JPH11213869A

JPH11213869A - 交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置

Info

Publication number: JPH11213869A
Application number: JP10009693A
Authority: JP
Inventors: Mikio Takehara; 幹夫竹原
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1998-01-21
Filing date: 1998-01-21
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層
上に均質な（１１１）配向性のＭｇＯ結晶からなる電極
膜および保護膜を形成する方法およびその装置の提供。【解決手段】原料蒸気流が、プラズマ発生源とアノード
電極との間に形成されるプラズマ等と相互作用を行い、
誘電体層の上層に（１１１）配向のＭｇＯ結晶からなる
交流型プラズマディスプレイパネルの電極膜および保護
膜を形成する方法および装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は交流型プラズマディ
スプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置に
関し、特に、大面積の交流型プラズマディスプレイパネ
ルの誘電体層の上層に全面にわたって均一かつ均質な
（１１１）配向性のＭｇＯ結晶を主成分とする保護膜
を、安定的に高速で形成することができる交流型プラズ
マディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＲＴに代わり、４０インチを超
えるような大画面の壁掛けテレビを実現するためのディ
スプレイパネルとしてプラズマディスプレイパネル（以
下、「ＰＤＰ」という）が期待され、その開発がなさ
れ、本格的な生産が開始されつつある。このＰＤＰは、
放電の駆動方式の相違によって、交流型と直流型の２種
に大別される。交流型ＰＤＰ（以下、「ＡＣ−ＰＤＰ」
という）には、放電電極の配置形式によって、３電極面
放電型と２電極対向型とがある。

【０００３】３電極面放電型のＡＣ−ＰＤＰは、例え
ば、図４（ａ）、およびその図４（ａ）における２枚の
基板の相対位置を９０度回転させた状態を示す図４
（ｂ）に示すように、前面ガラス基板５１と、後面ガラ
ス基板５２との間の希ガスが封入された放電空間５３
が、後面ガラス基板５２上に列設された隔壁５４によっ
て発光セル５４ａ，５４ｂ，……に画成された構造を有
するものである。各発光セルは、前面ガラス基板５１上
に、相互に平行に隣接配置された透明電極５５ａおよび
５５ｂ、該透明電極５５ａおよび５５ｂを内包するよう
に積層された誘電体層５６が配設される。さらに、誘電
体層５６の上には、誘電体層５６を放電空間５３内に発
生するプラズマから保護する保護膜の役割を有するとと
もに、放電空間内に放電するための実質的な電極の役割
を果たす保護膜５７が配設される。また、後面ガラス基
板５２上には、発光セルを選択的に発光させるためのア
ドレス電極５８、所定の発光を行うための蛍光体層５９
が配設される。この３電極面放電型のＡＣ−ＰＤＰにお
いては、透明電極５５ａと５５ｂとの間に交流の駆動電
圧を印加すると、印加毎に誘電体層５６の表面方向に放
電が発生し、これにより生じた紫外線によって蛍光体層
５９の蛍光体が励起されて発光する。

【０００４】また、２電極対向型のＡＣ−ＰＤＰは、前
面ガラス基板上に、透明表示電極と、該透明電極を内包
するように積層された誘電体層と、該誘電体層の上に積
層された保護膜とを有し、後面ガラス基板上に、前記透
明電極と一対をなす対向放電電極と、該対向放電電極を
内包するように積層された誘電体層と、該誘電体層の上
に積層された蛍光体層とを有し、前面ガラス基板と後面
ガラス基板との間には、希ガスが封入されてなるもので
ある。

【０００５】この３電極面放電型および２電極対向型の
ＡＣ−ＰＤＰの製造において、誘電体層の上層に形成さ
れる保護膜は、駆動電圧の印加に際して、実質的な電極
として機能し、放電特性に重要な役割を有するものであ
る。しかも、この保護膜は、誘電体層の表面を被覆し
て、放電によって放電空間内に発生するプラズマに対し
て誘電体層を保護し、その劣化を防止し、ＡＣ−ＰＤＰ
の表示の安定化、駆動特性、寿命等を左右する重要な役
割を有するものである。このＡＣ−ＰＤＰの保護膜とし
て、２次電子放出係数が高いため、放電開始電圧を低く
することができ、さらに、耐スパッタ性に優れているた
め、イオン衝撃による膜の劣化が少ない、絶縁性が高
く、可視光線透過率が高い、等の特性を有する、ＭｇＯ
からなる保護膜が採用されている。特に、（１１１）配
向のＭｇＯ結晶が、他の膜質のＭｇＯ膜と比べて、前記
の特性に優れるとされている。

【０００６】ＡＣ−ＰＤＰの製造において、このＭｇＯ
からなる保護膜は、ガラス基板上に、透明電極および誘
電体層を形成した後、成膜される。従来、このＭｇＯか
らなる保護膜を形成する方法として、各種の方法が提案
または実施されている。例えば、有機Ｍｇ化合物を含む
混合溶液をスクリーン印刷により塗布した後、焼成し
て、ＭｇＯからなる保護膜を形成する方法（特開平８−
２８７８２３号公報）、ＭｇＯ粉末とバインダーを含む
ペーストを誘電体層上に塗布した後、焼成して、ＭｇＯ
焼結体からなる保護膜を形成する方法（特開平７−１９
２６３０号公報）等の塗布によりＭｇＯ膜を形成する厚
膜形成方法が提案されている。しかし、これらの方法で
は、（１１１）配向性のＭｇＯ結晶膜を形成することは
困難である。

【０００７】そこで、蒸着により、ＭｇＯ膜を形成する
各種の方法または装置が提案されている。例えば、電子
ビームにより膜材料を加熱・蒸発させて蒸着を行う方
法、蒸着面に対してイオンビームを照射しながら、誘電
体層上にＭｇＯ膜を蒸着させる方法、あるいは酸素雰囲
気中で蒸着原料を蒸発させる方法（特開平５−２３４５
１９号公報）等がある。また、真空蒸着装置内にプラズ
マを発生させ、このプラズマを利用して蒸着原料を蒸発
・イオン化させて成膜を行うイオンプレーティング装置
として、蒸着原料を載置するルツボの外周に環状の磁石
を配置し、この環状の磁石によってカスプ磁場を形成
し、プラズマガンから射出されたプラズマビームがルツ
ボの真上から入射するようにした装置が提案されている
（１９９７年１月１７日、第１５回プラズマディスプレ
イ技術討論会資料４．＜新イオンプレーティング法によ
るＩＴＯ，ＭｇＯ成膜について＞）。

【０００８】しかし、従来の蒸着またはイオンプレーテ
ィングによるＭｇＯ保護膜の形成方法は、装置の制御上
の制約があり、また、高い成膜速度でＭｇ膜の成膜を行
うためには、基板とるつぼとの間の距離を短くする必要
があり、その一方では、広い基板面に渡って膜質および
膜厚が均一なＭｇ膜を形成するために、基板とるつぼと
の間の距離を長くする方が有効であるが、成膜速度は距
離の２乗に反比例して減少するため制約されることか
ら、大面積のＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上に全面にわた
って均一かつ均質なＭｇＯ結晶からなる保護膜を、安定
して高速で形成することが困難であった。例えば、前記
のイオンプレーティング装置は、原料蒸気源であるルツ
ボが、プラズマガンに対するアノードとしての役割をも
併有しているため、装置内のプラズマの分布を制御する
には大きな制約があり、被蒸着体の近傍にプラズマを広
く分布させ、しかもそのプラズマの分布密度を高くする
ことが困難であるため、大面積のＡＣ−ＰＤＰの誘電体
層の上に全面にわたって均一かつ均質なＭｇＯ結晶を形
成することが困難である、等の問題がある。

【０００９】さらに、ＡＣ−ＰＤＰの誘電体層は、通
常、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化亜鉛等を主成分とする
低融点のガラスで形成される。この誘電体層の上に形成
される保護膜の主成分であるＭｇは、酸化され易い元素
である。そのため、酸素が十分に供給されず、Ｍｇが十
分に酸化されたＭｇＯとして成膜されずに、保護膜がＭ
ｇを含む不完全酸化層となった場合には、隣接する誘電
体層から酸素を奪い、そのため、誘電体層が還元されて
着色する現象が生じ易い。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、大面積のＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上層に全面にわ
たって均一かつ均質であり、隣接する誘電体層の着色を
招くおそれがない、（１１１）配向性のＭｇＯ結晶を主
成分とする保護膜を、十分な制御上の自由度を確保し
て、安定的に高速で形成することができる交流型プラズ
マディスプレイパネルの保護膜の形成方法およびその装
置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、原料蒸気源からＭｇを含む原料を蒸発また
は昇華させて、該原料蒸気源と対向する蒸着部に配設さ
れた交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の上
層にＭｇＯを主成分とする保護膜を形成する方法であっ
て、原料蒸気源からの原料蒸気流が、前記原料蒸気源と
は独立に制御されるプラズマ発生源と、該プラズマ発生
源と対向して配設されたアノード電極との間に形成され
るプラズマ、電子またはイオンの存在領域を横断して蒸
着部に到達するとともに、プラズマ、電子またはイオン
と相互作用を行い、交流型プラズマディスプレイパネル
の誘電体層の上層に（１１１）配向のＭｇＯ結晶を８０
〜１００％含む保護膜を形成する工程を有する交流型プ
ラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法を提供す
るものである。

【００１２】また、本発明は、前記交流型プラズマディ
スプレイパネルの保護膜を形成するための装置として、
Ｍｇを含む原料を蒸発させる原料蒸気源と、該原料蒸気
源と対向して配設された蒸着部と、前記原料蒸気源とは
独立に制御されるプラズマ発生源と、該プラズマ発生源
と対向して配設されるアノード電極とを有し、原料蒸気
源からの原料蒸気流が、前記原料蒸気源とは独立に制御
されるプラズマ発生源と、該プラズマ発生源と対向して
配設されたアノード電極との間に形成されるプラズマ、
電子またはイオンの存在領域を横断して蒸着部に到達す
るとともに、プラズマ、電子またはイオンと反応して、
前記蒸着部に配置された交流型プラズマディスプレイパ
ネルの誘電体層の上層に（１１１）配向のＭｇＯ結晶を
含む保護膜を形成するようにしたことを特徴とする交流
型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成装置を提
供するものである。

【００１３】以下、本発明の交流型プラズマディスプレ
イパネルの保護膜の形成方法（以下、「本発明の方法」
という）およびその装置（以下、「本発明の装置」とい
う）について、詳細に説明する。

【００１４】本発明の方法は、原料蒸気源からＭｇを含
む原料を蒸発させて、該原料蒸気源と対向する蒸着部に
配設されたＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上層にＭｇＯを主
成分とする保護膜を形成する方法である。本発明におい
て、ＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上層に形成されるＭｇＯ
を主成分とする保護膜は、誘電体層を放電空間内に発生
するプラズマから保護する保護膜の役割を有するととも
に、放電空間内に放電するための実質的な電極膜として
の役割をも有するものである。本発明の方法は、３電極
前面放電型、２電極対向電極型、およびこれらの２方式
を改良した複数電極型のいずれの方式のＡＣ−ＰＤＰに
も適用できる。また、本発明の方法において、保護膜
は、誘電体層の表面に直接形成してもよく、誘電体層の
表面に１層以上の中間層を形成し、その中間層の最表面
に形成してもよい。さらに、保護膜は、３電極前面放電
型および２電極対向電極型のＡＣ−ＰＤＰの前面基板ま
たは後面基板のいずれの基板上に形成される誘電体層の
上層に形成されるものでもよい。

【００１５】本発明の方法によって形成される保護膜
は、ＭｇＯを主成分とするものであり、膜厚方向の結晶
方位が（１１１）であり、膜平面と平行な面が（１１
１）面のＭｇＯ結晶である（１１１）配向のＭｇＯ結晶
を、８０〜１００％、好ましくは９０〜１００％含むも
のである。本発明において、この保護膜のＭｇＯ結晶の
配向性は、例えば、Ｘ線回折法によって、回折角３６〜
３８度（２θ）におけるＭｇＯの（１１１）配向結晶に
基づく回折ピーク強度の測定によって求めることができ
る。

【００１６】本発明の方法において、誘電体層の上層に
保護膜を形成するために用いられるＭｇを含む原料は、
Ｍｇを含むものであれば、特に制限されない。例えば、
金属Ｍｇ、ＭｇＯ、ＭｇＦ₂、水酸化マグネシウム、Ｍ
ｇＣｌ₂、ＭｇＣＯ₃、ＭｇＢｒ₂、Ｍｇ（Ｎ
Ｏ₃）₂、シュウ酸マグネシウム、クエン酸マグネシウ
ムあるいはその他の有機酸のマグネシウム塩、また、こ
れらとＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ等の元素やアルカリ土類金属と
を含む化合物もしくは混合物等が挙げられる。これら
は、１種単独でも２種以上の組み合わせを用いてもよ
い。特に、Ｍｇを金属Ｍｇ換算で全量の２１〜１００重
量％含む原料を用いることが好ましい。

【００１７】また、本発明の方法において、Ｍｇを含む
原料を蒸発させるための原料蒸気源は、るつぼに載置さ
れたＭｇを含む原料を加熱・溶融させて蒸発または昇華
させることができる装置であれば、いずれの方法によっ
てＭｇを含む原料を蒸発させる装置でもよい。例えば、
電子ビーム加熱、抵抗加熱、高周波誘導加熱、レーザー
ビーム加熱等によってるつぼ内に載置された原料を加熱
・溶融させて蒸発または昇華させる装置が挙げられる。
これらの中でも、電子ビーム加熱または抵抗加熱による
加熱装置は、プラズマ分布、電子分布、イオン分布等に
影響を与えず、かつ制御が容易である点で、好ましい。

【００１８】例えば、電子ビーム加熱装置は、入手が容
易で、プラズマの密度分布の影響をほとんど受けずに、
独立して蒸発源をコントロールして、ＭｇＯ膜の成膜速
度の制御を行うことができるため、有効である。また、
電子ビーム加熱装置を構成するＸＹ走査コイルや偏向磁
石は、それによって形成される磁場は弱く局所的なもの
であり、プラズマ等の分布状態を制御することを目的と
して真空槽内に形成される電場や磁場に与える影響が無
視できる程度であるため、有利である。さらに、電子ビ
ーム加熱装置によれば、原料の昇温速度を速くすること
ができ、その蒸発原料の最高温度も高くすることができ
る。しかもＭｇＯのような絶縁物が、るつぼ内の溶融原
料の表面に形成された場合でも、加速電圧を高くするこ
とによって、チャージアップせずに原料の加熱・溶融お
よび蒸発または昇華を安定して制御することができる利
点がある。原料蒸気源に電子ビーム加熱装置を用いる場
合は、加速電圧が３００Ｖ以上で電子ビームによる加熱
を行うのが一般的であり、通常、１〜３０ｋＶの加速電
圧で行うことができる。

【００１９】また、抵抗加熱装置は、入手が容易で、し
かもこの装置によって形成される電磁場は、電子ビーム
加熱装置の場合よりもさらに小さい。そのため、真空槽
中において、原料蒸気源の近傍から基板の近傍までの領
域におけるプラズマ等の分布状態を制御するための電磁
場を制御する自由度が大きく、装置状況に適応したプラ
ズマの密度分布を形成することができる利点がある。

【００２０】さらに、高周波誘導加熱装置は、入手が容
易で、しかもこれによる電磁場の影響を小さくすること
ができるため、プラズマの制御と成膜速度の制御を独立
に行うことができる利点がある。但し、高周波誘導加熱
装置を使用する場合には、高周波が真空槽内に漏出しな
いようにする必要がある上に、高周波成分が侵入して制
御回路の半導体等が破損するのを防止するために、プラ
ズマ発生用電源回路にフィルター回路を設ける必要があ
る。一般には、１３．５６ＭＨｚの高周波を使用するの
で、電磁波が漏出し易く、シールドに注意が必要であ
る。また、本発明において、Ｍｇを含む原料として、複
数種の原料を用いる場合には、各原料に応じて、複数個
の原料蒸気源を配設してもよい。

【００２１】本発明の方法において、原料蒸気源からの
原料蒸気流は、前記原料蒸気源とは独立に制御されるプ
ラズマ発生源と、該プラズマ発生源と対向して配設され
たアノード電極との間に存在するプラズマ、電子または
イオンを横断して蒸着部に到達するとともに、プラズ
マ、電子またはイオンとの相互作用によって活性化およ
び／または反応ガスが活性化して、誘電体層の上層にＭ
ｇＯを主成分とする保護膜が形成される。

【００２２】本発明において、プラズマ発生源は、原料
蒸気源における原料蒸気の発生の制御とは、独立して制
御されるものである。本発明において、プラズマ発生源
が、原料蒸気源と独立して制御されるため、プラズマ、
電子およびイオンの分布密度、もしくはその存在領域の
分布、形態を目的に応じて、適宜制御することが可能と
なる。このプラズマ発生源は、装置内に複数個配設され
ていてもよく、後記のアノード電極と併設し、大面積の
ＡＣ−ＰＤＰの誘電体層に対応して、装置内のプラズ
マ、電子またはイオンの分布状態を、基板面上に成膜さ
れるＭｇＯの成膜装置に対応して制御できるように配置
される。このプラズマ発生源は、原料蒸気源と独立して
制御できるものであれば、特に制限されず、この種の方
法に用いられる各種の装置を使用することができる。例
えば、ホローカソードによるプラズマ発生装置、高周波
によるプラズマ発生装置、圧力勾配型プラズマ発生装
置、ＤＣ型プラズマ発生装置、ＡＣ型プラズマ発生装置
等が一般的である。特に、アーク放電によるプラズマ発
生装置が、プラズマ、電子またはイオンの発生を制御し
て、その発生量の増減を容易に制御することができる点
で、好適である。このアーク放電によるプラズマ発生装
置としては、補助陰極と、該補助陰極の先端部を内包す
るように、補助陰極の外側に周設された円環状の主陰極
とを有し、補助陰極の放電によって主陰極を加熱して主
陰極による放電を行う形式のプラズマ発生装置が挙げら
れる。

【００２３】このプラズマ発生源には、ＭｇＯを主成分
とする保護膜の成膜速度、成膜されるＡＣ−ＰＤＰの誘
電体層の表面積、蒸着原料として使用されるＭｇを含む
原料の種類、原料の形状、粒子の形状、原料表面の酸化
の程度等に応じて、プラズマ、電子またはイオンを十分
に発生させることができる電流が供給される。通常、１
０アンペア以上の電流を流すのが好ましく、さらに好ま
しくは３０アンペア以上である。

【００２４】このプラズマ発生源において、例えば、ア
ーク放電方式のプラズマ発生源の場合には、アーク放電
で発生した電子が、アノード電極に向けて真空槽内へ流
れ出す。このとき、真空槽内に磁場が形成されている
と、その磁場の作用によって真空槽内における電子の存
在確率が大幅に上昇する。そして、この電子がキャリヤ
ガス等と衝突して相互作用を行い、高密度のプラズマが
生成される。このとき、大量の電子だけでなく、イオン
も生成する。このアーク放電方式のプラズマガンは、プ
ラズマガン内にマイナス電位のカソード電極が配設され
ている構造のものである。このカソードは、一般に、Ｌ
ａＢ ₆等のホウ化物、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ等の高融点金属、
ＷＣ、ＭｏＣ、ＴａＣ等の炭化物などから構成され、ま
た、導電性の酸化物、あるいはこれらを組み合わせた複
合カソードでもよい。特に、カソードは、イオン衝撃に
よって高温に加熱されるので、複合カソードは有効であ
る。

【００２５】また、アーク放電方式の場合には、プラズ
マ発生源とアノード電極との間には直流電圧が印加さ
れ、その電圧や電流は、定電圧電源や定電流電源等によ
って制御される。この電圧および電流は、装置のサイズ
や形状、プラズマガンとアノード電極の距離や電子の通
過空間の形状や断面積、また、導入ガスの種類やガス流
量や排気能力や磁場配置やアノードの表面積等に応じ
て、適宜、選択される。通常、使用するキャリヤガスが
Ａｒガスの場合で５０〜２５０Ｖの範囲であり、また、
Ｈｅガスの場合にはＡｒガスを用いる場合よりも高めの
電圧を用いることが望ましい。特に、本発明において、
プラズマ、電子またはイオンを制御して、該プラズマ等
が、蒸着部に保持された被蒸着体であるＡＣ−ＰＤＰの
誘電体層に接して広く分布するようにすると、原料蒸気
部から蒸発または昇華してくる原料蒸気が、このプラズ
マ、電子またはイオンと合流して、該原料蒸気中のＭｇ
金属原子、Ｍｇ化合物等の活性化、分離、ＭｇとＯとの
反応等の各種の反応を促進し、蒸着部に配置されるＡＣ
−ＰＤＰの誘電体層の上層に、均質なＭｇＯ結晶を主成
分とする保護膜を、面内均一に、しかも高速で成膜する
ことができる点で、好ましい。

【００２６】このアノード電極は、プラズマ発生源から
供給されるプラズマ、電子またはイオンの流れ、分布状
態、分布密度、励起状態等を、蒸着部に配置されるＡＣ
−ＰＤＰの誘電体層の上層に（１１１）配向のＭｇＯ結
晶を主成分とする保護膜を形成するために最適となるよ
うに、その位置、形状、状態等を適宜選択することがで
きる。また、このアノード電極は、プラズマ発生源に対
向する位置もしくは真空槽の壁面近傍等に複数配設され
ていてもよい。さらに、このアノード電極は、プラズマ
および電子等によって加熱されるため、通常、冷却装置
を有する。さらに、このアノード電極の原料蒸気源に対
面する側に、原料蒸気源から発生する原料蒸気がアノー
ド電極に接触して、蒸着原料がアノード電極に付着する
のを防止する防着手段を配設すると、アノード電極によ
る、プラズマ、電子またはイオンの流れの状態、分布状
態の制御を容易かつ安定的に行うために有効であり、特
に、絶縁性のＭｇＯがアノード電極に付着して、プラズ
マ発生源からアノード電極へのプラズマ、電子またはイ
オン流のアノード電極による制御が阻害される事態を防
止できる点で、有効である。

【００２７】この防着手段は、原料蒸気源から蒸発また
は昇華してアノード電極に向けて飛来する原料蒸気に対
して、アノード電極の前面に配置された遮蔽板、プラズ
マ発生源に対面する側に開口部を有するとともに、原料
蒸気源に対しては、アノード電極を遮蔽するようにアノ
ード電極を格納する筒状の格納部、あるいはアノード電
極の裏面が原料蒸気源に向けて配置された形態のもので
もよい。また、遮蔽板は、例えば、後記の図２に示すよ
うに、該遮蔽板の真空槽の内部に向けて突設された複数
の邪魔板を列設したものでもよい。さらに、この遮蔽板
は、プラズマ、電子、イオン等の衝撃などによって発生
する熱を除去するため、冷却機構を有すると、好まし
い。

【００２８】本発明において、原料蒸気源から蒸着部に
向けて流れる原料蒸気流は、プラズマ発生源からアノー
ド電極に向けて存在するプラズマ、電子またはイオンの
存在領域を横断して蒸着部に配設されたＡＣ−ＰＤＰの
誘電体層の表面に到達するとともに、プラズマ、電子ま
たはイオンと相互作用を行い、ＡＣ−ＰＤＰの誘電体層
の上層に（１１１）配向のＭｇＯ結晶を主成分とする保
護膜が形成される。本発明において、原料蒸気源と蒸着
部との間の距離は、被蒸着体であるＡＣ−ＰＤＰの誘電
体層の基板サイズ、基板ホルダーの搭載数やサイズ、る
つぼ等の形状、るつぼの設置数、複数のるつぼを配置す
る場合は各るつぼの配置等に応じて適宜決定される。通
常、３００〜２０００ｍｍの距離に調整される。特に、
４０〜７０インチの大型ＡＣ−ＰＤＰに使用する大面積
の基板に成膜する場合には、膜厚および膜質の均一性を
良くするために、通常、１０００ｍｍ以上の距離とし、
るつぼから原料蒸気の発散角度が極端に広くならないよ
うに配置するのが、好ましい。

【００２９】また、本発明において、原料蒸気部、蒸着
部、プラズマ発生源およびアノード電極は、真空槽の内
部または真空槽の内側に面して配設される。真空槽の内
部は、通常、１×１０^-7〜５×１０^-2Ｔｏｒｒ、好まし
くは５×１０^-6〜５×１０^-3Ｔｏｒｒ程度の真空に保持
され、必要に応じて、酸素、ＣＯ₂、酸化窒素、水等の
反応性気体、あるいはＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｋｒ、
あるいはこれらの混合基体等の不活性気体が導入され
る。この真空槽は、気体を真空槽の内部に導入するため
の気体導入部を、１つまたは複数個所配設されたもので
もよい。特に、蒸着原料として、金属Ｍｇ単体を全量の
５０〜１００重量％以上含む原料を用いる場合には、複
数の気体導入部を配設し、前記蒸着部と原料蒸気源の間
の中間点より蒸着部側に配設された反応ガス導入口か
ら、反応ガスを導入すると、広い面積に渡って均質な
（１１１）配向性のＭｇＯ結晶からなる保護膜を成膜で
きる点で、好ましい。真空槽内に酸素を導入する場合、
その導入量は、真空槽の内容積、使用する真空ポンプの
排気能力等に応じて適宜選択されるが、通常、１０〜１
０００ｓｃｃｍ程度である。

【００３０】また、真空槽内において、気体導入部は、
蒸着部に配置される被蒸着体であるＡＣ−ＰＤＰの誘電
体層の表面と、原料蒸気部との間の距離の中間点より蒸
着部側に配設すると、ＭｇＯが容易に酸化され、プラズ
マ発生源の所要電流や所要電力を低減し、高い成膜速度
を得ることが容易であり、かつ原料の付着効率が向上す
る点で、好ましい。さらに、反応ガス導入部は、前記誘
電体層の表面から５００ｍｍ以内、さらに３００ｍｍ以
内に配置すると、好ましい。さらにまた、本発明におい
て、プラズマ発生源と原料蒸気源とをそれぞれ独立に制
御することができるため、保護膜の形成に先立って、反
応ガス導入部から酸素を導入し、これをプラズマ発生源
によって酸素プラズマとし、誘電体層を該酸素プラズマ
で前処理して誘電体層の最表面を過酸化状態とした後、
保護膜の形成を行うようにすれば、誘電体層が還元され
て着色する現象を防止するために有効である。

【００３１】また、本発明において、蒸着部に配設され
たＡＣ−ＰＤＰの誘電体層は、通常、１００〜３５０℃
程度、好ましくは１５０〜２５０℃程度に加熱される。
さらに、本発明において、ＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上
層に形成される保護膜は、成膜速度が２ｎｍ／秒以上、
通常、成膜速度が５〜５０ｎｍ／秒の範囲で形成され
る。特に、本発明においては、（１１１）配向のＭｇＯ
結晶を、８０〜１００％含む保護膜を、８〜５０ｎｍ／
秒の高速で成膜することができる点で、有利である。

【００３２】以下、本発明の装置の具体例を示す図１お
よび２に基づいて、本発明の方法および装置について詳
細に説明する。

【００３３】図１に示す装置は、真空槽１内に、Ｍｇを
含む蒸着原料を溶融して蒸発または昇華させるための原
料蒸気部２、該原料蒸気部２に対向して配設され、被蒸
着体であるＡＣ−ＰＤＰを配置する蒸着部３、真空槽１
内にプラズマ、電子またはイオンを供給するためのプラ
ズマ発生源４、ならびにプラズマ発生源４と対向して配
設され、プラズマ発生源４から供給されるプラズマ、電
子またはイオンによって、真空槽１内にプラズマ、電子
またはイオンの分布領域を形成するためのアノード電極
５とを有するものである。原料蒸気部２は、Ｍｇを含む
蒸着原料を溶融・蒸発させるためのルツボ６、該ルツボ
６内に載置された蒸発原料を加熱・溶融して蒸発させる
ための電子ビームを照射するための電子ビーム加熱装置
７を有するものである。

【００３４】また、蒸着部３は、被蒸着体であるＡＣ−
ＰＤＰを支持する支持装置（図示せず）と、ＡＣ−ＰＤ
Ｐの誘電体層を所定の温度に加熱する装置（図示せず）
を有する。この蒸着部において、プラズマ、電子または
イオンを誘電体層の近傍に誘引し、その分布状態を制御
するために、磁界を発生する磁界発生手段８を配置して
もよい。この磁界発生手段は、永久磁石または電磁石の
いずれからからなるものでもよい。

【００３５】プラズマ発生源４は、アーク放電によって
プラズマ、電子またはイオンを発生するプラズマガン９
と、発生したプラズマ等を制御するプラズマ制御用電極
１０を有する。このプラズマ発生源４は、真空槽１の側
壁に配設され、発生するプラズマ等が真空槽１内に導入
する開口部１１を有する。アノード電極５は、真空槽１
内のプラズマ発生源４と対向する位置に配設され、通
常、寸法が８０〜４００ｍｍの四角形や円形状の形状に
形成され、真空槽１の内部に向けて開口する排気口１２
の内部１３に配置される。

【００３６】また、図１に示す装置において、真空槽１
の側壁１４には、反応ガス導入口が配設される。蒸着原
料として、金属Ｍｇを５０〜１００重量％含む原料を使
用する場合には、この反応ガス導入口から酸素および必
要に応じて不活性気体を所定の流量で導入することが好
ましい。

【００３７】この図１に示す装置において、排気装置
（図示しない）によって真空槽１内を排気して、真空槽
１内の圧力を所定の圧力に調整した後、原料蒸気部２の
るつぼ６に載置されたＭｇを含む原料に、電子ビーム加
熱装置７から照射される電子ビーム１６によって加熱さ
れ、Ｍｇを含む原料が蒸発または昇華される。蒸発また
は昇華して形成された原料蒸気流１７は、蒸着部３に支
持されたＡＣ−ＰＤＰの誘電体層１８の表面に向けて流
れる。一方、プラズマ発生源４においては、プラズマガ
ン９によって発生された電子やプラズマ等１９が、プラ
ズマ制御用電極１０によって開口部１１から、真空槽１
内に供給され、プラズマ等２０の存在領域が形成され
る。このとき、原料蒸気１７は、プラズマ等１９の存在
領域２０を横断するとともに、プラズマ等１９と相互作
用をなす。このとき、Ｍｇ金属を５０％以上含む原料を
用いる場合には、真空槽１の側壁に配置された反応ガス
導入口から所定量の酸素を含む気体が導入され、プラズ
マ等と原料蒸気との相互作用による、Ｍｇを含む原料の
活性化、酸化、また、使用する原料の種類によっては分
解等の反応を促進させることができる。次に、原料蒸気
は、蒸着部３に支持されたＡＣ−ＰＤＰの誘電体層１８
の表面に到達し、ＭｇＯ結晶を主成分とする保護膜が形
成される。

【００３８】また、図２は、本発明の装置の他の具体例
を示し、図１に示す装置と同様に、真空槽２１内に、Ｍ
ｇを含む蒸着原料を溶融して蒸発または昇華させるため
の原料蒸気部２２、該原料蒸気部２２に対向して配設さ
れ、被蒸着体であるＡＣ−ＰＤＰを配置する蒸着部２
３、真空槽２１内にプラズマ、電子またはイオンを供給
するためのプラズマ発生源２４、ならびにプラズマ発生
源２４と対向して配設され、プラズマ発生源２４から供
給されるプラズマ、電子またはイオンによって、真空槽
２１内にプラズマ、電子またはイオンの存在領域を形成
するためのアノード電極２５とを有するものである。

【００３９】アノード電極２５の前面には、原料蒸気部
２２から飛来する蒸着原料がアノード電極２５に付着す
るのを防止するため、遮蔽板２６が配設される。遮蔽板
２６には、真空槽２１の内部に向けて突設された邪魔板
２７ａ，２７ｂおよび２７ｃが列設されている。この遮
蔽板２６および邪魔板２７ａ，２７ｂおよび２７ｃによ
って、原料蒸気部２２から飛来する原料蒸気がアノード
電極２５に付着するのを防止し、アノード電極２５によ
るプラズマ等の分布状態の制御を安定して行うことがで
きるため、有効である。

【００４０】さらに、図３（ａ）は、本発明に基づい
て、ＡＣ−ＰＤＰの保護膜を連続的に形成する装置の構
成例を示する概念図であり、図３（ｂ）はその装置の図
３（ａ）に示すＡ−Ａ’線における模式断面図を示す。
この図３に示す装置は、装置内に被蒸着体であるＡＣ−
ＰＤＰを導入し、また、保護膜を形成したＡＣ−ＰＤＰ
を装置外に導出するための出入部３１と、該出入部３１
から投入されたＡＣ−ＰＤＰを予熱するとともに、プラ
ズマ、電子またはイオンによって表面処理を施すための
表面処理槽３２と、ＡＣ−ＰＤＰ３３の誘電体層の上に
ＭｇＯからなる保護膜を形成するための成膜槽３４と、
保護膜を形成したＡＣ−ＰＤＰを一時保管するための退
避槽３５とを有するものである。また、この装置内に
は、被蒸着体であるＡＣ−ＰＤＰを、出入部３１、表面
処理槽３２、成膜槽３４および退避槽３５に搬送または
搬出するための搬送ローラー３６が配設されている。

【００４１】表面処理槽３２には、誘電体層が形成され
たＡＣ−ＰＤＰ基板を予熱するためのヒーター３７が上
部に配置される。同時に、保護膜が成膜される面の上に
存在する有機物や洗浄時の残渣等を予めクリーニングし
たり、過酸化処理等の表面処理を行うためのプラズマ等
３８を形成するプラズマガン（図示せず）、および生成
したプラズマ等の分布を制御するアノード電極（図示せ
ず）が配設されている。

【００４２】成膜槽３４には、図３（ｂ）に示すよう
に、Ｍｇを含む蒸着原料を溶融するためのるつぼ３９
ａ，３９ｂが底部に配設され、Ｍｇを含む蒸着原料を溶
融するための電子ビームを照射するための電子ビーム加
熱装置４０が側面開口部４１に配設されている。電子ビ
ーム加熱装置４０は、側端に配設された電子ビームガン
４２から電子ビーム４３をるつぼ３９ａおよび３９ｂ内
に載置された蒸着原料に照射するために、電子ビーム４
３の経路を制御するための磁場を形成する電磁石（図示
せず）を有するものである。また、成膜槽３４内には、
図３（ｂ）に示すように、プラズマガン４４によって形
成されたプラズマ等４５が、プラズマガン４４とアノー
ド電極４６の間に分布する。

【００４３】この図３に示す装置においては、出入部３
１から導入されたＡＣ−ＰＤＰは、搬送ローラー３６に
よって、表面処理槽３２内に導入されて、ヒーター３７
によって予熱されるとともに、プラズマ等３８との相互
作用によってその表面が、有機物等の残存物や汚染があ
ったとしてもプラズマによってクリーニングされて清浄
な面となる。また、酸素ガスを導入することで酸素プラ
ズマの強力な酸化力が作用し、誘電体層等の下地層が完
全に酸化されるだけでなく、むしろ酸素が過剰に存在す
る等の過酸化の状態にされる。次に、成膜槽３４に、表
面処理槽３２において表面処理されたＡＣ−ＰＤＰ３３
が、搬送ローラー３６によって搬送される。成膜槽３４
においては、るつぼ３９ａおよび３９ｂ内に載置された
Ｍｇを含む原料に、電子ビーム加熱装置４０から電子ビ
ーム４３が照射されて加熱され、Ｍｇを含む原料が蒸発
または昇華される。蒸発または昇華して形成された原料
蒸気流４７は、ＡＣ−ＰＤＰ３３の誘電体層の表面に向
けて流れる。このとき、原料蒸気流４７は、プラズマ等
４５の存在領域４８を横断するとともに、プラズマ等４
５と相互作用を行い、ＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上層
に、ＭｇＯ結晶を主成分とする保護膜が形成される。

【００４４】保護膜が形成されたＡＣ−ＰＤＰは、搬送
ローラー３６によって退避槽３５方向に搬送され、膜厚
が搬送方向に均一化されるように調整される。また、Ａ
Ｃ−ＰＤＰの幅方向においても膜厚が均一化されるよう
に調整される。このようにして、連続的にＡＣ−ＰＤＰ
を装置内に導入して、そのＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上
層に保護膜を形成することができる。

【００４５】

【実施例】以下、本発明の実施例および比較例に基づい
て、本発明をより具体的に説明する。

【００４６】（実施例１および比較例）図１に示す構成
の装置を用いて、下記Ａ〜Ｆの６種類の蒸着原料を用い
て、下記の蒸着原料加熱源、プラズマ発生源、および誘
電体層とるつぼとの間の距離、キャリヤーガス（プラズ
マガン用ガスを兼ねる）、ならびに反応ガスとして表１
に示す量の酸素ガス（Ｏ₂：１００％、但し、Ｈ₂Ｏ、
Ｎ₂、ＣＯ₂等の残留ガス成分を含む）を供給して、蒸
着部に配置されたＡＣ−ＰＤＰ（寸法：約４８ｃｍ×約
３７ｃｍ、または約３０ｃｍ角）の誘電体層（膜厚：約
３０μｍ）の上層に５００ｎｍの膜厚のＭｇＯ結晶を主
成分とする保護膜を形成する実験１〜２０を行った。蒸着原料Ｄ、ＥおよびＦの２種の材料を用いる場合に
は、材料別にそれぞれ１個のるつぼを用意し、原料段階
では融解してもまざらないようにしておいて、同時に蒸
着（共蒸着）を行い、誘電体層の表面部に保護膜が成膜
されるようにした。

【００４７】蒸着原料加熱源電子ビーム加熱装置および
抵抗加熱装置（Ｍｇの抵抗加熱にＭｏボードを用いた他
はタンタルボード）を用いた。電子ビーム加熱装置にお
ける加速電圧は６０００Ｖであった。プラズマ発生源アーク放電方式のプラズマ発生源を用いた。プラズマガ
ンとしては、圧力勾配型のガンを改良したプラズマガン
と、一般的なホローカソードガンとの両方を用いた。誘電体層の加熱温度：２００℃ 誘電体層とるつぼとの間の距離：約１０００ｍｍ反応ガスの導入口：誘電体層の表面から２００ｍｍの距
離に配置キャリヤーガス（プラズマガン用ガスを兼ねる）：Ａｒ
１００％のガス２００ＳＣＣＭ

【００４８】得られた保護膜について、成膜速度および
目視による透過率、ならびに結晶の（１１１）配向性を
評価した。結晶の（１１１）配向性は、回折線湾曲結晶
モノクロメーター付Ｘ線回折装置（リガク社のＲＵ２０
０−ＲＩＮＴ、リガクＣＮ２７２６Ａ１）を用い、Ｃ
ｕＫα線によって、０．００２度のステップスキャニン
グでＸ線を走査し、（１１１）配向のＭｇＯ結晶に基づ
く２θ：約３６〜３７度における回折ピークの強度を測
定し、実験番号１で得られた保護膜における回折ピーク
強度を基準として相対的な回折ピーク強度比を求めて結
晶性を評価するとともに、含有するＭｇＯ結晶の（１１
１）配向性を下記の基準で評価した。結果を表１に示
す。結晶性： ○ 実験番号１における保護膜の回折ピーク強度の１０
０〜８０％ △ 実験番号１における保護膜の回折ピーク強度の８０
％未満から５０％ × 実験番号１における保護膜の回折ピーク強度の５０
％未満（１１１）配向性 ○ （１１１）配向のＭｇＯ結晶が１００〜８０％ △ （１１１）配向のＭｇＯ結晶が８０％未満から５０
％ × （１１１）配向のＭｇＯ結晶が５０％未満

【００４９】

【表１】

【００５０】また、酸素ガスの吹き出し口を、表２に示
す位置に配置し、Ｏ₂ガスを１００ＳＣＣＭ（Ａｒガス
２００ＳＣＣＭ）の流量で真空槽内に供給するととも
に、蒸着原料として前記Ａを用い、プラズマガン電流４
０Ａ、誘電体層を２００℃に加熱して、保護膜を形成す
る実験２１〜３３を行った。得られた保護膜について、
上記と同様に、成膜速度および目視による透過率、なら
びに結晶性および結晶の（１１１）配向性を評価した。
結果を表２に示す。

【００５１】

【００５２】（実施例２）実施例１で用いたものと同じ
装置において、下記に示す６種の材料を蒸発源に用い、
プラズマガン電流を２４０Ａ、反応ガスとして酸素を主
成分とするガス（Ｏ₂：１００％、但し、Ｈ₂Ｏ、
Ｎ₂、ＣＯ₂等の残留ガス成分を含む）を流量３００Ｓ
ＣＣＭで真空槽内の基板直下２００ｍｍに設けた反応ガ
ス導入口から導入して、成膜速度５ｎｍ／秒で誘電体層
の上層に膜厚５０ｎｍのＭｇＯ結晶を主成分とする保護
膜を形成する実験３４〜４１を行った。このとき、キャ
リヤーガスについては、実施例１と同様にした。蒸着原料原料の全量に占めるＭｇの金属Ｍｇ換算の含有量Ａ：Ｍｇ（金属）約１００重量％Ｂ：ＭｇＯ約６０重量％Ｃ：ＭｇＦ₂ 約３９重量％Ｇ：蓚酸マグネシウム（ＭｇＣ₂Ｏ₄）約３０重量％Ｈ：塩基性炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ₃）約２８重量％Ｉ：ジエトキシマグネシウム（Ｍｇ（ＯＣ₂Ｈ₅）₂）約２１．３重量％Ｊ：硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ₄）約２０．２重量％Ｋ：アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）約１７重量％得られた保護膜は、いずれも透明な膜であった。また、
保護膜について、実施例１と同様に、結晶性および結晶
の（１１１）配向性を評価した。結果を表３に示す。

【００５３】

【００５４】（実施例３）実施例１で用いたものと同じ
装置において、下記に示す４種の材料を蒸発源に用い、
プラズマガン電流を２４０Ａ、反応ガスとして酸素を主
成分とするガス（Ｏ₂：１００％、但し、Ｈ₂Ｏ、
Ｎ₂、ＣＯ₂等の残留ガス成分を含む）を、流量３００
ＳＣＣＭで真空槽内に導入して、成膜速度５ｎｍ／秒で
誘電体層の上層に膜厚５０ｎｍのＭｇＯ結晶を主成分と
する保護膜を形成する実験４２〜４５を行った。このと
き、キャリヤーガスについては、実施例１と同様にし
た。

【００５５】得られた保護膜について、透明性、ならび
に実施例１と同様に、結晶性および結晶の（１１１）配
向性を評価した。結果を表４に示す。

【００５６】注透明性：○ 可視光線透過率８０％以上 △ 可視光線透過率８０％未満、５０％以上 × 可視光線透過率５０％以下

【００５７】なお、本発明の実施例においては、反応ガ
スとしてＯ₂ガスを用いたが、Ｏ₂ガス以外にもＣＯ₂
ガス、ＮＯ₂ガス、Ｈ₂Ｏガス等の酸化性ガスを用いて
も同様に（１１１）配向性のＭｇＯ結晶を主成分とする
保護膜を、制御上の自由度を十分に確保して、安定的に
高速で形成することができる。

【００５８】

【発明の効果】本発明の方法および装置によれば、大面
積のＡＣ−ＰＤＰの誘電体層の上層に全面にわたって均
一かつ均質な（１１１）配向性のＭｇＯ結晶を主成分と
する保護膜を安定的かつ高速で成膜することができる。
また、本発明において、ブラズマ発生源と原料蒸気源と
は独立して制御されるため、それぞれの制御上の自由度
が大きく、プラズマ、電子またはイオンの発生およびそ
の分布状態、密度分布等を十分に制御するとともに、原
料蒸気源における原料蒸気の発生を十分に制御すること
ができ、最適条件で保護膜の成膜を行うことができる。

【００５９】さらに、プラズマ源とは独立して原料蒸気
の発生が制御されるため、電気的に絶縁性の材料をも、
蒸着原料として用いることができ、材料の自由度が大き
いとともに、低加速電圧によってプラズマガンからの電
子ビームを直接るつぼに導く従来の方法に比して、チャ
ージアップによる制御不良を生じることがないため、有
利である。さらにまた、被蒸着体近傍のプラズマ等の密
度を高くすることができるため、大面積のＡＣ−ＰＤＰ
の全面に渡って、着色がない保護膜を成膜することがで
きる。

【００６０】また、本発明によれば、隣接する誘電体層
の着色を招くおそれがない、（１１１）配向性のＭｇＯ
結晶を主成分とする保護膜を、十分な制御上の自由度を
確保して、安定的に高速で形成することができる。ま
た、本発明の方法および装置は、所望の膜質の保護膜を
成膜することができる成膜条件の自由度が大きく、ま
た、装置の各部の配置、形状、相対位置等を、所望の膜
質が得られるように選択できる自由度が大きく、成膜条
件の最適化が容易となるため、工業上の実用価値は大で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の交流型プラズマディスプレイパネル
の形成装置の具体例を示す模式断面図。

【図２】本発明の交流型プラズマディスプレイパネル
の形成装置の他の具体例を示す模式断面図。

【図３】（ａ）は本発明の交流型プラズマディスプレ
イパネルの形成装置の他の具体例の構成を説明する図で
あり、（ｂ）はＡ−Ａ’線断面図である。

【図４】（ａ）は交流型プラズマディスプレイパネル
の３電極前面放電型セルの構造を説明する模式断面図で
あり、（ｂ）はその断面構造を説明する拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１真空槽２原料蒸気部３蒸着部４プラズマ発生源５アノード電極６ルツボ７電子ビーム加熱装置８磁界発生手段９プラズマガン１０プラズマ制御用電極１１開口部１２排気口１３排気口の内部１４側壁１６電子ビーム１７原料蒸気流１８ＡＣ−ＰＤＰの誘電体層１９プラズマ等２０プラズマ等の流れ２１真空槽２２原料蒸気部２３蒸着部２４プラズマ発生源２５アノード電極２６遮蔽板３１出入部３２表面処理槽３３ＡＣ−ＰＤＰ３４成膜槽３５退避槽３６搬送ローラー３７ヒーター３８プラズマ等３９ａ，３９ｂるつぼ４０電子ビーム加熱装置４１側面開口部４２電子ビームガン４３電子ビーム４４プラズマガン４５プラズマ等４６アノード電極４７原料蒸気流４８プラズマ等の存在領域５１前面ガラス基板５２後面ガラス基板５３放電空間５４隔壁５４ａ，５４ｂ発光セル５５ａ，５５ｂ透明電極５６誘電体層５７保護膜５８アドレス電極５９蛍光体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原料蒸気源からＭｇを含む原料を蒸発また
は昇華させて、該原料蒸気源と対向する蒸着部に配設さ
れた交流型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の上
層にＭｇＯを主成分とする保護膜を形成する方法であっ
て、原料蒸気源からの原料蒸気流が、前記原料蒸気源とは独
立に制御されるプラズマ発生源と、該プラズマ発生源と
対向して配設されたアノード電極との間に形成されるプ
ラズマ、電子またはイオンの存在領域を横断して蒸着部
に到達するとともに、プラズマ、電子またはイオンと相
互作用を行い、交流型プラズマディスプレイパネルの誘
電体層の上層に（１１１）配向のＭｇＯ結晶を８０〜１
００％含む保護膜を形成する工程を有する交流型プラズ
マディスプレイパネルの保護膜の形成方法。
【請求項２】前記Ｍｇを含む原料が、Ｍｇを金属Ｍｇ換
算で全量の２１〜１００重量％含むものである請求項１
に記載の交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の
形成方法。
【請求項３】前記プラズマ発生源が、アーク放電方式の
プラズマガンである請求項１または２に記載の交流型プ
ラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法。
【請求項４】前記Ｍｇを含む原料が、金属Ｍｇ単体を全
量の５０〜１００重量％含むものであり、前記蒸着部と
原料蒸気源の間の中間点より蒸着部側に配設された反応
ガス導入口から、反応ガスを導入する請求項１〜３のい
ずれかに記載の交流型プラズマディスプレイパネルの保
護膜の形成方法。
【請求項５】前記反応ガス導入口を、蒸着部から５００
ｍｍ以内の距離に配設する請求項４に記載の交流型プラ
ズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法。
【請求項６】Ｍｇを含む原料を蒸発させる原料蒸気源
と、該原料蒸気源と対向して配設された蒸着部と、前記
原料蒸気源とは独立に制御されるプラズマ発生源と、該
プラズマ発生源と対向して配設されるアノード電極とを
有し、原料蒸気源からの原料蒸気流が、前記原料蒸気源とは独
立に制御されるプラズマ発生源と、該プラズマ発生源と
対向して配設されたアノード電極との間に形成されるプ
ラズマ、電子またはイオンの存在領域を横断して蒸着部
に到達するとともに、プラズマ、電子またはイオンと反
応して、前記蒸着部に配置された交流型プラズマディス
プレイパネルの誘電体層の上層に（１１１）配向のＭｇ
Ｏ結晶を含む保護膜を形成するようにしたことを特徴と
する交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成
装置。
【請求項７】前記プラズマ発生源が、アーク放電方式の
プラズマガンである請求項６に記載の交流型プラズマデ
ィスプレイパネルの保護膜の形成装置。
【請求項８】前記Ｍｇを含む原料が、金属Ｍｇ単体を全
量の５０〜１００重量％含むものであり、前記蒸着部と
原料蒸気源の間の中間点より蒸着部側に配設された反応
ガス導入口を有する請求項６または７に記載の交流型プ
ラズマディスプレイパネルの保護膜の形成装置。
【請求項９】前記反応ガス導入口を、蒸着部から５００
ｍｍ以内の距離に配設する請求項８に記載の交流型プラ
ズマディスプレイパネルの保護膜の形成装置。