JP4969919B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
請求項2記載の発明は、請求項1記載の成膜装置であって、前記電離装置はマイクロ波を放出する磁電管を有し、前記磁電管が放出する前記マイクロ波が前記経路を流れる前記反応ガスに照射されるように構成された成膜装置である。
請求項3記載の発明は、請求項1記載の成膜装置であって、前記電離装置はコイルを有し、前記コイルに通電し、磁界を発生させると、前記反応ガスが前記磁界内を流れるように構成された成膜装置である。
請求項4記載の発明は、成膜室内部にスパッタガスと反応ガスを供給してプラズマを形成し、前記成膜室内部に配置されたターゲットをスパッタリングし、前記ターゲットの構成材料と、前記反応ガスの反応物を有する薄膜を形成する成膜方法であって、前記ターゲットを前記成膜室内に複数個配置し、各前記ターゲットの表面は、所定の角度をもって、互いに向かい合って離間され、前記反応ガスを電離させた後、電離された前記反応ガスを前記ターゲットの間からプラズマ内に導入させる成膜方法である。
ここでは、ターゲット6の枚数は2枚であって、各ターゲット6は表面が所定角度をあけて、互いに向かい合って離間して配置されている。
図3の符号35は本発明に用いる電離装置の他の例を示している。電離装置35はコイル37を有しており、コイル37は供給管34の一部又は全部に巻き回されている。
NH3ガスはN2ガスに比べて沸点が低いので、NH3ガスを単独で流すと経路23の途中でNH3が液化することがある。従って、NH3ガスを反応ガスとして用いる場合には、NH3ガスをキャリアガスで希釈して経路23内を流せば、NH3 ガスの液化が防止される。
本発明に用いることのできる基板11の種類も特に限定されるものではなく、本発明の成膜装置1を用いれば、シリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板等種々のものに成膜処理を施すことができる。
上記実施例の窒化ケイ素膜と、比較例の窒化ケイ素膜について、ストレス(応力)を測定したところ、実施例は応力が−500MPaであったのに対し、比較例は−1250MPaであり、実施例は比較例よりも応力の絶対値が小さく、基板11からはがれ難いことがわかる。
実施例の窒化ケイ素膜の屈折率を測定したところ、屈折率は2.1〜1.95であった。この値は窒化ケイ素の屈折率と一致しており、実施例では窒化ケイ素膜が形成されていることが確認された。これに対し、比較例の窒化ケイ素膜の屈折率は1.9〜2.0であり、比較例の窒化ケイ素膜は完全な窒化ケイ素膜ではないことが分かる。
実施例と比較例の窒化ケイ素膜(共に膜厚1200Å)の、波長550nmの光の透過率を測定したところ、実施例は透過率が98%であったのに対し、比較例は透過率が92%であり、実施例の窒化ケイ素膜は透過率が高いことがわかる。
実施例の窒化ケイ素膜について、オージェ電子分光法で原子濃度を測定した。その測定結果を図4に示す。図4の縦軸は原子濃度(%)を示し、横軸は窒化ケイ素膜表面をエッチングするのに要したスパッタ時間(分)、即ち膜の深さを示している。図4から明らかなように、NとSiの原子濃度は一定であり、実施例の窒化ケイ素膜はNとSiの膜厚方向の分布が均一であることを示す。
スパッタ時の成膜雰囲気の圧力を変化させた以外は、上記実施例と同じ条件で窒化ケイ素膜を複数成膜した。更に、スパッタ時の成膜雰囲気の圧力を変化させた以外は、上記比較例と同じ条件で窒化ケイ素膜を成膜した。得られた各窒化ケイ素膜について応力(単位MPa)を測定した。その結果を図5に示す。
Claims (4)
- 成膜室と、前記成膜室内に配置されたターゲットと、前記成膜室外部に位置し、前記成膜室内部に反応ガスを供給する供給源とを有し、
前記成膜室の内部にスパッタガスと、前記反応ガスとを導入し、プラズマを形成して前記ターゲットをスパッタリングすると、前記ターゲットの構成材料と、前記反応ガスとの反応物の膜が成膜される成膜装置であって、
前記供給源から前記成膜室に前記反応ガスが供給される経路の途中には、電離装置が設けられ、
前記電離装置は前記経路を流れる前記反応ガスを電離するように構成され、
前記ターゲットは、前記成膜室内に複数個配置され、各前記ターゲットの表面は、所定の角度をもって、互いに向かい合って離間され、
電離された前記反応ガスは、前記ターゲットの間から前記プラズマ内に導入されるように構成された成膜装置。 - 前記電離装置はマイクロ波を放出する磁電管を有し、
前記磁電管が放出する前記マイクロ波が前記経路を流れる前記反応ガスに照射されるように構成された請求項1記載の成膜装置。 - 前記電離装置はコイルを有し、
前記コイルに通電し、磁界を発生させると、前記反応ガスが前記磁界内を流れるように構成された請求項1記載の成膜装置。 - 成膜室内部にスパッタガスと反応ガスを供給してプラズマを形成し、前記成膜室内部に配置されたターゲットをスパッタリングし、前記ターゲットの構成材料と、前記反応ガスの反応物を有する薄膜を形成する成膜方法であって、
前記ターゲットを前記成膜室内に複数個配置し、各前記ターゲットの表面は、所定の角度をもって、互いに向かい合って離間され、
前記反応ガスを電離させた後、電離された前記反応ガスを前記ターゲットの間からプラズマ内に導入させる成膜方法。
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