JPH08255562A - Ｐｄｐにおける誘電体用保護膜の形成方法 - Google Patents
Ｐｄｐにおける誘電体用保護膜の形成方法Info
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- JPH08255562A JPH08255562A JP7058388A JP5838895A JPH08255562A JP H08255562 A JPH08255562 A JP H08255562A JP 7058388 A JP7058388 A JP 7058388A JP 5838895 A JP5838895 A JP 5838895A JP H08255562 A JPH08255562 A JP H08255562A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】酸化の効率を高めるとともにイオン照射によら
ずに膜形成面の不純物を除去し、良質の保護膜を得るこ
とを目的とする。 【構成】放電のための複数の電極とそれらを被覆する誘
電体層１７とを設けた基板１１を真空槽５０内に配置
し、真空中で誘電体層１７の上に酸化物からなる保護膜
を形成する際に、真空槽５０内にオゾンを導入するとと
もに、誘電体層１７に向けて紫外線ＵＶを照射する
ずに膜形成面の不純物を除去し、良質の保護膜を得るこ
とを目的とする。 【構成】放電のための複数の電極とそれらを被覆する誘
電体層１７とを設けた基板１１を真空槽５０内に配置
し、真空中で誘電体層１７の上に酸化物からなる保護膜
を形成する際に、真空槽５０内にオゾンを導入するとと
もに、誘電体層１７に向けて紫外線ＵＶを照射する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型のＰＤＰ（Plas
ma Display Panel：プラズマディスプレイパネル）の誘
電体用保護膜の形成方法に関する。
ma Display Panel：プラズマディスプレイパネル）の誘
電体用保護膜の形成方法に関する。
【０００２】ＰＤＰは、視認性に優れ、比較的に大画面
化が容易であり、しかも高速表示が可能であることか
ら、ハイビジョン用の薄型カラー表示デバイスとして注
目されている。このため、動作の安定した信頼性の高い
ＰＤＰを製造する技術の開発がますます重要になってき
ている。
化が容易であり、しかも高速表示が可能であることか
ら、ハイビジョン用の薄型カラー表示デバイスとして注
目されている。このため、動作の安定した信頼性の高い
ＰＤＰを製造する技術の開発がますます重要になってき
ている。
【０００３】
【従来の技術】ＡＣ型ＰＤＰでは、表示領域内の電極が
低融点ガラスなどの誘電体層で被覆され、さらにその表
面に放電時のイオン衝撃による誘電体の劣化を防止する
ために数千Å程度の厚さの耐熱性の保護膜が設けられて
いる。保護膜は放電ガス空間に接することから放電特性
に大きな影響を与える。すなわち保護膜の膜質は、表示
の安定化、駆動の容易化、及び長寿命化などの上で重要
な要素である。
低融点ガラスなどの誘電体層で被覆され、さらにその表
面に放電時のイオン衝撃による誘電体の劣化を防止する
ために数千Å程度の厚さの耐熱性の保護膜が設けられて
いる。保護膜は放電ガス空間に接することから放電特性
に大きな影響を与える。すなわち保護膜の膜質は、表示
の安定化、駆動の容易化、及び長寿命化などの上で重要
な要素である。
【０００４】一般に、保護膜の材料として、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）に代表されるアルカリ土類金属の酸化
物が用いられている。特にＭｇＯは、二次電子放出係数
の大きい、いわゆる高γ物質である。したがって、Ｍｇ
Ｏを用いた場合には、放電開始電圧が下がって印加電圧
の許容範囲が拡がり、駆動が容易になる。
シウム（ＭｇＯ）に代表されるアルカリ土類金属の酸化
物が用いられている。特にＭｇＯは、二次電子放出係数
の大きい、いわゆる高γ物質である。したがって、Ｍｇ
Ｏを用いた場合には、放電開始電圧が下がって印加電圧
の許容範囲が拡がり、駆動が容易になる。
【０００５】従来、このような保護膜は、不活性ガス又
は放電ガスを導入した真空槽内で、材料の酸化物を蒸発
させて誘電体層の表面に堆積させる真空蒸着によって形
成されていた。
は放電ガスを導入した真空槽内で、材料の酸化物を蒸発
させて誘電体層の表面に堆積させる真空蒸着によって形
成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭｇＯの蒸
着によって保護膜を形成する場合には、不純物の析出に
起因した放電特性の経時変化を防止する上で、真空槽へ
の酸素ガスの導入が有効である（特開平５−２３４５１
９号）。すなわち酸素ガスを導入すれば、酸化作用が促
進され、結晶配向性が良好で不純物を含みにくいＭｇＯ
膜を得ることができる。なお、薄膜の結晶成長性を高め
る手法として、適度のイオン照射によって膜形成面を浄
化する手法が知られている。
着によって保護膜を形成する場合には、不純物の析出に
起因した放電特性の経時変化を防止する上で、真空槽へ
の酸素ガスの導入が有効である（特開平５−２３４５１
９号）。すなわち酸素ガスを導入すれば、酸化作用が促
進され、結晶配向性が良好で不純物を含みにくいＭｇＯ
膜を得ることができる。なお、薄膜の結晶成長性を高め
る手法として、適度のイオン照射によって膜形成面を浄
化する手法が知られている。
【０００７】しかし、単に酸素ガスを導入するだけで
は、活性酸素の発生率が小さいので、酸化の促進が緩慢
である。加えて、蒸着面の浄化を望めない。そこで、酸
素の導入量を増やすと、真空度が低下して結晶成長性が
損なわれてしまう。また、酸素をイオン化して蒸着面に
照射することも考えられるが、その場合はイオン衝撃に
対する配慮が必要になる。
は、活性酸素の発生率が小さいので、酸化の促進が緩慢
である。加えて、蒸着面の浄化を望めない。そこで、酸
素の導入量を増やすと、真空度が低下して結晶成長性が
損なわれてしまう。また、酸素をイオン化して蒸着面に
照射することも考えられるが、その場合はイオン衝撃に
対する配慮が必要になる。
【０００８】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、酸化の効率を高めるとともにイオン照射によ
らずに膜形成面の不純物を除去し、良質の保護膜を形成
することを目的としている。
たもので、酸化の効率を高めるとともにイオン照射によ
らずに膜形成面の不純物を除去し、良質の保護膜を形成
することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の誘電体
用保護膜の形成方法は、図１及び図２に示すように、放
電のための複数の電極とそれらを被覆する誘電体層とを
設けた基板を真空槽内に配置し、真空中で前記誘電体層
上に酸化物からなる保護膜を形成する際に、前記真空槽
内にオゾンを導入するとともに、前記誘電体層に向けて
紫外線を照射する方法である。
用保護膜の形成方法は、図１及び図２に示すように、放
電のための複数の電極とそれらを被覆する誘電体層とを
設けた基板を真空槽内に配置し、真空中で前記誘電体層
上に酸化物からなる保護膜を形成する際に、前記真空槽
内にオゾンを導入するとともに、前記誘電体層に向けて
紫外線を照射する方法である。
【００１０】請求項２の発明の方法は、前記紫外線の波
長を２５３．７ナノメートルとするものである。
長を２５３．７ナノメートルとするものである。
【００１１】
【作用】真空槽内に導入されたオゾンは、紫外線を吸収
して（１）式のように酸素原子と酸素分子とに分解す
る。このとき生じた酸素原子は、極めて強い酸化力をも
っている。これにより、酸化の効率が高まり、結晶欠陥
（酸素不足）のない良質の酸化膜が成長する。
して（１）式のように酸素原子と酸素分子とに分解す
る。このとき生じた酸素原子は、極めて強い酸化力をも
っている。これにより、酸化の効率が高まり、結晶欠陥
（酸素不足）のない良質の酸化膜が成長する。
【００１２】Ｏ3 → Ｏ ＋ Ｏ2 …（１） また、波長２５３．７ｎｍの紫外線は４７２ｋＪ／ｍｏ
ｌのエネルギーをもっており、残留している有機化合物
及び酸化膜中のＯ−Ｈ結合（結合エネルギーは４６３ｋ
Ｊ／ｍｏｌ）やＣ−Ｏ結合（３５２ｋＪ／ｍｏｌ）など
の不要の結合を分解する。分解された炭素や水素は活性
の酸素原子との再結合によってガス化して酸化膜から遊
離する。
ｌのエネルギーをもっており、残留している有機化合物
及び酸化膜中のＯ−Ｈ結合（結合エネルギーは４６３ｋ
Ｊ／ｍｏｌ）やＣ−Ｏ結合（３５２ｋＪ／ｍｏｌ）など
の不要の結合を分解する。分解された炭素や水素は活性
の酸素原子との再結合によってガス化して酸化膜から遊
離する。
【００１３】
【実施例】図１は本発明を適用したＰＤＰ１の要部の分
解斜視図である。ＰＤＰ１は、面放電形式のＡＣ型のＰ
ＤＰであり、前面側のガラス基板１１、面放電を生じさ
せるための表示電極Ｘ，Ｙ、壁電荷を利用するＡＣ駆動
のための誘電体層１７、保護膜１８、背面側のガラス基
板２１、表示ライン内の単位発光領域ＥＵを選択的に発
光させるためのアドレス電極Ａ、放電空間３０を区画す
る隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光体２８か
ら構成されている。
解斜視図である。ＰＤＰ１は、面放電形式のＡＣ型のＰ
ＤＰであり、前面側のガラス基板１１、面放電を生じさ
せるための表示電極Ｘ，Ｙ、壁電荷を利用するＡＣ駆動
のための誘電体層１７、保護膜１８、背面側のガラス基
板２１、表示ライン内の単位発光領域ＥＵを選択的に発
光させるためのアドレス電極Ａ、放電空間３０を区画す
る隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光体２８か
ら構成されている。
【００１４】表示電極Ｘ，Ｙは、透明導電膜４１とその
導電性を補う金属膜４２とから構成されており、低融点
ガラスからなる誘電体層１７によって放電空間３０に対
して被覆されている。そして、誘電体層１７の表面に
は、保護膜１８として数千Å程度の厚さのＭｇＯ膜が設
けられている。
導電性を補う金属膜４２とから構成されており、低融点
ガラスからなる誘電体層１７によって放電空間３０に対
して被覆されている。そして、誘電体層１７の表面に
は、保護膜１８として数千Å程度の厚さのＭｇＯ膜が設
けられている。
【００１５】表示電極Ｘ，Ｙに対して、これらの間の相
対電位が交互に反転するように交番パルスを印加する
と、印加毎に誘電体層１７の表面方向の放電（面放電）
が起こり、面放電で生じた紫外線によって蛍光体２８が
励起されて発光する。このとき、放電毎に誘電体層１７
に駆動電圧と反対の極性の壁電荷が蓄積し、これによ
り、駆動電圧を壁電荷の分だけ放電開始電圧より低い電
圧とすることができる。
対電位が交互に反転するように交番パルスを印加する
と、印加毎に誘電体層１７の表面方向の放電（面放電）
が起こり、面放電で生じた紫外線によって蛍光体２８が
励起されて発光する。このとき、放電毎に誘電体層１７
に駆動電圧と反対の極性の壁電荷が蓄積し、これによ
り、駆動電圧を壁電荷の分だけ放電開始電圧より低い電
圧とすることができる。
【００１６】以上の構造のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に必要な部材を設ける工程、ガラ
ス基板１１，２１を対向配置して周囲を封止する工程、
及び放電空間３０に放電ガスを封入する工程を経て製造
される。その際、保護膜１８は真空蒸着によって形成さ
れる。
１，２１について別個に必要な部材を設ける工程、ガラ
ス基板１１，２１を対向配置して周囲を封止する工程、
及び放電空間３０に放電ガスを封入する工程を経て製造
される。その際、保護膜１８は真空蒸着によって形成さ
れる。
【００１７】図２は本発明に係る蒸着装置２の構成を示
す図である。蒸着装置２は、チャンバー５０、蒸発源５
１、基板ホルダー６１、オゾン発生器７１、及び紫外線
ランプ７５などから構成されている。
す図である。蒸着装置２は、チャンバー５０、蒸発源５
１、基板ホルダー６１、オゾン発生器７１、及び紫外線
ランプ７５などから構成されている。
【００１８】蒸発源５１は、熱電子を放出するフィラメ
ント５２、膜材料（ターゲット）としてのＭｇＯペレッ
ト１８ａを収納する耐熱容器（るつぼ）５３を有する。
熱電子ビームＥＢは磁気偏向によってフィラメント５２
からターゲットへ導かれる。ＭｇＯペレット１８ａは熱
電子エネルギーによって加熱される。
ント５２、膜材料（ターゲット）としてのＭｇＯペレッ
ト１８ａを収納する耐熱容器（るつぼ）５３を有する。
熱電子ビームＥＢは磁気偏向によってフィラメント５２
からターゲットへ導かれる。ＭｇＯペレット１８ａは熱
電子エネルギーによって加熱される。
【００１９】オゾン発生器７１は、波長１８４．９ｎｍ
の紫外線を発する紫外線ランプ７２を有しており、図示
しないマスフローコントローラーから供給された酸素ガ
スを励起してオゾン（Ｏ3 ）を生成する。紫外線ランプ
７５は、波長２５３．７ｎｍの紫外線ＵＶを基板ホルダ
ー６１に向けて射出する。
の紫外線を発する紫外線ランプ７２を有しており、図示
しないマスフローコントローラーから供給された酸素ガ
スを励起してオゾン（Ｏ3 ）を生成する。紫外線ランプ
７５は、波長２５３．７ｎｍの紫外線ＵＶを基板ホルダ
ー６１に向けて射出する。
【００２０】次に、蒸着装置２を用いて行う保護膜１８
の蒸着について説明する。まず、誘電体１７を設けた後
の所定数のガラス基板１１を、誘電体層１７が蒸発源５
１と対向するように基板ホルダー６１に取り付ける。
の蒸着について説明する。まず、誘電体１７を設けた後
の所定数のガラス基板１１を、誘電体層１７が蒸発源５
１と対向するように基板ホルダー６１に取り付ける。
【００２１】続いて、図示しない真空ポンプによりチャ
ンバー５０の排気を行い、チャンバー５０の内部を１×
１０-6［Ｔｏｒｒ］程度の真空状態とする。この真空状
態の形成と並行して、又は真空状態が形成された後に、
基板ホルダー６１に内蔵されたヒーター６２を用いてガ
ラス基板１１とともに誘電体層１７を加熱する。
ンバー５０の排気を行い、チャンバー５０の内部を１×
１０-6［Ｔｏｒｒ］程度の真空状態とする。この真空状
態の形成と並行して、又は真空状態が形成された後に、
基板ホルダー６１に内蔵されたヒーター６２を用いてガ
ラス基板１１とともに誘電体層１７を加熱する。
【００２２】誘電体層１５の表面温度が１５０℃程度に
達すると、まず、オゾン発生器７１を作動させてチャン
バー５０に適量のオゾンを導入する。次に、蒸発源５１
を作動させてＭｇＯ１８ａを昇華させる。また、同時に
紫外線ランプ７５によって誘電体層１７の表面（膜形成
面）に紫外線ＵＶを照射する。
達すると、まず、オゾン発生器７１を作動させてチャン
バー５０に適量のオゾンを導入する。次に、蒸発源５１
を作動させてＭｇＯ１８ａを昇華させる。また、同時に
紫外線ランプ７５によって誘電体層１７の表面（膜形成
面）に紫外線ＵＶを照射する。
【００２３】昇華したＭｇＯ１８ａは蒸気流ＭＢとなっ
てガラス基板１１に到達し、誘電体層１７の表面で凝縮
して堆積する。このとき、紫外線ＵＶによってオゾンが
積極的に分解され、チャンバー内雰囲気の酸化作用が促
進される。加えて、紫外線ＵＶの励起作用によって膜形
成面から不純物が遊離する。これらの相乗効果によっ
て、結晶欠陥である亜酸化部分及び不純物の少ない良質
の保護膜１８が形成される。
てガラス基板１１に到達し、誘電体層１７の表面で凝縮
して堆積する。このとき、紫外線ＵＶによってオゾンが
積極的に分解され、チャンバー内雰囲気の酸化作用が促
進される。加えて、紫外線ＵＶの励起作用によって膜形
成面から不純物が遊離する。これらの相乗効果によっ
て、結晶欠陥である亜酸化部分及び不純物の少ない良質
の保護膜１８が形成される。
【００２４】保護膜１８の形成が終了すると、ガラス基
板１１の温度が所定値まで下がるのを待ってチャンバー
５０の内部を大気圧に戻し、ガラス基板１１を取り出し
て後工程へ送る。なお、蒸発源５１を作動させる以前
に、誘電体層１７を３００℃程度まで加熱し、さらに紫
外線ＵＶを照射して誘電体層１７の表面を浄化しておい
てもよい。
板１１の温度が所定値まで下がるのを待ってチャンバー
５０の内部を大気圧に戻し、ガラス基板１１を取り出し
て後工程へ送る。なお、蒸発源５１を作動させる以前
に、誘電体層１７を３００℃程度まで加熱し、さらに紫
外線ＵＶを照射して誘電体層１７の表面を浄化しておい
てもよい。
【００２５】上述の実施例によれば、保護膜１８からの
不純物の析出に起因する放電特性の経時変化を軽減する
ことができ、信頼性の高い面放電型ＰＤＰ１を製造する
ことができる。
不純物の析出に起因する放電特性の経時変化を軽減する
ことができ、信頼性の高い面放電型ＰＤＰ１を製造する
ことができる。
【００２６】上述の実施例において、蒸発源５１の形
式、チャンバー５０の構造、真空度、オゾンの導入量、
紫外線ＵＶの照射強度、膜形成面の加熱温度、成膜速度
などの蒸着条件は、蒸着装置２の構造及びガラス基板１
１の大きさに応じて適宜選定すればよい。
式、チャンバー５０の構造、真空度、オゾンの導入量、
紫外線ＵＶの照射強度、膜形成面の加熱温度、成膜速度
などの蒸着条件は、蒸着装置２の構造及びガラス基板１
１の大きさに応じて適宜選定すればよい。
【００２７】上述の実施例においては、保護膜１８の材
料としてＭｇＯを用いた例を示したが、ベリリウム又は
バリウムといったアルカリ土類金属の酸化物を用いる場
合にも本発明を適用することができる。また、ＰＤＰの
構造は、面放電型に限られず、対向放電型でもよい。
料としてＭｇＯを用いた例を示したが、ベリリウム又は
バリウムといったアルカリ土類金属の酸化物を用いる場
合にも本発明を適用することができる。また、ＰＤＰの
構造は、面放電型に限られず、対向放電型でもよい。
【００２８】
【発明の効果】請求項１乃至請求項２の発明によれば、
酸化の効率を高めるとともにイオン照射によらずに膜形
成面の不純物を除去することができ、放電特性の安定化
の上で良質の保護膜を形成することができる。
酸化の効率を高めるとともにイオン照射によらずに膜形
成面の不純物を除去することができ、放電特性の安定化
の上で良質の保護膜を形成することができる。
【図１】本発明を適用したＰＤＰの要部の分解斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る蒸着装置の構成を示す図である。
１ ＰＤＰ １７ 誘電体層 １８ 保護膜 １８ａ ＭｇＯ（酸化物） ５０ チャンバー（真空槽） ＵＶ 紫外線 Ｘ，Ｙ 表示電極（電極）
Claims (2)
- 【請求項１】放電のための複数の電極とそれらを被覆す
る誘電体層とを設けた基板を真空槽内に配置し、真空中
で前記誘電体層上に酸化物からなる保護膜を形成する際
に、 前記真空槽内にオゾンを導入するとともに、前記誘電体
層に向けて紫外線を照射することを特徴とするＰＤＰに
おける誘電体用保護膜の形成方法。 - 【請求項２】前記紫外線の波長を２５３．７ナノメート
ルとする請求項１記載のＰＤＰにおける誘電体用保護膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7058388A JPH08255562A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | Ｐｄｐにおける誘電体用保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7058388A JPH08255562A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | Ｐｄｐにおける誘電体用保護膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255562A true JPH08255562A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13082966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7058388A Pending JPH08255562A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | Ｐｄｐにおける誘電体用保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255562A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990034465A (ko) * | 1997-10-29 | 1999-05-15 | 엄길용 | 교류형 플라즈마 표시소자의 보호층 형성방법 |
| EP1416510A2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-06 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | Gas discharge panel and production method thereof |
| KR20040082814A (ko) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 산화막 증착 방법 |
| KR100488459B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2005-05-11 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 유기물질 제거방법 및 제조방법 |
| EP2184758A1 (en) * | 2008-06-26 | 2010-05-12 | Panasonic Corporation | Method for producing a plasma display panel |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP7058388A patent/JPH08255562A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990034465A (ko) * | 1997-10-29 | 1999-05-15 | 엄길용 | 교류형 플라즈마 표시소자의 보호층 형성방법 |
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| EP2184758A1 (en) * | 2008-06-26 | 2010-05-12 | Panasonic Corporation | Method for producing a plasma display panel |
| EP2184758A4 (en) * | 2008-06-26 | 2011-08-03 | Panasonic Corp | METHOD FOR PRODUCING A PLASMA DISPLAY PANEL |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021224 |