JP2000297367A - 金属酸化物薄膜の成膜方法 - Google Patents
金属酸化物薄膜の成膜方法Info
- Publication number
- JP2000297367A JP2000297367A JP11103491A JP10349199A JP2000297367A JP 2000297367 A JP2000297367 A JP 2000297367A JP 11103491 A JP11103491 A JP 11103491A JP 10349199 A JP10349199 A JP 10349199A JP 2000297367 A JP2000297367 A JP 2000297367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide thin
- thin film
- film
- metal oxide
- absorption
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴｉＯ2 膜等の金属酸化物薄膜の光学的吸収
を低減する。 【解決手段】 金属Ｔｉ等のターゲット３を基板Ｗに対
向させ、減圧チャンバ１内にＡｒガスとＯ2 ガスを導入
し、Ｈ2 Ｏ導入ライン７から水分を添加して、ターゲッ
ト３に電圧を印加してスパッタリングを行なう。水分の
添加によってスパッタリング粒子の酸化が促進されるた
め、基板Ｗに成膜される金属酸化物薄膜は吸収の少ない
高品質なものとなる。
を低減する。 【解決手段】 金属Ｔｉ等のターゲット３を基板Ｗに対
向させ、減圧チャンバ１内にＡｒガスとＯ2 ガスを導入
し、Ｈ2 Ｏ導入ライン７から水分を添加して、ターゲッ
ト３に電圧を印加してスパッタリングを行なう。水分の
添加によってスパッタリング粒子の酸化が促進されるた
め、基板Ｗに成膜される金属酸化物薄膜は吸収の少ない
高品質なものとなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイクロイックフ
ィルタ等の多層膜光学部品に用いられる屈折率２．１
（波長５００ｎｍ）以上のＴｉＯ2 膜、Ｎｂ2 Ｏ5 膜、
Ｔａ2 Ｏ5 膜等の金属酸化物薄膜の成膜方法に関するも
のである。
ィルタ等の多層膜光学部品に用いられる屈折率２．１
（波長５００ｎｍ）以上のＴｉＯ2 膜、Ｎｂ2 Ｏ5 膜、
Ｔａ2 Ｏ5 膜等の金属酸化物薄膜の成膜方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】多層膜からなるダイクロイックフィルタ
等の多層膜光学部品では、可視域全体にわたって光学的
に低吸収である金属酸化物薄膜が必要である。従来、Ｔ
ｉＯ2、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物薄膜の
成膜は、例えばスパッタ法によって、以下のように行な
われている。
等の多層膜光学部品では、可視域全体にわたって光学的
に低吸収である金属酸化物薄膜が必要である。従来、Ｔ
ｉＯ2、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物薄膜の
成膜は、例えばスパッタ法によって、以下のように行な
われている。
【０００３】金属を材料とするターゲットを製作し、こ
れを電極に対向させ、直流電圧や高周波電圧（例えば１
３．５ＭＨｚのＲＦ）を印加し、スパッタリングガスと
してＡｒガス、反応性ガスとしてＯ2 ガスを導入して放
電させる。放電によって形成されたプラズマ中の活性酸
素（酸素原子、酸素ラジカル、オゾン、酸素イオン等）
とターゲット材料の金属成分が基板上やターゲット表面
あるいはプラズマ中で反応し、金属酸化物が形成されて
基板に被着する。
れを電極に対向させ、直流電圧や高周波電圧（例えば１
３．５ＭＨｚのＲＦ）を印加し、スパッタリングガスと
してＡｒガス、反応性ガスとしてＯ2 ガスを導入して放
電させる。放電によって形成されたプラズマ中の活性酸
素（酸素原子、酸素ラジカル、オゾン、酸素イオン等）
とターゲット材料の金属成分が基板上やターゲット表面
あるいはプラズマ中で反応し、金属酸化物が形成されて
基板に被着する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、スパッタ法によって薄膜を形成する成
膜方法は、蒸着法等に比べてパッキング密度が高くて安
定した膜を形成することができるが、一般的に蒸着法等
に比べて成膜レートが遅い。このため、電源のパワーを
増大させるなどして、成膜レートの上昇が試みられた
が、この方法では光学的吸収の多い膜が形成されること
が多い。
の技術によれば、スパッタ法によって薄膜を形成する成
膜方法は、蒸着法等に比べてパッキング密度が高くて安
定した膜を形成することができるが、一般的に蒸着法等
に比べて成膜レートが遅い。このため、電源のパワーを
増大させるなどして、成膜レートの上昇が試みられた
が、この方法では光学的吸収の多い膜が形成されること
が多い。
【０００５】このような比較的吸収の多い金属酸化物薄
膜をダイクロイックフィルタ等の多層膜に用いると、各
膜の光学的吸収が加算されて全体として大きな吸収量と
なり、高反射率あるいは高透過率の多層膜光学部品を実
現することは困難であった。
膜をダイクロイックフィルタ等の多層膜に用いると、各
膜の光学的吸収が加算されて全体として大きな吸収量と
なり、高反射率あるいは高透過率の多層膜光学部品を実
現することは困難であった。
【０００６】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、光学的吸収の少ない
高品質な金属酸化物薄膜の成膜方法を提供することを目
的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、光学的吸収の少ない
高品質な金属酸化物薄膜の成膜方法を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の金属酸化物薄膜の成膜方法は、減圧雰囲気
中の基板にターゲットのスパッタリング粒子を被着させ
て金属酸化物薄膜を成膜する工程を有し、前記減圧雰囲
気中に水分を添加することで前記金属酸化物薄膜の光学
的吸収を低減することを特徴とする。
めに本発明の金属酸化物薄膜の成膜方法は、減圧雰囲気
中の基板にターゲットのスパッタリング粒子を被着させ
て金属酸化物薄膜を成膜する工程を有し、前記減圧雰囲
気中に水分を添加することで前記金属酸化物薄膜の光学
的吸収を低減することを特徴とする。
【０００８】減圧雰囲気中のＨ2 Ｏ分圧が２０％以下に
なるように水分の添加量を制御するとよい。
なるように水分の添加量を制御するとよい。
【０００９】
【作用】減圧チャンバにスパッタリングガスとしてＡｒ
を、反応性ガスとしてＯ2 ガスを導入し、さらに水分を
導入する。減圧チャンバ内の金属ターゲットに直流電圧
または高周波電圧あるいはその双方を印加してスパッタ
リング粒子を発生させ、ターゲット表面やプラズマ中あ
るいは基板表面で酸素と反応させて酸化物を生成し、こ
れを基板に被着させることで、波長５００ｎｍにおける
屈折率が２．１以上のＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ
5 等の金属酸化物薄膜を成膜する。
を、反応性ガスとしてＯ2 ガスを導入し、さらに水分を
導入する。減圧チャンバ内の金属ターゲットに直流電圧
または高周波電圧あるいはその双方を印加してスパッタ
リング粒子を発生させ、ターゲット表面やプラズマ中あ
るいは基板表面で酸素と反応させて酸化物を生成し、こ
れを基板に被着させることで、波長５００ｎｍにおける
屈折率が２．１以上のＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ
5 等の金属酸化物薄膜を成膜する。
【００１０】反応性ガス等とともに減圧チャンバに導入
され、その減圧雰囲気中に添加される水分は、プラズマ
中で分解、重合し、多くの活性酸素を発生し、これがス
パッタリング粒子の酸化を促進するため、化学量論通り
の組成を有し、光学的吸収が少なくて極めて高品質な金
属酸化物薄膜を得ることができる。
され、その減圧雰囲気中に添加される水分は、プラズマ
中で分解、重合し、多くの活性酸素を発生し、これがス
パッタリング粒子の酸化を促進するため、化学量論通り
の組成を有し、光学的吸収が少なくて極めて高品質な金
属酸化物薄膜を得ることができる。
【００１１】このような酸化物薄膜を用いてダイクロイ
ックフィルタ等の多層膜を製造すれば、低吸収ですぐれ
た光学特性を有する多層膜光学部品を得ることができ
る。
ックフィルタ等の多層膜を製造すれば、低吸収ですぐれ
た光学特性を有する多層膜光学部品を得ることができ
る。
【００１２】特にスパッタ法によって成膜されたＴｉＯ
2 膜は、これまで可視域における高屈折率材料として用
いられてきたＴａ2 Ｏ5 膜等より屈折率が高いため、各
種多層膜光学部品の設計を行なう際の自由度を増大させ
ることができる。
2 膜は、これまで可視域における高屈折率材料として用
いられてきたＴａ2 Ｏ5 膜等より屈折率が高いため、各
種多層膜光学部品の設計を行なう際の自由度を増大させ
ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１４】図１は一実施の形態による金属酸化物薄膜
の成膜方法に用いる成膜装置を示すもので、これは、図
示しない真空ポンプによって排気される減圧チャンバ１
と、その内部に互いに対向して配設された基板ホルダ２
およびターゲット３と、ターゲット３に高周波電圧と直
流電圧を印加するＲＦ電源４およびＤＣ電源５と、減圧
チャンバ１内にスパッタリングガスであるＡｒガスと反
応性ガスであるＯ2 ガスを導入するＡｒ、Ｏ2 導入ライ
ン６と、減圧チャンバ１の減圧雰囲気中に水分を添加す
るためのＨ2 Ｏ導入ライン７を有する。
の成膜方法に用いる成膜装置を示すもので、これは、図
示しない真空ポンプによって排気される減圧チャンバ１
と、その内部に互いに対向して配設された基板ホルダ２
およびターゲット３と、ターゲット３に高周波電圧と直
流電圧を印加するＲＦ電源４およびＤＣ電源５と、減圧
チャンバ１内にスパッタリングガスであるＡｒガスと反
応性ガスであるＯ2 ガスを導入するＡｒ、Ｏ2 導入ライ
ン６と、減圧チャンバ１の減圧雰囲気中に水分を添加す
るためのＨ2 Ｏ導入ライン７を有する。
【００１５】ＲＦ電源４の高周波電圧はマッチングネッ
トワーク４ａを経てターゲット３に印加され、ＤＣ電源
５の直流電圧はローパスフィルタ５ａを経てターゲット
３に印加される。次に、基板Ｗ上に金属酸化物薄膜を成
膜する工程を説明する。
トワーク４ａを経てターゲット３に印加され、ＤＣ電源
５の直流電圧はローパスフィルタ５ａを経てターゲット
３に印加される。次に、基板Ｗ上に金属酸化物薄膜を成
膜する工程を説明する。
【００１６】まず、減圧チャンバ１内に隣接して設けら
れた図示しないロードロック室に基板Ｗを搬送し、ロー
ドロック室を排気したうえで基板Ｗを減圧チャンバ１内
に搬入する。
れた図示しないロードロック室に基板Ｗを搬送し、ロー
ドロック室を排気したうえで基板Ｗを減圧チャンバ１内
に搬入する。
【００１７】基板ホルダ２上に基板Ｗを保持させ、減圧
チャンバ１を所定の真空度に減圧したうえで、Ａｒ、Ｏ
2 導入ライン６からＡｒガスとＯ2 ガス、Ｈ2 Ｏ導入ラ
イン７から水分を導入し、ターゲット３にＲＦ電源４の
高周波電圧またはＤＣ電源５の直流電圧の少なくとも一
方を印加していわゆるマグネトロンスパッタ放電による
プラズマＰを発生させる。
チャンバ１を所定の真空度に減圧したうえで、Ａｒ、Ｏ
2 導入ライン６からＡｒガスとＯ2 ガス、Ｈ2 Ｏ導入ラ
イン７から水分を導入し、ターゲット３にＲＦ電源４の
高周波電圧またはＤＣ電源５の直流電圧の少なくとも一
方を印加していわゆるマグネトロンスパッタ放電による
プラズマＰを発生させる。
【００１８】この放電によってＡｒイオン、活性酸素
（酸素イオン、酸素原子、酸素ラジカル、オゾン等）が
発生するとともに、Ｈ2 Ｏ分子もプラズマ中で分解、重
合して酸素原子、水酸イオン、Ｈ3 Ｏ2 イオン、Ｈ5 Ｏ
2 イオン等の各種活性種を生じる。
（酸素イオン、酸素原子、酸素ラジカル、オゾン等）が
発生するとともに、Ｈ2 Ｏ分子もプラズマ中で分解、重
合して酸素原子、水酸イオン、Ｈ3 Ｏ2 イオン、Ｈ5 Ｏ
2 イオン等の各種活性種を生じる。
【００１９】ターゲット３は、これらのうちの正イオン
によってスパッタされ、ターゲット３の表面近傍の酸化
活性種によって一部酸化された状態でスパッタリング粒
子が基板Ｗに向かって放出される。このようにして基板
Ｗに到達したスパッタリング粒子は、プラズマＰ中や基
板Ｗの表面近傍の酸化活性種によって完全に酸化され、
酸素不足のない金属酸化物薄膜が基板Ｗの表面に成膜さ
れる。
によってスパッタされ、ターゲット３の表面近傍の酸化
活性種によって一部酸化された状態でスパッタリング粒
子が基板Ｗに向かって放出される。このようにして基板
Ｗに到達したスパッタリング粒子は、プラズマＰ中や基
板Ｗの表面近傍の酸化活性種によって完全に酸化され、
酸素不足のない金属酸化物薄膜が基板Ｗの表面に成膜さ
れる。
【００２０】すなわち、各種の酸化活性種がターゲット
３から発生するスパッタリング粒子の酸化を大きく促進
し、酸素不足のない化学量論的組成の酸化物薄膜を成膜
することができる。これはＨ2 Ｏ分子が酸素分子に比べ
て分子半径が大きく、また、Ｏ−Ｈの結合エネルギーが
Ｏ−Ｏの結合エネルギーより小さいため、プラズマ中で
活性化される確率が非常に高いためであると推察され
る。
３から発生するスパッタリング粒子の酸化を大きく促進
し、酸素不足のない化学量論的組成の酸化物薄膜を成膜
することができる。これはＨ2 Ｏ分子が酸素分子に比べ
て分子半径が大きく、また、Ｏ−Ｈの結合エネルギーが
Ｏ−Ｏの結合エネルギーより小さいため、プラズマ中で
活性化される確率が非常に高いためであると推察され
る。
【００２１】このような方法で成膜された金属酸化物薄
膜は前述のように化学量論通りの組成を有し、極めて吸
収の少ない膜となる。
膜は前述のように化学量論通りの組成を有し、極めて吸
収の少ない膜となる。
【００２２】例えば、上記の方法で成膜されたＴｉＯ2
膜とＳｉＯ2 膜を組み合わせることで、極めて光学特性
のすぐれた高品質な多層膜光学部品であるダイクロイッ
クフィルタ等を製造することができる。
膜とＳｉＯ2 膜を組み合わせることで、極めて光学特性
のすぐれた高品質な多層膜光学部品であるダイクロイッ
クフィルタ等を製造することができる。
【００２３】（実施例１）図１の成膜装置を用いてＢＫ
７基板上にＴｉＯ2 膜を成膜した。ターゲットは金属Ｔ
ｉ、電源はＲＦ電源１ｋＷであり、成膜中の減圧チャン
バの全圧はすべて０．３７Ｐａの一定値に保持してい
る。減圧チャンバの全圧に対する酸素分圧（酸素比）を
４％に制御して、同じく水分の比率（Ｈ2 Ｏ分圧）を変
化させて得られた吸収量と成膜レートのＨ2 Ｏ分圧依存
性を図２のグラフ１に示す。
７基板上にＴｉＯ2 膜を成膜した。ターゲットは金属Ｔ
ｉ、電源はＲＦ電源１ｋＷであり、成膜中の減圧チャン
バの全圧はすべて０．３７Ｐａの一定値に保持してい
る。減圧チャンバの全圧に対する酸素分圧（酸素比）を
４％に制御して、同じく水分の比率（Ｈ2 Ｏ分圧）を変
化させて得られた吸収量と成膜レートのＨ2 Ｏ分圧依存
性を図２のグラフ１に示す。
【００２４】ここで吸収量とは、波長４５０ｎｍにおけ
る光学的分光測定から得られた反射率と透過率を１００
％から引いて得られた値（全吸収量）をＴｉＯ2 膜の厚
さ１００ｎｍ当たりに換算した値である。
る光学的分光測定から得られた反射率と透過率を１００
％から引いて得られた値（全吸収量）をＴｉＯ2 膜の厚
さ１００ｎｍ当たりに換算した値である。
【００２５】成膜レートとは、成膜して得られた膜厚を
成膜時間の単位時間当たりに換算した値である。
成膜時間の単位時間当たりに換算した値である。
【００２６】このグラフから、Ｈ2 Ｏ分圧を選択するこ
とにより、吸収を約０．１％／１００ｎｍと同程度また
はそれ以下に抑えることができることがわかる。成膜レ
ートは水分導入以前に比べて低下している。
とにより、吸収を約０．１％／１００ｎｍと同程度また
はそれ以下に抑えることができることがわかる。成膜レ
ートは水分導入以前に比べて低下している。
【００２７】（実施例２）実施例１と同様にして酸素比
を５％に制御した場合の吸収量と成膜レートのＨ 2 Ｏ分
圧依存性を図３のグラフ２に示す。酸素比が異なると、
低減される吸収の量と成膜レートのいずれも異なり、酸
素比４％の場合に比べて低吸収で、しかも成膜レートが
大きくなっている。このように、酸素比を選択すること
により、より一層吸収を低減し、成膜レートを上昇させ
ることができる。
を５％に制御した場合の吸収量と成膜レートのＨ 2 Ｏ分
圧依存性を図３のグラフ２に示す。酸素比が異なると、
低減される吸収の量と成膜レートのいずれも異なり、酸
素比４％の場合に比べて低吸収で、しかも成膜レートが
大きくなっている。このように、酸素比を選択すること
により、より一層吸収を低減し、成膜レートを上昇させ
ることができる。
【００２８】図４は、酸素比が４％の場合と５％の場合
の屈折率のＨ2 Ｏ分圧依存性を比較したグラフ３であ
る。このグラフから、Ｈ2 Ｏ分圧が２０％以下のほぼ全
領域で酸素比５％の方が屈折率が高くなっているのがわ
かる。
の屈折率のＨ2 Ｏ分圧依存性を比較したグラフ３であ
る。このグラフから、Ｈ2 Ｏ分圧が２０％以下のほぼ全
領域で酸素比５％の方が屈折率が高くなっているのがわ
かる。
【００２９】水分無しで酸素比４％で成膜した場合の屈
折率は約２．５３６であるから、Ｈ 2 Ｏ分圧が小さい範
囲ではほぼ同等の値を示している。
折率は約２．５３６であるから、Ｈ 2 Ｏ分圧が小さい範
囲ではほぼ同等の値を示している。
【００３０】また、ＤＣ電源のみ１ｋＷを用いて、Ｈ2
Ｏ分圧を２％に制御した場合は、波長４５０ｎｍにおけ
る吸収は０．０６％／１００ｎｍであり、ＲＦ電源のみ
を用いた場合と同程度あるいはそれ以下の吸収量になる
ことが判明している。
Ｏ分圧を２％に制御した場合は、波長４５０ｎｍにおけ
る吸収は０．０６％／１００ｎｍであり、ＲＦ電源のみ
を用いた場合と同程度あるいはそれ以下の吸収量になる
ことが判明している。
【００３１】（比較例１）水分を導入することなく酸素
分圧を変化させたときの吸収量と成膜レートの酸素比依
存性を図５のグラフ４に示す。電源はＲＦのみ１ｋＷを
用いた。図２および図３のグラフ１，２の吸収量に比べ
て大幅に大きい値を示しており、水分を導入せずに成膜
した場合は充分な吸収低減をはかることができないこと
がわかる。また、吸収量は酸素分圧にほとんど依存しな
い。
分圧を変化させたときの吸収量と成膜レートの酸素比依
存性を図５のグラフ４に示す。電源はＲＦのみ１ｋＷを
用いた。図２および図３のグラフ１，２の吸収量に比べ
て大幅に大きい値を示しており、水分を導入せずに成膜
した場合は充分な吸収低減をはかることができないこと
がわかる。また、吸収量は酸素分圧にほとんど依存しな
い。
【００３２】（比較例２）水分を導入することなくＤＣ
電源のみ１ｋＷを用いて成膜した。吸収量は０．３０％
／１００ｎｍに増加する。これは上記実施例に比較する
と約５倍に相当する。つまり、ＤＣ電源のみの場合でも
水分を導入しなければ酸化が充分に進行しないことがわ
かる。
電源のみ１ｋＷを用いて成膜した。吸収量は０．３０％
／１００ｎｍに増加する。これは上記実施例に比較する
と約５倍に相当する。つまり、ＤＣ電源のみの場合でも
水分を導入しなければ酸化が充分に進行しないことがわ
かる。
【００３３】（比較例３）水分を導入せずに全圧を変化
させても、吸収の低減を図ることができなかった。これ
はＲＦ，ＤＣとによるマグネトロンスパッタ放電では充
分な量の活性酸素が生成できなかったことに起因する。
させても、吸収の低減を図ることができなかった。これ
はＲＦ，ＤＣとによるマグネトロンスパッタ放電では充
分な量の活性酸素が生成できなかったことに起因する。
【００３４】なお、実施例１および実施例２は、ＲＦ電
源またはＤＣ電源のみで成膜した場合であるが、ＲＦと
ＤＣを重畳して成膜した場合でも同様の結果が得られ
る。また、上記実施例は金属Ｔｉのターゲットに対して
成膜した例であるが、ＴｉＯ2のターゲットを用いても
同様の結果が得られる。
源またはＤＣ電源のみで成膜した場合であるが、ＲＦと
ＤＣを重畳して成膜した場合でも同様の結果が得られ
る。また、上記実施例は金属Ｔｉのターゲットに対して
成膜した例であるが、ＴｉＯ2のターゲットを用いても
同様の結果が得られる。
【００３５】さらに、他の金属酸化物膜、例えばＮｂ2
Ｏ5 膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜等の、屈折率２．１（波長５００
ｎｍ）以上の金属酸化物薄膜においても同様の結果が得
られることがわかった。
Ｏ5 膜、Ｔａ2 Ｏ5 膜等の、屈折率２．１（波長５００
ｎｍ）以上の金属酸化物薄膜においても同様の結果が得
られることがわかった。
【００３６】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００３７】ＲＦ電源またはＤＣ電源の少なくとも一方
を印加して発生されたプラズマ中に水分を添加すること
で、吸収の少ない高品質な金属酸化物薄膜を成膜でき
る。このような酸化物薄膜を用いることで、光学特性の
すぐれたダイクロイックフィルタ等の多層膜光学部品を
得ることができる。
を印加して発生されたプラズマ中に水分を添加すること
で、吸収の少ない高品質な金属酸化物薄膜を成膜でき
る。このような酸化物薄膜を用いることで、光学特性の
すぐれたダイクロイックフィルタ等の多層膜光学部品を
得ることができる。
【００３８】例えばＴｉＯ2 膜とＳｉＯ2 膜の２種類の
酸化物薄膜によってダイクロイックフィルタ等を製造す
る場合には、両酸化物薄膜を化学量論的組成に成膜し、
可視光領域において光学的吸収の少ない極めて高品質な
製品を得ることができる。
酸化物薄膜によってダイクロイックフィルタ等を製造す
る場合には、両酸化物薄膜を化学量論的組成に成膜し、
可視光領域において光学的吸収の少ない極めて高品質な
製品を得ることができる。
【図１】一実施の形態による金属酸化物薄膜の成膜方法
に用いる成膜装置を示す図である。
に用いる成膜装置を示す図である。
【図２】実施例１による金属酸化物薄膜の吸収量等とＨ
2 Ｏ分圧の関係を示すグラフである。
2 Ｏ分圧の関係を示すグラフである。
【図３】実施例２による金属酸化物薄膜の吸収量等とＨ
2 Ｏ分圧の関係を示すグラフである。
2 Ｏ分圧の関係を示すグラフである。
【図４】実施例１と実施例２による金属酸化物薄膜の屈
折率とＨ2 Ｏ分圧の関係を示すグラフである。
折率とＨ2 Ｏ分圧の関係を示すグラフである。
【図５】比較例による金属酸化物薄膜の吸収量等と酸素
比の関係を示すグラフである。
比の関係を示すグラフである。
１ 減圧チャンバ ２ 基板ホルダ ３ ターゲット ４ ＲＦ電源 ５ ＤＣ電源 ６ Ａｒ、Ｏ2 導入ライン ７ Ｈ2 Ｏ導入ライン
Claims (4)
- 【請求項１】 減圧雰囲気中の基板にターゲットのスパ
ッタリング粒子を被着させて金属酸化物薄膜を成膜する
工程を有し、前記減圧雰囲気中に水分を添加することで
前記金属酸化物薄膜の光学的吸収を低減することを特徴
とする金属酸化物薄膜の成膜方法。 - 【請求項２】 減圧雰囲気中のＨ2 Ｏ分圧が２０％以下
になるように水分の添加量を制御することを特徴とする
請求項１記載の金属酸化物薄膜の成膜方法。 - 【請求項３】 金属酸化物薄膜が、波長５００ｎｍにお
いて屈折率２．１以上であることを特徴とする請求項１
または２記載の金属酸化物薄膜の成膜方法。 - 【請求項４】 金属酸化物薄膜が、ＴｉＯ2 膜、Ｎｂ2
Ｏ5 膜またはＴａ2Ｏ5 膜であることを特徴とする請求
項１ないし３いずれか１項記載の金属酸化物薄膜の成膜
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11103491A JP2000297367A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 金属酸化物薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11103491A JP2000297367A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 金属酸化物薄膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000297367A true JP2000297367A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=14355482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11103491A Pending JP2000297367A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | 金属酸化物薄膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000297367A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009154130A1 (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-23 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法、成膜装置 |
| JP2011093112A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 透明積層フィルム |
| JP2013241677A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-05 | Jds Uniphase Corp | 誘電体膜の反応性スパッタ堆積 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08134638A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-28 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸化物膜の成膜方法 |
| JPH0925571A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Canon Inc | 酸化物薄膜の成膜方法 |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP11103491A patent/JP2000297367A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08134638A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-28 | Asahi Glass Co Ltd | チタン酸化物膜の成膜方法 |
| JPH0925571A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Canon Inc | 酸化物薄膜の成膜方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009154130A1 (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-23 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法、成膜装置 |
| JP5235214B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-07-10 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法、成膜装置 |
| JP2011093112A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 透明積層フィルム |
| JP2013241677A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-05 | Jds Uniphase Corp | 誘電体膜の反応性スパッタ堆積 |
| US10920310B2 (en) | 2012-05-04 | 2021-02-16 | Viavi Solutions Inc. | Reactive sputter deposition of dielectric films |
| US11584982B2 (en) | 2012-05-04 | 2023-02-21 | Viavi Solutions Inc. | Reactive sputter deposition of dielectric films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6207536B1 (en) | Method for forming a thin film of a composite metal compound and apparatus for carrying out the method | |
| US7842168B2 (en) | Method for producing silicon oxide film and method for producing optical multilayer film | |
| KR101388570B1 (ko) | 반사 방지막, 금속막의 가열 방법 및 가열 장치 | |
| JP3782608B2 (ja) | 薄膜材料および薄膜作成法 | |
| JP2001234338A (ja) | 金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置 | |
| JP3391944B2 (ja) | 酸化物薄膜の成膜方法 | |
| JP2006336084A (ja) | スパッタ成膜方法 | |
| JP2007154242A (ja) | 酸化物の混合膜の製造方法 | |
| KR20040034441A (ko) | 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법 | |
| JP2000297367A (ja) | 金属酸化物薄膜の成膜方法 | |
| JP4793056B2 (ja) | 反射防止膜のスパッタ成膜方法 | |
| WO2004108981A1 (ja) | 薄膜の形成方法及びその形成装置 | |
| JP3979814B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JP4595354B2 (ja) | 光学多層膜の製造方法 | |
| CN110735121B (zh) | 一种基于磁控溅射的非常规折射率混合薄膜制备方法 | |
| JP3738154B2 (ja) | 複合金属化合物の薄膜形成方法及びその薄膜形成装置 | |
| JP2005256119A5 (ja) | ||
| JP2005256119A (ja) | 成膜装置 | |
| JP3670697B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JP4727102B2 (ja) | 光学薄膜の成膜方法及び成膜装置 | |
| JP3401062B2 (ja) | 光学薄膜およびその製造方法 | |
| JPH11124689A (ja) | 低放射率積層体の製造方法 | |
| JP4480336B2 (ja) | 誘電体薄膜の製造方法及び製造装置 | |
| JPH07140301A (ja) | 光学部材の製造方法及び光学部材 | |
| JPH07180048A (ja) | 光学膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060421 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060817 |