KR101128744B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 성막 장치 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 성막 장치 Download PDF

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Abstract

보호막의 막질을 안정화시킨다. 성막 대상물을 반송하면서 금속 산화물을 증발시킬 때에, 진공조에 산소와 산소보다 다량의 물을 도입하면서, 정적 성막 속도가 40 nm/초 이상으로 되도록 금속 산화물을 증발시킨다. 금속 산화물을 증발시킬 때의 발광 강도를 측정하여, 그 측정 결과를 가열 장치 (전자총 (41)) 의 출력에 피드백시킨다. 발광 강도는 (111) 강도 등의 막질에 직접 관련되기 때문에, 결정 배향성, 막밀도, 광학 특성 등의 막질이 양호한 보호막을 안정적으로 성막할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법, 성막 장치{METHOD FOR MANUFACTURING PLASMA DISPLAY PANEL AND FILM FORMING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히, PDP 표시 장치에 사용되는 패널의 보호막에 적절한 MgO 막을 형성하는 기술에 관한 것이다.
종래부터, 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP) 은 표시 장치의 분야에서 널리 사용되고 있고, 최근에는 대화면이면서 고품질이고 저가격인 PDP 가 요구되고 있다.
현재, PDP 는 유리 기판 위에 유지 전극 및 주사 전극을 형성한 전면판과 유리 기판 위에 어드레스 전극을 형성한 배면판이 첩합 (貼合) 되어 있는 3 전극 면방전형이 주류로 되어 있다.
전면판과 배면판 사이에는 방전 가스가 봉입되어 있어, 주사 전극과 어드레스 전극 사이에 전압을 인가하여 방전을 발생시키면, 봉입된 방전 가스가 플라즈마화되어 자외선이 방출된다. 방사된 자외선이 조사되는 위치에 형광체를 배치해 두면, 자외선에 의해 형광체가 여기되어 가시광이 방출된다.
일반적으로, 유지 전극 및 주사 전극 상에는, 유전체막을 형성하고, 또한 그 위에 유전체의 보호와 2 차 전자를 방출시키는 것을 목적으로 하여 MgO, SrO 등의 금속 산화막이 형성되어 있다.
방전 유지를 위해서 주사 전극과 유지 전극에 교류 전압을 인가하면, 방전 가스의 플라즈마화에 의해 발생한 양이온이 주사 전극측 및 유지 전극측에 입사되는데, 유지 전극 및 주사 전극과 그들 전극 상의 유전체막은 보호막에 의해 양이온으로부터 보호되고 있다.
또, 발광 효율의 개선, 방전 지연의 개선, γ (2 차 전자 수율) 의 개선을 위해 MgO 베이스의 보호막에 대해 Ca, Al, Si, Mn, Eu, Ti, 물 및 수소 등을 첨가하는 시도가 이루어지고 있다 (예를 들어 비특허문헌 1).
(비특허문헌 1) 제43회 PDP 기술 토론회 예고집, 2006년 7월 5일, p32 ～ p52
(특허문헌 1) 일본 공개특허공보 2007-107092호
(특허문헌 2) 일본 공개특허공보 2007-119831호
(특허문헌 3) 일본 공개특허공보 2006-149833호
MgO 를 함유하는 보호막은 (111) 배향의 피크 강도가 높을수록 2 차 전자를 방출하기 쉽고, 굴절률이 높을수록 치밀하고 내스퍼터성이 높다고 여겨지고 있으며, PDP 용 보호막에는 일반적으로 다음의 특성이 요구된다.
(1) 결정 배향성이 (111) 이고, XRD (X Ray Diffraction, X 선 회절) 에서의 피크 강도가 1500 cps (counts per second) 이상인 것.
(2) 충전율 (막밀도) 이 82% 이상인 것 (굴절률이 약 1.6 이상인 것).
상기 (1), (2) 의 특성을 모두 만족하고, 또한 피크 강도가 높고, 충전율이 높은 것이 바람직하지만, 결정 배향성을 향상시키기 위한 성막 조건에서는 막밀도가 저하되는 경향이 있고, 막밀도를 높게 하는 성막 조건에서는 결정 배향성이 저하되는 경향이 있다.
요컨대, 상기의 특성을 향상시키기 위한 성막 조건은 상반된다. 따라서, 현 상황보다 더욱 특성이 우수한 PDP 용 보호막을 작성할 때에는, 어느 특성을 중시한 성막 조건으로 하거나, 내지는 쌍방의 특성의 중간적인 보호막을 제조하지 않을 수 없다.
성막 조건은, 일반적으로, 성막 중의 기판 온도, 압력, 산소, Ar, 수소, 물 등의 프로세스 가스 도입량, 가스 분압 등이다. 이들 성막 조건은 모니터링하여 제어할 수 있는데, 어느 성막 조건을 바꾸어도, MgO 의 결정성을 제어 및 필요한 막 특성의 제어에는 불충분하였다.
MgO, SrO, CaO 등의 금속 산화물에 전자빔을 조사하여 고온 가열하면, 금속 산화물의 증기가 발생함과 함께, 금속 산화물의 일부가 환원되어 금속이 해리된다. 예를 들어, 산화 마그네슘 (MgO) 의 경우, 전자빔을 조사하면 Mg 가 해리되는 반응 (2MgO→2Mg+O2) 이 일어난다.
금속 산화물을 증발시킬 때에 물을 도입하면, 전자빔에 의해 물이 분해되고, 환원제인 수소가 발생하기 때문에, 금속 산화물의 환원 반응 (MgO+H2→Mg+H2O) 이 보다 저온에서 진행되어, 전자빔 파워가 동일하더라도 환원량이 많아진다.
전자빔을 조사할 때에 산소 또는 물이 존재하면, 해리 금속은 산소 및 물과 반응하여 다시 금속 산화물이 된다 (Mg+O2→2MgO, Mg+H2O→MgO+H2).
본 발명자들은, 해리되지 않고 증발된 금속 산화물의 증기로 보호막이 형성되는 것보다, 금속 산화물의 적어도 일부가 일단 해리된 후, 산화된 산화물이 보호막에 혼입되는 것이, 보호막의 (111) 결정 배향성과, 막밀도가 높아지는 것을 알아냈다.
본 발명자들이 추가로 검토를 실시한 결과, 금속 산화물을 해리시키기 위해서는, 진공조 내에 물을 도입하고, 또한, 성막 속도가 40 nm/초 이상으로 되도록, 전자빔을 조사하면 되는 것을 알 수 있었다.
금속이 산화되어, 저에너지 상태 (산화물) 로 될 때에는, 특정 파장의 광이 방출된다. 예를 들어 Mg 가 산화될 때의 방출광은 파장 285.2 nm 와, 280.2 nm 에 특징적인 피크가 있고, Sr 이 산화될 때의 방출광은 파장 242.8 nm 와, 256.9 nm 에 특징적인 피크가 있다.
그들 특정 파장의 피크의 크기 (강도) 는 금속이 산화되는 양이 많을수록 강해지기 때문에, 특정 파장의 발광 강도를 측정하면, 금속 산화물이 어느 정도 해리되고, 재차 산화되었는지가 추측되어, 성막 속도, 전자빔을 포함한 분위기가 금속 산화물을 해리시켜 재차 산화시키는데 충분한지 여부를 알 수 있다.
이러한 지식에 기초하여 이루어진 본 발명은, 진공조 내에 산소를 도입하면서, 증발원에 배치된 금속 산화물을 가열하여, 상기 금속 산화물의 증기를 발생시키고, 표면에 전극이 배치된 제 1 패널은, 상기 진공조 내의 반송 경로에서 반송되어, 상기 증발원과 대면하는 성막 위치를 통과하고, 상기 전극 상에 금속 산화물의 박막으로 이루어지는 보호막을 형성한 후, 상기 제 1 패널을 제 2 패널과 첩합 (貼合) 하여, 상기 보호막이 플라즈마에 노출되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조 내에, 단위 시간당 도입 체적이 상기 산소의 단위 시간당 도입 체적과 동일하거나 그것보다 많아지도록, 물을 도입하면서, 상기 제 1 패널이 당해 성막 위치에서 정지한 경우의 상기 보호막의 성막 속도가 40 nm/초 이상으로 되도록 상기 금속 산화물을 증발시키면서, 상기 제 1 패널을 반송하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은, 표면에 전극이 배치된 제 1 패널을, 진공조 내부의 증발원과 대면하는 성막 위치에 배치하고, 상기 진공조 내에 산소를 도입하면서, 상기 증발원에 배치된 금속 산화물을 가열하여, 상기 금속 산화물의 증기를 발생시키고, 상기 제 1 패널의 상기 전극 상에 금속 산화물의 박막으로 이루어지는 보호막을 형성한 후, 상기 제 1 패널을 제 2 패널과 첩합하여, 상기 보호막이 플라즈마에 노출되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조 내에, 단위 시간당 도입 체적이 상기 산소의 단위 시간당 도입 체적과 동일하거나 그것보다 많아지도록, 물을 도입하면서, 상기 보호막의 성막 속도가 40 nm/초 이상으로 되도록 상기 금속 산화물을 증발시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 금속 산화물에 전자선을 조사하여 증발시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조의 전체압을 1×10-1 Pa 를 초과하는 압력으로 하고, 상기 금속 산화물의 증기를 발생시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 금속 산화물은 MgO 인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 금속 산화물은 MgO 를 함유하고, SrO 와 CaO 중 어느 일방 또는 양방이 첨가된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 금속 산화물을 증발시킬 때, 상기 진공조 내에 방출되는 광의 발광 강도를 측정하고, 상기 발광 강도의 측정치가 미리 설정된 값으로 되도록, 상기 금속 산화물을 증발시키는 가열 장치의 출력을 변경하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 상기 금속 산화물을 증발시킬 때, 상기 진공조 내에 방출되는 광의 발광 강도를 측정하고, 상기 발광 강도의 측정치가 미리 설정된 값으로 되도록, 상기 전자선의 조사 면적을 변경하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법이다.
본 발명은, 진공조와, 상기 진공조 내에 배치된 증발원과, 상기 증발원에 배치된 증착 재료를 가열하는 가열 장치와, 상기 진공조 내에 물을 도입하는 물 도입구와, 상기 진공조 내에 산소를 도입하는 산소 도입구를 갖는 보호막의 성막 장치로서, 상기 진공조 내부에 발생하는 광의 발광 강도를 측정하는 측정 장치와, 상기 측정 장치와 상기 가열 장치에 접속된 제어 장치를 갖고, 상기 제어 장치는, 상기 측정 장치로부터 전달되는 발광 강도에 기초하여, 상기 가열 장치의 출력을 변경 가능하게 구성된 성막 장치이다.
본 발명은 성막 장치로서, 상기 가열 장치는 전자총이고, 상기 제어 장치는 상기 전자총으로부터 방출되는 전자선의 조사 면적을 변경하는 성막 장치이다.
본 발명은 성막 장치로서, 상기 진공조 내부의 반송 경로를 따라 성막 대상물을 반송하는 반송 장치를 갖고, 상기 성막 대상물은 상기 반송 경로를 이동하는 동안에 상기 증발원과 대면하도록 되고, 상기 물 도입구는, 상기 산소 도입구보다 상기 증발원에 가깝고, 또한, 상기 반송 경로보다 먼 위치에 있는 성막 장치이다.
본 발명은 성막 장치로서, 상기 진공조 내부의 상기 증발원과 대면하는 위치에서 기판을 유지하는 기판 홀더를 갖고, 상기 물 도입구는, 상기 산소 도입구보다 상기 증발원에 가깝고, 또한, 상기 기판 홀더에 유지된 상기 기판에 먼 위치에 있는 성막 장치이다.
본 발명은 상기와 같이 구성되어 있고 성막되는 보호막은 결정 배향성이 양호하며, 또한 막밀도가 높다. 결정 배향성이 양호하면 보호막의 (111) 피크 강도가 높아지고, 또 막밀도가 높으면 내스퍼터성이 향상되어, 보호막의 막두께를 삭감할 수 있다. 예를 들어, (111) 피크 강도가 40% 높고, 또한 막밀도가 높으면 필요 막두께는 20% ～ 50% 삭감 가능하다.
해리된 금속을 확실하게 산화시키기 위해서, 물의 도입량은 산소와 동일하거나 그것보다 다량으로 도입한다.
물과 산소의 도입량은 진공조 내의 분압으로 규정해도 되지만, 물은 전자선에 의해 분해되기 때문에, 물의 분압을 정확하게 측정하는 것은 곤란하다. 따라서, 본 발명에서는 분압 대신에, 물과 산소의 도입량을 단위 시간당 도입 체적 (sccm) 으로 규정한다.
결정 배향성이 양호하기 때문에 보호막의 2 차 전자 방출성이 높다. 충전율 (막밀도) 이 높기 때문에 보호막의 내스퍼터성이 양호하며, 2 차 전자 방출성이 높고, 보호막의 내스퍼터성이 양호하기 때문에 PDP 의 수명이 길 뿐만 아니라, 막두께 삭감이 가능하여, PDP 를 박막화할 수 있다. 박막화에 의해, 증착 재료가 절감되며, 패널 비용도 삭감된다. 성막 속도가 종래보다 빠르기 때문에, PDP 의 제조 시간이 단축될 뿐만 아니라, CO, CO2 등의 불순물이 혼입될 우려가 적어진다. 발광 파장을 모니터하여, 전자총의 파워에 피드백함으로써, MgO 막질의 안정화가 가능하게 된다.
도 1 은 PDP 의 일례를 설명하기 위한 모식적인 사시도
도 2 는 본 발명의 성막 장치의 일례를 나타내는 단면도
도 3 은 (111) 강도와 충전율의 관계를 나타내는 그래프
도 4 는 물 도입량과 (111) 반값폭의 관계를 나타내는 그래프
도 5 는 발광 강도와 (111) 피크 강도의 관계를 나타내는 그래프
도 6 은 방출광의 파장과 발광 강도의 관계를 나타내는 그래프 (실시예)
도 7 은 방출광의 파장과 발광 강도의 관계를 나타내는 그래프 (비교예)
도 8 은 EB 전류와 발광 강도의 관계를 나타내는 그래프 (비교예)
도 9 는 물을 도입하여 성막한 보호막의 전자현미경 사진
도 10 은 물을 도입하지 않고 성막한 보호막의 전자현미경 사진
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
도 1 의 부호 1 은 플라즈마 디스플레이 패널의 일례를 나타내고 있다.
이 플라즈마 디스플레이 패널 (1) 은, 제 1, 제 2 패널 (10, 20) 을 갖고 있다.
제 1 패널 (10) 은 제 1 유리 기판 (11) 을 갖고 있고, 제 1 유리 기판 (11) 의 표면에는, 유지 전극 (15) 과 주사 전극 (16) 이 각각 배치되어 있다 (도 1 에서는 1 개씩 도시).
유지 전극 (15) 과 주사 전극 (16) 은 소정 간격을 두고 교대로 나열되어 있다. 유지 전극 (15) 과 주사 전극 (16) 은 서로 이간되고, 그 표면과 유지 전극 (15) 과 주사 전극 (16) 사이에는 유전체막 (12) 이 형성되어 있다. 따라서, 유지 전극 (15) 과 주사 전극 (16) 은 서로 절연되어 있다.
유전체막 (12) 의 표면에는 보호막 (14) 이 전체면에 걸쳐서 배치되어 있다. 따라서, 각 유지 전극 (15) 상과 각 주사 전극 (16) 상에는 보호막 (14) 이 위치한다.
제 2 패널 (20) 은 제 2 유리 기판 (21) 을 갖고 있다. 제 2 유리 기판 (21) 표면 상에는 어드레스 전극 (25) 이 서로 평행하게 배치되어 있고, 어드레스 전극 (25) 은 서로 이간되어 있다. 어드레스 전극 (25) 표면과, 어드레스 전극 (25) 간에는 유전체층 (24) (절연층) 이 배치되고, 어드레스 전극 (25) 끼리는 절연되어 있다.
어드레스 전극 (25) 간에는, 격벽 (23) 이 어드레스 전극 (25) 의 길이 방향을 따라 배치되어 있다. 서로 인접하는 격벽 (23) 간에는, 상이한 색의 형광 색소를 함유하는 형광체막 (적색의 형광체막 (22R) 과, 녹색의 형광체막 (22G) 과, 청색의 형광체막 (22B)) 중 어느 1 개가 배치되고, 각 어드레스 전극 (25) 은 유전체층 (24) 을 통해, 어느 1 색의 형광체막 (22R, 22G, 22B) 으로 덮여 있다.
제 1, 제 2 패널 (10, 20) 은, 보호막 (14) 이 형성된 면과 격벽 (23) 이 형성된 측의 면이 서로 대향하고, 어드레스 전극 (25) 에 대해, 유지 전극 (15) 과 주사 전극 (16) 이 직교하도록 위치 맞춤된 상태에서 첩합되어, 제 1, 제 2 패널 (10, 20) 간의 공간이 밀봉되어 있다.
격벽 (23) 은 제 2 패널 (20) 의 표면으로부터 높게 돌출되고, 그 선단이 제 1 패널 (10) 의 표면에 맞닿아 있다. 따라서, 제 1, 제 2 패널 (10, 20) 간의 공간은 격벽 (23) 에 의해 구분되어 있고, 구분된 각 공간 (발광 공간 (29)) 에, 봉입 가스 (예를 들어 Ne 와 Xe 의 혼합 가스) 가 충만되어 있다.
다음으로, 이 플라즈마 디스플레이 패널 (1) 을 점등시키는 공정에 대해 설명한다.
선택한 주사 전극 (16) 과 어드레스 전극 (25) 사이에 전압을 인가하면, 그들 전극이 교차하는 발광 셀에서 기록 방전 (어드레스 방전) 이 일어나 그 발광 셀에 벽전하가 축적된다.
이어서, 선택한 주사 전극 (16) 과, 그 주사 전극 (16) 에 인접하는 유지 전극 (15) 사이에 교류 전압을 인가한다. 보호막 (14) 은, MgO 로 이루어지는 보호 재료를 주성분으로 하는 MgO 막, SrO 와 CaO 로 이루어지는 보호 재료를 주성분으로 하는 SrO-CaO 막, 또는 MgO 와 SrO 로 이루어지는 보호 재료를 주성분으로 하는 MgO-SrO 막 등으로 구성되어 있다. 이와 같은 보호막 (14) 은 전자 방출 특성이 높아, 어드레스 방전에 의해 벽전하가 축적된 발광 셀에서 보호막 (14) 으로부터 전자가 방전되어 유지 방전이 일어나고, 봉입 가스가 플라즈마화되어 자외선이 발생한다.
선택한 주사 전극 (16) 과, 어드레스 전극 (25) 이 교차하는 발광 셀에서 자외선의 발광이 일어나기 때문에, 그 발광 셀에 위치하는 형광체막 (22R, 22G, 22B) 에 자외선이 입사되면, 형광체막 (22R, 22G, 22B) 이 여기되어 적, 녹, 청 중 어느 색의 가시광이 방출된다.
제 1 유리 기판 (11) 과 유전체막 (12) 은 각각 투명하다. 보호막 (14) 도 MgO 나 SrO 등 투명한 금속 산화물로 구성되고, 그 막두께 분포도 ±5% ～ ±10% 로 투명성을 손상시키지 않도록 되어 있기 때문에, 제 1 패널 (10) 전체가 투명하게 되어 있다. 따라서, 발광 셀에서 방출된 광 (가시광) 은, 제 1 패널 (10) 을 투과하여 외부로 방출된다.
선택된 주사 전극 (16) 과, 그 주사 전극 (16) 에 인접하는 유지 전극 (15) 의 사이에 유지 방전할 때보다 약한 전압을 인가하여, 유지 방전보다 약한 방전 (소거 방전) 을 일으키면, 발광 공간 (29) 내의 벽전하가 중화되어 발광 셀이 소등된다.
보호막 (14) 은, 제 1, 제 2 패널 (10, 20) 사이의 공간에 노출되어 있어, 발광 셀이 발광할 때에는, 보호막 (14) 이 플라즈마에 노출된다.
보호막 (14) 은 MgO 나 SrO 등, 플라즈마로 에칭되기 어려운 재료로 구성되어 있다. 게다가, 본 발명에 의해 성막된 보호막 (14) 은, 후술하는 바와 같이 충전율이 높기 때문에 보다 에칭되기 어렵고, 유전체막 (12), 유지 전극 (15), 주사 전극 (16) 은 보호막 (14) 에 의해 보호되어, 플라즈마 디스플레이 패널 (1) 은 종래에 비하여 수명이 길다.
다음으로, 플라즈마 디스플레이 패널 (1) 의 제조에 사용하는 본 발명의 성막 장치에 대해 설명한다.
도 2 의 부호 3 은 성막 장치의 일례로 진공조 (32) 를 갖고 있다. 진공조 (32) 는 성막실 (34) 과 재료실 (35) 을 갖고 있고, 재료실 (35) 은 성막실 (34) 의 하방에 배치되며, 성막실 (34) 에 접속되어 있다. 성막실 (34) 에는 투입실 (31) 과 취출실 (33) 이 게이트 밸브 (39) 를 통하여 접속되어 있다.
성막실 (34) 에는 반송 장치 (50) 가 형성되어 있고, 성막 대상물은 유지 수단 (47) (캐리어) 에 유지된 상태에서 투입실 (31) 로부터 성막실 (34) 에 반입되고, 반송 장치 (50) 에 의해, 성막실 (34) 내의 정해진 반송 경로 (51) 를 통과하여 취출실 (33) 로 반출된다.
재료실 (35) 은 반송 경로 (51) 의 바로 밑 위치에서 성막실 (34) 에 접속되어 있다. 재료실 (35) 의 내부에는, 재료실 (35) 과 성막실 (34) 의 접속 지점의 바로 밑에 증발원 (36) 이 배치되어 있다. 따라서, 증발원 (36) 은 반송 경로 (51) 의 바로 밑에 위치하여, 성막 대상물은 반송 경로 (51) 를 이동하는 동안에 증발원 (36) 과 대면한다. 증발원 (36) 은 도가니 (용기) 를 갖고 있고, 도가니 내에는 증착 재료가 배치된다. 여기서는 증착 재료는 금속 산화물이다.
재료실 (35) 에는 전자총 (전자선 발생 장치) (41) 이 설치되어 있다. 진공조 (32) 에는 진공 배기계 (52b) 가 접속되어 있어, 진공조 (32) 내부를 진공 분위기로 하고, 전자총 (41) 을 동작시키면 전자선 (전자빔) (42) 이 증발원 (36) 의 금속 산화물에 조사되고, 금속 산화물의 증기가 재료실 (35) 로 방출된다.
진공조 (32) 내의 재료실 (35) 과 성막실 (34) 이 접속된 부분에는 제한판 (38) 이 배치되어 있다.
제한판 (38) 의, 증발원 (36) 의 바로 위 위치에는 개구 (방출구) (37) 가 형성되어 있어, 방출구 (37) 를 통과한 증기가 성막실 (34) 내로 방출된다.
성막 대상물은 반송 경로 (51) 를 이동하는 도중에, 방출구 (37) 를 통하여 증발원 (36) 과 대면하는 성막 위치 (49) 를 통과한다. 제한판 (38) 에 의해, 성막실 (34) 로 방출되는 증기의 확산 각도가 제한되기 때문에, 성막 위치 (49) 를 통과하는 성막 대상물에는 소정 범위의 입사 각도로 증기가 입사된다.
진공조 (32) 내부의 제한판 (38) 과 증발원 (36) 사이의 위치 (즉 재료실 (35) 의 내부) 에는, 물 도입구 (55) 와 산소 도입구 (56) 가 형성되어 있다.
물 도입구 (55) 와 산소 도입구 (56) 는 도시하지 않은 가스 공급계에 접속되어 있어, 물 도입구 (55) 와 산소 도입구 (56) 로부터는, H2O 가스 (수증기, 기체의 물) 와, 산소 가스가 재료실 (35) 내에 도입된다.
물 도입구 (55) 는 산소 도입구 (56) 보다 증발원 (36) 에 가깝고, H2O 가스는 전자선 (42) 에 노출되어 수소가 발생하고, 금속 산화물의 증기는, 수소를 함유하는 H2O 가스에 노출되어 증기의 일부가 환원되어 금속이 해리된다.
물 도입구 (55) 는 산소 도입구 (56) 보다 반송 경로 (51) 로부터 멀다. 즉, 성막 대상물이 물 도입구 (55) 에 가장 접근했을 때의 성막 대상물과 물 도입구 (55) 사이의 거리는, 성막 대상물이 산소 도입구 (56) 에 가장 접근했을 때의 성막 대상물과 산소 도입구 (56) 사이의 거리보다 길다.
따라서, H2O 가스에 노출된 금속 산화물의 증기는 성막 대상물에 도달하기 전에 산소 가스에도 노출되고, 해리 금속은 산화되어 금속 산화물로 되고 난 후, 성막 대상물에 도달한다.
해리 금속이 산화될 때에는 광 (자외선) 을 방출한다. 재료실 (35) 의 측벽에는, 그 광을 투과하는 창부 (44) (예를 들어 석영창) 가 형성되어 있다. 재료실 (35) 의 외부에는 분광 모니터 (43) 가 배치되어 있다. 창부 (44) 를 투과한 광은 분광 모니터 (43) 의 수광부에 입사되고, 분광 모니터 (43) 는 입사광의 발광 강도를 측정한다.
가열 장치 (전자총 (41)) 로부터의 출력, 또는, 금속 산화물에 대한 단위면적당 투입 파워를 일정하게 하여 전자선 (42) 의 조사 면적을 증가시키면, 단위 시간당 금속 산화물의 증발량이 증가되어, 성막 속도가 오르며, 발광 강도도 높아진다. 전자총 (41) 과 분광 모니터 (43) 는 제어 장치 (45) 에 접속되어 있다. 발광 강도의 측정치는 제어 장치 (45) 에 전달된다.
발광 강도와 성막 속도의 관계를 조사해 두고, 그 관계를 제어 장치 (45) 에 설정해 둔다. 제어 장치 (45) 에 원하는 성막 속도를 설정해 두면, 제어 장치 (45) 는, 발광 강도의 측정치를 설정된 관계에 대조하여 성막 속도가 설정치로 되도록 전자총 (41) 의 조사 면적을 변경한다.
이 성막 장치 (3) 를 사용하여 보호막을 성막하는 공정에 대해 설명한다.
먼저, 예비 시험에 의해, 실제로 보호막을 성막할 때와 동일한 조건 (금속 산화물의 종류, 성막 압력, 가열 온도, 반송 속도 등) 으로 보호막을 성막하고, 성막 위치에서 성막 대상물이 정지한 경우의 단위 시간당 막두께 성장량 (정적 성막 속도) 과 금속 산화물이 증발할 때의 특정 파장의 발광 강도의 관계를 구한다.
40 nm/초 이상의 범위에서 정적 성막 속도를 결정하고, 결정된 정적 성막 속도와 예비 시험에서 구한 관계를 제어 장치 (45) 에 설정해 둔다.
투입실 (31) 과 취출실 (33) 과 진공조 (32) 를 진공 배기계 (52a ～ 52c) 에 의해 진공 배기하여, 소정 압력의 진공 분위기를 형성한다. 제 1 유리 기판 (11) 에 전극 (유지 전극 (15) 과 주사 전극 (16)) 과 유전체막 (12) 이 형성된 상태의 제 1 패널 (10) 을 성막 대상물로 하고, 유지 수단 (47) 에 유지시켜, 투입실 (31) 로 반입한다.
투입실 (31) 과 성막실 (34) 의 내부에는 가열 수단 (59) 이 배치되어 있고, 제 1 패널 (10) 을 소정 온도로 가열하고 나서 성막실 (34) 에 반입한다.
증발원 (36) 에 입자상의 금속 산화물을 배치해 둔다. 물 (수증기) 과 산소의 도입량은 도시하지 않은 유량 제어 장치 (매스 플로우 컨트롤러) 에 의해 제어 가능하고, 물의 단위 시간당 도입 체적이 산소의 단위 시간당 도입 체적보다 많아지도록, 물과 산소를 도입하면서 전자선 (42) 를 조사하여, 금속 산화물의 증기를 발생시킨다.
제 1 패널 (10) 은 유지 전극 (15) 및 주사 전극 (16) 이 형성된 측의 면이 아래를 향하게 하여 반송 경로 (51) 에서 반송되고, 증발원 (36) 과 대면하는 위치를 통과할 때에, 유지 전극 (15) 및 주사 전극 (16) 상 (여기서는 유전체막 (12) 표면) 에 금속 산화물의 증기가 도달하여, 금속 산화물의 박막 (보호막 (14)) 이 형성된다.
제어 장치 (45) 는, 소정 시간마다 발광 강도를 측정하거나, 발광 강도를 연속하여 측정하면서, 발광 강도의 측정치가 설정치로 되도록 전자선 (42) 의 조사 면적을 변경하고, 보호막 (14) 의 정적 성막 속도를 40 nm/초 이상의 소정 속도로 한다. 정적 성막 속도가 40 nm/초 이상이고, 또한, 물이 산소보다 대량으로 도입되기 때문에, 보호막 (14) 은 (111) 로 배향하고, 또한, 충전율이 82% 를 초과한다.
제 1 패널 (10) 의 반송 방향의 일단이 성막 위치 (49) 에 도달하고, 그 일단이 성막 위치 (49) 를 다 통과하는데 소요되는 체재 시간에, 정적 성막 속도를 곱하면, 대략 보호막 (14) 의 막두께가 된다. 즉, 보호막 (14) 의 막두께가 정해져 있는 경우에는, 막두께로부터 정적 성막 속도를 나눈 값이 체재 시간으로 된다.
보호막 (14) 이 형성된 상태의 제 1 패널 (10) 은 반송 경로 (51) 를 이동한 후, 취출실 (33) 로 반출되고, 냉각 후, 성막 장치 (3) 외부로 반출된다.
반출된 제 1 패널 (10) 과, 전술한 제 2 패널 (20) 을 첩합하고 제 1, 제 2 패널 (10, 20) 사이에 봉입 가스를 배치하면, 도 1 의 플라즈마 디스플레이 패널 (1) 이 얻어진다.
이상은, 3 전극 AC 형 PDP 의 제 1 패널 (10) 에 보호막 (14) 을 형성하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 보호막 (14) 은 제 2 패널 (20) 에만 성막해도 되고, 제 1, 제 2 패널 (10, 20) 의 양방에 성막해도 된다. 제 2 패널 (20) 에 보호막 (14) 을 성막하는 경우에는, 적어도 각 어드레스 전극 (25) 상에 보호막 (14) 을 배치한다.
본 발명에 사용하는 금속 산화물은, MgO 단독, 또는 MgO 와 다른 금속 산화물 (SrO 와 CaO 중 어느 일방 또는 양방) 의 혼합물이다.
금속 산화물의 혼합물을 사용하는 경우, 혼합물 중, 어느 1 종 이상의 금속 산화물에 대해, 해리 금속의 산화시의 발광 강도를 측정함으로써, 전자총을 제어하여 막 특성의 안정화를 도모하는 것이 가능하다.
금속 산화물의 혼합물을 사용하는 경우, 종래의 방법 (예를 들어 수정 발진식 성막 컨트롤러, CRTM) 에서는, 복수의 물질을 모니터링하는 것은 매우 곤란하지만, 특정 파장의 강도를 모니터링함으로써, 혼합물을 사용하여 복수 종류의 금속 산화물로 이루어지는 보호막의 특성을 제어하는 것이 가능하다.
증착 재료는 금속 산화물에 한정되지 않고, 전술한 금속 산화물을 주성분으로 하여, Ca 와 Al 과 Si 와 Mn 과 Eu 와 Ti 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종류의 첨가제를 첨가할 수도 있다.
플라즈마건을 사용하여 금속 산화물을 증발시키면, 금속 산화물이 과잉되게 해리되어, 보호막 중에 미산화의 금속이 혼입될 우려가 있다. 미산화 금속, 특히 Mg 는 발화성이 높기 때문에, 본 발명에서는 전자총 (41) 을 사용하여, 전자선 (42) 으로 금속 산화물을 증발시킨다. 전자총 (41) 은 특별히 한정되지 않지만, 증발 속도의 제어성과 안정성 면을 고려하면, 피어스식 전자총이 적합하다.
보호막 (14) 의 막두께 분포가 불균일해지면, 광학 특성이 떨어져 제 1 패널 (10) 에는 적합하지 않기 때문에, 막두께 분포가 목표 막두께 (예를 들어 800 nm) 의 ±5% ～ ±10% 로 되도록, 전자선 (42) 의 요동 파형을 결정한다.
이상은, 제어 장치 (45) 가 전자선 (42) 의 조사 면적을 변경하여 발광 강도를 설정치로 하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 전자총 (41) 의 파워 밀도 (W/㎠) 를 변경하여 발광 강도를 설정치로 해도 된다.
그러나, 파워 밀도가 높아지면 스플래쉬라고 불리는 금속 산화물의 돌비 (突沸) 가 일어나 성막 대상물이 오염되는 원인이 되므로, 본 발명에서는, 파워 밀도를 일정하게 해 두고, 조사 면적을 바꿈으로써 발광 강도를 설정치로 하는 것이 바람직하다.
도 2 에서는, 성막실 (34) 에 투입실 (31) 과 취출실 (33) 을 접속했지만, 택 타임이 빠를 (짧을) 때, 성막 전의 성막 대상물을 충분히 가열하는 시간을 확보할 수 없는 경우에는, 투입실 (31) 과 성막실 (34) 사이에 가열실을 설치한다. 또, 성막 후의 성막 대상물을 충분히 냉각시키는 시간을 확보할 수 없는 경우에는, 성막실 (34) 과 취출실 (33) 사이에 냉각실을 설치한다.
증발원 (36) 은 정지시켜도 되는데, 증발원 (36) 을 반송 경로 (51) 의 바로 밑 위치에서, 반송 경로 (51) 와 평행한 평면 내에서 회전시켜도 된다.
이상은, 성막 대상물 (제 1 패널 (10)) 을 반송하면서 보호막 (14) 을 성막하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 재료실 (35) 내부의 증발원 (36) 바로 위 위치에 기판 홀더를 배치하고, 성막 대상물이 증발원 (36) 과 대면하도록 기판 홀더에 유지시켜, 보호막 (14) 을 성막해도 된다. 이 경우, 증발원 (36) 과 성막 대상물 사이의 거리는, 적어도 보호막 (14) 을 성막하고 있는 동안 변하지 않는다.
증발원 (36) 과 성막 대상물 사이의 거리를 변경하지 않고, 보호막 (14) 을 성막하는 경우에는, (111) 결정 배향이며, 또한, 충전율 82% 이상의 막을 얻기 위해서는, 기판 홀더에 유지된 성막 대상물의, 단위 시간당의 막두께 성장량 (즉 성막 속도) 을 40 nm/초 이상으로 하고, 그 이외의 조건 (물과 산소의 도입량 등) 은, 성막 대상물을 반송하면서 성막을 실시하는 경우와 동일하게 한다.
증발원 (36) 과 성막 대상물 사이의 거리를 변경하지 않는 경우, 물 도입구 (55) 보다 산소 도입구 (56) 를 기판 홀더의 성막 대상물의 근처에 배치하고, 물 도입구 (55) 를 산소 도입구 (56) 보다 증발원 (36) 의 근처에 배치한다.
기판 홀더를 회전시켜, 성막 대상물을 증발원 (36) 과 대면하는 평면 내에서 회전시키면, 보호막 (14) 의 막두께 분포가 균일해진다.
진공조에 도입하는 물의 순도가 나쁘면 막질이 악화되므로, 물은 순수 (파장 210 nm ～ 400 nm 의 흡광도 0.01 이하, 불휘발물 5 ppm 이하) 가 바람직하다. 특히, 물에 유기물이 함유되면 방전 특성이 악화되는 원인이 되므로, 전체 유기 탄소량은 4 ppb 이하가 바람직하다.
물 도입구 (55) 의 설치 장소는 특별히 한정되지 않지만, 증발원 (36) 의 증기 방출구 (예를 들어 도가니의 개구) 와 직접 대면시키면, 금속 산화물이 석출되어, 물 도입구 (55) 가 막힐 우려가 있다. 따라서, 물 도입구 (55) 는 증기 방출구와 대면시키지 않거나, 물 도입구 (55) 와 증발원 (36) 사이에 실드를 배치하는 것이 바람직하다.
또, 진공조에 물을 다량으로 도입해도, 성막 속도가 종래와 동일하면 (40 nm/초 미만), (111) 결정 배향의 피크 강도가 작아, 실용 레벨에 미치지 못하기 때문에, 본 발명은, 진공조에 물을 도입하고, 또한, 성막 속도를 40 nm/초 이상 (보다 바람직하게는 140 nm/초 이상) 으로 하는 것이 필수이다.
물의 도입량은 산소의 도입량보다 다량이면 특별히 한정되지 않지만, 200 sccm 이상이 바람직하다.
보호막 (14) 을 성막할 때의 진공조 (32) 의 내부 압력 (성막 압력) 은 특별히 한정되지 않는다. H2O 가스와 그것보다 소량의 산소를 도입하는 경우, 성막 압력이 5×10-2 Pa 이상 (예를 들어 0.2 Pa, 0.3 Pa 등) 으로 높아도, 보호막의 불순물 농도 (특히 C 를 함유하는 불순물), 막밀도, (111) 결정 배향 등은 열화되지 않고, 게다가, 결정 배향성의 강도 분포는 종래보다 개선되었다.
성막을 계속하면, 진공조 (32) 의 내벽면에 금속 산화물이 부착되어 발진 (發塵) 의 원인이 되기 때문에, 진공조 (32) 는 정기적으로 청소할 필요가 있다. 성막 압력이 5×10-2 Pa 미만으로 낮은 경우, 청소 후에 진공조 (32) 내부를 장시간 (5 ～ 6 시간) 진공 배기할 필요가 있었다. 성막 압력이 5×10-2 Pa 이상, 보다 바람직하게는 1×10-1 Pa 이상이면, 청소 후에 진공조 (32) 내부를 장시간 진공 배기할 필요가 없기 때문에, 메인터넌스 후의 복귀가 빠르다.
실시예
<결정 배향성과 막밀도>
상기 성막 장치 (3) 을 사용하여, 재료실 (35) 에 산소의 도입량보다 많아지도록 물을 도입하면서 형성한 보호막의 (111) 강도와 충전율의 관계를 도 3 의 E1 ～ E4 에 나타낸다. 대표적인 성막 조건을 하기 표 1 에 나타내고, 재료실 (35) 에 도입한 물 (H2O 가스) 의 분석 결과를 하기 표 2 에 나타낸다.
표 1 : 성막 조건
기판 PDP 용 유리판
증발 재료 MgO 단결정
기판 온도 250 ℃
산소 도입량 300 sccm
H2O 도입량 500 sccm
전자총 파워 7.5 kW×2
다이나믹 레이트 (동적 성막 속도) 1132 nm?m/분
스태틱 레이트 (정적 성막 속도) 40 nm/초
보호막의 막두께 800 nm
표 2 : 순수 (액체 크로마토그래프/질량 분석계용 초순수)
흡광도 (파장 210nm ? 400nm) 0.01 이하
불휘발물 5 ppm 이하
pH 5.0 ? 7.5
전체 유기 탄소 (TOC) 4 ppb 이하
H2O 를 도입하지 않고 산소만을 도입하여 형성한 보호막의 (111) 강도와 충전율의 관계를 도 3 의 C1 ～ C3 에 나타낸다.
실시예와 비교예의 보호막에 대해, (111) 배향의 회절 강도와 굴절률을 측정하여, 굴절률로부터 충전율 (막밀도) 을 구하였다. 굴절률은 엘립소미터로 측정하였다. 굴절률을 n, 충전율 (막밀도) 을 p, 공간의 굴절률을 nv, 벌크의 굴절률을 ns 로 하면, 굴절률 n 은 하기 수학식 (1) 으로 나타낸다.
수학식 (1) … n=(1-p)nv+pns
공간의 굴절률 nv 는 통상적으로는 공기에서 1 이고, 벌크의 굴절률은 MgO 단결정의 경우에는 1.73 이기 때문에, MgO 의 충전율 p 는 굴절률로부터 하기 수학식 (2) 에 의해 구해진다.
수학식 (2) … p=(n-1)/0.73
도 3 에서 알 수 있는 바와 같이, (111) 피크 강도 3000 CPS 의 MgO 막의 충전율은, 비교예에서는 88.7% 였던 것에 반하여, 실시예의 MgO 막에서는 90.7% 가 되어 약 2 포인트 개선되었다.
또, 충전율 90% 를 얻기 위한 MgO 막의 (111) 강도는, 비교예가 2450 CPS 였는데 반하여, 실시예는 3500 CPS 로, 약 40% 이상 향상되었다. 이상의 결과로부터, 본 발명에 의해 형성된 보호막은, 높은 막밀도 (충전율) 와 높은 (111) 배향성의 양방을 겸비하는 것을 알 수 있다.
<물 도입량과 (111) 반값폭의 관계>
물의 도입량을 바꾸어, (111) 배향 피크의 반값폭을 측정하였다. 반값폭과 물 도입량의 관계를 도 4 에 나타낸다. 도 4 의 가로축은 물 도입량 (sccm), 세로축은 반값폭을 나타내고 있고, 반값폭이 작을수록 결정성이 양호한 것을 나타낸다. 본 발명에 의하면, 종래보다 반값폭이 40% 정도 개선되었고, 본 발명에 의해 성막된 보호막은 결정성이 양호한 것이 확인되었다.
이상으로부터, MgO 의 증발 속도를 증가시켜 정적 성막 속도를 빠르게 하고, 물을 도입하면서 성막을 실시하면, 종래에 비하여 보호막의 결정성이 대폭 개선되는 것을 알 수 있다.
<발광 강도와 (111) 피크 강도의 관계>
전자총의 파워 밀도를 변경하지 않고, 조사 면적을 넓게 하여 MgO 를 증발시켜 보호막을 성막하였다. MgO 를 증발시킬 때의 파장 285.2 nm 의 발광 강도를 오오츠카 전자 (주) 사 제조의 분광 모니터로 측정하였다. 성막된 보호막의 (111) 피크 강도를 구하였다. 발광 강도와 피크 강도의 관계를 도 5 에 나타낸다.
도 5 로부터 알 수 있는 바와 같이, 발광 강도가 커질수록 (111) 피크 강도가 높아져, 보호막의 막질이 개선된 것을 알 수 있다.
<발광 스펙트럼>
상기 표 1 의 성막 조건으로 보호막을 성막했을 때의, 방출광의 파장과 발광 강도를 측정하였다. 그 측정 결과를 도 6 에 나타낸다. 비교예로서 물의 도입량을 제로로 한 것 이외에는, 상기 표 1 의 성막 조건으로 보호막을 성막했을 때의 방출광의 파장과 발광 강도를 측정하였다. 그 결과를 도 7 에 나타낸다.
도 6, 7 을 비교하면 분명한 바와 같이, 물을 도입한 도 6 에서는, Mg 의 산화 반응에서 유래하는 2 개의 피크 (파장 285.2 nm, 280.2 nm) 를 확인할 수 있었지만, 물을 도입하지 않은 도 7 에서는 2 개의 피크를 확인할 수 없었다.
물을 도입하지 않고, 전자총에 대한 투입 파워를 증대시켜, 파장 285.2 nm 의 발광 강도를 측정한 결과를 도 8 에 나타낸다. 도 8 로부터, 투입 파워를 증대시키면 발광 강도가 높아지는 것을 알 수 있는데, 그 발광 강도는 물을 도입한 경우에 비하여 극단적으로 낮아, 물을 도입하면 낮은 투입 파워로 금속 산화물이 해리되고, 재결합하는 것을 알 수 있다.
<물 도입의 유무에 의한 보호막의 특성 비교>
물을 도입한 경우의 보호막과, 물을 도입하지 않은 경우의 보호막의 전자현미경 사진을 도 9, 10 에 나타낸다. 도 9, 10 의 검게 보이는 부분은 MgO 기둥 형상 결정과 MgO 기둥 형상 결정 사이의 간극이다. 이 기둥 형상 결정의 간극이 작을수록, 불순 가스의 흡착량이 줄며, 또 에칭되기 어려운 것을 나타낸다.
도 9, 10 을 비교하면, 도 9 가 기둥 형상 결정의 간극이 적고, 물을 도입하는 편이 불순 가스를 흡착하기 어렵고, 또한, 에칭되기 어려운 보호막이 형성되는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 표 1 에 기재한 동적 성막 속도와 정적 성막 속도의 관계에 대해 설명하면, 동적 성막 속도란, 기판을 반송하면서 성막할 때의 성막 속도를 나타내는 단위로, 기판이 1 분간 1 m 이동하는 동안에 성막되는 막두께를 말한다. 동적 성막 속도에 소정의 계수를 곱하여 환산하면, 기판을 증발원에 대해 고정시켰을 때의 정적 성막 속도가 얻어진다.
정적 성막 속도를 환산할 때의 계수는 사용하는 성막 장치에 따라 상이한데, 이 경우에는 2.12 이고, 정적 성막 속도를 Rs, 동적 성막 속도를 Rd 로 하면, 정적 성막 속도 Rs 는 하기 수학식 (3) 으로 나타낸다.
수학식 (3) … Rs(Å/초)=Rd(Å?m/초)×2.12
1…플라즈마 디스플레이 패널
3…성막 장치
10…제 1 패널
14…보호막
15, 16…전극 (유지 전극, 주사 전극)
32…진공조
36…증발원
41…전자총
51…반송 경로
55…물 도입구
56…산소 도입구

Claims (12)

  1. 진공조 내에 산소를 도입하면서, 증발원에 배치된 금속 산화물을 가열하여, 상기 금속 산화물의 증기를 발생시키고,
    표면에 전극이 배치된 제 1 패널은, 상기 진공조 내의 반송 경로에서 반송되어, 상기 증발원과 대면하는 성막 위치를 통과하고, 상기 전극 상에 금속 산화물의 박막으로 이루어지는 보호막을 형성한 후,
    상기 제 1 패널을 제 2 패널과 첩합 (貼合) 하여, 상기 보호막이 플라즈마에 노출되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,
    상기 진공조 내에, 단위 시간당 도입 체적이 상기 산소의 단위 시간당 도입 체적과 동일하거나 그것보다 많아지도록, 물을 도입하면서,
    상기 제 1 패널이 당해 성막 위치에서 정지한 경우의 상기 보호막의 성막 속도가, 40 nm/초 이상으로 되도록 상기 금속 산화물을 증발시키면서, 상기 제 1 패널을 반송하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  2. 표면에 전극이 배치된 제 1 패널을, 진공조 내부의 증발원과 대면하는 성막 위치에 배치하고,
    상기 진공조 내에 산소를 도입하면서, 상기 증발원에 배치된 금속 산화물을 가열하여, 상기 금속 산화물의 증기를 발생시키고, 상기 제 1 패널의 상기 전극 상에 금속 산화물의 박막으로 이루어지는 보호막을 형성한 후,
    상기 제 1 패널을 제 2 패널과 첩합 (貼合) 하여, 상기 보호막이 플라즈마에 노출되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서,
    상기 진공조 내에, 단위 시간당 도입 체적이 상기 산소의 단위 시간당 도입 체적과 동일하거나 그것보다 많아지도록, 물을 도입하면서,
    상기 보호막의 성막 속도가 40 nm/초 이상으로 되도록 상기 금속 산화물을 증발시키는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 산화물에 전자선을 조사하여 증발시키는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 진공조의 전체압을 1×10-1 Pa 를 초과하는 압력으로 하여, 상기 금속 산화물의 증기를 발생시키는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 MgO 인, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 MgO 를 함유하고, SrO 와 CaO 중 어느 일방 또는 양방이 첨가된, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 산화물을 증발시킬 때, 상기 진공조 내에 방출되는 광의 발광 강도를 측정하고,
    상기 발광 강도의 측정치가 미리 설정된 값으로 되도록, 상기 금속 산화물을 증발시키는 가열 장치의 출력을 변경하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 산화물에 전자선을 조사하여 증발시킬 때, 상기 진공조 내에 방출되는 광의 발광 강도를 측정하고,
    상기 발광 강도의 측정치가 미리 설정된 값으로 되도록, 상기 전자선의 조사 면적을 변경하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  9. 진공조와, 상기 진공조 내에 배치된 증발원과, 상기 증발원에 배치된 증착 재료를 가열하는 가열 장치와, 상기 진공조 내에 물을 도입하는 물 도입구와, 상기 진공조 내에 산소를 도입하는 산소 도입구를 갖는 보호막의 성막 장치로서,
    상기 진공조 내부에 발생하는 광의 발광 강도를 측정하는 측정 장치와,
    상기 측정 장치와 상기 가열 장치에 접속된 제어 장치를 갖고,
    상기 제어 장치는, 상기 측정 장치로부터 전달되는 발광 강도에 기초하여, 상기 가열 장치의 출력을 변경 가능하도록 구성된, 성막 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가열 장치는 전자총이고, 상기 제어 장치는 상기 전자총으로부터 방출되는 전자선의 조사 면적을 변경하는, 성막 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 진공조 내부의 반송 경로를 따라 성막 대상물을 반송하는 반송 장치를 갖고,
    상기 성막 대상물은 상기 반송 경로를 이동하는 동안에 상기 증발원과 대면하도록 되고,
    상기 물 도입구는, 상기 산소 도입구보다 상기 증발원에 가깝고, 또한, 상기 반송 경로보다 먼 위치에 있는, 성막 장치.
  12. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 진공조 내부의 상기 증발원과 대면하는 위치에서 기판을 유지하는 기판 홀더를 갖고,
    상기 물 도입구는, 상기 산소 도입구보다 상기 증발원에 가깝고, 또한, 상기 기판 홀더에 유지된 상기 기판에 먼 위치에 있는, 성막 장치.
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