KR101052052B1 - 패널의 제조 방법 - Google Patents

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울박, 인크
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Abstract

충진율이 높은 MgO막을 제공한다. 진공조(12) 내에 증발원(23)을 배치하고, 산소 가스와 기체의 물을 도입하면서 전자선(28)을 조사하여 MgO의 증기를 발생시킨다. 이 때, 물의 도입량을, 진공조 내부에 잔류하는 물의 분자수가 진공조에 도입하는 물의 분자수의 2.99×10-1배 이상이 되도록 함으로써(1 1 0) 피크 강도가 큰 MgO막을 얻을 수 있다. (1 1 0)이 우선 배향한 MgO막은 충진율이 높고 가스 방출 속도가 느리기 때문에 내스퍼터성이 우수하다.
Figure R1020087028200
패널, 제조 방법, PDP, 표시 장치, 진공조, 증발원, 산소 가스, 기체, 물, 분자수,

Description

패널의 제조 방법{Panel manufacturing method}
본 발명은 MgO막을 성막하는 기술에 관한 것으로, 특히 PDP 표시 장치에 이용되는 패널의 보호막으로 적합한 MgO막을 형성하는 기술에 관한 것이다.
PDP 표시 장치의 패널의 보호막은 증착법이나 스퍼터링법에 의해 형성한 MgO막이 이용되고 있다. MgO막에는 내스퍼터성이 높은 치밀한 특성이 요구된다.
증착법에 의한 제조 공정을 설명하면, 예를 들어 증발원에 입상(粒狀) MgO를 배치하고, 산소 가스를 포함하는 반응성 가스를 진공조 내에 도입한다. 산소 가스 분위기 중에서 입상 MgO에 플라즈마를 조사하여 MgO 증기를 발생시킨다. 산소 가스에 의해 막 중에 산소를 보충함과 동시에, 도입한 수소와 MgO 증기를 반응시켜 MgO의 막질을 개질하여, 패널의 표면에 치밀한 MgO막을 형성하고 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공개 평 9-295894호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허공개 평 10-168570호 공보
보호막으로는 내스퍼터성이 높고, 방출 가스가 적은 막이 요구되고 있다. 종래부터, 보호막으로는 면방위(1 1 1)의 MgO막이 이용되고 있지만, 통상의 증착법에서는 결정성이 높아 치밀한 MgO막을 작성하기에는 한계가 있었다.
물(H2O)을 도입하여 MgO를 성막하면, 도입한 H2O가 해리 증발한 Mg와 반응하여 H2가 대량으로 생성된다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고, 상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조 내부에 잔류하는 물의 분자수가 상기 진공조에 도입한 상기 물의 분자수의 2.99×10-1배 이상이 되도록 상기 물을 도입하는 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고, 상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조 내부의 수소의 분압이, 상기 진공조 내부의 산소 분압의 1.0배 이상이 되도록 상기 산소를 도입하는 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고, 상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조 내부에 잔류하는 상기 물의 분압이 1.68×10-2Pa 이상이 되도록 상기 물을 도입하는 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고, 상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조 내부에서 분해되는 물의 분자수가, 상기 진공조에 도입한 상기 물의 분자수의 7.01×10-1배 이하가 되도록 상기 물을 도입하는 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 패널의 제조 방법으로서, 상기 진공조 내에 상기 MgO 증기를 방출하는 증발원과, 상기 증발원으로부터 방출된 상기 MgO 증기의 퍼짐을 제한하는 제한판을 배치하고, 기체의 상기 물을 상기 제한판과 상기 패널 사이에 도입하는 패널의 제조 방법이다.
본 발명은 상기와 같이 구성되어 있으며, 진공조에 도입된 산소는 MgO막의 산소 결손을 보충한다. 진공조에 도입된 기체의 물은 분해되어 산소를 발생하고, 물로부터 발생한 산소가 MgO로부터 해리한 Mg+와 반응한다. 이 때, 물의 도입량이 적으면 해리한 Mg+와 반응하는 산소량이 적어져, 막의 충진율이 낮아진다.
본 발명은 MgO의 증기를 발생시킬 때에 물이 잔류하는 정도, 구체적으로는 진공조에 도입한 물 중, 분해되지 않고 진공조에 잔류한 물의 분압이, 진공조에 도입한 물의 분압의 2.99×10-1배 이상이 되는 정도, 다시 말하면, 진공조에 도입한 물 중, 분해된 물의 분압이 진공조에 도입한 물의 분압의 7.01×10-1배 이하가 될 정도로 물을 도입한다.
후술하는 표 2에서 알 수 있듯이, 진공조 내에 물을 도입하면서 MgO 증기를 발생시킬 때에, 진공조에 도입하는 물의 양(예를 들면 유량)을 증가시키면 진공조에 잔류하는 물의 분압이 증가하기 때문에, 진공조에 도입하는 물의 양을 변경함으로써, 진공조에 도입한 물 중 분해되지 않고 진공조에 잔류한 물의 분압과 진공조에 도입한 물의 분압의 비율과, 진공조에 도입한 물 중 분해된 물이 분압과 진공조에 도입한 물의 분압의 비율을 제어할 수 있다.
MgO의 증기가 발생할 때에는 충분량의 물이 공급되고 있기 때문에, 치밀한 막이 형성된다.
또한, 진공조에 도입한 물의 분압이라 함은, 진공조에 도입한 물이 모두 분해되지 않았다고 가정했을 때의 진공조 내의 물의 분압이다.
분압은 분자의 수와 비례하기 때문에, 진공조에 도입한 물 중 분해되지 않고 진공조에 잔류한 물의 분자수가, 진공조에 도입한 물의 전체 분자수의 2.99×10-1배 이상으로 하기 위해서는, 진공조에 도입한 물 중 분해되지 않고 잔류한 물의 분압을, 진공조에 도입한 물의 분압의 2.99×10-1배 이상으로 하면 된다.
또한, 진공조에 도입한 물 중 분해된 물의 분자수가, 진공조에 도입한 물의 전체 분자수의 7.01×10-1배 이하로 하기 위해서는, 진공조에 도입된 물 중 분해된 물의 분압을, 진공조에 도입한 물의 분압의 7.01×10-1배 이하로 하면 된다.
기체의 물을 도입함으로써, 충진율이 높고, 가스 방출이 적은 면방위(1 1 0)에 우선 배향한 MgO막을 얻을 수 있다. 이러한 MgO막은 충진율이 높고, 가스 방출이 적은 막은, 내스퍼터성이 우수하여 패널 생산에 있어서 수율이 향상한다.
도 1은 본 발명의 성막 장치를 설명하기 위한 도.
도 2는 그 성막 장치에서의 MgO막 형성 공정을 설명하기 위한 도.
도 3은 PDP 패널을 설명하기 위한 도.
도 4는 H2O 유량과 각 가스의 분압의 관계를 나타내는 그래프.
도 5는 H2O 유량과 H2/O2 및 H2O/O2의 관계를 나타내는 그래프.
도 6은 측정점 A-E와, (1 1 1) 상대 강도 및 (1 1 0) 상대 강도의 관계를 나타내는 그래프.
도 7은 측정점 A-E와 MgO 충진율의 관계를 나타내는 그래프.
도 8은 측정점 A-E와 가스 방출 속도의 관계를 나타내는 그래프.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1 성막 장치
10 패널
12 진공조
17 개구
18 제한판
21 지지 수단
23 증발원
26 산소 가스 도입구
27 기체의 물의 도입구
본 발명의 PDP 패널의 제조 방법을 설명한다. 도 1의 부호 1은 본 발명에 이용하는 성막 장치의 일예로서 진공조(12)를 갖고 있다.
진공조(12)의 내부는 성막실(14)과 재료실(15)로 나뉘어져 있다. 재료실(15)은 성막실(14)의 하방에 배치되고, 재료실(15)의 천정과 성막실(14)의 저면은 접속되어 있다.
재료실(15) 내부의 저벽 위이며, 재료실(15)과 성막실(14)이 접속된 부분의 바로 아래 위치에는 증발원(23)이 배치되어 있다. 증발원(23)은 도가니를 가지고 있으며, 이 도가니 내에는 입상의 MgO가 배치되어 있다.
재료실(15)에는 전자총(전자빔 발생 장치; 24)이 설치되어 있다. 재료실(15) 내부를 진공 분위기로 하고, 전자총(24)를 동작시키면 전자선이 입상의 MgO에 조사되어 MgO의 증기가 방출되도록 구성되어 있다.
진공조(12) 내의 재료실(15)과 성막실(14)이 접속된 부분에는 제한판(18)이 배치되어 있다. 제한판(18)의, 증발원(23) 바로 위의 위치에는 개구(17)가 형성되어 있다. 증발원(23) 내의 MgO로부터 연직 상방으로 방출된 MgO의 증기는 개구(17)를 지나 성막실(14)에 침입하도록 구성되어 있다.
성막실(14)의 내부에는 성막 대상물을 지지하는 지지 수단(21)이 배치되어 있다. 지지 수단(21)은 반송 기구에 장착되어 있다. 도 1과 도 2 중에서 부호 16의 일점쇄선은 반송 기구를 모식적으로 나타내고 있다.
지지 수단(21)은 반송 기구(16)에 의해 성막실(14) 내를 이동하여, 증발원(23) 바로 위의 위치를 통과 또는 정지할 수 있도록 구성되어 있다. 진공조(12)의 외부에는 반출입실(11)이 배치되어 있다. 이 반출입실(11)은 게이트 밸브(24)를 통하여 성막실(14)에 접속되어 있다.
이 성막 장치(1)를 이용하여 MgO막을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
반출입실(11)과 진공조(12)에는 진공 배기계(22a, 22b)가 접속되어 있으며, 게이트 밸브(24)를 닫고 진공조(12) 내를 미리 진공 배기해 둔다.
그 상태에서 성막 대상인 패널을 지지 수단(21)에 실어 반출입실(11) 내로 반입하고, 대기와의 사이의 문을 닫아, 반출입실(11) 내를 소정 압력까지 진공 배기한다.
다음으로, 반송 기구(16)에 의해 지지 수단(21)을 게이트 밸브(24)에 근접시키고, 게이트 밸브(24)를 열어, 반송 기구(16)로 반출입실(11)로부터 성막실(14)로 이송 재치한다.
이어서, 반송 기구(16)를 동작시켜, 패널을 지지한 상태의 지지 수단(21)을 증발원(23)의 상방 위치를 향해 이동시킨다.
또한, 반출입실(11)과 성막실(14)에는 히터(29)가 배치되어 있으며, 반출입실(11) 내부에 위치할 때, 및 증발원(23)의 상방 위치로 이동 중에, 패널을 미리 가열한다.
재료실(15) 내에는 산소 가스를 도입하는 산소 가스 도입구(26)가 설치되어 있다. 또한, 제한판(18)의 성막실(14)측의 면에는 기체의 물을 도입하는 수도 입구(27)가 설치되어 있다.
수도 입구(27)는 지지 수단(21)의 이동 경로 위를 향하고 있다. 지지 수단(21)에 지지된 패널이 증발원(23)의 상방을 통과 중, 또는 상방 위치에서 정지할 때에는, 수도 입구(27)로부터 도입되는 기체의 물은 패널을 향해 분출되도록 구성되어 있다. 또한, 개구(17)는 1개 내지 복수개를 설치할 수 있다. 개구(17)의 주위에 파이프를 배치하고, 이 파이프에 나란히 설치된 복수의 구멍에 의해 수도 입구(27)를 구성시킬 수도 있다.
도 2의 부호(10)는 기체의 물이 내뿜어지고 있는 패널을 나타내고 있다. 산소 가스 도입구(26)로부터는 미리 재료실(15)의 내부를 향해 산소 가스가 도입되어 있고, 성막실(14)과 재료실(15)은 일정 분압의 산소 가스 분위기에 놓여 있다.
산소 가스와 기체의 물이 도입되고 있는 상태에서 전자총(24)을 동작시킨다. 증발원(23) 내의 MgO에 전자선(28)을 조사하고, MgO의 증기를 방출시킨다. 제한판(18)의 개구(17)를 통과한 MgO 증기가 패널(10)의 표면에 도달하여, 패널(10)의 표면에 MgO막이 형성된다. 패널(10)은 크기 때문에, 통상은 패널(10)을 이동시키면서 MgO의 증기를 도달시켜, 패널(10)의 전면에 MgO의 증기를 도달시킨다.
이 때, 진공조(12) 내에 도입된 산소 가스에 의해, 성장하는 MgO의 박막 중에 산소 원자가 보충되어 결함이 없는 막이 형성된다. 또한, 도입된 물은 해리 증발한 Mg와 반응하여, MgO를 형성함과 동시에 H2가 발생한다.
기체의 물의 도입량을, MgO를 증발시킬 때에 물이 전부 해리되지 않고 남도록 한다. 그리고, 진공조(12) 내부에 잔류하는 물의 분압이 이 진공조에 도입하는 물의 분압의 2.99×10-1배 이상이 되는 범위에 있어서, (1 1 0)에 우선 배향한 MgO막이 얻어진다.
MgO 성막 중에도, 히터(29)에 의해 패널(10)을 가열하여 소정 온도로 승온시켜 둔다. 소정 막두께의 MgO막이 형성된 후, 처리가 끝난 패널(10)은 반출입실(11)로 복귀된다. 미처리 패널이 지지 수단에 실려 MgO막의 성막 처리가 수행된다.
도 3의 부호 40은 PDP 표시 장치의 리어 패널이고, 상기 MgO막이 형성된 패널(10)은 리어 패널(40)과 붙여지는 프론트 패널이다.
(프론트)패널(10)은 투명한 유리 기판(31) 표면에 복수의 전극(유지 전극 또는 표시 전극; 35)이 배치되어 있다. 전극(35)간 및 전극(35)의 표면에는 절연막(32)이 배치되어 있다. 절연막(32)에 의해 각 전극(35)간이 절연되고 있다.
본 발명의 (프론트)패널(10)에서는, 절연막(32) 상에는 상기 (1 1 0) 회절 피크가 높은 MgO막으로 구성된 보호막(33)이 형성되어 있다.
리어 패널(40)은 기판(41) 상에 복수의 전극(어드레스 전극; 45)이 평행하게 배치되어 있다. 프론트 패널(10)과 마찬가지로, 전극(45)간 및 전극(45)의 표면에는 절연막(42)이 배치되어 있다. 이 절연막(42)에 의해 각 전극(45)간이 절연되고 있다.
절연막(42) 상의 전극(45)간 위치에는, 길고 가는 격벽(46)이 전극(45)을 따 라 배치되어 있다. 인접하는 격벽(46) 사이의 공간으로 방전 공간(47)이 형성되어 있다. (프론트)패널(10)의 보호막(33)은 격벽(46)과 접촉하여, 방전 공간(47)이 덮인 상태로 되어 있다.
방전 공간(47)의 측면 및 저면에는 형광층(48)이 배치되어 있다. (프론트)패널(10)의 전극(35)과 리어 패널(40)의 전극(45)은 서로 직교하는 방향으로 연장 설치되어 있다. 전극(35, 45)간에 전압을 인가하면, 전극(35, 45)의 교차 위치에 있는 방전 공간(47) 내에 부분적으로 플라즈마가 생긴다. 그 플라즈마에 의해 형광층(48)이 발광하고, (프론트)패널(10)을 투과하여 외부로 광이 방출되도록 구성되어 있다.
보호막(33)을 구성하는 MgO는 스퍼터되기 어려운 재료로서, 방전 공간(47)에 생성된 플라즈마로부터 프론트 패널(10)의 전극(35)을 보호한다.
이상에서는, 수도 입구(27)를 제한판(18)의 성막실(14)측의 면에 설치하고, 제한판(18)과 패널 사이에 기체의 물을 도입하는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 수도 입구(27)의 설치 장소는 특별히 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 수도 입구(27)를 제한판(18)의 재료실(15)측의 면에 설치할 수도 있다. 또한, 수도 입구(27)를 제한판(18)의 개구(17) 내주 측면에 설치할 수도 있다. 또한, 수도 입구(27)를 제한판(18) 이외의 장소, 구체적으로는 진공조(12) 측벽 상이나 재료실(15) 측벽상에 설치할 수도 있다.
(실시예)
상기 성막 장치(1)를 이용하여, 성막 조건을 변경하면서 MgO막을 형성하였 다.
하기 표 1은 진공조(12) 내의 전체 압력(성막 압력), 및 H2O 도입량과, O2와, H2의 각 분압 및 굴절율의 관계를 나타낸 결과이다.
표 1: 굴절율의 측정 결과
H2O 도입량(sccm) 성막 압력(Pa) 산소 분압(Po)에 대한 수소 분압(Ph)의 비(R)(Ph/Po) 굴절율
0 4.0×10-2 0.01 1.65
200 6.5×10-2 0.61 1.68
500 9.5×10-2 1.00 1.69
1000 1.5×10-1 1.50 1.70
1500 2.1×10-1 2.00 1.71
상기 표 1의 실험 조건의 범위에 있어서, 산소 분압에 대한 수소 분압의 비가 클수록 굴절율이 높고, PDP용 패널로서 우수하다는 것을 알 수 있다.
다음으로, 상기 성막 장치(1)를 이용하여, 성막 조건을 더 변경하여 MgO막을 형성하였다. H2O, O2를 진공조(12)에 도입할 때의 각 유량과, 성막 압력과, MgO를 증발시킬 때의 진공조(12) 내의 H2O, H2, O2의 각 분압의 측정값을 하기 표 2에 기재한다.
표 2: 각 가스의 유량, 분압, 분압비
측정점 A B C D E F
O2 유량
(sccm)		 135 135 135 135 135 135
H2O 유량
(sccm)		 0 200 500 750 1000 1500
성막 압력
(전체 압력)		 4.00×10-2 6.30×10-2 9.50×10-2 1.20×10-1 1.45×10-1 2.10×10-1
O2 분압, Pa 3.83×10-2 3.83×10-2 3.89×10-2 4.00×10-2 4.32×10-2 -
H2 분압(분해 H2O), Pa 2.21×10-4 2.35×10-2 3.93×10-2 5.33×10-2 6.52×10-2 -
잔류 H2O 분압
, Pa		 1.51×10-3 1.17×10-3 1.68×10-2 2.67×10-2 3.66×10-2 -
H2/O2 5.78×10-3 6.14×10-1 1.01 1.33 1.51 -
H2O/O2 3.94×10-2 3.05×10-2 4.32×10-1 6.67×10-1 8.47×10-1 -
도입 H2O 분압
, Pa		 - 2.47×10-2 5.61×10-2 8.00×10-2 1.02×10-1 -
잔류 H2O/도입 H2O - 4.74×10-2 2.99×10-1 3.34×10-1 3.60×10-1 -
분해 H2O/도입 H2O - 9.53×10-1 7.01×10-1 6.66×10-1 6.40×10-1 -
또한, '측정점 A'에서는 H2O를 도입한 양이 제로이므로, '잔류 H2O 분압'의 '측정점 A'란의 값은 제로가 될 것이며, 표 2에 기재한 측정값은 오차이다.
각 가스의 분압 및 성막 압력의, H2O를 도입할 때의 유량과의 관계를 도 4에 나타내었으며, 산소 분압에 대한 수소 분압의 비, 및 산소 분압에 대한 물의 분압의 비의, H2O를 도입할 때의 유량과의 관계를 도 5에 나타낸다.
진공조(12)에 발생하는 H2의 양은 MgO와 반응하여 분해된 H2O의 양과 같으므로, 진공조(12) 내의 H2O 분압(잔류 H2O 분압)과 H2 분압의 합계가, 진공조(12)에 도입한 H2O의 도입량(도입 분압)이 된다. H2O의 도입량을 상기 표 2의 '도입 H2O 분압'란에 기재하였다.
또한, 도입 H2O 분압에 대한 잔류 H2O 분압의 비(잔류 H2O/도입 H2O)와, 도입 H2O 분압에 대한 분해 H2O 분압의 비(분해 H2O/도입 H2O)를 구하여, 상기 표 2에 기재하였다.
다음으로, 상기 성막 조건에서 얻어진 MgO막에 대하여 X선 회절 피크의 상대 강도를 구하였다. 또한, MgO 증발시의 패널 온도는 200℃였다.
도 6은 측정점 A~E와, 면방위(1 1 O), (1 1 1)의 상대 강도의 관계를 나타내는 그래프이다. 횡축은 산소 분압(Po)에 대한 수소 분압(Ph)의 비(Ph/Po)를 나타내고, 그 횡축에는 비(Ph/Po)의 크기에 따라 측정점 A~E를 배치하였다. 도 6의 종축은 X선 회절선의 상대 강도를 나타내고 있다.
도 6에서 알 수 있듯이, 면방위(1 1 0)의 상대 강도는 면방위(1 1 1)의 상대 강도보다도 측정점 A-B 간에서는 작지만, 그 대소 관계는 측정점 B-C 간에서 역전하여, 측정점 C-E에서는, 면방위(1 1 0)의 상대 강도는 면방위(1 1 1)의 상대 강도보다도 커지고 있는 것을 알 수 있다.
측정점 A-B 간에서는 진공조(12) 내부에 잔류하는 물의 분압이 진공조에 도입한 물의 분압의 2.99×10-1배 미만이고, 측정점 C-E 간에서는 2.99×10-1배 이상이다. 따라서, 측정점 B와 C 사이의 값(잔류 H2O/도입 H2O가 약 1.77×10-1)에서, 면방위(1 1 0)의 상대 강도가 면방위(1 1 1)의 상대 강도보다도 커지며, 적어도 진공조(12) 내부에 잔류하는 물의 분압이 진공조에 도입한 물의 분압의 2.99×10-1배 이상일 때에 면방위(1 1 0)가 우선 배향이 되는 것을 알 수 있다.
또한, 잔류 H2O가 아니라, 물의 분해량(분해 H2O)에 착목하면, 측정점 A-B 간에서는, 분해 H2O의 분압이 진공조(12)에 도입한 물의 분압의 7.01×10-1배를 넘고 있으며, 측정점 C-E 간에서는 7.01×10-1배 이하이기 때문에, 적어도 분해 H2O의 분압이 진공조(12)에 도입한 물의 분압의 7.01×10-1배 이하일 때에 면 방위(1 1 0)가 우선 배향이 되는 것을 알 수 있다.
또한, 각 MgO막에 대하여 충진율과 가스 방출 속도를 각각 측정하였다. 도 7은 측정점 A~E와 MgO막의 충진율의 관계를 나타내는 그래프이고, 도 8은 측정점 A~E와, MgO막으로부터의 가스 방출 속도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7, 9의 종축은 각각 충진율과 가스 방출 속도를 나타낸다. 도 7, 8의 횡축은 산소 분압(Po)에 대한 수소 분압(Ph)의 비(Ph/Po)를 나타낸다. 그 횡축에는 비(Ph/Po)의 크기에 따라 측정점 A~E를 배치하였다.
도 7, 8에서 알 수 있듯이, 측정점 A로부터 E를 향할수록 충진율은 크고, 가스의 방출 속도는 낮다. 특히, 측정점 C-E 간에서 방출 가스가 가장 적어지고 있다.
이 결과와 상기 표 1로부터, 방출 가스를 적게 하는 조건은, 진공조(12)에 잔류하는 물의 분압이 진공조에 도입하는 물의 분압의 2.99×10-1 이상, 물의 분해량의 분압이 진공조에 도입한 물의 분압의 7.01×10-1배 이하, 수소 분압이 산소 분압의 1.0배 이상, 또는 잔류하는 물의 분압이 1.68×10-2Pa 이상임을 알 수 있다.
본 발명은 MgO막을 성막하는 기술에 관한 것으로, 특히 PDP 표시 장치에 이용되는 패널의 보호막으로 적합한 MgO막을 형성하는 기술에 관한 것이다.

Claims (8)

  1. 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고,
    상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서,
    전자총으로부터 전자선을 조사하여 상기 진공조 내에 상기 MgO 증기를 방출하는 증발원과, 상기 증발원으로부터 방출된 상기 MgO 증기의 퍼짐을 제한하는 제한판을 배치하고,
    성막하면서 기체의 상기 물을, 상기 제한판과 상기 패널 사이에 도입하고,
    상기 진공조 내부에 잔류하는 물의 분자수가 상기 진공조에 도입한 상기 물의 분자수의 2.99×10-1배 이상, 3.60×10-1배 이하가 되도록 상기 물을 도입하는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 물은 상기 패널을 향해 분출되는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
  3. 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고,
    상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서,
    전자총으로부터 전자선을 조사하여 상기 진공조 내에 상기 MgO 증기를 방출하는 증발원과, 상기 증발원으로부터 방출된 상기 MgO 증기의 퍼짐을 제한하는 제한판을 배치하고,
    성막하면서 기체의 상기 물을, 상기 제한판과 상기 패널 사이에 도입하고,
    상기 진공조 내부의 수소의 분압이, 상기 진공조 내부의 산소 분압의 1.0배 이상, 1.51배 이하가 되도록 상기 산소를 도입하는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 물은 상기 패널을 향해 분출되는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
  5. 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고,
    상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서,
    전자총으로부터 전자선을 조사하여 상기 진공조 내에 상기 MgO 증기를 방출하는 증발원과, 상기 증발원으로부터 방출된 상기 MgO 증기의 퍼짐을 제한하는 제한판을 배치하고,
    성막하면서 기체의 상기 물을, 상기 제한판과 상기 패널 사이에 도입하고,
    상기 진공조 내부에 잔류하는 상기 물의 분압이 1.68×10-2Pa 이상, 3.66×10-2Pa 이하가 되도록 상기 물을 도입하는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 물은 상기 패널을 향해 분출되는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
  7. 진공조 내에 PDP 표시 장치의 패널을 배치하고,
    상기 진공조 내에 산소와 물을 도입하면서, 상기 진공조 내에서 MgO 증기를 발생시켜, 상기 패널의 표면에 MgO막을 형성하는 패널의 제조 방법으로서,
    전자총으로부터 전자선을 조사하여 상기 진공조 내에 상기 MgO 증기를 방출하는 증발원과, 상기 증발원으로부터 방출된 상기 MgO 증기의 퍼짐을 제한하는 제한판을 배치하고,
    성막하면서 기체의 상기 물을, 상기 제한판과 상기 패널 사이에 도입하고,
    상기 진공조 내부에서 분해되는 물의 분자수가, 상기 진공조에 도입한 상기 물의 분자수의 6.40×10-1배 이상, 7.01×10-1배 이하가 되도록 상기 물을 도입하는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 물은 상기 패널을 향해 분출되는 것을 특징으로 하는 패널의 제조 방법.
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