JPH11124689A - 低放射率積層体の製造方法 - Google Patents
低放射率積層体の製造方法Info
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- JPH11124689A JPH11124689A JP28586497A JP28586497A JPH11124689A JP H11124689 A JPH11124689 A JP H11124689A JP 28586497 A JP28586497 A JP 28586497A JP 28586497 A JP28586497 A JP 28586497A JP H11124689 A JPH11124689 A JP H11124689A
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- C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、可視光透過率が高く、しかも放射
率の低い大面積積層体を、均一にかつ高速に製造するこ
とが可能な製造方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、高歩留まりで、しかも高い生産性で、低
放射率積層体を製造することが可能な製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 本発明の低放射率積層体の製造方法は、
透明基体上に、少なくとも、低放射率金属層及び屈折率
が２．０以上の酸化物層を形成してなる低放射率積層体
の製造方法であって、前記低放射率金属層を成膜した
後、直接、前記酸化物層を、該酸化物の還元性のターゲ
ットを用いて直流スパッタ法により成膜することを特徴
とする。
率の低い大面積積層体を、均一にかつ高速に製造するこ
とが可能な製造方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、高歩留まりで、しかも高い生産性で、低
放射率積層体を製造することが可能な製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 本発明の低放射率積層体の製造方法は、
透明基体上に、少なくとも、低放射率金属層及び屈折率
が２．０以上の酸化物層を形成してなる低放射率積層体
の製造方法であって、前記低放射率金属層を成膜した
後、直接、前記酸化物層を、該酸化物の還元性のターゲ
ットを用いて直流スパッタ法により成膜することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低放射率積層体の製
造方法に係り、特に可視光透過率が高く、放射率の小さ
い大面積積層体の製造方法に関する。
造方法に係り、特に可視光透過率が高く、放射率の小さ
い大面積積層体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】低放射率積層体は、熱線の放射を抑制し
て冷暖房の負荷を軽減する等の目的のため、建築物や自
動車等の窓ガラスなどに広く応用されている。
て冷暖房の負荷を軽減する等の目的のため、建築物や自
動車等の窓ガラスなどに広く応用されている。
【０００３】この積層体の特性としては、熱線の放射を
少なくするとともに、窓ガラス等に応用されるため、可
視光をできるだけ多く透過することが要求され、これに
応えるべく、積層体の構成として、ガラス等の透明基体
の上に、酸化物層、低放射率金属層、酸化物層を積層し
たもの、あるいはさらに低放射率金属層、酸化物層を繰
り返し積層したものが一般的に採用されている。
少なくするとともに、窓ガラス等に応用されるため、可
視光をできるだけ多く透過することが要求され、これに
応えるべく、積層体の構成として、ガラス等の透明基体
の上に、酸化物層、低放射率金属層、酸化物層を積層し
たもの、あるいはさらに低放射率金属層、酸化物層を繰
り返し積層したものが一般的に採用されている。
【０００４】一方、積層体の形成方法としては、蒸着、
スパッタ、塗布等の種々の方法があるが、窓ガラスのよ
うな大面積基板上に積層体を均一に形成する場合には、
一般に、スパッタ法が用いられ、高速成膜を行う必要
上、直流スパッタ法が用いられる。
スパッタ、塗布等の種々の方法があるが、窓ガラスのよ
うな大面積基板上に積層体を均一に形成する場合には、
一般に、スパッタ法が用いられ、高速成膜を行う必要
上、直流スパッタ法が用いられる。
【０００５】積層体は、基板上に、酸化物層、金属層、
酸化膜層の順に所望の膜厚成膜して形成するが、酸化物
層の成膜には、通常、酸化物を構成する金属のターゲッ
トを用いた反応性スパッタ法が用いられる。しかし、こ
の方法で金属層上に酸化物層を成膜すると、酸化物層の
形成時に金属層表面が酸化されてしまい、その結果、積
層体の特性が低下してしまうという問題があった。
酸化膜層の順に所望の膜厚成膜して形成するが、酸化物
層の成膜には、通常、酸化物を構成する金属のターゲッ
トを用いた反応性スパッタ法が用いられる。しかし、こ
の方法で金属層上に酸化物層を成膜すると、酸化物層の
形成時に金属層表面が酸化されてしまい、その結果、積
層体の特性が低下してしまうという問題があった。
【０００６】そこで、金属層の酸化を防止するため、金
属層形成後、酸化物を構成する金属又はその窒化物等か
らなるバリヤ層を設け、酸化物層成膜時に金属層表面の
酸化を防ぐとともに、酸化物成膜時にこのバリヤ層を酸
化して、金属層上に酸化物層を形成するという検討がな
されている。
属層形成後、酸化物を構成する金属又はその窒化物等か
らなるバリヤ層を設け、酸化物層成膜時に金属層表面の
酸化を防ぐとともに、酸化物成膜時にこのバリヤ層を酸
化して、金属層上に酸化物層を形成するという検討がな
されている。
【０００７】しかし、金属層を酸化させない状態でバリ
ヤ層を完全に酸化するのは容易でない。バリヤ層が完全
に酸化しないときは可視光透過率が低下してしまうし、
一方、バリヤ層のみならず金属層の一部でも酸化してし
まうと、積層体の放射率が上昇してしまうことになる。
即ち、この方法は、成膜中の条件を高精度に制御する必
要があるとともに、このバリヤ層を形成するための工程
が必要となり、積層体の生産性が悪いという問題があっ
た。
ヤ層を完全に酸化するのは容易でない。バリヤ層が完全
に酸化しないときは可視光透過率が低下してしまうし、
一方、バリヤ層のみならず金属層の一部でも酸化してし
まうと、積層体の放射率が上昇してしまうことになる。
即ち、この方法は、成膜中の条件を高精度に制御する必
要があるとともに、このバリヤ層を形成するための工程
が必要となり、積層体の生産性が悪いという問題があっ
た。
【０００８】また、可視光領域全体の透過率を高め、し
かも放射率を低く保つためには、少なくとも、金属層上
に成膜される酸化物層には、屈折率が２．０以上の高屈
折率酸化物を用いるのが好ましいが、このような酸化物
の反応性スパッタ法による成膜速度は小さく、また、成
膜速度を大きくすると膜厚分布が大きくなるため、大面
積において均一な低放射率積層体を作ることは困難とな
るという問題がある。
かも放射率を低く保つためには、少なくとも、金属層上
に成膜される酸化物層には、屈折率が２．０以上の高屈
折率酸化物を用いるのが好ましいが、このような酸化物
の反応性スパッタ法による成膜速度は小さく、また、成
膜速度を大きくすると膜厚分布が大きくなるため、大面
積において均一な低放射率積層体を作ることは困難とな
るという問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】かかる状況に鑑み、本
発明は、上記従来の問題を解決し、可視光透過率が高
く、しかも放射率の低い大面積積層体を、均一にかつ高
速に製造することが可能な製造方法を提供することを目
的とする。また、本発明は、高歩留まりで、しかも高い
生産性で、低放射率積層体を製造することが可能な製造
方法を提供することを目的とする。
発明は、上記従来の問題を解決し、可視光透過率が高
く、しかも放射率の低い大面積積層体を、均一にかつ高
速に製造することが可能な製造方法を提供することを目
的とする。また、本発明は、高歩留まりで、しかも高い
生産性で、低放射率積層体を製造することが可能な製造
方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の低放射率積層体
の製造方法は、透明基体上に、少なくとも、低放射率金
属層及び屈折率が２．０以上の酸化物層を形成してなる
低放射率積層体の製造方法であって、前記低放射率金属
層を成膜した後、直接、前記酸化物層を、該酸化物の還
元性のターゲットを用いて直流スパッタ法により成膜す
ることを特徴とする。
の製造方法は、透明基体上に、少なくとも、低放射率金
属層及び屈折率が２．０以上の酸化物層を形成してなる
低放射率積層体の製造方法であって、前記低放射率金属
層を成膜した後、直接、前記酸化物層を、該酸化物の還
元性のターゲットを用いて直流スパッタ法により成膜す
ることを特徴とする。
【００１１】本発明において、前記酸化物は、二酸化チ
タン、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、三酸化タングス
テン、三酸化モリブデン、もしくは、これらを２つ以上
含む酸化物とすることが好ましく、また、前記低放射率
金属は、銀、銅若しくは金又はこれらを主成分とする合
金とすることが好ましい。
タン、五酸化ニオブ、五酸化タンタル、三酸化タングス
テン、三酸化モリブデン、もしくは、これらを２つ以上
含む酸化物とすることが好ましく、また、前記低放射率
金属は、銀、銅若しくは金又はこれらを主成分とする合
金とすることが好ましい。
【００１２】また、前記ターゲットは、チタニア粉末若
しくはこれとチタン粉末の混合物を原材料とし、高圧圧
縮法、焼結法若しくは熔射法により製造したものである
ことを特徴とする。
しくはこれとチタン粉末の混合物を原材料とし、高圧圧
縮法、焼結法若しくは熔射法により製造したものである
ことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明により製造される低放射率
積層体は、透明基板上に、低放射率の金属層、屈折率が
２．０以上の酸化物層を積層したものであって、金属層
上に酸化物層を形成する際の金属層表面の酸化を防止し
て、優れた可視光透過率特性及び放射率特性を示す積層
体である。なお、積層体の構成としては、上記屈折率が
２．０以上の酸化物層の上に、さらに金属層及び酸化物
層の単位で繰り返し積層してもよい。また、透明基体上
に、酸化物層、特に屈折率が２．０以上の酸化物層を設
けるのが好ましい形態である。かかる積層体の製造方法
の一例を以下に説明する。
積層体は、透明基板上に、低放射率の金属層、屈折率が
２．０以上の酸化物層を積層したものであって、金属層
上に酸化物層を形成する際の金属層表面の酸化を防止し
て、優れた可視光透過率特性及び放射率特性を示す積層
体である。なお、積層体の構成としては、上記屈折率が
２．０以上の酸化物層の上に、さらに金属層及び酸化物
層の単位で繰り返し積層してもよい。また、透明基体上
に、酸化物層、特に屈折率が２．０以上の酸化物層を設
けるのが好ましい形態である。かかる積層体の製造方法
の一例を以下に説明する。
【００１４】本発明において、低放射率金属層上に屈折
率２．０以上の酸化物層の成膜には、還元性ターゲッ
ト、即ち、酸化物の化学量論組成に対し酸素が欠乏して
いるターゲットを用い、直流スパッタ法により行う。
率２．０以上の酸化物層の成膜には、還元性ターゲッ
ト、即ち、酸化物の化学量論組成に対し酸素が欠乏して
いるターゲットを用い、直流スパッタ法により行う。
【００１５】このようなターゲットを用いることによ
り、金属層表面の酸化を抑制して、酸化物層を形成する
ことが可能となり、また、安定した放電状態が維持でき
るため、大面積基板への均一な成膜が可能となる。
り、金属層表面の酸化を抑制して、酸化物層を形成する
ことが可能となり、また、安定した放電状態が維持でき
るため、大面積基板への均一な成膜が可能となる。
【００１６】なお、本発明の積層体の屈折率が２．０以
上の酸化物層としては、可視光透過率が高く、しかも放
射率の小さい積層体を得る観点から、二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ 2）、五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ3）、五酸化タンタル
（Ｔａ2Ｏ5）、三酸化タングステン（ＷＯ3）、三酸化
モリブデン（ＭｏＯ3）若しくはこれらを２以上含む酸
化物が好適に用いられるが、これら酸化物層成膜用のタ
ーゲットの具体的な組成としては、ＴｉＯx（１＜ｘ＜
２）；Ｎｂ2Ｏx，Ｔａ2Ｏx（４＜ｘ＜５）；ＷＯx，Ｍ
ｏＯx（２＜ｘ＜３）とするのが好ましく、比抵抗とし
ては、１０Ω・ｃｍ以下が好ましく、１Ω・ｃｍ以下と
するのがより好ましい。
上の酸化物層としては、可視光透過率が高く、しかも放
射率の小さい積層体を得る観点から、二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ 2）、五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ3）、五酸化タンタル
（Ｔａ2Ｏ5）、三酸化タングステン（ＷＯ3）、三酸化
モリブデン（ＭｏＯ3）若しくはこれらを２以上含む酸
化物が好適に用いられるが、これら酸化物層成膜用のタ
ーゲットの具体的な組成としては、ＴｉＯx（１＜ｘ＜
２）；Ｎｂ2Ｏx，Ｔａ2Ｏx（４＜ｘ＜５）；ＷＯx，Ｍ
ｏＯx（２＜ｘ＜３）とするのが好ましく、比抵抗とし
ては、１０Ω・ｃｍ以下が好ましく、１Ω・ｃｍ以下と
するのがより好ましい。
【００１７】このターゲットの製造方法としては、酸化
物粉末又はこれと酸化物構成金属粉末との混合物を用
い、例えば、国際公開ＷＯ９７／０８３５９号公報に記
載された高圧圧縮法、焼結法、溶射法等により作製する
ことができる。例えば、ＴｉＯ 2成膜用のターゲット
は、チタニア粉末又はこれとＴｉ粉末の混合物を上記方
法で作製する。
物粉末又はこれと酸化物構成金属粉末との混合物を用
い、例えば、国際公開ＷＯ９７／０８３５９号公報に記
載された高圧圧縮法、焼結法、溶射法等により作製する
ことができる。例えば、ＴｉＯ 2成膜用のターゲット
は、チタニア粉末又はこれとＴｉ粉末の混合物を上記方
法で作製する。
【００１８】また、本発明のスパッタガスとして、０．
１〜１０体積％の酸化性ガスを含む不活性ガスを用いる
のが好ましい。さらには、酸化ガス濃度を０．１〜５体
積％とするのがより好ましい。酸化性ガス濃度を上記範
囲とすることにより、屈折率が２．０以上の酸化物層を
形成時において、低反射率金属層の酸化をより一層抑制
することができ、放射率の低い積層体を製造することが
可能となる。なお、本発明において、酸化性ガスには、
酸素ガスが一般的に用いられるが、一酸化窒素、二酸化
窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、オゾン等を用いること
もできる。
１〜１０体積％の酸化性ガスを含む不活性ガスを用いる
のが好ましい。さらには、酸化ガス濃度を０．１〜５体
積％とするのがより好ましい。酸化性ガス濃度を上記範
囲とすることにより、屈折率が２．０以上の酸化物層を
形成時において、低反射率金属層の酸化をより一層抑制
することができ、放射率の低い積層体を製造することが
可能となる。なお、本発明において、酸化性ガスには、
酸素ガスが一般的に用いられるが、一酸化窒素、二酸化
窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、オゾン等を用いること
もできる。
【００１９】本発明の製造方法により、金属膜の酸化を
抑制しつつ、屈折率の高い酸化膜を形成することがで
き、その結果、可視領域全体の透過率を向上し、かつ低
放射率の積層体が得られるのは、以下の理由によるもの
と考えられる。
抑制しつつ、屈折率の高い酸化膜を形成することがで
き、その結果、可視領域全体の透過率を向上し、かつ低
放射率の積層体が得られるのは、以下の理由によるもの
と考えられる。
【００２０】一般に、酸化物を反応性スパッタ法により
成膜すると、酸化性ガスを多く含んだスパッタガスを用
いて成膜する必要がある。ここで、酸化性ガスが、一般
に用いられる酸素ガスである場合、酸素原子は数十ｅＶ
の運動エネルギーを持つ電子と衝突した際に最も負イオ
ンになりやすく、その確率は２０から３０％にも達す
る。このようにして生じた酸素負イオンは、負に印加さ
れたターゲット付近の電界により、基板方向に進み、既
に成膜されている低放射率の金属層に衝突する。本発明
者の実験結果によると、このときの酸素負イオンの運動
エネルギーは平均で１００から２００ｅＶであり、低放
射率の金属層に平均深さで１．５ｎｍ程度打ち込まれ、
かかる金属を酸化する。この酸化により放射率は増加
し、低い放射率を持った積層体を得ることができない。
成膜すると、酸化性ガスを多く含んだスパッタガスを用
いて成膜する必要がある。ここで、酸化性ガスが、一般
に用いられる酸素ガスである場合、酸素原子は数十ｅＶ
の運動エネルギーを持つ電子と衝突した際に最も負イオ
ンになりやすく、その確率は２０から３０％にも達す
る。このようにして生じた酸素負イオンは、負に印加さ
れたターゲット付近の電界により、基板方向に進み、既
に成膜されている低放射率の金属層に衝突する。本発明
者の実験結果によると、このときの酸素負イオンの運動
エネルギーは平均で１００から２００ｅＶであり、低放
射率の金属層に平均深さで１．５ｎｍ程度打ち込まれ、
かかる金属を酸化する。この酸化により放射率は増加
し、低い放射率を持った積層体を得ることができない。
【００２１】このため、従来は、低放射率の金属上に２
ｎｍ程度の厚さのバリヤ層を成膜し、これに続く酸化物
の成膜の際にバリヤ層がもっぱら酸化し、低放射率の金
属を酸化させないようにしていた。しかし、バリヤ層が
完全に酸化しなければ可視光透過率は低下し、また、バ
リヤ層の膜厚が不十分であれば低放射率の金属が酸化さ
れ放射率の低い積層体は得られなくなる。このように、
バリヤ層を最適にするのは極めて困難であり、高い可視
光透過率と低い放射率を持った積層体を得ることは従来
の技術では容易ではない。
ｎｍ程度の厚さのバリヤ層を成膜し、これに続く酸化物
の成膜の際にバリヤ層がもっぱら酸化し、低放射率の金
属を酸化させないようにしていた。しかし、バリヤ層が
完全に酸化しなければ可視光透過率は低下し、また、バ
リヤ層の膜厚が不十分であれば低放射率の金属が酸化さ
れ放射率の低い積層体は得られなくなる。このように、
バリヤ層を最適にするのは極めて困難であり、高い可視
光透過率と低い放射率を持った積層体を得ることは従来
の技術では容易ではない。
【００２２】これに対し、本発明のように化学量論組成
よりも酸素が欠乏した酸化物のターゲット（還元性酸化
物ターゲット）を用い、反応性スパッタ法に比べてスパ
ッタガス中の酸化性ガスを低濃度とすることにより、酸
化性負イオンによる低放射率金属層の酸化はほとんど生
じなくなる。これは、次に述べる理由によるものと考え
られる。つまり、酸化物ターゲットからスパッタされて
放出される酸素は遊離してスパッタガス成分とはなら
ず、およそ数ｅＶから数十ｅＶの運動エネルギーを持っ
て基板に衝突する。このときの酸素の低放射率金属層へ
の平均の進入深さは１〜２オングストローム以下であ
り、低放射率金属層の酸化はほとんど無視できうる程度
のものである。
よりも酸素が欠乏した酸化物のターゲット（還元性酸化
物ターゲット）を用い、反応性スパッタ法に比べてスパ
ッタガス中の酸化性ガスを低濃度とすることにより、酸
化性負イオンによる低放射率金属層の酸化はほとんど生
じなくなる。これは、次に述べる理由によるものと考え
られる。つまり、酸化物ターゲットからスパッタされて
放出される酸素は遊離してスパッタガス成分とはなら
ず、およそ数ｅＶから数十ｅＶの運動エネルギーを持っ
て基板に衝突する。このときの酸素の低放射率金属層へ
の平均の進入深さは１〜２オングストローム以下であ
り、低放射率金属層の酸化はほとんど無視できうる程度
のものである。
【００２３】以上のことから、還元性酸化物ターゲット
を用いて成膜した場合は、バリヤ層を用いる必要がなく
なり、高い可視光透過率と低い放射率を持つ積層体を容
易に得ることができたと考えられる。
を用いて成膜した場合は、バリヤ層を用いる必要がなく
なり、高い可視光透過率と低い放射率を持つ積層体を容
易に得ることができたと考えられる。
【００２４】また、従来の成膜方法、即ち、金属ターゲ
ットを用いた反応性スパッタ法により、屈折率を２．０
以上の酸化物層を成膜するのは、その成膜速度が非常に
小さく、しかも大面積の均一成膜は困難という問題があ
る。成膜速度を改善するために、ターゲット表面が金属
状態もしくは部分酸化状態であり、しかも、基板では酸
化物が得られる状態を維持するように、投入電力に応じ
て成膜室のスパッタガス中の酸化性ガス濃度を適正値に
制御する必要がある。しかし、ターゲット表面の酸化状
態の維持はプラズマ中の金属の発光強度を測定しなが
ら、その発光強度に応じて、導入する酸化性ガスの量を
ダイナミック制御するなどの方法により実現されるが、
ターゲット表面の状態の変化が数秒以下の時間で生じる
のに対し、導入する酸化性ガス量を変化させるのに数十
秒近くかかることから、このダイナミック制御を正確に
行うのは容易なことではない。さらに、大面積の基板
に、このダイナミック制御を用いた方法を適用しようと
すると、ターゲットの各場所において、主にマグネトロ
ンスパッタのための磁場強度と酸化性ガスの濃度に分布
が生じるために、ターゲット表面の酸化状態が異なり、
これに伴って成膜速度が異なって、成膜される酸化物の
膜厚に分布が生じることとなる。この膜厚不均一性を改
善することは容易ではなく、大面積に均一に積層体を成
膜することは困難である。
ットを用いた反応性スパッタ法により、屈折率を２．０
以上の酸化物層を成膜するのは、その成膜速度が非常に
小さく、しかも大面積の均一成膜は困難という問題があ
る。成膜速度を改善するために、ターゲット表面が金属
状態もしくは部分酸化状態であり、しかも、基板では酸
化物が得られる状態を維持するように、投入電力に応じ
て成膜室のスパッタガス中の酸化性ガス濃度を適正値に
制御する必要がある。しかし、ターゲット表面の酸化状
態の維持はプラズマ中の金属の発光強度を測定しなが
ら、その発光強度に応じて、導入する酸化性ガスの量を
ダイナミック制御するなどの方法により実現されるが、
ターゲット表面の状態の変化が数秒以下の時間で生じる
のに対し、導入する酸化性ガス量を変化させるのに数十
秒近くかかることから、このダイナミック制御を正確に
行うのは容易なことではない。さらに、大面積の基板
に、このダイナミック制御を用いた方法を適用しようと
すると、ターゲットの各場所において、主にマグネトロ
ンスパッタのための磁場強度と酸化性ガスの濃度に分布
が生じるために、ターゲット表面の酸化状態が異なり、
これに伴って成膜速度が異なって、成膜される酸化物の
膜厚に分布が生じることとなる。この膜厚不均一性を改
善することは容易ではなく、大面積に均一に積層体を成
膜することは困難である。
【００２５】この従来の方法に対し、本発明において
は、還元性酸化物ターゲットを用い、少ない酸化性ガス
を含むスパッタガスにより成膜を行うため、ターゲット
の各位置での成膜速度の均一性は極めて優れており、容
易に大面積に均一に積層体を成膜することができる。
は、還元性酸化物ターゲットを用い、少ない酸化性ガス
を含むスパッタガスにより成膜を行うため、ターゲット
の各位置での成膜速度の均一性は極めて優れており、容
易に大面積に均一に積層体を成膜することができる。
【００２６】従来の積層体の製造方法では、低放射率金
属層上にバリヤ層を設け、この上に屈折率が２．０未満
の酸化物層を成膜して、積層体を形成するのが一般的で
あった。
属層上にバリヤ層を設け、この上に屈折率が２．０未満
の酸化物層を成膜して、積層体を形成するのが一般的で
あった。
【００２７】これに対し、本発明において、屈折率が
２．０以上の酸化物層を用いるのは、低放射率金属の膜
厚を大きくしても、可視光透過率の減少が屈折率が２．
０未満の酸化物を用いた場合に比較して抑えることがで
き、バリヤ層を設けずにすむことと相まって、高い可視
光透過率を維持しつつ、さらに低い放射率を持つ積層体
の形成が可能となるからである。そして、かかる酸化物
層の高速成膜を可能としたからである。
２．０以上の酸化物層を用いるのは、低放射率金属の膜
厚を大きくしても、可視光透過率の減少が屈折率が２．
０未満の酸化物を用いた場合に比較して抑えることがで
き、バリヤ層を設けずにすむことと相まって、高い可視
光透過率を維持しつつ、さらに低い放射率を持つ積層体
の形成が可能となるからである。そして、かかる酸化物
層の高速成膜を可能としたからである。
【００２８】即ち、本発明は、本発明者らがより高特性
の低放射率積層体の開発を目的に行った一連の実験を通
して得られた上記新規知見に基づくものであり、低放射
率の金属層上に直接屈折率が２．０以上の酸化物層を成
膜することにより、さらには、かかる酸化物層を還元性
の酸化物ターゲットを直流スパッタにより成膜すること
により、大面積に均一に低い放射率を持つ積層体を高速
に成膜することを可能ならしめたものである。そして、
安定した成膜が可能となるため、特性の揃った低放射率
積層体を再現性良く製造することが可能となる。さら
に、バリヤ層を形成する必要がないため、積層体の生産
性が向上する。
の低放射率積層体の開発を目的に行った一連の実験を通
して得られた上記新規知見に基づくものであり、低放射
率の金属層上に直接屈折率が２．０以上の酸化物層を成
膜することにより、さらには、かかる酸化物層を還元性
の酸化物ターゲットを直流スパッタにより成膜すること
により、大面積に均一に低い放射率を持つ積層体を高速
に成膜することを可能ならしめたものである。そして、
安定した成膜が可能となるため、特性の揃った低放射率
積層体を再現性良く製造することが可能となる。さら
に、バリヤ層を形成する必要がないため、積層体の生産
性が向上する。
【００２９】なお、本発明において、ガラス等の透明基
板に形成する酸化物層（屈折率２．０以上の酸化物層の
場合も含む）も、金属層上に形成する場合と同様の方法
で形成してもよいが、これに限らず公知の方法で形成し
てもよい。また、金属層は、不活性ガスにより直流スパ
ッタ法に形成するのが好ましいが、これに限るものでは
ない。
板に形成する酸化物層（屈折率２．０以上の酸化物層の
場合も含む）も、金属層上に形成する場合と同様の方法
で形成してもよいが、これに限らず公知の方法で形成し
てもよい。また、金属層は、不活性ガスにより直流スパ
ッタ法に形成するのが好ましいが、これに限るものでは
ない。
【００３０】本発明の低放射率金属としては、銀、銅、
金またはこれらを主成分とする合金が用いられる。
金またはこれらを主成分とする合金が用いられる。
【００３１】また、透明基体としては、ソーダライムガ
ラス、網入りガラス、フロストガラス等の一般の窓ガラ
ス、自動車用のガラスの他、ＰＥＴ等のプラスチックフ
ィルム等にも用いられる。
ラス、網入りガラス、フロストガラス等の一般の窓ガラ
ス、自動車用のガラスの他、ＰＥＴ等のプラスチックフ
ィルム等にも用いられる。
【００３２】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明が実施例に限定るされることない。
明するが、本発明が実施例に限定るされることない。
【００３３】（実施例１）図１に示すスパッタ装置を用
いて、ガラス基板（３００ｍｍ×３００ｍｍ）を搬送し
ながら、基板上にＴｉＯ2／Ａｇ／ＴｉＯ2の積層膜を形
成した。
いて、ガラス基板（３００ｍｍ×３００ｍｍ）を搬送し
ながら、基板上にＴｉＯ2／Ａｇ／ＴｉＯ2の積層膜を形
成した。
【００３４】まず、４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面積を持
つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして用い、
投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素を含むアルゴン
ガスをスパッタガスとして、ソーダライムガラス上に、
３３ｎｍのチタニア（ＴｉＯ 2）を成膜した。
つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして用い、
投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素を含むアルゴン
ガスをスパッタガスとして、ソーダライムガラス上に、
３３ｎｍのチタニア（ＴｉＯ 2）を成膜した。
【００３５】このＴｉＯ2上に、４３２ｍｍ×１２７ｍ
ｍの面積を持つパラジウム（Ｐｄ）を１原子％含むＡｇ
をターゲットを用い、スパッタガスをアルゴンガスとし
て、０．３ｋＷの電力を投入して、Ｐｄを１原子％含む
Ａｇを１０ｎｍ成膜した。
ｍの面積を持つパラジウム（Ｐｄ）を１原子％含むＡｇ
をターゲットを用い、スパッタガスをアルゴンガスとし
て、０．３ｋＷの電力を投入して、Ｐｄを１原子％含む
Ａｇを１０ｎｍ成膜した。
【００３６】さらに、これらの上に、先と同様の方法
で、ＴｉＯ2を３３ｎｍ成膜した。なお、成膜速度は８
８ｎｍ／分であった。
で、ＴｉＯ2を３３ｎｍ成膜した。なお、成膜速度は８
８ｎｍ／分であった。
【００３７】得られた積層体の可視光透過率、日射透過
率、放射率をＪＩＳ Ｒ３１０６に従って、基板上の１
０点について測定したところ、可視光透過率は７９．４
±２．３％、日射透過率は６５．１±１．７％、放射率
は０．１２±０．００３であった。
率、放射率をＪＩＳ Ｒ３１０６に従って、基板上の１
０点について測定したところ、可視光透過率は７９．４
±２．３％、日射透過率は６５．１±１．７％、放射率
は０．１２±０．００３であった。
【００３８】即ち、本実施例の製造方法により、以上の
いずれの特性においても優れた積層体が均一にかつ高速
得られることが分かった。
いずれの特性においても優れた積層体が均一にかつ高速
得られることが分かった。
【００３９】（実施例２）実施例１と同様にして、Ｐｄ
を１原子％含む銀層の膜厚を１２，１４，１６，１８，
２０ｎｍに変えて積層体を形成し、可視光透過率、日射
透過率、放射率を測定した。得られた可視光透過率、日
射透過率、放射率を実施例１の結果と共に表１に示す。
を１原子％含む銀層の膜厚を１２，１４，１６，１８，
２０ｎｍに変えて積層体を形成し、可視光透過率、日射
透過率、放射率を測定した。得られた可視光透過率、日
射透過率、放射率を実施例１の結果と共に表１に示す。
【００４０】
【表１】 ────────────────────────────────── 銀層の膜厚 可視光透過率 日射透過率 放射率 ────────────────────────────────── １０ｎｍ ７９．４％ ６５．１％ ０．１２ １２ｎｍ ８０．６％ ６１．２％ ０．１０ １４ｎｍ ８１．４％ ５７．７％ ０．０７ １６ｎｍ ８０．３％ ５３．０％ ０．０６ １８ｎｍ ７９．５％ ４９．４％ ０．０５ ２０ｎｍ ７５．４％ ４４．０％ ０．０４ ────────────────────────────────── 表１が示すように、銀層の厚さを２０ｎｍまで増加して
も、なお高い透過率を示し、積層体としての優れた特性
を示すことが分かった。
も、なお高い透過率を示し、積層体としての優れた特性
を示すことが分かった。
【００４１】（比較例１）４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、ソーダライムガ
ラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、ソーダライムガ
ラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
【００４２】このＴｉＯ2上に、４３２ｍｍ×１２７ｍ
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１４ｎｍ成
膜した。
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１４ｎｍ成
膜した。
【００４３】この後、４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面積を
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガス（１００％）をスパッタガスとして、Ｔｉ
Ｏ2を３３ｎｍ成膜した。なお、成膜速度は９．２ｎｍ
／分であった。
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガス（１００％）をスパッタガスとして、Ｔｉ
Ｏ2を３３ｎｍ成膜した。なお、成膜速度は９．２ｎｍ
／分であった。
【００４４】得られた積層体の銀層は酸化しており、積
層体の可視光透過率は６９．４±１５％であり、日射透
過率は６６．７±１３％、放射率は０．８７±０．１２
となり、実施例１に比べて低い特性しか得られず、バラ
ツキも大きいものであった。
層体の可視光透過率は６９．４±１５％であり、日射透
過率は６６．７±１３％、放射率は０．８７±０．１２
となり、実施例１に比べて低い特性しか得られず、バラ
ツキも大きいものであった。
【００４５】（比較例２）４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、ソーダライムガ
ラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、ソーダライムガ
ラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
【００４６】このＴｉＯ2上に、４３２ｍｍ×１２７ｍ
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１０ｎｍ成
膜した。
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１０ｎｍ成
膜した。
【００４７】さらに、これらの上に、４３２ｍｍ×１２
７ｍｍの面積を持つＴｉをターゲットとして用い、投入
電力を０．２５ｋＷとし、アルゴンガスをスパッタガス
として、Ｔｉを０．５ｎｍ成膜した。
７ｍｍの面積を持つＴｉをターゲットとして用い、投入
電力を０．２５ｋＷとし、アルゴンガスをスパッタガス
として、Ｔｉを０．５ｎｍ成膜した。
【００４８】この後、４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面積を
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガス（１００％）をスパッタガスとして、Ｔｉ
Ｏ2を２７ｎｍ成膜した。
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガス（１００％）をスパッタガスとして、Ｔｉ
Ｏ2を２７ｎｍ成膜した。
【００４９】得られた積層体の銀層は、比較例１と同様
に酸化されて、放射率は０．７２となり、低い放射率を
持った積層体は得られなかった。
に酸化されて、放射率は０．７２となり、低い放射率を
持った積層体は得られなかった。
【００５０】また、チタンの膜厚を１ｎｍに変えても、
積層体の銀層は酸化されて、放射率は０．５６となり、
低い放射率を持った積層体は得られなかった。
積層体の銀層は酸化されて、放射率は０．５６となり、
低い放射率を持った積層体は得られなかった。
【００５１】（比較例３）４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、ソーダライムガ
ラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、ソーダライムガ
ラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
【００５２】このＴｉＯ2上に、４３２ｍｍ×１２７ｍ
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１４ｎｍ成
膜した。
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１４ｎｍ成
膜した。
【００５３】さらに、これらの上に、４３２ｍｍ×１２
７ｍｍの面積を持つＴｉをターゲットとして用い、投入
電力を０．２５ｋＷとし、アルゴンガスをスパッタガス
として、Ｔｉを１．５ｎｍ成膜した。
７ｍｍの面積を持つＴｉをターゲットとして用い、投入
電力を０．２５ｋＷとし、アルゴンガスをスパッタガス
として、Ｔｉを１．５ｎｍ成膜した。
【００５４】この後、４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面積を
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガス（１００％）をスパッタガスとして、Ｔｉ
Ｏ2を２９ｎｍ成膜した。
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガス（１００％）をスパッタガスとして、Ｔｉ
Ｏ2を２９ｎｍ成膜した。
【００５５】プラズマの密度に分布が存在するためによ
ると考えられるが、得られた積層体の銀層の一部は酸化
されていた。
ると考えられるが、得られた積層体の銀層の一部は酸化
されていた。
【００５６】積層体の可視光透過率は７５±８％であ
り、日射透過率は６９±９％、放射率は０．４±０．２
となり、特性のバラツキは大きいものであった。
り、日射透過率は６９±９％、放射率は０．４±０．２
となり、特性のバラツキは大きいものであった。
【００５７】なお、酸化されていない部分の特性を測定
すると、可視光透過率は８３．７％であり、日射透過率
は６２．７％、放射率は０．０８であった。
すると、可視光透過率は８３．７％であり、日射透過率
は６２．７％、放射率は０．０８であった。
【００５８】また、チタンの膜厚を２ｎｍに変えても、
やはり、積層体の銀層の一部は酸化されており、酸化さ
れていない部分の特性を測定すると、可視光透過率は８
３．０％であり、日射透過率は６０．８％、放射率は
０．０８であった。
やはり、積層体の銀層の一部は酸化されており、酸化さ
れていない部分の特性を測定すると、可視光透過率は８
３．０％であり、日射透過率は６０．８％、放射率は
０．０８であった。
【００５９】さらに、チタンの膜厚を２．５ｎｍに変え
ると、積層体の銀層は酸化されなくなり、可視光透過率
は８０．２％であり、日射透過率は５７．７％、放射率
は０．０８であった。
ると、積層体の銀層は酸化されなくなり、可視光透過率
は８０．２％であり、日射透過率は５７．７％、放射率
は０．０８であった。
【００６０】このように、バリヤ層としてのＴｉの膜厚
を増していくことにより、可視光透過率は低下し、ま
た、Ｔｉ層が次のＴｉＯ2の成膜時に一部酸化される
が、一部が酸化されずに存在することから、高い可視光
透過率を維持しながら、低い放射率を持つ積層体を得る
ことが困難であることがわかる。
を増していくことにより、可視光透過率は低下し、ま
た、Ｔｉ層が次のＴｉＯ2の成膜時に一部酸化される
が、一部が酸化されずに存在することから、高い可視光
透過率を維持しながら、低い放射率を持つ積層体を得る
ことが困難であることがわかる。
【００６１】（比較例４）４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスガスをスパッタガスとして、ソーダライ
ムガラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．９４）をターゲットとして
用い、投入電力を４ｋＷとし、２体積％の酸素ガスを含
むアルゴンガスガスをスパッタガスとして、ソーダライ
ムガラス上に、３３ｎｍのＴｉＯ2を成膜した。
【００６２】このＴｉＯ2上に、４３２ｍｍ×１２７ｍ
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１０ｎｍ成
膜した。
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１０ｎｍ成
膜した。
【００６３】さらに、これらの上に、４３２ｍｍ×１２
７ｍｍの面積を持つＴｉをターゲットとして用い、投入
電力を０．２５ｋＷとし、アルゴンガスをスパッタガス
として、Ｔｉを１．５ｎｍ成膜した。
７ｍｍの面積を持つＴｉをターゲットとして用い、投入
電力を０．２５ｋＷとし、アルゴンガスをスパッタガス
として、Ｔｉを１．５ｎｍ成膜した。
【００６４】この後、４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面積を
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガスをスパッタガスとして、ＴｉＯ2を２７ｎ
ｍ成膜した。
持つＴｉをターゲットとして用い、投入電力を４ｋＷと
し、酸素ガスをスパッタガスとして、ＴｉＯ2を２７ｎ
ｍ成膜した。
【００６５】得られた積層体の銀層の一部は酸化されて
おり、積層体の基板全体としての特性は、可視光透過率
は７７±７％であり、日射透過率は６６±９％、放射率
は０．４±０．３となり、バラツキは大きいものであっ
た。
おり、積層体の基板全体としての特性は、可視光透過率
は７７±７％であり、日射透過率は６６±９％、放射率
は０．４±０．３となり、バラツキは大きいものであっ
た。
【００６６】同様の積層体を銀層の膜厚を１２，１４，
１６，１８，２０ｎｍに変えて成膜し、酸化されていな
い部分の特性を測定した。結果を表２に示す。
１６，１８，２０ｎｍに変えて成膜し、酸化されていな
い部分の特性を測定した。結果を表２に示す。
【００６７】
【表２】 ────────────────────────────────── 銀層の膜厚 可視光透過率 日射透過率 放射率 ────────────────────────────────── １０ｎｍ ８２．３％ ６９．３％ ０．１３ １２ｎｍ ８３．９％ ６５．２％ ０．０９ １４ｎｍ ８３．２％ ６０．６％ ０．０８ １６ｎｍ ８３．２％ ５６．３％ ０．０６ １８ｎｍ ７９．９％ ５１．３％ ０．０５ ２０ｎｍ ７７．６％ ４６．６％ ０．０５ ────────────────────────────────── （比較例５）４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面積を持つアル
ミニウムを３原子％含む亜鉛をターゲットとして用い、
投入電力を２ｋＷとし、アルゴンガスに３０体積％の酸
素を含むガスをスパッタガスとして、ソーダライムガラ
ス上に、４６ｎｍの酸化亜鉛を成膜した。
ミニウムを３原子％含む亜鉛をターゲットとして用い、
投入電力を２ｋＷとし、アルゴンガスに３０体積％の酸
素を含むガスをスパッタガスとして、ソーダライムガラ
ス上に、４６ｎｍの酸化亜鉛を成膜した。
【００６８】この酸化亜鉛上に、４３２ｍｍ×１２７ｍ
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１０ｎｍ成
膜した。
ｍの面積を持つＰｄを１原子％含むＡｇをターゲットと
し、スパッタガスをアルゴンガスとして、０．３ｋＷの
電力を投入して、Ｐｄを１原子％含むＡｇを１０ｎｍ成
膜した。
【００６９】さらに、これらの上に、４３２ｍｍ×１２
７ｍｍの面積を持つガリウムを５．７重量％含む酸化亜
鉛をターゲットとして用い、投入電力を０．５ｋＷと
し、アルゴンガスをスパッタガスとして、酸化亜鉛を２
ｎｍ成膜した。
７ｍｍの面積を持つガリウムを５．７重量％含む酸化亜
鉛をターゲットとして用い、投入電力を０．５ｋＷと
し、アルゴンガスをスパッタガスとして、酸化亜鉛を２
ｎｍ成膜した。
【００７０】この後、４３２ｍｍ×１２７ｍｍの面積を
持つアルミニウムを３原子％含む亜鉛をターゲットとし
て用い、投入電力を２ｋＷとし、３０体積％の酸素を含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、酸化亜鉛を４０
ｎｍ成膜した。
持つアルミニウムを３原子％含む亜鉛をターゲットとし
て用い、投入電力を２ｋＷとし、３０体積％の酸素を含
むアルゴンガスをスパッタガスとして、酸化亜鉛を４０
ｎｍ成膜した。
【００７１】同様にして、銀層の膜厚だけを１２，１
４，１６，１８，２０ｎｍに変えて、積層体を作製し
た。得られた積層体の特性を表３に示す。
４，１６，１８，２０ｎｍに変えて、積層体を作製し
た。得られた積層体の特性を表３に示す。
【００７２】
【表３】 ────────────────────────────────── 銀層の膜厚 可視光透過率 日射透過率 放射率 ────────────────────────────────── １０ｎｍ ８５．２％ ６６．４％ ０．１１ １２ｎｍ ８３．７％ ６１．０％ ０．０８ １４ｎｍ ８０．８％ ５５．１％ ０．０７ １６ｎｍ ７５．２％ ４９．５％ ０．０６ １８ｎｍ ７２．２％ ４４．２％ ０．０５ ２０ｎｍ ６４．７％ ３９．１％ ０．０５ ────────────────────────────────── 実施例１と２の結果である表１と比較例５の結果である
表３を比較すると、ＴｉＯ2（屈折率２．５）を酸化物
層として用いた積層体では、酸化亜鉛（屈折率１．９）
を用いた積層体に比べ、銀層の膜厚を大きくして積層体
の放射率を低くした場合でも可視光透過率を高く維持す
ることができることがわかる。
表３を比較すると、ＴｉＯ2（屈折率２．５）を酸化物
層として用いた積層体では、酸化亜鉛（屈折率１．９）
を用いた積層体に比べ、銀層の膜厚を大きくして積層体
の放射率を低くした場合でも可視光透過率を高く維持す
ることができることがわかる。
【００７３】（実施例３）ターゲットを４３２ｍｍ×１
２７ｍｍの面積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．８４）を用い
た以外は、実施例１と同様にして積層体を形成し、得ら
れた積層体の可視光透過率、日射透過率、放射率を測定
した。その結果を表４に示す。
２７ｍｍの面積を持つＴｉＯx（ｘ＝１．８４）を用い
た以外は、実施例１と同様にして積層体を形成し、得ら
れた積層体の可視光透過率、日射透過率、放射率を測定
した。その結果を表４に示す。
【００７４】
【表４】 ────────────────────────────────── 銀の膜厚 可視光透過率 日射透過率 放射率 ────────────────────────────────── １０ｎｍ ８０．２％ ６６．０％ ０．１２ １２ｎｍ ８０．８％ ６１．９％ ０．１０ １４ｎｍ ８１．３％ ５８．１％ ０．０７ １６ｎｍ ８０．１％ ５３．２％ ０．０６ １８ｎｍ ７９．６％ ４９．８％ ０．０５ ２０ｎｍ ７５．２％ ４４．３％ ０．０４ ────────────────────────────────── 実施例１、２と異なる組成のターゲットを用いても、同
様の優れた特性の積層体が得られることが分かった。
様の優れた特性の積層体が得られることが分かった。
【００７５】
【発明の効果】本発明により、低放射率金属層の酸化を
容易に防止することができるため、高特性の低放射率積
層体を容易にしかも再現性良く製造することが可能とな
る。また、バリヤ層を不要とし、しかも、金属層上の酸
化物層形成が均一かつ高速に行えるため、歩留まり、生
産性が著しく向上する。
容易に防止することができるため、高特性の低放射率積
層体を容易にしかも再現性良く製造することが可能とな
る。また、バリヤ層を不要とし、しかも、金属層上の酸
化物層形成が均一かつ高速に行えるため、歩留まり、生
産性が著しく向上する。
【００７６】即ち、本発明により、高性能の低放射率積
層体を高い歩留まり、高い生産性で提供することが可能
となる。
層体を高い歩留まり、高い生産性で提供することが可能
となる。
【図１】本発明の積層体の製造に好適に用いられるスパ
ッタ装置を示す概念図である。
ッタ装置を示す概念図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｃ２３Ｃ 14/34 Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基体上に、少なくとも、低放射率金
属層及び屈折率が２．０以上の酸化物層を形成してなる
低放射率積層体の製造方法であって、前記低放射率金属
層を成膜した後、直接、前記酸化物層を、該酸化物の還
元性のターゲットを用いて直流スパッタ法により成膜す
ることを特徴とする低放射率積層体の製造方法。 - 【請求項２】 前記酸化物は、二酸化チタン、五酸化ニ
オブ、五酸化タンタル、三酸化タングステン、三酸化モ
リブデン、もしくは、これらを２つ以上含む酸化物であ
ることを特徴とする請求項１に記載の低放射率積層体の
製造方法。 - 【請求項３】 前記ターゲットは、チタニア粉末若しく
はこれとチタン粉末の混合物を原材料とし、高圧圧縮
法、焼結法若しくは熔射法により製造したものであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の低放射率積層体の製造
方法。 - 【請求項４】 前記低放射率金属は、銀、銅若しくは金
又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする
請求項１〜３のいずれか１項に記載の低放射率積層体の
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP28586497A JP4066101B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 低放射率積層体の製造方法 |
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| JP (1) | JP4066101B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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