CN101522939A

CN101522939A - 等离子显示器面板的制造方法以及制造装置

Info

Publication number: CN101522939A
Application number: CNA2007800338177A
Authority: CN
Inventors: 饭岛荣一; 箱守宗人
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2006-10-27
Filing date: 2007-10-18
Publication date: 2009-09-02
Also published as: RU2009120030A; KR101168180B1; EP2093306A1; KR20090038913A; WO2008050662A1; RU2425174C2; JP5078903B2; EP2093306B1; JPWO2008050662A1; EP2093306A4

Abstract

本发明提供一种等离子显示器面板的制造方法，降低成膜温度而简化制造工序，以容易地得到作为保护层的(111)取向的MgO膜。另外，将制造装置设为简单的结构而缩短生产节拍时间。在包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面电极的等离子显示器面板的制造方法中，将电子束蒸镀装置中的蒸镀前的玻璃基板的温度设为常温(120℃以下)，并且将上述电子束蒸镀装置的MgO成膜速度设为8000·m/min以上。在常温下的成膜中，得到与以往的高温下的成膜等同的MgO膜。

Description

等离子显示器面板的制造方法以及制造装置

技术领域

本发明涉及等离子显示器面板(以下称为PDP)的制造方法以及制造装置，特别涉及电介体层的保护层的形成。

背景技术

作为当前的PDP的主流的AC面放电型PDP包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面基板(参照图20)。

如图20所示在AC面放电型PDP 81中隔着充满放电气体的窄的空隙而熔接密封了两个玻璃基板。在背面玻璃基板90中，沿着列方向配置有寻址电极89，并在其上形成有电介体层87。该电介体层87作为寻址电极89的保护、白色反转层而具有亮度改善的作用。障壁88的高度为100～150μm左右，且在由障壁88形成的沟内部依次涂敷有红蓝绿的荧光体(91R、91B、91G)。

在成为表面侧的前面基板中设置有由ITO等透明电极和汇流电极(bus electrode)构成的面放电电极。面放电电极是夹着50～100μm左右的放电空隙而成对排列的。用厚度20～30μm左右的电介体层覆盖了这些放电电极。在其上部形成有由氧化镁(MgO)构成的表面保护层。

成为各色的显示单位的一个单元针对在周围涂敷有荧光体的放电空间由包括用电介体层85、87覆盖的面放电电极(扫描电极83和维持电极84)和寻址电极89这三个电极构成。通过对扫描电极83依次施加负电位的扫描脉冲，并与其同步地根据显示数据对寻址电极施加正电位的数据脉冲，而选择性地发生写入放电。接下来通过对维持电极与扫描电极之间施加交流维持放电脉冲，而使被写入的单元维持放电，从而进行发光显示。

如上所述，在保护层中主要使用MgO。进而，对于MgO要求除了作为保护层的功能以外，二次电子释放系数也大。随着PDP的价格降低、需求量的增加，玻璃基板的尺寸逐渐变大，成膜作为PDP的保护层的MgO的生产装置的单位生产时间逐渐成为短时间。

MgO在结晶的生长中，具有取向性，且特性根据其生长的方向而不同。通过改变成膜条件，可以实现沿着(111)、(110)、(100)等各结晶方向取向的MgO的成膜。因此，为了得到期望的取向性的被膜而开发出各种方法。

例如，在着眼于作为保护膜的耐溅射性的情况下，存在得到(110)取向性的MgO层的方法(参照专利文献3)。在MgO的结晶结构中，与(111)取向面相比在(110)面中更易于引起沟道效应(channeling)。即，入射离子易于较深地进入到结晶的内部中，而不易在表面附近处引起溅射。是通过恰当的氧分压以及水蒸气分压的气氛中的高频离子镀敷法等而形成的。

另外，在着眼于二次电子释放的情况下，存在得到(111)取向性的MgO层的方法(参照专利文献1)。是使用在氧气氛中进行的真空蒸镀法或向蒸渡面照射离子束的离子辅助蒸镀法的方法。

但是，为了得到精度更高的MgO层，优选为使用了控制性比离子束更佳的电子束的蒸镀法。此处，为了通过使用电子束的蒸镀法得到(111)取向性的MgO层，需要在230℃以上的基板温度下堆积，或者在

/秒以上、

/秒以下这样的堆积速度下形成(参照专利文献2)。

该方法使用电子束首先在230℃以上、350℃以下的基板温度或者

/秒以上、

/秒以下这样的堆积速度下作为基底形成(111)取向性的氧化镁膜。接下来，通过低基板温度、高堆积速度下的电子束蒸镀得到(111)取向性的保护层。

但是，由于需要形成基底的工艺和形成保护层的工艺，所以需要两次工艺，而且两个工艺的条件也不同，所以无法满足最近的大幅提高生产性的要求。

专利文献1：日本特开平5-234519(第3页、图3)

专利文献2：日本特开平8-287833号公报(第3页、表1)

专利文献3：日本特开平10-106441号公报(第3页、表1)

发明内容

以往，在PDP制造装置中，由于难以针对对角60英寸级别(class)的大型玻璃基板在固定了基板的状态下均匀地成膜、而且需要开发为了搬送较重的PDP用的玻璃基板而所需的真空对应的大型基板搬送用机械手等理由，而使用在运载体上搭载基板、并在使其通过蒸发源上的同时进行成膜的连续式(in-line)蒸镀装置。

图10示出PDP用连续式蒸镀装置的装置结构。装置由装入室62、加热室63a、63b、63c、蒸镀室64、冷却室65以及取出室这七个室的结构构成。首先，在基板装卸位置70由机械手(未图示)将玻璃基板10设置于运载体(未图示)上。上述运载体被搬入到装入室62中，在真空排气后，依次按加热室63a、63b、63c的顺序被传送，而进行加热脱气。之后，被搬送到蒸镀室64中。在蒸镀室中，运载体连续通过发热源上，并在玻璃基板10上成膜MgO膜。运载体进而在冷却室65中被冷却后，通过取出室66，而返回到基板装卸位置70。

即，图10的PDP制造装置61是如图11所示通过如下工序进行MgO的成膜的：

(A)将玻璃基板配置到装入室中的工序；

(B)将玻璃基板移动到加热室中的工序；

(C)在加热室中将玻璃基板加热到高温(200～250℃)的工序；

(D)将玻璃基板移动到蒸镀室中的工序；

(E)在玻璃基板上，在高温(200～250℃)下并且以动态速率

(静态速率

)的速度成膜MgO的工序；

(F)将玻璃基板移动到冷却室中的工序；

(G)冷却玻璃基板的工序；

(H)将玻璃基板移动到取出室中的工序；以及

(I)从取出室取出玻璃基板的工序。

此处，在以往的PDP制造装置中的成膜中，关于结晶取向性，在基板温度低时，得到(111)取向性好的膜(参照图16)。另一方面，存在基板温度高时膜密度以及折射率好(参照图17)这样的倾向。因此，为了满足上述两个条件，需要在200～250℃的范围内加热玻璃基板。

因此，在以往的使用电子束进行成膜的工艺中一般存在如下所述的课题。

为了在生产线内将玻璃加热至规定温度而需要较多的加热室，造成装置的大型化，设备成本提高。例如，在图10的PDP制造装置中使用三个加热室。另外，在将玻璃基板10移动到加热室的期间中，也配置有用于预加热的加热器。另外，图中的瓦特数表示虽然未特别图示出但所配置的加热器的瓦特数。

另外，伴随加热室数量的增加，功耗大幅增加。例如，在对42英寸6～8倒角的玻璃基板蒸镀MgO的情况下，在以往的PDP制造装置中，在以2分钟运转生产节拍时间(Tact Time)时，需要向加热器投入大约800kW的电力。在将生产节拍时间设为1.5分钟的情况下成为1200kW以上。

另外，在通过机械手装卸玻璃基板10的情况下，需要冷却基板，且将能量排除到清净室(clean room)内，所以清净室的维持成本增大。

另外，需要特别考虑用于急速加热、冷却玻璃的玻璃基板10的保持方法以及通风(vent)。在图10中，准备冷却室来提高冷却效率。

另外，在运载体15中设置掩模(mask)15a而限制玻璃基板10的成膜区域，以使MgO不附着到PDP的引出电极部，但造成需要加热大型的玻璃基板，从而由于掩模15a与玻璃基板10的热膨胀系数的稍微的差异而难以维持掩模精度。因此，用张力部件形成掩模15a而应对玻璃基板10的伸缩。

另外，为了加热玻璃基板以及运载体，必需充分地冷却真空槽、驱动系统以及设备导入口。从作为上述装置的结构件的O环以及润滑系统向气氛放出的高分子(油)的蒸气压依赖于温度，所以非常难以完全地防止污染。

上述课题都起因于提高了成膜时的温度。如果可以将成膜时的温度设成常温，则可以解决上述课题。发明者根据研究开发的结果，发现了可以降低成膜温度的条件。

左右膜质的要素除了温度以外还有很多。例如，可以举出成膜时的成膜速度、氧分压等。发明者发现如果可以充分地满足这些温度以外的成膜条件则可以相对地缓和温度条件的现象。因此，针对每个温度以外的与成膜相关的条件掌握倾向而彻底地改善。进而，针对MgO层中要求的每个项目进行了研究。

另外，如果可以大幅减少MgO膜中混入的杂质(C、CO、CO₂等)的量，则存在可以缓和成膜条件的可能性。

因此，当将电子束蒸镀装置的MgO成膜速度以动态速率设为

以上、或者以静态速率设为

以上且将基板温度设为120℃以下时，可以大幅削减MgO中混入的杂质的量，作为保护层的MgO层中期待的面板特性(阴极发光特性、写入特性等)得到大幅改善。

另外，在将MgO成膜速度设为

以上的情况下，调查了是否满足结晶取向性、膜密度/折射率、透射率等特性，其结果，即使在常温(120℃以下)下也得到良好的膜特性。

即，在包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面基板的等离子显示器面板(PDP)的制造方法中，包括作为上述保护层的(111)取向的MgO膜的形成工序，以

以上的堆积速度通过蒸镀法形成上述MgO膜，从而解决上述课题。

另外，在包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面基板的等离子显示器面板的制造方法中，具有用于形成作为上述保护层的(111)取向的MgO膜的部件，该部件以

以上的堆积速度进行蒸镀而形成上述MgO膜，从而解决上述课题。

可以实现常温(120℃以下)下的MgO的成膜。

另外，可以大幅提高生产设备的生产率。

进而，关于上述两点的改善，得到下述的附带效果，而可以解决上述课题。

·从MgO成膜装置中可以削减加热室以及冷却室。由此实现装置小型化。

·从以往需要加热机构的蒸镀室可以削减加热器机构。由此成为简单的结构。

·从返回传送带、升降机中可以削减加热机构。由此成为简单的结构。

·用于加热以及冷却的生产节拍时间的速度限制消失，可以大幅缩短装置生产节拍时间。可以从以往的90秒缩短至30秒以下。

·由于无需加热，所以可以大幅改善掩模偏移。

·由于工艺温度成为低温，所以可以大幅减少污染而改善膜特性。

·可以削减装置成本。

·可以大幅削减运行成本。电力成为以往的1/3以下。冷却水成为以往的1/2以下。

·向清净室内的热负荷量成为以往的1/3以下。

·基板的处理、运载体搬送变得容易。

附图说明

图1是本发明的实施方式的连续式电子束蒸镀装置的示意图。

图2是本发明的实施方式的等离子显示器面板(PDP)的制造方法中使用的电子束蒸发源的说明图。该图是示出皮尔斯式电子枪、环炉和照射点的位置关系的平面图。

图3是本发明的MgO膜的X射线衍射图的图。

图4是示出本发明的实施方式的等离子显示器面板(PDP)的制造方法的成膜速率的曲线。

图5是实验装置的概略图。

图6是实验装置的蒸发源。

图7示出实验装置的X射线衍射结果的峰值强度。

图8是实验的透射率测定结果。

图9是透射率的改善结果。适量补充氧而成膜。

图10是以往的连续式电子束蒸镀装置的示意图。

图11是以往的连续式电子束蒸镀装置的加热工序。

图12是以往的等离子显示器面板(PDP)的制造方法中使用的电子束蒸发源的说明图。该图是示出皮尔斯式电子枪、环炉和照射点的位置关系的平面图。示出电子枪为两台的例子。

图13是以往的等离子显示器面板(PDP)的制造方法中使用的电子束蒸发源的说明图。该图是示出皮尔斯式电子枪、环炉和照射点的位置关系的平面图。是将电子枪设为四台而提高了动态速率的例子。

图14是以往的MgO膜的X射线衍射图的图。

图15是示出以往的等离子显示器面板(PDP)的制造方法的成膜速率的曲线。

图16是示出以往的基板加热温度与(111)取向性强度的关系的曲线。在成膜速率一定、成膜压力一定的情况下，随着基板温度变高(111)峰值强度减少。

图17是示出以往的基板加热温度与折射率的关系的曲线。在成膜速率一定、成膜压力一定的情况下，随着基板温度变高折射率增大。

图18是示出固定成膜中的MgO的入射角与折射率的关系的图。

图19是示出固定成膜中的MgO的入射角与(111)取向性强度的关系的图。

图20是示出等离子显示器面板(PDP)的基板结构的示意图。是AC型的PDP。隔着被充满放电气体的窄的空隙对向配置有两个玻璃基板。该空隙被障壁隔开，在所隔开的各沟中涂敷有三原色的任意一个颜色的荧光体。通过前面基板的扫描电极与背面基板的寻址电极选择的一个单元成为显示单位。

图21是示出蒸发源与入射角的关系的侧视图。以往，沿着玻璃基板的搬送方向配置了多个蒸发点(电子束照射点)。在蒸镀开始时，以入射角30°和大约60°向玻璃基板蒸镀MgO。另外，在蒸镀结束时，以入射角大约60°和30°进行蒸镀。

图22是电子束照射点(蒸发点)的照片。示出电子枪的输出与照射面积的关系。输出越大照射面积越宽。

图23是电子束照射点(蒸发点)的放大照片。示出照射形状的一个例子。

图24是示出成为无喷溅的电子束的电流密度范围的曲线。

标号说明

1 电子束蒸镀装置

2 真空槽

3 皮尔斯式电子枪

4 环炉(ring hearth)(蒸镀材料容器、蒸镀源)

9 防镀板

10 玻璃基板(前面基板)

11 蒸发材料(MgO)

15 运载体

15a 掩模

26a 永久磁铁(N极)

26b 永久磁铁(S极)

31 等离子显示器面板(PDP)制造装置

32 装入/取出室

33 加热室

34 蒸镀室

41 等离子显示器面板(PDP)制造装置

42 装入室

43 传递室

44 蒸镀室

46 取出室

47 前置升降机

48 返回传送带

49 后置升降机

50 基板装卸位置

61 等离子显示器面板(PDP)制造装置

62 装入室

63a、63b、63c 加热室

64 蒸镀室

65 冷却室

66 取出室

67 前置升降机

68 返回传送带

69 后置升降机

70 基板装卸位置

81 等离子显示器面板(PDP)

82 前面基板

83 扫描电极

84 维持电极

85 电介体层

86 保护层(MgO)

87 电介体层

88 障壁

89 寻址电极

90 背面基板

91R、91G、91B 荧光体

P、P1、P2 电子束照射点(蒸发点)

具体实施方式

以下，参照附图对应用了本发明的具体实施方式进行详细说明。

(实施例1)

图1～图3示出本发明的实施方式。

图1示出本发明的实施方式的PDP制造装置41。与以往的PDP制造装置(图10)相比，可以削减两个加热室和冷却室。图2是本实施方式的电子束蒸发源的图。图3是使用本实施方式的PDP制造装置成膜的MgO膜的X射线衍射图的图。图4是本发明的实施方式的PDP制造装置的成膜速率的图。

如图1所示，本发明的实施方式的PDP制造装置41由装入室42、传递室43、蒸镀室44、取出室46、前置升降机47、后置升降机49以及基板位置50构成，而无需以往那样的加热工序。因此，削减了以往的PDP制造装置61(图10)中的加热室63a、63b、63c以及冷却室65。

蒸镀室44的电子束蒸发源成为图2所示的结构。配置三台环炉和六台皮尔斯式电子枪，一个电子枪3对应于一个照射点P。在电子束的控制中使用在环炉4的下方配置的永久磁铁26a、26b。另外，被定位成从该蒸发源对玻璃基板10入射MgO蒸气的入射角度成为30°以下。

另外，皮尔斯式电子枪3是新开发的大容量的电子枪。使用六台皮尔斯式电子枪以

以上的速度成膜MgO。图4所示的成膜速率与以往的成膜速率(图15)相比大幅增加。

以上的PDP制造装置41通过如下工序进行MgO的成膜：

(A)将玻璃基板配置到装入室中的工序；

(B)将玻璃基板移动到传递室中的工序；

(C)将玻璃基板移动到蒸镀室中的工序；

(D)在常温(25～120℃)下、并且以

以上的速度针对玻璃基板成膜MgO的工序；

(E)将玻璃基板移动到取出室的工序；以及

(F)将玻璃基板从取出室取出的工序。

图3示出使用本发明的实施方式的PDP制造装置41，并将基板温度设为常温(120℃以下)而得到的MgO膜的X射线衍射图。如从图可知，在36.93°时出现衍射强度的峰值，其表示(111)取向性。在利用以往的方法得到的MgO膜的X射线衍射图在36.84°时出现衍射强度峰值(参照图14)。因此，可知通过本发明的方法得到的MgO膜不逊色于通过以往的方法得到的MgO膜。

通过以上说明的PDP的制造方法以及制造装置，在常温下得到(111)取向性的MgO膜。

(实施例2)

实施例2是将本发明应用于现有装置时的实施例。

使用图5所示的装置进行确认试验。

其是为了缓和温度条件而改良了各部的结果的综合性的实施方式。

以下，与以往例比较而详细说明本发明的常温成膜方法的具体例。

首先，说明对MgO膜要求的特性。

MgO膜的基板特性是通过结晶取向性、膜密度/折射率、透射率来评价的。

对于结晶取向性，在当前生产中要求的是(111)取向性。

另外，要求膜密度90％以上、折射率1.6以上。膜密度越优良，耐溅射性越良好。

与玻璃基板之比透射率为95％以上。由于MgO使用于PDP面板的前面板，所以要求高的透射率。

接下来，说明对本发明的实施进行的改善。

发明者如下认为：在关于膜密度、折射率，对于成膜时的基板温度以外的要素也进行分析，并实施对策时，即使降低基板温度也可以得到令人满意的膜特性。因此，实施了下述那样的研究和对策。

在为了提高生产性而增大动态速率时，优选增大电子束的电流。然而，在电子束蒸镀的情况下，所照射的电子束的电流值越大，成膜速度越快，但如果为了提高成膜速度而流过大电流，则随着蒸发源的温度的急剧上升，蒸镀材料被较细地粉碎并弹飞，而引起被称为喷溅的现象。由于该喷溅，所弹飞的蒸镀材料的一部分有时到达玻璃基板，而成为成品率降低的原因。因此，以往为了抑制该喷溅而提高成膜速度，在图12所示的结构的基础上增加电子枪和炉的组数而应对(参照图13)。即增加束的照射点而分散电流。

但是，由于安装了多个炉、多个电子枪以及多个未图示的电子束的偏转装置，所以配置的自由度降低，并且由于上述电子束的偏转装置彼此的相互干扰等，存在从蒸发源观察的向基板入射MgO的入射角变大的倾向(参照图21)。

如果从蒸发源观察的向基板入射MgO的入射角变大，则存在折射率降低的倾向(参照图18)。另外，结晶取向性也恶化(参照图19)。都是比成膜时的温度依赖性大的值。因此，如果充分地改善入射角度，则可以期待得到在更低的温度下，满足结晶取向性、膜密度以及折射率中的全部的条件。入射角度至少是30°以下，优选为20°以下。

因此发明者将电子枪设为输出大的电子枪，并且使电子束摇动而扩大了照射面积(参照图22、图23)。通过扩大照射面积，不提高电流密度(参照图24)，由此抑制了蒸镀源的温度的急剧上升而防止了上述喷溅。由此可以使用较少台数的皮尔斯式电子枪来加快成膜速度。其结果，还可以改善从蒸发源观察的向基板入射MgO的入射角。

发明者在实施了上述那样的对策的基础上进行了实验。

图5示出在实验中使用的PDP制造装置31。装置由装入/取出室32、加热室33、蒸镀室34这三个室构成。如图6所示，该例子是在蒸镀室34中，作为蒸发源搭载了两台旋转式的环炉4和两台皮尔斯式电子枪3的载荷锁定式的蒸镀装置的例子。与从环炉4上的四个点蒸发MgO的同时，沿着水平方向搬送搭载了玻璃基板10的运载体15并成膜MgO。

图7～9示出实验的结果。

图7是在玻璃基板的左端、中央、右端这三个点对X射线衍射图的(111)取向的峰值强度进行测定而得到的结果。另外，排列示出了在

下改变蒸镀室的压力而成膜的膜的膜厚。根据该结果，可知在0.02和0.04Pa的压力下呈现良好的特性，但确认了即使在0.06Pa的压力下也能得到(111)取向的膜。

图8示出透射率。成为基板的玻璃基板使用了旭硝子株式会社制PD200。图9是以PD200为基准而比较的结果。结果示出成为95％以上。

如上所述，测定的结果表示都得到了良好的特性的MgO膜。

因此，可以确认以下现象：通过将电子束蒸镀装置中的蒸镀时的玻璃基板的温度设为常温(120℃以下)，并将上述电子束蒸镀装置的MgO成膜速度设为

以上，而可以进行并不孙色于以往在200～250℃下进行的成膜的成膜。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明当然不限于这些，而可以根据本发明的技术思想进行各种变更。

例如，不限于连续式电子束蒸镀装置、负载锁定式电子束蒸镀装置，而还可以应用于使用了皮尔斯式电子枪的其他方式的电子束蒸镀装置。

在本发明的实施方式的电子束蒸镀装置中将放入蒸镀材料的容器设为环炉4，但也可以是坩锅。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.一种等离子显示器面板(PDP)的制造方法，其特征在于，该等离子显示器面板包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面基板，其中，该制造方法包括作为上述保护层的(111)取向的MgO膜的形成工序，以

以上的堆积速度通过蒸镀法形成上述MgO膜。

2.根据权利要求1所述的等离子显示器面板的制造方法，其特征在于，上述MgO膜是在120℃以下的基板温度下通过蒸镀法形成的。

3.根据权利要求2所述的等离子显示器面板的制造方法，其特征在于，在形成上述MgO膜时，将成膜压力设为0.02～0.06Pa。

4.根据权利要求2所述的等离子显示器面板的制造方法，其特征在于，在形成上述MgO膜时，将向上述前面基板入射MgO的入射角度设为30°以下。

5.一种等离子显示器面板的制造装置，其特征在于，该等离子显示器面板包括扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层，其中，具有用于形成作为上述保护层的(111)取向的MgO膜的部件，该部件以

以上的堆积速度进行蒸镀而形成上述MgO膜。

6.根据权利要求5所述的等离子显示器面板的制造装置，其特征在于，上述MgO膜能够在120℃以下的基板温度下蒸镀。

7.根据权利要求6所述的等离子显示器面板的制造装置，其特征在于，在形成上述MgO膜时，成膜压力成为0.01～0.06Pa。

8.根据权利要求6所述的等离子显示器面板的制造装置，其特征在于，在形成上述MgO膜时，向上述前面基板入射MgO的入射角度成为30°以下。

Claims

1.一种等离子显示器面板(PDP)的制造方法，其特征在于，该等离子显示器面板包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面基板，其中，该制造方法包括作为上述保护层的(111)取向的MgO膜的形成工序，以8000

.m/min以上的堆积速度通过蒸镀法形成上述MgO膜。

5.一种等离子显示器面板的制造装置，其特征在于，该等离子显示器面板包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面基板，其中，具有用于形成作为上述保护层的(111)取向的MgO膜的部件，该部件以8000

·m/min以上的堆积速度进行蒸镀而形成上述MgO膜。