JP2002063851A - プラズマ画像スクリーン - Google Patents
プラズマ画像スクリーンInfo
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- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 9
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 35
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 210000004180 plasmocyte Anatomy 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 101001005708 Homo sapiens MARVEL domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100025069 MARVEL domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 プラズマ画像スクリーンの保護層を改善す
る。 【解決手段】 プラズマ画像スクリーンが、結晶質ダイ
ヤモンド、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ及び四面体非結晶
質炭素の群から選択された、電子親和力が低く且つ耐ス
パッタリング性が高い材料から成る保護層５を有し、封
入ガスが７容量％よりも多くの相対量のキセノンを含有
すること。
る。 【解決手段】 プラズマ画像スクリーンが、結晶質ダイ
ヤモンド、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ及び四面体非結晶
質炭素の群から選択された、電子親和力が低く且つ耐ス
パッタリング性が高い材料から成る保護層５を有し、封
入ガスが７容量％よりも多くの相対量のキセノンを含有
すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 誘電体層及び保
護層が設けられているガラスプレートを有する前面プレ
ートと、蛍光体層が設けられている担持プレートと、前
記前面プレートと前記担持プレートとの間の空間を、ガ
スが充填されているプラズマセルに細分しているリブ状
構造体と、前記前面プレート及び前記担持プレート上に
設けられ、前記プラズマセル内でコロナ放電を発生させ
る１個又は複数個の電極アレイとが設けられているプラ
ズマ画像スクリーンに関するものである。
護層が設けられているガラスプレートを有する前面プレ
ートと、蛍光体層が設けられている担持プレートと、前
記前面プレートと前記担持プレートとの間の空間を、ガ
スが充填されているプラズマセルに細分しているリブ状
構造体と、前記前面プレート及び前記担持プレート上に
設けられ、前記プラズマセル内でコロナ放電を発生させ
る１個又は複数個の電極アレイとが設けられているプラ
ズマ画像スクリーンに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ画像スクリーンは、解像度が高
く且つスクリーン直径の大きいカラー画像を可能にし、
コンパクトな構造を有する。プラズマ画像スクリーン
は、ガスが充填され且つハーメチックシールされたガラ
スセルを有すると共に格子配列の電極を有する。電圧の
印加によってガス放電を生じさせ、このガス放電により
主に、真空紫外線領域内の光を発生させる。このＶＵＶ
光は、蛍光体によって可視光に変換され、この可視光が
ガラスセルの前面プレートを通って視聴者へ放出され
る。
く且つスクリーン直径の大きいカラー画像を可能にし、
コンパクトな構造を有する。プラズマ画像スクリーン
は、ガスが充填され且つハーメチックシールされたガラ
スセルを有すると共に格子配列の電極を有する。電圧の
印加によってガス放電を生じさせ、このガス放電により
主に、真空紫外線領域内の光を発生させる。このＶＵＶ
光は、蛍光体によって可視光に変換され、この可視光が
ガラスセルの前面プレートを通って視聴者へ放出され
る。
【０００３】プラズマ画像スクリーンは、２種類に、す
なわち、ＤＣプラズマ画像スクリーンと、ＡＣプラズマ
画像スクリーンとに分類される。ＤＣプラズマ画像スク
リーン内の電極はプラズマと直接接触する。ＡＣプラズ
マ画像スクリーンでは、電極は誘電体層によってプラズ
マから分離されている。
なわち、ＤＣプラズマ画像スクリーンと、ＡＣプラズマ
画像スクリーンとに分類される。ＤＣプラズマ画像スク
リーン内の電極はプラズマと直接接触する。ＡＣプラズ
マ画像スクリーンでは、電極は誘電体層によってプラズ
マから分離されている。
【０００４】原理的に、ＡＣプラズマ画像スクリーンは
２種類に、すなわち、電極アレイがマトリクス配置のも
のと、電極アレイが共面配置のものとに区別できる。マ
トリクス配置では、ガス放電は、前面プレート上の電極
と、担持プレート上の電極との交点で点弧され、維持さ
れる。共面配置では、ガス放電は、前面プレート上の電
極と、担持プレート上の電極、いわゆるアドレス電極と
の交点で点弧され、前面プレート上の電極間で維持され
る。この場合、このアドレス電極は蛍光体層の下に配置
されている。
２種類に、すなわち、電極アレイがマトリクス配置のも
のと、電極アレイが共面配置のものとに区別できる。マ
トリクス配置では、ガス放電は、前面プレート上の電極
と、担持プレート上の電極との交点で点弧され、維持さ
れる。共面配置では、ガス放電は、前面プレート上の電
極と、担持プレート上の電極、いわゆるアドレス電極と
の交点で点弧され、前面プレート上の電極間で維持され
る。この場合、このアドレス電極は蛍光体層の下に配置
されている。
【０００５】代表的なＡＣプラズマ画像スクリーンにお
ける誘電体層は更にMgＯ層によって被覆されている。Mg
Ｏは、イオンで誘起される２次電子の放出係数が高く、
従って、ガス点弧電圧を減少させる。更に、MgＯは、プ
ラズマの正に帯電されたイオンに対して耐スパッタリン
グ性がある。しかし、MgＯは、製造処理中、異質の物質
によって汚染され易く、これらの物質は後に、除去する
のが極めて困難であるという欠点がある。
ける誘電体層は更にMgＯ層によって被覆されている。Mg
Ｏは、イオンで誘起される２次電子の放出係数が高く、
従って、ガス点弧電圧を減少させる。更に、MgＯは、プ
ラズマの正に帯電されたイオンに対して耐スパッタリン
グ性がある。しかし、MgＯは、製造処理中、異質の物質
によって汚染され易く、これらの物質は後に、除去する
のが極めて困難であるという欠点がある。
【０００６】特開平11-054048号公報には、MgＯの保護
層の代わりにダイヤモンド状炭素（非晶質ダイヤモン
ド）の保護層を誘電体層上に有するＡＣプラズマ画像ス
クリーンが開示されている。この保護層は非晶質構造を
有し、ＣＶＤ（化学蒸着）処理で堆積される。
層の代わりにダイヤモンド状炭素（非晶質ダイヤモン
ド）の保護層を誘電体層上に有するＡＣプラズマ画像ス
クリーンが開示されている。この保護層は非晶質構造を
有し、ＣＶＤ（化学蒸着）処理で堆積される。
【０００７】保護層にダイヤモンド状炭素を用いると、
プラズマ画像スクリーンの製造中のある条件下で、例え
ば高温の下で、ダイヤモンド状炭素がその構造を変化さ
せると共に部分的に水素を放出させるおそれがあるとい
う欠点がある。この構造変化の欠点とは、この構造変化
によって、黒鉛を含有する層が形成され、この層が茶色
がかった変色を呈するということである。このことはプ
ラズマ画像スクリーンの輝度を減少させる。水素が放出
されることによりプラズマ画像スクリーン内部の気相を
変化させるおそれがあり、例えば、点弧電圧が制御され
ない状態で変化するおそれがある。
プラズマ画像スクリーンの製造中のある条件下で、例え
ば高温の下で、ダイヤモンド状炭素がその構造を変化さ
せると共に部分的に水素を放出させるおそれがあるとい
う欠点がある。この構造変化の欠点とは、この構造変化
によって、黒鉛を含有する層が形成され、この層が茶色
がかった変色を呈するということである。このことはプ
ラズマ画像スクリーンの輝度を減少させる。水素が放出
されることによりプラズマ画像スクリーン内部の気相を
変化させるおそれがあり、例えば、点弧電圧が制御され
ない状態で変化するおそれがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改善
されたプラズマ画像スクリーンを提供することにある。
されたプラズマ画像スクリーンを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】誘電体層及び保護層が設
けられているガラスプレートを有する前面プレートと、
蛍光体層が設けられている担持プレートと、前記前面プ
レートと前記担持プレートとの間の空間を、ガスが充填
されているプラズマセルに細分しているリブ状構造体
と、前記前面プレート及び前記担持プレート上に設けら
れ、前記プラズマセル内でコロナ放電を発生させる１個
又は複数個の電極アレイとが設けられているプラズマ画
像スクリーンにおいて、前記保護層が結晶質ダイヤモン
ド、AlＮ、AlGaＮ、ＢＮ及び四面体非晶質炭素の群から
選択された材料を有することを特徴とするプラズマ画像
スクリーンにより、この目的を達成する。
けられているガラスプレートを有する前面プレートと、
蛍光体層が設けられている担持プレートと、前記前面プ
レートと前記担持プレートとの間の空間を、ガスが充填
されているプラズマセルに細分しているリブ状構造体
と、前記前面プレート及び前記担持プレート上に設けら
れ、前記プラズマセル内でコロナ放電を発生させる１個
又は複数個の電極アレイとが設けられているプラズマ画
像スクリーンにおいて、前記保護層が結晶質ダイヤモン
ド、AlＮ、AlGaＮ、ＢＮ及び四面体非晶質炭素の群から
選択された材料を有することを特徴とするプラズマ画像
スクリーンにより、この目的を達成する。
【００１０】これらの材料は、例えば、プラズマ画像ス
クリーンの製造中の高温に対して高い化学的抵抗力を有
し、MgＯに比べて吸湿性がない。これらの材料は、ダイ
ヤモンド状炭素よりも高い物理的抵抗力をも呈し、例え
ば、高エネルギーのプラズマ成分に対して耐スパッタリ
ング性がある。更に、これらの材料のいずれかから成る
保護層はあまり水素を含有せず、水素の発生によって放
電セル中の気相が変化することを防止する。
クリーンの製造中の高温に対して高い化学的抵抗力を有
し、MgＯに比べて吸湿性がない。これらの材料は、ダイ
ヤモンド状炭素よりも高い物理的抵抗力をも呈し、例え
ば、高エネルギーのプラズマ成分に対して耐スパッタリ
ング性がある。更に、これらの材料のいずれかから成る
保護層はあまり水素を含有せず、水素の発生によって放
電セル中の気相が変化することを防止する。
【００１１】更に、ガスは、７容量％よりも多くの相対
量のキセノンを含有するのが好ましい。結晶質ダイヤモ
ンド、AlＮ、AlGaＮ、ＢＮ又は四面体非晶質炭素の保護
層は、点弧温度を著しく増大させることなく、ガス中の
キセノン量を増大させることができる。ＵＶ光を発生さ
せるガス中のキセノンの割合が増大すると、ＵＶ放射の
発生、従って蛍光体の励起をより一層効率良くする。
量のキセノンを含有するのが好ましい。結晶質ダイヤモ
ンド、AlＮ、AlGaＮ、ＢＮ又は四面体非晶質炭素の保護
層は、点弧温度を著しく増大させることなく、ガス中の
キセノン量を増大させることができる。ＵＶ光を発生さ
せるガス中のキセノンの割合が増大すると、ＵＶ放射の
発生、従って蛍光体の励起をより一層効率良くする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明を、図面及び実施例を参照
にして以下に更に詳しく説明する。図１では、電極を共
面配置としたＡＣプラズマ画像スクリーンのプラズマセ
ルが、前面プレート１と担持プレート２とを有する。こ
の前面プレート１はガラスプレート３を有し、このガラ
スプレート３上には誘電体層４が、又、この誘電体層上
には保護層５がそれぞれ設けられている。この誘電体層
４は、例えば、PbＯを含有するガラスより成る。ガラス
プレート３上には、平行な細条状放電電極６及び７が設
けられ、これら放電電極は誘電体層４によって被覆され
ている。これら放電電極６及び７は、例えば、金属又は
ＩＴＯより成る。担持プレート２はガラスより成り、例
えばAgより成る平行な細条状アドレス電極10が放電電極
６及び７に対して直交して延在するように担持プレート
２上に設けられている。これらアドレス電極10のそれぞ
れは、３つの基本色である赤色、緑色及び青色のいずれ
かで発光する蛍光体層９によって被覆されている。個々
のプラズマセルは、誘電体材料より成るのが好ましい分
離リブを有するリブ状構造体12によって分離されてい
る。
にして以下に更に詳しく説明する。図１では、電極を共
面配置としたＡＣプラズマ画像スクリーンのプラズマセ
ルが、前面プレート１と担持プレート２とを有する。こ
の前面プレート１はガラスプレート３を有し、このガラ
スプレート３上には誘電体層４が、又、この誘電体層上
には保護層５がそれぞれ設けられている。この誘電体層
４は、例えば、PbＯを含有するガラスより成る。ガラス
プレート３上には、平行な細条状放電電極６及び７が設
けられ、これら放電電極は誘電体層４によって被覆され
ている。これら放電電極６及び７は、例えば、金属又は
ＩＴＯより成る。担持プレート２はガラスより成り、例
えばAgより成る平行な細条状アドレス電極10が放電電極
６及び７に対して直交して延在するように担持プレート
２上に設けられている。これらアドレス電極10のそれぞ
れは、３つの基本色である赤色、緑色及び青色のいずれ
かで発光する蛍光体層９によって被覆されている。個々
のプラズマセルは、誘電体材料より成るのが好ましい分
離リブを有するリブ状構造体12によって分離されてい
る。
【００１３】ガス、好ましくは、例えばHe、Ne又はKrを
有し、ＵＶ光発生成分としてXeを含有する希ガス混合体
が、プラズマセル内に、すなわち、陰極及び陽極として
交互になっている放電電極６及び７間に存在する。表面
放電が点弧され、これによって、プラズマ領域８内で放
電電極６及び７間に存在する放電通路に沿って電荷が流
れうるようになると、プラズマ領域８内にプラズマが形
成され、このプラズマにより、ガスの組成に応じて、Ｕ
Ｖ範囲、特にＶＵＶ範囲内の放射11を発生させる。この
放射11は蛍光体層９を燐光状態に励起し、従って、３つ
の基本色のいずれかで可視光13を放出し、この可視光が
前面プレート１を通って外部へ放出され、これにより、
ＡＣプラズマ画像スクリーン上に発光画素を形成する。
蛍光体層９で用いられる青色発光蛍光体は、例えばBaMg
Al10Ｏ17:Euとすることができ、緑色発光蛍光体は、例
えばZn2SiＯ4:Mnとすることができ、赤色発光蛍光体
は、例えば(Y,Gd)ＢＯ3 :Euとすることができる。
有し、ＵＶ光発生成分としてXeを含有する希ガス混合体
が、プラズマセル内に、すなわち、陰極及び陽極として
交互になっている放電電極６及び７間に存在する。表面
放電が点弧され、これによって、プラズマ領域８内で放
電電極６及び７間に存在する放電通路に沿って電荷が流
れうるようになると、プラズマ領域８内にプラズマが形
成され、このプラズマにより、ガスの組成に応じて、Ｕ
Ｖ範囲、特にＶＵＶ範囲内の放射11を発生させる。この
放射11は蛍光体層９を燐光状態に励起し、従って、３つ
の基本色のいずれかで可視光13を放出し、この可視光が
前面プレート１を通って外部へ放出され、これにより、
ＡＣプラズマ画像スクリーン上に発光画素を形成する。
蛍光体層９で用いられる青色発光蛍光体は、例えばBaMg
Al10Ｏ17:Euとすることができ、緑色発光蛍光体は、例
えばZn2SiＯ4:Mnとすることができ、赤色発光蛍光体
は、例えば(Y,Gd)ＢＯ3 :Euとすることができる。
【００１４】ＡＣプラズマ画像スクリーン内で透明な放
電電極６及び７を被覆している誘電体層４は、特に、導
電性材料の放電電極６及び７間での直接放電を防止す
る、従って、放電の点弧中アークが形成されるのを防止
する作用をする。
電電極６及び７を被覆している誘電体層４は、特に、導
電性材料の放電電極６及び７間での直接放電を防止す
る、従って、放電の点弧中アークが形成されるのを防止
する作用をする。
【００１５】保護層５を有する前面プレート１を製造す
るために、まず、放電電極６及び７を、所望のＡＣプラ
ズマ画像スクリーンの形式に対応する大きさを有するガ
ラスプレート３上に、蒸着処理と、これに続くパターン
化工程とで設ける。次に、誘電体層４を設け、これを乾
燥させる。
るために、まず、放電電極６及び７を、所望のＡＣプラ
ズマ画像スクリーンの形式に対応する大きさを有するガ
ラスプレート３上に、蒸着処理と、これに続くパターン
化工程とで設ける。次に、誘電体層４を設け、これを乾
燥させる。
【００１６】保護層５の製造は、材料に応じて、それ自
体既知である様々な方法によって行なうことができる。
結晶質ダイヤモンドを有する保護層５はＣＶＤ法によっ
て製造することができる。この目的のために、通常、炭
素及び水素と、場合によって、酸素、希ガス又はハロゲ
ンとを含有する混合ガスを反応性ラジカルと分子部分と
に分割し、これらから、ダイヤモンド薄膜を高温の基板
上に堆積させる。混合ガスの励起は、例えば、プラズ
マ、熱線、アーク放電、又は化学的炎、例えばアセチレ
ン−酸素炎によって達成しうる。
体既知である様々な方法によって行なうことができる。
結晶質ダイヤモンドを有する保護層５はＣＶＤ法によっ
て製造することができる。この目的のために、通常、炭
素及び水素と、場合によって、酸素、希ガス又はハロゲ
ンとを含有する混合ガスを反応性ラジカルと分子部分と
に分割し、これらから、ダイヤモンド薄膜を高温の基板
上に堆積させる。混合ガスの励起は、例えば、プラズ
マ、熱線、アーク放電、又は化学的炎、例えばアセチレ
ン−酸素炎によって達成しうる。
【００１７】AlＮを含有する保護層５は、窒素を含有す
る雰囲気中でAlのターゲットに関して反応性スパッタリ
ングすることによって設けることができる。AlＮ又はAl
GaＮを含有する保護層５は、ＭＯ（金属有機）ＣＶＤ又
はプラズマＣＶＤによって製造することができる。適切
な金属有機化合物は、この場合、窒素源の存在中で熱的
に、あるいは、プラズマによって励起されると共に変換
される。
る雰囲気中でAlのターゲットに関して反応性スパッタリ
ングすることによって設けることができる。AlＮ又はAl
GaＮを含有する保護層５は、ＭＯ（金属有機）ＣＶＤ又
はプラズマＣＶＤによって製造することができる。適切
な金属有機化合物は、この場合、窒素源の存在中で熱的
に、あるいは、プラズマによって励起されると共に変換
される。
【００１８】同様に、ＢＮを含有する保護層５はＣＶＤ
又は反応性スパッタリングによって製造することができ
る。この場合、適切な有機ホウ素化合物を用いる。更
に、ＢＮ含有層は、イオンビームに基づく堆積技術によ
って製造することができる。ＢＮは、立方又は六角結晶
格子を有することができる。四面体非晶質炭素（t-a:
Ｃ）を含有する保護層５は、例えば、濾波されたアーク
放電内で黒鉛から、あるいは又、ＣＶＤ技術によって製
造することができる。
又は反応性スパッタリングによって製造することができ
る。この場合、適切な有機ホウ素化合物を用いる。更
に、ＢＮ含有層は、イオンビームに基づく堆積技術によ
って製造することができる。ＢＮは、立方又は六角結晶
格子を有することができる。四面体非晶質炭素（t-a:
Ｃ）を含有する保護層５は、例えば、濾波されたアーク
放電内で黒鉛から、あるいは又、ＣＶＤ技術によって製
造することができる。
【００１９】保護層５の層厚は２ｎｍ〜10μｍの範囲に
あるのが好ましい。特に、この層厚は５ｎｍ〜１μｍの
範囲にあるのが極めて好ましい。
あるのが好ましい。特に、この層厚は５ｎｍ〜１μｍの
範囲にあるのが極めて好ましい。
【００２０】前面プレート１全体に後処理を100〜600℃
で２時間行ない、この前面プレートを、リブ状構造体12
と、導電性アドレス電極10と、蛍光体層９とを有するガ
ラスの担持プレート２と一緒にＡＣプラズマ画像スクリ
ーンの組立てに用いる。ガスは、Ne/Xe、He/Xe又はNe/H
e/Xeのような希ガス混合体を含有するのが好ましく、ガ
ス内のキセノン量の割合は少なくとも７容量％とするの
が好ましい。あるいは又、ガスは純粋なキセノンとする
ことができる。ＵＶ光を発生するキセノンの割合が高く
なればなる程、ＵＶ放射発生の効率、従って、蛍光体の
励起の効率がより一層高くなる。
で２時間行ない、この前面プレートを、リブ状構造体12
と、導電性アドレス電極10と、蛍光体層９とを有するガ
ラスの担持プレート２と一緒にＡＣプラズマ画像スクリ
ーンの組立てに用いる。ガスは、Ne/Xe、He/Xe又はNe/H
e/Xeのような希ガス混合体を含有するのが好ましく、ガ
ス内のキセノン量の割合は少なくとも７容量％とするの
が好ましい。あるいは又、ガスは純粋なキセノンとする
ことができる。ＵＶ光を発生するキセノンの割合が高く
なればなる程、ＵＶ放射発生の効率、従って、蛍光体の
励起の効率がより一層高くなる。
【００２１】電子親和力の低い材料を含有する保護層５
はプラズマの起動及び動作電圧を減少させる。これによ
って、プラズマの起動電圧がキセノン含有量の増加と共
に増大するという影響を部分的に補償することができ、
ＡＣプラズマ画像スクリーンに廉価な電子駆動ユニット
を用いることができる。従って、このＡＣプラズマ画像
スクリーンは、より抵抗力のある保護層５を有するだけ
でなく、輝度をも増大させる。いかにして本発明を実際
に実現できるかを示す本発明の具体例を以下に詳しく説
明する。
はプラズマの起動及び動作電圧を減少させる。これによ
って、プラズマの起動電圧がキセノン含有量の増加と共
に増大するという影響を部分的に補償することができ、
ＡＣプラズマ画像スクリーンに廉価な電子駆動ユニット
を用いることができる。従って、このＡＣプラズマ画像
スクリーンは、より抵抗力のある保護層５を有するだけ
でなく、輝度をも増大させる。いかにして本発明を実際
に実現できるかを示す本発明の具体例を以下に詳しく説
明する。
【００２２】具体例１ ガラスプレート３と、誘電体層４と、２つの放電電極６
及び７とを有する前面プレート１の誘電体層４上にマイ
クロ波プラズマＣＶＤによってダイヤモンド薄膜を保護
層５として設けた。誘電体層４はPbＯを含有し、２つの
放電電極６及び７はＩＴＯをもって構成した。結晶質ダ
イヤモンドの保護層５の層厚は0.5μｍとした。
及び７とを有する前面プレート１の誘電体層４上にマイ
クロ波プラズマＣＶＤによってダイヤモンド薄膜を保護
層５として設けた。誘電体層４はPbＯを含有し、２つの
放電電極６及び７はＩＴＯをもって構成した。結晶質ダ
イヤモンドの保護層５の層厚は0.5μｍとした。
【００２３】前面プレート１全体に後処理を200〜400℃
で２時間行ない、次に、この前面プレートを、リブ状構
造体12と、Agのアドレス電極10と、蛍光体層９とを有す
るガラスの担持プレート２、並びに７容量％のXe及び93
容量％のNeの組成を有する混合ガスと一緒にＡＣプラズ
マ画像スクリーンの組立てに用いた。このＡＣプラズマ
画像スクリーンの輝度が増大された。
で２時間行ない、次に、この前面プレートを、リブ状構
造体12と、Agのアドレス電極10と、蛍光体層９とを有す
るガラスの担持プレート２、並びに７容量％のXe及び93
容量％のNeの組成を有する混合ガスと一緒にＡＣプラズ
マ画像スクリーンの組立てに用いた。このＡＣプラズマ
画像スクリーンの輝度が増大された。
【００２４】具体例２ ガラスプレート３と、誘電体層４と、２つの放電電極６
及び７とを有する前面プレート１の誘電体層４上に、純
粋な窒素のプラズマと、トリメチルアルミニウムとを用
いたマイクロ波プラズマＣＶＤによってAlＮから成る層
を保護層５として設けた。誘電体層４はPbＯを含有し、
２つの放電電極６及び７はＩＴＯをもって構成した。保
護層５の層厚は0.3μｍとした。
及び７とを有する前面プレート１の誘電体層４上に、純
粋な窒素のプラズマと、トリメチルアルミニウムとを用
いたマイクロ波プラズマＣＶＤによってAlＮから成る層
を保護層５として設けた。誘電体層４はPbＯを含有し、
２つの放電電極６及び７はＩＴＯをもって構成した。保
護層５の層厚は0.3μｍとした。
【００２５】前面プレート１全体に後処理を200〜400℃
で２時間行ない、次に、この前面プレートを、リブ状構
造体12と、Agのアドレス電極10と、蛍光体層９とを有す
るガラスの担持プレート２、並びに20容量％のXeと、80
容量％のNeとの組成を有する混合ガスと一緒にＡＣプラ
ズマ画像スクリーンの組立てに用いた。このＡＣプラズ
マ画像スクリーンの輝度が増大された。
で２時間行ない、次に、この前面プレートを、リブ状構
造体12と、Agのアドレス電極10と、蛍光体層９とを有す
るガラスの担持プレート２、並びに20容量％のXeと、80
容量％のNeとの組成を有する混合ガスと一緒にＡＣプラ
ズマ画像スクリーンの組立てに用いた。このＡＣプラズ
マ画像スクリーンの輝度が増大された。
【図１】 ＡＣプラズマ画像スクリーン内の１つのプラ
ズマセルの構造と動作原理とを示す。
ズマセルの構造と動作原理とを示す。
１ 前面プレート ２ 担持プレート ３ ガラスプレート ４ 誘電体層 ５ 保護層 ６，７ 放電電極 ８ プラズマ領域 ９ 蛍光体層 10 アドレス電極 11 放射 12 リブ状構造体 13 可視光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 フォルカー ファン エルスバーゲン ドイツ国 52070 アーヘン オットーシ ュトラーセ 89 (72)発明者 マルクス クライン ドイツ国 79114 フライブルク ディー テンバハンシュトラーセ 37ツェー (72)発明者 ロブ スネイケルス オランダ国 6736 ハーベー ラントフラ ーフ アポロラーン８ Ｆターム(参考） 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GE08 GJ02 GJ08
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体層及び保護層が設けられているガ
ラスプレートを有する前面プレートと、蛍光体層が設け
られている担持プレートと、前記前面プレートと前記担
持プレートとの間の空間を、ガスが充填されているプラ
ズマセルに細分しているリブ状構造体と、前記前面プレ
ート及び前記担持プレート上に設けられ、前記プラズマ
セル内でコロナ放電を発生させる１個又は複数個の電極
アレイとが設けられているプラズマ画像スクリーンにお
いて、前記保護層が結晶質ダイヤモンド、AlＮ、AlGa
Ｎ、ＢＮ及び四面体非晶質炭素の群から選択された材料
を有することを特徴とするプラズマ画像スクリーン。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマ画像スクリー
ンにおいて、前記ガスが７容量％よりも多くの相対量の
キセノンを含有することを特徴とするプラズマ画像スク
リーン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10023341.4 | 2000-05-12 | ||
| DE10023341A DE10023341A1 (de) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | Plasmabildschirm mit Schutzschicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002063851A true JP2002063851A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=7641829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001141082A Pending JP2002063851A (ja) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | プラズマ画像スクリーン |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6525471B2 (ja) |
| EP (1) | EP1154456A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002063851A (ja) |
| KR (1) | KR20010104232A (ja) |
| CN (1) | CN1324092A (ja) |
| DE (1) | DE10023341A1 (ja) |
| TW (1) | TW554369B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124000A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Ritsumeikan | 深紫外発光素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4698077B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2011-06-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR100515678B1 (ko) * | 2002-10-10 | 2005-09-23 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널과 그 보호막 |
| JP2004200040A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| KR100467437B1 (ko) * | 2003-03-04 | 2005-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| EP1492127A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-29 | Agfa-Gevaert | A binderless storage phosphor screen comprising a support including an amorphous (a-C) carbon layer |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4603082A (en) * | 1985-04-29 | 1986-07-29 | Rca Corporation | Diamond-like film |
| JP3442876B2 (ja) * | 1994-08-31 | 2003-09-02 | パイオニア株式会社 | 交流型プラズマディスプレイ装置 |
| US5705886A (en) * | 1994-12-21 | 1998-01-06 | Philips Electronics North America Corp. | Cathode for plasma addressed liquid crystal display |
| US5982095A (en) * | 1995-09-19 | 1999-11-09 | Lucent Technologies Inc. | Plasma displays having electrodes of low-electron affinity materials |
| JP3339554B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2002-10-28 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP3073451B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2000-08-07 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| DE69806329T2 (de) * | 1997-05-09 | 2003-02-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Anzeigevorrichtung |
| JPH1154048A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JPH11154048A (ja) | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Snk:Kk | ゲームシステム |
| DE19944202A1 (de) * | 1999-09-15 | 2001-03-22 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit UV-Licht reflektierender Frontplattenbeschichtung |
-
2000
- 2000-05-12 DE DE10023341A patent/DE10023341A1/de active Pending
-
2001
- 2001-05-09 EP EP01000140A patent/EP1154456A3/de not_active Withdrawn
- 2001-05-09 KR KR1020010025114A patent/KR20010104232A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-05-09 CN CN01116942A patent/CN1324092A/zh active Pending
- 2001-05-10 US US09/853,099 patent/US6525471B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-11 JP JP2001141082A patent/JP2002063851A/ja active Pending
- 2001-06-14 TW TW090114411A patent/TW554369B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124000A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Ritsumeikan | 深紫外発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1154456A3 (de) | 2004-07-14 |
| US6525471B2 (en) | 2003-02-25 |
| DE10023341A1 (de) | 2001-11-29 |
| CN1324092A (zh) | 2001-11-28 |
| EP1154456A2 (de) | 2001-11-14 |
| KR20010104232A (ko) | 2001-11-24 |
| US20020003407A1 (en) | 2002-01-10 |
| TW554369B (en) | 2003-09-21 |
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