending JPH0436923A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0436923A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2762426A1 (fr) * | 1997-04-18 | 1998-10-23 | Samsung Display Devices Co Ltd | Panneau afficheur a plasma a courant alternatif de type a decharge superficielle |
EP0975001A2 (en) * | 1998-07-22 | 2000-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and method of manufacturing the same |
FR2803689A1 (fr) * | 2000-01-11 | 2001-07-13 | Thomson Plasma | Procede de realisation d'une dalle comportant au moins un substrat, un reseau d'electrodes metalliques et une couche dielectrique |
WO2008015729A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Hitachi Plasma Display Limited | Écran plasma et procédé pour le fabriquer |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2144172A patent/JPH0436923A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0975001A3 (en) * | 1998-07-22 | 2000-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and method of manufacturing the same |
EP1296347A2 (en) * | 1998-07-22 | 2003-03-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel, method of manufacturing the same, and display device using the same |
EP1296347A3 (en) * | 1998-07-22 | 2003-04-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel, method of manufacturing the same, and display device using the same |
US6670757B2 (en) | 1998-07-22 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel, method of manufacturing the same, and display device using the same |
FR2803689A1 (fr) * | 2000-01-11 | 2001-07-13 | Thomson Plasma | Procede de realisation d'une dalle comportant au moins un substrat, un reseau d'electrodes metalliques et une couche dielectrique |
WO2008015729A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Hitachi Plasma Display Limited | Écran plasma et procédé pour le fabriquer |
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