KR100919443B1

KR100919443B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 및 그 제조장치

Info

Publication number: KR100919443B1
Application number: KR1020077009263A
Authority: KR
Inventors: 미치히코 타카세; 요시나오 오에
Original assignee: 파나소닉 주식회사
Priority date: 2003-07-15
Filing date: 2007-04-24
Publication date: 2009-09-29
Also published as: WO2005006380A1; CN1717764A; KR20050074596A; KR20070052359A; US20060003087A1

Abstract

플라즈마 디스플레이 패널의 기판에 양질의 금속 산화막을 성막하는 제조방법이다.

금속 산화막인 MgO막에 의한 보호층(8)을 형성하는 공정에 있어서, 그때의 성막은 성막실인 증착실(21) 내의, 예를 들면 산소 가스의 분압을 일정 범위 내로 하여 수행한다. 이렇게 함으로써, 증착실(21) 내에서의 분위기를 일정하게 제어한 상태에서 성막하게 되기 때문에 막 물성을 안정되게 할 수 있어, 화상 표시를 양질로 수행할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 것이 가능하게 된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 및 그 제조장치{Method of manufacturing a plasma display panel and an apparatus for manufacturing the same}

본 발명은, 대화면이며 경량 박형인 디스플레이 장치로서 알려져 있는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)용 기판에 성막(成膜)을 수행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법과 그 제조장치에 관한 것이다.

PDP는 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선으로 형광체를 여기하여 발광시킴으로써 화상 표시를 수행하고 있다.

PDP에는 크게 나누어, 구동방식으로서 AC형과 DC형이 있고, 방전방식으로는 면 방전형과 대향 방전형이 있는데, 고정밀화, 대화면화 및 구조의 간소성에 수반하는 제조의 간편성 측면에서 현 상태에서는 3 전극 구조의 AC형이면서 면 방전형인 PDP가 주류이다. AC형 면 방전 PDP는 전면판과 배면판으로 구성되어 있다. 전면판은 유리 등의 기판상에 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극과, 그것을 덮는 유전체 층과, 다시 그것을 덮는 보호층을 가지고 있다. 한편, 배면판은 복수의 어드레스 전극과, 그것을 덮는 유전체 층과, 유전체 층상의 격벽과, 유전체 층 위와 격벽 측면에 설치한 형광체 층을 가지고 있다. 전면판과 배면판을 표시 전극과 어드레스 전극이 직교하도록 대향 배치하고, 표시 전극과 어드레스 전극의 교차부에 방전 셀을 형성하고 있다.

이러한 PDP는, 액정 패널에 비하여 고속의 표시가 가능하며, 시야각이 넓다는 점, 대형화가 용이하다는 점, 자발광형이기 때문에 표시 품질이 높다는 점 등의 이유에서 평판 패널 디스플레이 중에서 최근 특히 주목을 모으고 있으며, 많은 사람이 모이는 장소에서의 표시장치나 가정에서 대화면의 영상을 즐기기 위한 표시장치로서 각종 용도로 사용되고 있다.

이와 같이 화상 표시면 측이 되는 전면판의 유리기판에는 전극을 형성하고, 이것을 덮는 유전체 층을 형성하고, 다시 이 유전체 층을 덮는 보호층으로서의 금속 산화막인 산화 마그네슘(MgO) 막을 형성하고 있다. 여기에서, 이 MgO막인 보호층을 형성하는 방법으로는 성막 속도가 높고 비교적 양질의 MgO를 형성할 수 있는 전자빔 증착법이 널리 이용되고 있다는 것이, 예를 들면, 2001 FPD 테크놀로지 대전(주식회사 전자 저널, 2000년 10월 25일, p 598~p 600)에 개시되어 있다.

그러나 금속 산화막인 MgO막을 성막할 때에는, 그 성막 과정에서의 산소 결손이나 불순물 혼입에 의해 막 물성에 변화가 생기는 경우가 있다는 과제를 갖는다.

그런 점에서, 성막시 성막장에 가스를 도입함으로써 성막장의 분위기를 제어하여 막 물성의 안정화를 도모하는 것이 행해지지만, 성막실로의 가스 도입 상태에 따라 막 물성이 변화하기 때문에, 막 물성을 안정되게 하기 위해서는 가스 도입의 상태를 적정하게 제어할 필요가 있다.

본 발명은 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, PDP의 기판에 양질의 MgO막과 같은 금속 산화막을 형성하는 것을 목적으로 하고 있다.

이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 PDP 제조방법은, PDP의 기판에 금속 산화막을 성막하는 공정을 갖는 PDP의 제조방법으로서, 금속 산화막의 성막시, 성막실의 소정의 가스의 분압을 일정 범위 내로 하고 있다.

이러한 제조방법에 따르면, PDP의 기판에 금속 산화막을 성막할 때 막 물성이 양질인 금속 산화막을 형성할 수 있다.

(실시예)

이하, 본 발명의 일실시예에 따른 PDP의 제조방법에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다.

먼저, PDP 구조의 일예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 있어서의 PDP 제조방법에 의해 제조되는 PDP의 개략 구성의 일예를 나타내는 단면 사시도이다.

PDP(1)의 전면판(2)은, 예를 들면 유리와 같은 투명하고 절연성인 기판(3)의 일주면 상에 형성한 주사 전극(4)과 유지 전극(5)으로 이루어지는 표시 전극(6)과, 그 표시 전극(6)을 덮는 유전체 층(7)과, 다시 그 유전체 층(7)을 덮는, 예를 들면 MgO에 의한 보호층(8)을 갖는 구조이다. 주사 전극(4)과 유지 전극(5)은, 전기 저항의 저감을 목적으로 하여, 투명 전극(4a, 5a)에 금속재료, 예를 들면 Ag 등으로 이루어지는 버스 전극(4b, 5b)을 적층한 구조로 하고 있다.

또한 배면판(9)은, 예를 들면 유리와 같은 절연성 기판(10)의 일주면 상에 형성한 어드레스 전극(11)과, 그 어드레스 전극(11)을 덮는 유전체 층(12)과, 유전체 층(12) 상의 서로 이웃하는 어드레스 전극(11) 사이에 상당하는 장소에 위치하는 격벽(13)과, 격벽(13) 간의 형광체 층(14R, 14G, 14B)을 갖는 구조이다.

그리고, 전면판(2)과 배면판(9)은 격벽(13)을 사이에 두고, 표시 전극(6)과 어드레스 전극(11)이 직교하도록 대향 배치되며, 화상 표시 영역 외의 주위를 봉착 부재에 의해 밀봉하고 있다. 전면판(2)과 배면판(9) 사이에 형성된 방전공간(15)에는, 예를 들면 Ne-Xe 5%의 방전 가스를 66.5 kPa(500 Torr)의 압력으로 봉입하고 있다. 그리고, 방전 공간(15)의 표시 전극(6)과 어드레스 전극(11)의 교차부가 방전 셀(16)(단위 발광 영역)로서 동작한다.

다음으로, 상술한 PDP(1)에 대하여, 그 제조방법을 마찬가지로 도 1을 참조하면서 설명한다.

전면판(2)은, 기판(3) 상에 먼저 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)을 형성한다. 구체적으로는 기판(3) 상에, 예를 들면 ITO에 의한 막을 증착이나 스퍼터 등의 성막 프로세스에 의해 형성하고, 그 후 포토리소법 등에 의해 패터닝하여 투명 전극(4a, 5a)을 형성한다. 또한 그 위부터, 예를 들면 Ag에 의한 막을 증착이나 스퍼터 등의 성막 프로세스에 의해 형성하고, 그 후 포토리소법 등에 의해 패터닝함으로써 버스 전극(4b, 5b)을 형성한다. 이상과 같이 하여 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)으로 이루어지는 표시 전극(6)을 얻을 수 있다.

다음으로, 이상과 같이 하여 형성한 표시 전극(6)을 유전체 층(7)으로 피복한다. 유전체 층(7)은 납계의 유리재료를 포함하는 페이스트를 예를 들면 스크린 인쇄로 도포한 후 소성함으로써 형성한다. 상기 납계의 유리재료를 포함하는 페이스트로는, 예를 들면 PbO(70wt%), B₂O₃(15wt%), SiO₂(10wt%) 및 Al₂O₃(5wt%)와 유기 바인더(예를 들면, α-터피네올에 10%의 에틸셀룰로스를 용해한 것)의 혼합물이 사용된다. 다음으로 이상과 같이 하여 형성한 유전체 층(7)을 금속 산화막, 예를 들면 MgO에 의한 보호층(8)으로 피복한다.

한편, 배면판(9)은 기판(10)상에 어드레스 전극(11)을 형성한다. 구체적으로는 기판(10)상에, 예를 들면 Ag 재료 등에 의한 막을 증착이나 스퍼터 등의 성막 프로세스에 의해 형성하고, 그 후 포토리소법 등으로 패터닝하여 어드레스 전극(11)을 형성한다. 또한, 어드레스 전극(11)을 유전체 층(12)으로 피복하고 격벽(13)을 형성한다.

그리고, 격벽(13) 사이의 홈에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 각 형광체 입자로 구성되는 형광체 층(14R, 14G, 14B)을 형성한다. 각 색의 형광체 입자와 유기 바인더로 이루어지는 페이스트 상태의 형광체 잉크를 도포하고, 이것을 소성하여 유기 바인더를 소실(燒失)시킴으로써 각 형광체 입자가 결착하여 이루어지는 형광체 층(14R, 14G, 14B)을 형성한다.

이상과 같이 하여 제작한 전면판(2)과 배면판(9)을 전면판(2)의 표시 전극(6)과 배면판(9)의 어드레스 전극(11)이 직교하도록 중첩함과 동시에, 주연(周緣)에 봉착용 유리에 의한 봉착 부재를 삽입하고, 이것을 소성하여 기밀 실(seal)층(도시하지 않음)화함으로써 봉착한다. 그리고, 일단 방전 공간(15) 내를 고진공으로 배기한 후, 방전 가스(예를 들면, He-Xe계, Ne-Xe계의 불활성 가스)를 소정의 압력으로 봉입함으로써 PDP(1)를 제작한다.

여기에서, 상술한 PDP(1)의 제조 공정에 있어서, MgO에 의한 보호층(8)의 성막 프로세스의 일예에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.

먼저, 성막 장치의 구성의 일예에 대하여 설명한다. 도 2는, 보호층(8)을 형성하기 위한 성막 장치(20)의 개략 구성의 일예를 나타내는 단면도이다.

이 성막 장치(20)는, PDP의 기판(3)에 대하여 MgO를 증착하여 MgO 박막인 보호층(8)을 형성하는 성막실인 증착실(21)과, 증착실(21)에 기판(3)을 투입하기 전에 기판(3)을 예비 가열함과 동시에 예비 배기를 수행하기 위한 기판 투입실(22)과, 증착실(21)에서의 증착이 종료된 후 꺼내어 진 기판(3)을 냉각하기 위한 기판 취출실(23)을 구비하고 있다.

이상의 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23) 각각은 내부를 진공 분위기로 할 수 있도록 밀폐 구조로 되어 있으며, 각 실마다 독립적으로 진공 배기계(24a, 24b, 24c)를 각각 구비하고 있다.

또한 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23)을 가로질러 반송 롤러, 와이어, 체인 등에 의한 반송수단(25)을 배설하고 있다. 또한, 외기와 기판 투입실(22) 사이, 기판 투입실(22)과 증착실(21) 사이, 증착실(21)과 기판 취출실(23) 사이, 기판 취출실(23)과 외기 사이를 각각 개폐 가능한 칸막이벽(26a, 26b, 26c, 26d)으로 칸막이하고 있다. 반송수단(25)의 구동과 칸막이벽(26a, 26b, 26c, 26d) 개폐와의 연동에 의해 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23) 각각의 진공도의 변동을 최저한으로 하고 있다. 기판(3)을 성막 장치 바깥으로부터 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23)을 순서대로 통과시켜 각각의 실에서의 소정의 처리를 수행하고, 그 후 성막 장치(20) 외로 반출하는 것이 가능하며, 복수장의 기판(3)에 대하여 연속하여 MgO를 성막할 수 있다.

또한, 기판 투입실(22), 증착실(21)의 각 실에는 기판(3)을 가열하기 위한 가열 램프(27a, 27b)를 각각 설치하고 있다. 또한, 기판(3)의 반송은 통상적으로 기판 지지구(30)에 지지한 상태로 수행된다.

다음으로 성막실인 증착실(21)에 대하여 설명한다. 증착실(21)에는 증착원(28a)인 MgO의 입자를 넣은 화로(28b), 전자총(28c), 자장을 인가하는 편향 마그네트(도시하지 않음) 등을 설치하고 있다. 전자총(28c)으로부터 조사한 전자빔(28d)을 편향 마그네트에 의해 발생하는 자장에 의해 편향시켜 증착원(28a)에 조사하여, 증착원(28a)인 MgO의 증기류(28e)를 발생시킨다. 그리고 발생시킨 증기류(28e)를, 기판 지지구(30)에 지지시킨 기판(3)의 표면에 퇴적시켜 MgO의 보호층(8)을 형성한다.

여기에서, 보호층(8)인 MgO막의 물성은 그 성막 과정에서의 산소 결손이나 불순물 혼입에 의해 변화한다는 것을 본 발명자들은 검토에 의해 확인할 수 있었다. 이것은, 예를 들면 MgO에 있어서 산소가 결손되거나 C나 H 등의 불순물이 혼입하거나 하면 MgO막 내의 Mg원자와 O원자의 결합에 혼란이 생겨, 이로 인해 발생하는 결합에 관여하지 않는 미결합수(dangling bond)의 존재에 의해 2차 전자방출의 상태가 변화하기 때문인 것으로 생각되어진다.

그런 점에서, MgO막의 물성을 안정시키고 보호층(8)의 특성을 확보하는 것을 목적으로 하여, MgO막 내의 미결합수의 양을 제어하기 위하여, 성막시에 각종 가스를 성막실로 도입하여 그 분위기를 제어하는 것이 수행되는 경우가 있다. 이 경우 각종 가스로는 예를 들면, 산소결손을 방지하고 미결합수의 양을 억제하는 목적으로는 산소가스를 들 수 있으며, 적극적으로 C, H 등의 불순물을 막 중에 혼입시켜 미결합수의 양을 늘리는 목적으로는 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 들 수 있다.

그러나, 상술한 바와 같이 증착실(21)의 분위기를 제어하고 성막하는 경우, 증착실(21)에서의 가스의 상태에 의해 막 물성이 변화하기 때문에, 막 물성을 안정되게 하기 위해서는 가스 상태를 적정하게 제어하는 것이 필요하게 된다.

이런 점에서 본 발명자들은 검토 결과, 성막실인 증착실(21)에서의 가스 상태의 적정한 제어를 위한 지표로서, 증착실(21)에서의 특히 성막장에서의 가스의 분압을 이용하여, 이 분압을 일정 범위 내로 유지하면서 성막을 수행함으로써, 양질의 금속 산화막을 형성할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 여기에서 성막장이라 함은 증착실(21) 내에서의 화로(28b)와 기판(3) 사이 주변의 공간을 가리키는 것이며, 또한, 이후의 설명에서의 분압이라 함은 그 성막장에 있어서의 분압을 가리키며, 사중극자 질량 분석장치에서 측정된 각 가스의 이온 전류값의 비율과 진공계에 의해 측정한 전압으로부터 구하고 있다.

성막실인 증착실(21)에는 증착실(21)의 분위기를 제어하기 위한 각종 가스를 도입할 수 있는 가스 도입수단(29a)을 적어도 한 개 설치하고 있다. 이 가스 도입수단(29a)에 의해, 예를 들면 산소 가스나, 예를 들면 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스나, 예를 들면 아르곤, 질소, 헬륨 등의 불활성 가스 등을 도입할 수 있다. 또한, 증착실(21) 내에서의 상술한 가스의 분압을 검출하기 위한 분압 검출수단(29b)과, 이 분압 검출수단(29b)으로부터의 정보에 기초하여, 증착실(21) 내의 가스의 분압이 일정 범위 내가 되도록, 가스 도입수단(29a)으로부터의 가스 도입량과 진공 배기계(24b)에 의한 배기량을 제어하는 제어수단(도시하지 않음)을 가지고 있다. 이들 구성에 의해, 성막실인 증착실(21)의 성막장에서의 가스, 즉 예를 들면 산소 가스나, 예를 들면 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스의 분압을 일정 범위 내로 유지한 상태로 하여 금속 산화막, 예를 들면 MgO의 증착을 수행할 수 있다.

다음으로, 성막의 흐름을 설명한다. 먼저, 성막실인 증착실(21)에서는 가열 램프(27b)에 의해 기판(3)을 가열하고 이것을 일정 온도로 유지한다. 이 온도는, 기판(3) 상에 이미 형성되어 있는 표시 전극(6)이나 유전체 층(7)이 열 열화하는 일이 없도록 100℃~400℃ 정도로 설정된다. 그리고, 셔터(28f)를 닫은 상태에서 전자총(28c)으로부터 전자빔(28d)을 증착원(28a)에 조사하여 예비 가열함으로써 불순 가스의 제거를 수행한 후, 가스 도입 수단(29a)으로부터 가스를 도입한다. 이때의 가스로는, 예를 들면 MgO막 중의 산소 결손을 방지하는 목적으로는 산소, 또는 산소를 포함하는 가스를 들 수 있고, 적극적으로 C, H 등의 불순물을 막 중에 혼입하는 목적으로는 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 들 수 있다. 그리고, 이들 가스는 증착실(21)의 성막장에 있어서 그 분압이 일정 범위가 되도록 제어된다. 이것은 예를 들면, 증착실(21)에 대하여 진공배기계(24b)에 의해 배기하면서, 가스 도입수단(29a)으로부터 가스를 도입하고 그 양을 조정하여, 배기와 평형시킴으로써 수행된다. 그 리고 이 상태에서 셔터(28f)를 열면, MgO의 증기류(28e)가 기판(3)을 향해 분사된다. 그 결과, 기판(3)에 비산된 증착재료에 의해 기판(3) 상에는 MgO막에 의한 보호층(8)이 형성된다.

그리고, 기판(3) 상에 형성된 MgO막의 증착원인 보호층(8)의 막두께가 소정의 값(예를 들면, 약 0.5㎛)에 달하면, 셔터(28f)를 닫고 칸막이벽(26c)을 통하여 기판(3)을 기판 취출실(23)로 반송한다.

이상에 있어서, 성막실인 증착실(21) 내의 산소 가스의 성막장에서의 분압이 3×10^-3Pa ~ 3×10^-2Pa이면, 얻어지는 막의 물성은 특히 양호하게 되어 바람직하다.

또한, 성막실인 증착실(21) 내에서의, 예를 들면 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스의 성막장에서의 분압은, 각각 물(가스 상태)은 1×10^-4Pa ~ 1×10^-3Pa, 수소는 1×10^-3Pa ~ 5×10^-2Pa, 일산화탄소는 1×10^-3Pa ~ 5×10^-2Pa, 이산화탄소는 1×10^-4Pa ~ 3×10^-3Pa이면 얻어지는 막의 물성으로서 특히 양호하게 되어 바람직하다.

또한, 분압을 일정 범위로 유지함과 동시에 성막실인 증착실(21)의 진공도를 일정 범위로 유지하는 것은, 성막 레이트를 일정하게 하고 양질의 막을 효율적으로 얻는다는 관점에서 바람직하다. 이 경우, 도 2에 나타내는 성막 장치(20)의 증착실(21)에 대하여, 성막장에서의 진공도를 검출하는 진공도 검출수단(도시하지 않음)을 추가로 설치하는 것이 가능하다. 이 진공도 검출수단으로부터의 진공도의 정보를 합쳐, 가스 도입수단(29a)으로부터의 가스 도입량과 진공 배기계(24b)에 의한 배기량을 제어하여, 증착실(21) 내에서의 가스의 분압을 일정 범위로 함과 동시에 진공도도 일정 범위 내가 되도록 하면 좋다. 이 경우, 진공도를 일정 범위 내로 조정하는 방법으로는, 예를 들면 아르곤, 질소, 헬륨 등의 불활성 가스를 이용하면, 성막되는 MgO의 물성에 영향을 미치지 않고 진공도의 조정을 수행하는 것이 가능하게 된다. 불활성 가스는 MgO막에 대하여 화학적인 작용을 미치지 않기 때문에, MgO막의 물성에 영향을 주지 않고 진공도의 조정에만 작용시킬 수 있어 바람직하다.

또한, 성막 장치(20)의 구성으로는 상술한 것 이외에, 예를 들면 기판(3)의 온도 프로파일의 설정 조건에 따라, 기판 투입실(22)과 증착실(21) 사이에 기판(3)을 가열하기 위한 기판 가열실이 한 개 이상 있는 것이나, 증착실(21)과 기판 취출실(23) 사이에 기판 냉각실이 한 개 이상 있는 것 등이라도 상관없다.

또한, 기판(3)에 대한 증착실(21) 내에서의 MgO의 증착은, 기판(3)의 반송을 정지시켜 멈춘 상태에서 수행하여도, 반송하면서 수행하여도 어느 쪽이라도 상관없다.

또한, 성막 장치(20)의 구조도 상술한 것에 한정되지 않으며, 택트 조정 등을 위하여 각 실(室) 사이에 버퍼실을 설치한 구성이나, 가열·냉각을 위한 챔버실을 설치한 구성, 배치(batch)식으로 성막을 수행하는 구조의 것 등에 대해서도, 본 발명에 의한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 복수의 가스를 성막실인 증착실(21)에 도입하는 경우 그 도입 방법으로는, 개개의 가스마다 가스 도입수단(29a)을 설치하여 그로부터 도입하는 방법이나, 미리 복수의 가스를 혼합하는 혼합실(도시하지 않음)을 설치하여 그곳에서 혼합한 후, 가스 도입수단(29a)을 통해 도입하는 방법 등을 들 수 있다.

또한, 이상의 발명에 있어서는, 보호층(8)을 MgO에 의해 증착으로 형성하는 예를 이용하여 설명하였으나, 본 발명은 MgO나 증착에 한정되는 것이 아니라, 금속 산화막을 성막하는 경우에 대하여 같은 효과를 얻을 수 있다.

본 발명에 따르면, PDP의 기판에 금속 산화막을 성막할 때, 막 물성이 양질인 금속 산화막을 형성할 수 있는 PDP의 제조방법을 실현할 수 있어, 표시 성능이 우수한 플라즈마 디스플레이 장치 등을 실현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 개략 구조를 나타내는 단면 사시도.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 성막 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 플라즈마 디스플레이 패널

2 전면판

3, 10 기판

4 주사 전극

5 유지 전극

6 표시 전극

7, 12 유전체 층

9 배면판

11 어드레스 전극

13 격벽

14 형광체 층

15 방전공간

16 방전 셀

20 성막 장치

21 증착실(성막실)

22 기판 투입실

23 기판 취출실

24a, 24b, 24c 진공 배기계

25 반송수단

26a, 26b, 26c, 26d 칸막이벽

27a, 27b 가열 램프

28a 증착원

28b 화로

28c 전자총

28d 전자 빔

28e 증기류

28f 셔터

29a 가스 도입수단

29b 분압 검출수단

Claims

플라즈마 디스플레이 패널의 기판에 산화마그네슘의 금속 산화막을 성막하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법으로서, 상기 금속 산화막의 성막시, 성막실의 진공도를 일정 범위내로 제어하고, 상기 성막실에 상기 금속 산화막의 산소 결손을 억제하는 산소 가스의 분압을 3×10^-3Pa ~ 3×10^-2Pa의 범위내로 제어함과 동시에, 상기 금속 산화막의 산소 결손을 증가시키는 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 더 포함하고,

상기 물의 분압은 1×10^-4Pa ~ 1×10^-3Pa 이고,

상기 수소가스의 분압은 1×10^-3Pa ~ 5×10^-2Pa 이고,

상기 일산화탄소 가스의 분압은 1×10^-3Pa ~ 5×10^-2Pa 이고,

상기 이산화탄소 가스의 분압은 1×10^-4Pa ~ 3×10^-3Pa 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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제1항에 있어서,

상기 진공도는 상기 성막실을 배기하면서 불활성 가스를 도입함으로써 일정 범위 내로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
플라즈마 디스플레이 패널의 기판에 산화마그네슘의 금속 산화막을 성막하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조장치로서, 성막실과, 상기 성막실에 상기 금속 산화막중의 산소 결손을 억제하는 산소가스와 함께 상기 금속 산화막중의 산소 결손을 증가시키는 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 더 도입하는 가스 도입수단과, 상기 성막실을 배기하는 배기수단과, 상기 성막실 내의 가스의 분압을 검출하는 분압 검출수단과, 상기 성막실 내의 진공도를 검출하는 진공도 검출수단과, 상기 분압 검출수단으로부터의 정보와 상기 진공도 검출수단으로부터의 정보에 기초하여 상기 성막실 내의 가스의 분압과 진공도가 일정 범위 내로 되도록 상기 가스 도입수단으로부터의 가스 도입량과 상기 배기수단에 의한 배기량을 제어하는 제어수단을 가지며,

상기 산소 가스의 분압은 3×10^-3Pa ~ 3×10^-2Pa 이고,

상기 물의 분압은 1×10^-4Pa ~ 1×10^-3Pa 이고,

상기 수소가스의 분압은 1×10^-3Pa ~ 5×10^-2Pa 이고,

상기 일산화탄소 가스의 분압은 1×10^-3Pa ~ 5×10^-2Pa 이고,

상기 이산화탄소 가스의 분압은 1×10^-4Pa ~ 3×10^-3Pa 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조장치.
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