JP2663909B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示デバイスなどに用
いるガス放電表示パネルの製造方法に関し、特に誘電体
層の保護膜の製造方法に関する。
いるガス放電表示パネルの製造方法に関し、特に誘電体
層の保護膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に交流駆動型ガス放電表示パネル
（以下、ＡＣ−ＰＤＰと記す）は誘電体層を放電による
イオン衝撃から保護するために耐熱性の保護層が設けら
れている。この保護層は放電空間に接することから放電
開始電圧を下げるために二次電子放出係数の大きいこと
が望ましく、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が用いられて
いる。
（以下、ＡＣ−ＰＤＰと記す）は誘電体層を放電による
イオン衝撃から保護するために耐熱性の保護層が設けら
れている。この保護層は放電空間に接することから放電
開始電圧を下げるために二次電子放出係数の大きいこと
が望ましく、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が用いられて
いる。
【０００３】このような酸化マグネシウム膜は、膜材料
を例えば電子ビーム加熱などによって蒸発させて誘電体
層の表面に結晶成長の形で堆積させる手法、すなわち蒸
着法によって形成される。
を例えば電子ビーム加熱などによって蒸発させて誘電体
層の表面に結晶成長の形で堆積させる手法、すなわち蒸
着法によって形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在のガス放電表示パ
ネルの駆動電圧は駆動回路の耐電圧や消費電力の面から
みれば、まだ低いとはいえず、さらなる大面積化を考え
た場合、より一層の低電圧化が望まれる。ガス放電表示
パネルの駆動電圧は、素子の構造、封入ガス等多くの要
因によって決定されるが、保護層の二次電子放出係数も
そのひとつであり、二次電子放出係数が高ければより低
い電圧で駆動することができる。酸化マグネシウムはこ
のような点からも保護層として採用されている。低電圧
化の面では、酸化マグネシウム膜の結晶配向性による二
次電子放出係数の違いが論議されている。すなわち、酸
化マグネシウムの＜１１１＞配向膜が他の膜質の酸化マ
グネシウムに対して二次電子放出係数が高いとされてい
る。また、経時変化の面からも＜１１１＞配向膜の優位
性が述べられている（例えば、特開平５−２３４５１
９）。ここで、電子ビームを用いた蒸着法で酸化マグネ
シウムの＜１１１＞配向膜を得るためには、２３０℃以
上の基板温度で膜を堆積させるか、または１．５オング
ストローム／秒以上、３オングストローム／秒以下の堆
積速度で形成する必要がある。しかし、２３０℃以上と
いう高い基板温度で酸化マグネシウム膜を形成すると下
地層である低融点ガラス内の鉛（Ｐｂ）成分が酸化マグ
ネシウム膜中に拡散し、このような酸化マグネシウム膜
をＡＣ−ＰＤＰの保護層として用いると駆動電圧が上昇
するという問題があった。また、１．５オングストロー
ム／秒以上、３オングストローム／秒以下という堆積速
度は生産性の面からは非常に低い値であり採用し難いと
いう問題があった。
ネルの駆動電圧は駆動回路の耐電圧や消費電力の面から
みれば、まだ低いとはいえず、さらなる大面積化を考え
た場合、より一層の低電圧化が望まれる。ガス放電表示
パネルの駆動電圧は、素子の構造、封入ガス等多くの要
因によって決定されるが、保護層の二次電子放出係数も
そのひとつであり、二次電子放出係数が高ければより低
い電圧で駆動することができる。酸化マグネシウムはこ
のような点からも保護層として採用されている。低電圧
化の面では、酸化マグネシウム膜の結晶配向性による二
次電子放出係数の違いが論議されている。すなわち、酸
化マグネシウムの＜１１１＞配向膜が他の膜質の酸化マ
グネシウムに対して二次電子放出係数が高いとされてい
る。また、経時変化の面からも＜１１１＞配向膜の優位
性が述べられている（例えば、特開平５−２３４５１
９）。ここで、電子ビームを用いた蒸着法で酸化マグネ
シウムの＜１１１＞配向膜を得るためには、２３０℃以
上の基板温度で膜を堆積させるか、または１．５オング
ストローム／秒以上、３オングストローム／秒以下の堆
積速度で形成する必要がある。しかし、２３０℃以上と
いう高い基板温度で酸化マグネシウム膜を形成すると下
地層である低融点ガラス内の鉛（Ｐｂ）成分が酸化マグ
ネシウム膜中に拡散し、このような酸化マグネシウム膜
をＡＣ−ＰＤＰの保護層として用いると駆動電圧が上昇
するという問題があった。また、１．５オングストロー
ム／秒以上、３オングストローム／秒以下という堆積速
度は生産性の面からは非常に低い値であり採用し難いと
いう問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るＡＣ−ＰＤＰの製造方法は、上述の問題を解決するた
めに、酸化マグネシウムの＜１１１＞配向膜を下地層と
してその上に保護膜となる酸化マグネシウム膜を蒸着法
により積層形成する工程を含む。
るＡＣ−ＰＤＰの製造方法は、上述の問題を解決するた
めに、酸化マグネシウムの＜１１１＞配向膜を下地層と
してその上に保護膜となる酸化マグネシウム膜を蒸着法
により積層形成する工程を含む。
【０００６】請求項２記載の発明に係るＡＣ−ＰＤＰの
製造方法は、下地層となる酸化マグネシウムの＜１１１
＞配向膜を、２３０℃以上、３５０℃以下の基板温度で
蒸着法により形成する工程を含む。
製造方法は、下地層となる酸化マグネシウムの＜１１１
＞配向膜を、２３０℃以上、３５０℃以下の基板温度で
蒸着法により形成する工程を含む。
【０００７】請求項３記載の発明に係るＡＣ−ＰＤＰの
製造方法は、下地層となる酸化マグネシウムの＜１１１
＞配向膜を、１．５オングストローム／秒以上、３オン
グストローム／秒以下の堆積速度で蒸着法により形成す
る工程を含む。
製造方法は、下地層となる酸化マグネシウムの＜１１１
＞配向膜を、１．５オングストローム／秒以上、３オン
グストローム／秒以下の堆積速度で蒸着法により形成す
る工程を含む。
【０００８】
【作用】ガラスを基板として蒸着法により酸化マグネシ
ウム膜を形成する場合、基板温度を１５０℃程度より高
くすると良好な結晶成長がみられるが主に＜２００＞に
配向した膜である。しかし、下地を＜１１１＞に配向し
た酸化マグネシウム膜とした場合には、蒸着条件にあま
り左右されずその上に積層される膜にも＜１１１＞の配
向性が得られる。
ウム膜を形成する場合、基板温度を１５０℃程度より高
くすると良好な結晶成長がみられるが主に＜２００＞に
配向した膜である。しかし、下地を＜１１１＞に配向し
た酸化マグネシウム膜とした場合には、蒸着条件にあま
り左右されずその上に積層される膜にも＜１１１＞の配
向性が得られる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例に係るＡＣ−Ｐ
ＤＰの製造方法により製造されたＡＣ−ＰＤＰの構造を
模式的に示す要部断面図である。第１のガラス基板１ａ
と第２のガラス基板１ｂ、互いに平行に隣接配置された
表示電極２ａ，２ｂ、ＡＣ駆動のための誘電体層６ａ，
６ｂ、放電空間５を単位発光領域毎に区画するための隔
壁４、後述する保護層形成下地層７ａ及び表面保護層７
ｂ、単位発光領域を選択的に発光させるためのデータ電
極３、及び所定発光色の蛍光体８から構成されている。
ＤＰの製造方法により製造されたＡＣ−ＰＤＰの構造を
模式的に示す要部断面図である。第１のガラス基板１ａ
と第２のガラス基板１ｂ、互いに平行に隣接配置された
表示電極２ａ，２ｂ、ＡＣ駆動のための誘電体層６ａ，
６ｂ、放電空間５を単位発光領域毎に区画するための隔
壁４、後述する保護層形成下地層７ａ及び表面保護層７
ｂ、単位発光領域を選択的に発光させるためのデータ電
極３、及び所定発光色の蛍光体８から構成されている。
【００１０】放電空間５には放電ガスとして例えばヘリ
ウムとキセノンからなるペニングガスが封入されてい
る。なお、誘電体層６ａ，６ｂは低融点ガラスペースト
を所定形状に印刷して焼成することにより形成されてい
る。
ウムとキセノンからなるペニングガスが封入されてい
る。なお、誘電体層６ａ，６ｂは低融点ガラスペースト
を所定形状に印刷して焼成することにより形成されてい
る。
【００１１】一対の表示電極２ａ，２ｂに対して、これ
らの間の相対電位が交互に反転するように所定の駆動電
圧（交番パルス）を印加すると、印加毎に誘電体層６ａ
の表面に放電が起こり、これにより生じた紫外線によっ
て蛍光体８が励起されて発光する。
らの間の相対電位が交互に反転するように所定の駆動電
圧（交番パルス）を印加すると、印加毎に誘電体層６ａ
の表面に放電が起こり、これにより生じた紫外線によっ
て蛍光体８が励起されて発光する。
【００１２】保護層形成下地層７ａ及び表面保護層７ｂ
は放電によるイオン衝撃から誘電体層６ａ，６ｂを保護
するために設けている。ＡＣ−ＰＤＰでは放電開始電圧
の低電圧化の上で有利な酸化マグネシウムを保護層材料
として用いる。
は放電によるイオン衝撃から誘電体層６ａ，６ｂを保護
するために設けている。ＡＣ−ＰＤＰでは放電開始電圧
の低電圧化の上で有利な酸化マグネシウムを保護層材料
として用いる。
【００１３】以上の構造のＡＣ−ＰＤＰは、第１及び第
２のガラス基板１ａ，１ｂについて所定の構成要素を別
個に設ける工程、第１及び第２のガラス基板１ａ，１ｂ
を対向配置して周囲を封止する工程、及び放電ガスを封
入する工程などを経て製造される。その際、第１のガラ
ス基板１ａ側において、保護層形成下地層７ａ及び表面
保護層７ｂは蒸着によって形成される。
２のガラス基板１ａ，１ｂについて所定の構成要素を別
個に設ける工程、第１及び第２のガラス基板１ａ，１ｂ
を対向配置して周囲を封止する工程、及び放電ガスを封
入する工程などを経て製造される。その際、第１のガラ
ス基板１ａ側において、保護層形成下地層７ａ及び表面
保護層７ｂは蒸着によって形成される。
【００１４】前記保護層形成下地層７ａ及び表面保護層
７ｂの形成工程について述べる。まず所定の構成要素を
設けた第１のガラス基板１ａを蒸着装置内で表面温度が
２５０℃程度になるようにヒータにより加熱する。その
後電子ビームにより蒸着材料である酸化マグネシウムを
加熱、蒸発させ基板ガラス上に下地層とする酸化マグネ
シウム膜から成る保護層形成下地層７ａを約３０００オ
ングストロームの膜厚に形成する。このとき、堆積速度
は例えば２０オングストローム／秒となるように制御す
る。保護層形成下地層７ａを形成後、第１のガラス基板
１ａの表面温度が１７０℃程度になるようにヒータを制
御し、さらに７０００オングストロームの表面保護層７
ｂを形成する。このときも堆積速度は２０オングストロ
ーム／秒となるように制御する。
７ｂの形成工程について述べる。まず所定の構成要素を
設けた第１のガラス基板１ａを蒸着装置内で表面温度が
２５０℃程度になるようにヒータにより加熱する。その
後電子ビームにより蒸着材料である酸化マグネシウムを
加熱、蒸発させ基板ガラス上に下地層とする酸化マグネ
シウム膜から成る保護層形成下地層７ａを約３０００オ
ングストロームの膜厚に形成する。このとき、堆積速度
は例えば２０オングストローム／秒となるように制御す
る。保護層形成下地層７ａを形成後、第１のガラス基板
１ａの表面温度が１７０℃程度になるようにヒータを制
御し、さらに７０００オングストロームの表面保護層７
ｂを形成する。このときも堆積速度は２０オングストロ
ーム／秒となるように制御する。
【００１５】通常、ガラス基板を用いて基板温度を１７
０℃程度、堆積速度を２０オングストローム／秒として
電子ビーム蒸着法により酸化マグネシウム膜を形成した
場合、＜２００＞に配向した膜となりやすい。しかし、
基板温度を高くすることにより＜１１１＞配向の膜を得
ることができる。図２は基板温度と配向性の関係を示し
たものである。図からわかるように２３０℃程度以上の
基板温度で＜１１１＞に配向した膜が得られることがわ
かる。基板温度をさらに高くしても配向性に変化はない
が下地となる誘電体層６ａが軟化するため３５０℃を超
えるような温度での形成は不可能である。
０℃程度、堆積速度を２０オングストローム／秒として
電子ビーム蒸着法により酸化マグネシウム膜を形成した
場合、＜２００＞に配向した膜となりやすい。しかし、
基板温度を高くすることにより＜１１１＞配向の膜を得
ることができる。図２は基板温度と配向性の関係を示し
たものである。図からわかるように２３０℃程度以上の
基板温度で＜１１１＞に配向した膜が得られることがわ
かる。基板温度をさらに高くしても配向性に変化はない
が下地となる誘電体層６ａが軟化するため３５０℃を超
えるような温度での形成は不可能である。
【００１６】一方、＜１１１＞配向の酸化マグネシウム
膜を下地層とした場合、基板温度を１７０℃程度、堆積
速度を２０オングストローム／秒としても、積層して形
成される酸化マグネシウム膜は＜１１１＞配向となる。
膜を下地層とした場合、基板温度を１７０℃程度、堆積
速度を２０オングストローム／秒としても、積層して形
成される酸化マグネシウム膜は＜１１１＞配向となる。
【００１７】表１は、３０００オングストローム、＜１
１１＞配向の酸化マグネシウム膜を下地層として、基板
温度１７０℃、堆積速度２０オングストローム／秒の条
件で７０００オングストロームの酸化マグネシウムを積
層形成した膜と、下地酸化マグネシウム層無しで基板温
度１７０℃、堆積速度２０オングストローム／秒で１０
０００オングストロームの酸化マグネシウムを形成した
膜を、Ｘ線回折により評価し、＜１１１＞回折ピークと
＜２００＞回折ピークの強度比を示したものである。
１１＞配向の酸化マグネシウム膜を下地層として、基板
温度１７０℃、堆積速度２０オングストローム／秒の条
件で７０００オングストロームの酸化マグネシウムを積
層形成した膜と、下地酸化マグネシウム層無しで基板温
度１７０℃、堆積速度２０オングストローム／秒で１０
０００オングストロームの酸化マグネシウムを形成した
膜を、Ｘ線回折により評価し、＜１１１＞回折ピークと
＜２００＞回折ピークの強度比を示したものである。
【００１８】
【表１】 この表１から、＜１１１＞配向の下地層を用いた場合に
は＜１１１＞配向の膜が積層されていることがわかる。
は＜１１１＞配向の膜が積層されていることがわかる。
【００１９】このように、第１の実施例では表面保護層
７ｂを形成する時の基板温度は１７０℃程度と比較的低
いため、膜中への鉛の拡散は起こらない。
７ｂを形成する時の基板温度は１７０℃程度と比較的低
いため、膜中への鉛の拡散は起こらない。
【００２０】次に本発明の第２の実施例による保護層形
成下地層７ａ及び表面保護層７ｂの形成工程について述
べる。前述した第１の実施例と同様に蒸着装置内に設置
した基板を表面温度が１７０℃程度となるようにヒータ
により加熱する。その後電子ビーム蒸着により酸化マグ
ネシウム層を形成する。このとき、膜厚が３０００オン
グストロームとなるまでは堆積速度が２オングストロー
ム／秒となるように電子ビームを制御し、その後７００
０オングストロームとなるまでは堆積速度が２０オング
ストローム／秒となるように電子ビームを制御する。
成下地層７ａ及び表面保護層７ｂの形成工程について述
べる。前述した第１の実施例と同様に蒸着装置内に設置
した基板を表面温度が１７０℃程度となるようにヒータ
により加熱する。その後電子ビーム蒸着により酸化マグ
ネシウム層を形成する。このとき、膜厚が３０００オン
グストロームとなるまでは堆積速度が２オングストロー
ム／秒となるように電子ビームを制御し、その後７００
０オングストロームとなるまでは堆積速度が２０オング
ストローム／秒となるように電子ビームを制御する。
【００２１】図３は基板温度を１７０℃とした時の堆積
速度と配向性の関係を示したものである。図から、１．
５〜３オングストローム／秒の堆積速度で＜１１１＞配
向の膜が得られることがわかる。
速度と配向性の関係を示したものである。図から、１．
５〜３オングストローム／秒の堆積速度で＜１１１＞配
向の膜が得られることがわかる。
【００２２】このようにして形成した＜１１１＞配向の
酸化マグネシウム膜を保護層形成下地層７ａとすること
により、２０オングストローム／秒といった高い堆積速
度で積層形成した酸化マグネシウム膜も＜１１１＞とな
る。
酸化マグネシウム膜を保護層形成下地層７ａとすること
により、２０オングストローム／秒といった高い堆積速
度で積層形成した酸化マグネシウム膜も＜１１１＞とな
る。
【００２３】このように、第２の実施例の方法によれ
ば、保護層の全てを２オングストローム／秒で形成した
場合に比べて、膜形成に要する時間は約１／２になり高
い生産性が得られる。
ば、保護層の全てを２オングストローム／秒で形成した
場合に比べて、膜形成に要する時間は約１／２になり高
い生産性が得られる。
【００２４】尚、以上の実施例においては、面放電型の
ＡＣ−ＰＤＰを例示したが、本発明は対向放電型のＡＣ
−ＰＤＰにも適用することができる。上述の実施例にお
いて、蒸発源の形式は酸化マグネシウムの＜１１１＞配
向膜が得られる範囲で適宜変更することができる。
ＡＣ−ＰＤＰを例示したが、本発明は対向放電型のＡＣ
−ＰＤＰにも適用することができる。上述の実施例にお
いて、蒸発源の形式は酸化マグネシウムの＜１１１＞配
向膜が得られる範囲で適宜変更することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体層を保護し良好
な放電特性を得るための酸化マグネシウムの＜１１１＞
配向膜を容易に形成することができる。
な放電特性を得るための酸化マグネシウムの＜１１１＞
配向膜を容易に形成することができる。
【図１】本発明に係るＡＣ−ＰＤＰの構造を模式的に示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図２】蒸着時の基板温度と酸化マグネシウム膜の結晶
配向性の関係を示したものである。
配向性の関係を示したものである。
【図３】基板温度を１７０℃とした時の堆積速度と酸化
マグネシウム膜の結晶配向性の関係を示したものであ
る。
マグネシウム膜の結晶配向性の関係を示したものであ
る。
１ａ 第１のガラス基板 １ｂ 第２のガラス基板 ２ａ，２ｂ 表示電極 ３ データ電極 ４ 隔壁 ５ 放電空間 ６ａ，６ｂ 誘電体層 ７ａ 保護層形成下地層 ７ｂ 表面保護層 ８ 蛍光体
Claims (3)
- 【請求項１】 第１及び第２の絶縁性基板、誘電体に覆
われた電極対、誘電体上に電極部を覆うように形成され
た酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層及び放電ガスで充たさ
れた放電空間からなる交流駆動型ガス放電表示パネルの
製造方法において、前記酸化マグネシウム層の形成工程
が、＜１１１＞配向の酸化マグネシウム膜を下地層とし
てさらにその上に蒸着法により酸化マグネシウム膜を積
層形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】 下地層として用いる＜１１１＞に配向し
た酸化マグネシウム層が、２３０℃以上、３５０℃以下
の基板温度で形成された膜であることを特徴とする請求
項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３】 下地層として用いる＜１１１＞に配向し
た酸化マグネシウム層が、１．５オングストローム／秒
以上、３オングストローム／秒以下の堆積速度で形成さ
れた膜であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8572695A JP2663909B2 (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8572695A JP2663909B2 (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287833A JPH08287833A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2663909B2 true JP2663909B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=13866860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8572695A Expired - Fee Related JP2663909B2 (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663909B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150030A (en) * | 1997-11-20 | 2000-11-21 | Balzers Hochvakuum Ag | Substrate coated with an MgO-layer |
| KR100854893B1 (ko) * | 2000-08-29 | 2008-08-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법과 플라즈마디스플레이 패널 표시장치 |
| JP4878425B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2012-02-15 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびにプラズマディスプレイパネル表示装置 |
| KR100670324B1 (ko) | 2005-03-23 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4807032B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-11-02 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4835099B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| KR20070048017A (ko) | 2005-11-03 | 2007-05-08 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 |
| JP4723982B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2011-07-13 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| JP4736933B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| EP2031630A4 (en) | 2006-05-31 | 2010-07-21 | Panasonic Corp | PLASMA SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| JP4989634B2 (ja) | 2006-10-20 | 2012-08-01 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US8004190B2 (en) | 2006-10-20 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and method for manufacture of the same |
| CN101522939A (zh) * | 2006-10-27 | 2009-09-02 | 株式会社爱发科 | 等离子显示器面板的制造方法以及制造装置 |
| KR100850898B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2008-08-07 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4922850B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2012-04-25 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル |
| JP4909826B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2012-04-04 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル |
| KR101128744B1 (ko) * | 2008-06-16 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 알박 | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 성막 장치 |
-
1995
- 1995-04-11 JP JP8572695A patent/JP2663909B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH08287833A (ja) | 1996-11-01 |
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