KR100707091B1 - 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막, 그제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents
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- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 78
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 78
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 title claims abstract description 77
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J11/20—Constructional details
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
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Abstract
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막, 그 제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 상부에 형성되는 산화마그네슘 보호막에 있어서, 상기 산화마그네슘 보호막은 색중심(F-Center)을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화마그네슘 보호막, 그 제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
이러한 특징으로 인하여, 본 발명은 산화마그네슘 결정의 에너지 준위를 변화시켜, 전도대(Conduction Band)로 여기되는데 필요한 에너지를 감소시킴으로써, 산화마그네슘 보호막의 이차전자 방출계수를 증가시키게 된다. 이는 이차전자 방출량의 증가로 이어져 방전개시전압 및 방전유지전압을 낮출 수 있으므로, 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 감소시킬 수 있으며, 나아가 저전력 소모가 필수적인 휴대용 디스플레이 기기로서 사용될 수 있다. 뿐만 아니라, 이를 통하여 휘도의 증가와 효율의 개선을 기대할 수 있다.
색중심, 산화마그네슘, 보호막
Description
도 1은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 분해사시도,
도 2는 산화마그네슘 결정에서 색중심의 밴드 갭(Band Gap)을 나타내는 그래프,
도 3은 본 발명에 따른 산화마그네슘 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예를 나타내는 단면도,
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 산화마그네슘 보호막 제조방법의 일실시예를 단면도로 나타내는 순서도이다.
***도면의 주요 부호의 설명***
21 : 상부기판 22 : 방전유지전극
23 : 유전체층 24 : 산화마그네슘 보호층
25 : 색중심 26 : 격벽
27 : 형광체층 28 : 방전공간
29 : 유전체층 30 : 어드레스 전극
31 : 하부기판
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막, 그 제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 산화마그네슘 보호막의 이차전자 방출계수 특성을 개선시킴으로써, 낮은 전압에서 플라즈마 방전이 가능하도록 하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 및 효율 등의 성능을 향상시키는 산화마그네슘 보호막, 그 제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하기 위한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 가스방전이라는 물리적 현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서 작게는 단일 디지트에서 크게는 2백만 화소를 갖는 대각선 1m 크기의 그래픽용 디스플레이에 이르기까지 광범위한 크기 범위를 갖는 표시 소자이며, 상업적 제품으로 성공을 거두고 있는 디스플레이 중의 하나이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 매우 강한 방전의 비선형성을 갖고 있어서, 점화전압 이하에서는 방전하지 않으므로 라인 수에 대한 제한이 없어 대형 제작이 가 능하고 구동회로수를 줄이기 위한 다중화 기술을 이용할 수 있다. 또한 통상의 음극선관에 비하여 장수명이며 휘도와 휘도 효율이 높고 구조가 간단하며 제작이 용이한 점 등의 여러가지 장점을 갖고 있다. 이러한 장점으로 플라즈마 디스플레이 패널은 정보사회의 급신장에 따라 그 수요가 급증하고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀에 인가하는 구동전압의 형식에 따라 교류형과 직류형으로 분류되고, 표시형식에 따라서는 패널 자신이 표시정보를 기억하는 메모리형과 패널 외부에 표시정보를 갖는 리프레쉬형이 있다.
교류형과 직류형에 관하여 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다. 직류형은 플라즈마 디스플레이 패널 내의 기판 상부에 형성되는 각 전극들이 방전셀 내로 주입되는 가스층에 직접적으로 노출되어서 전극에 인가되는 전압이 그대로 방전가스층에 인가되도록 형성된 것이고, 교류형은 각 전극들이 유전체층 및 보호층에 의하여 방전층과 분리되어서 방전 현상시 발생되는 하전입자들을 상기 전극들이 흡수하지 않고 벽전하를 형성하게 되며 이 벽전하를 이용하여 다음 방전을 일으키도록 형성된 것이다.
도 1은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 분해 사시도이다. 도 1을 참조하면, 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널은 하부기판(111), 상기 하부기판 위에 형성된 다수의 어드레스 전극(115), 상기 어드레스 전극이 형성된 하부기판 위에 형성된 유전체층(113), 상기 유전체층 상부에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 크로스 토크(Cross Talk)를 방지하는 다수의 격벽(112)과 격벽 표면과 유전체층에 걸쳐 형성된 형광체층(116)을 포함한다. 다수의 방전유지전극(119)은 하부기판 상에 형성된 다수의 어드레스 전극과 소정의 간격으로 이격되어 직교하도록 상부기판(117) 하부에 형성된다. 그리고 유전체층(118) 및 보호층(114)이 순차적으로 방전유지전극을 덮고 있다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 화상을 구현할 때에는 전극에 방전개시전압을 인가하게 되며 보호막 위에서 플라즈마 방전이 일어난다. 이 때, 인가되는 전압의 크기는 전면과 후면기판 사이에 형성되는 방전공간의 간격, 방전공간내에 유입한 방전가스의 종류와 압력, 유전체와 보호막의 성질에 따라 결정된다. 플라즈마 방전시 방전공간 내의 양이온들과 전자들은 서로 반대의 극성(Polarization)을 가지고 이동하며 결국,보호막의 표면은 서로 반대되는 두 개의 다른 극성을 가진 부분으로 나누어 진다. 이와 같은 벽전하들은 보호막이 근본적으로 저항이 높은 절연체이므로 보호막 표면에 남아 있으며 이러한 벽전하의 영향으로 방전개시전압보다 낮은 전압에서 방전이 유지되는 현상, 즉 교류형 플라즈마 디스플레이 패널 고유의 메모리 기능을 갖게 된다. 즉, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널은 방전개시전압과 유지전압의 사이에서 구동되기 때문에 메모리 마진이 클수록 보다 안정한 상태의 구동이 가능하다. 따라서, 유전체와 보호막은 방전개시전압과 유지전압 양자에 있어서 매우 중요한 역할을 수행한다.
따라서, 보호막으로 사용되는 물질은 스퍼터링 비율(Sputtering Rate)이 작고, 이차전자 방출 계수가 크며, 투과율이 높아야 한다. 현재, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 재료로 사용중인 물질은 산화마그네슘이다. 산화마그네 슘 보호막은 전극으로부터 전압의 인가에 의하여 가스가 해리되어 플라즈마를 형성할 때, 플라즈마내 이온의 보호막 입사에 의하여 보호막 표면으로부터 이차전자가 방출됨으로써 보다 낮은 전압에서 가스방전이 일어날 수 있도록 도와줄 뿐만 아니라 투과율이 높아 가시광선이 잘 투과된다. 따라서, 보호막으로서 산화마그네슘이 주로 사용되고 있으나 현재 사용중인 산화마그네슘 보호막은 위에서 설명한 방전전압을 효과적으로 낮추어 주고 있지 못한 실정인데 이는 산화마그네슘은 상온에서 쉽게 화학반응이 일어나고, 또한 비정질인 유전체 위에 형성되기 때문에 결정성을 갖고 성장하기 어렵기 때문이다.
이러한 이유로 방전전압을 보다 낮추어 방전전력을 감소시키고 나아가 효율특성을 획기적으로 향상시키기 위해서는 이차전자 방출계수가 매우 높은 보호막재료의 개발이 절실하다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서,
종래의 산화마그네슘 보호막의 이차전자 방출계수 특성을 개선시킴으로써, 낮은 전압에서 플라즈마 방전이 가능하도록 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 및 효율 등의 성능을 향상시키는 것이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 상부에 형성되는 산화마그네슘 보호막에 있어서, 상기 산화마그네슘 보호막은 색중심(F-Center)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막을 제공한다.
또한, 본 발명은 하부기판, 상기 하부기판 위에 형성된 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극 위에 형성된 유전체층, 방전셀을 구분하도록 상기 유전체층 상부에 형성된 격벽, 상기 격벽과 유전체층의 표면에 형성된 형광체층, 상기 하부기판과 대향 배치되는 상부기판, 상부기판 내측에 형성된 방전유지전극, 상기 방전유지전극 하부에 형성된 유전체층 및 보호막을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 보호막은 색중심(F-Center)을 포함하는 산화마그네슘 보호막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
또한, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층을 보호하는 산화마그네슘 보호막 제조방법에 있어서, 상기 유전체층 상부에 산화마그네슘을 증착시켜 산화마그네슘 보호막을 형성하는 단계 및 상기 산화마그네슘 보호막에 색중심을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 산화마그네슘 보호막 제조방법을 제공한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 기술적 특징을 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명은 실시예에 의하여 보다 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허청구범위에 의하여 정해지는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 유전체층의 상부에 피복되는 산화마그네슘 보호막에 있어서, 상기 산화마그네슘 보호막이 색중심을 포함하는 것을 특징으로 한다.
교류형 플라즈마 디스플레이 패널에서의 산화마그네슘 보호막은 오제 메카니즘(Auger Mechanism)에 의하여 이차전자를 방출을 하고, 방출된 이차전자에 의하여 방전개시전압보다 낮은 전압에서 플라스마 방전이 유지되도록 한다. 오제 메카니즘이란 가장 안쪽 전자껍질인 K 전자껍질에 빈자리를 갖는 원자가 1개의 X선 광자를 방출하는 대신 1개 이상의 전자를 방출함으로써 스스로를 보다 안정한 상태로 재조절하는 자발적인 과정을 말한다. 모든 원자에는 핵과 그것을 중심으로 한 구형의 전자껍질이 있다. 만약 원자 내부의 한 전자껍질에 있던 전자가 다른 전자와의 충돌이나, 핵에 의한 흡수, 또는 다른 이유로 인해 없어지면 다른 전자껍질에 있던 전자가 이 빈자리로 뛰어들어온다. 이때 에너지를 방출하는데 그것은 즉시 X선이 되거나 오제 효과를 통해 소멸된다. 오제 효과에서는 여분의 에너지가 전자껍질 중의 하나로부터 1개의 전자를 밀어내므로 결과적으로 원자로부터 2개의 전자가 없어지게 된다. 이 과정은 새로운 빈자리가 채워지면서 반복될 수도 있거나 X선이 방출될 수도 있다. 오제 전자가 방출될 확률을 그 전자껍질의 오제 발생률(Auger yield)이라고 한다. 오제 발생률은 원자번호(원자핵의 양자수)에 비례해서 감소한다. 이러한 점을 고려하였을 때, 마그네슘은 원자번호가 12이므로 다른 금속에 비하여 오제 발생률이 높아 이차전자 방출에 효과적인 금속이다.
본 발명의 특징은 이러한 오제 발생률을 높이기 위하여 산화마그네슘 보호막의 표면에 색중심을 형성하는 것이다.
색중심이란, 전자를 지닌 점모양의 격자결함 또는 그 집합체로서, 음이온의 공간격자점에 전자가 포획된 것을 말한다. 색중심이라고 불리는 이유는, 무색·투명한 결정이 공간격자점에 포획된 전자의 광변이에 의해 색깔을 띠게 되기 때문이다. 전형적인 예는 할로겐화알칼리의 색중심으로, 할로겐화알칼리의 단결정을 알칼리금속의 증기 속에서 고온으로 유지하면 색중심이 만들어져 착색된다.
도 2는 산화마그네슘 결정내의 에너지 레벨을 나타낸다. 산화마그네슘 보호막으로부터 이차전자가 방출되기 위해서는 가전자대(Valence Band)에서 전도대(Conduction Band)로 여기되어야 하며, 그 갭만큼의 에너지가 필요한데, 도시된 바와 같이, 색중심(F-center, F+-center)은 높은 에너지 레벨을 갖기 때문에, 원자가띠에서 전도대로 여기될 때보다 적은 에너지로 전도대로 여기될 수 있다. 따라서, 산화마그네슘 밴드 갭 내에 형성된 색중심은 이차전자 방출을 용이하게 한다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예의 단면도로서, 하부기판(31), 상기 하부기판 위에 형성된 어드레스 전극(30), 상기 어드레스 전극 위에 형성된 유전체층(29), 상기 유전체층 상부에 형성된 격벽(26), 격벽표면에 형성된 형광체층(27), 상부기판(21), 어드레스 전극과 소정의 간격으로 이격되어 직교하도록 상부기판 내측에 형성된 방전유지전극(22), 유전체층(23) 및 보호막(24)을 포함하여 구성되며, 보호막으로서 색중심(25)이 표면에 형성되어 이차전자 방출계수가 높은 본 발명의 산화마그네슘 보호막을 사용한다. 기판과 격벽으로 형성된 방전공간(28)에는 가스가 밀봉되어 있으며, 이 밀봉가스에는 네온(Ne)이나 크세논(Xe) 등의 불활성 가스의 혼합가스가 사용된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에는 소다라임(Soda-Lime)계 유리기판이 널리 사용된다. 그 조성물은 70 중량%의 SiO2, 15 중량%의 Na2O, 10 중량%의 CaO, 소량의 Al2O3, K2O, MgO 로 이루어진다.
상기 방전유지전극(22)은 방전유지를 위한 것으로서, 쌍으로 구성된다. 상기 유지전극은 방출된 빛이 지나가는 경로에 위치하므로 투과도를 고려하여 ITO (Indium Tin Oxide)로 형성되는 것이 바람직하다. 박막형성방법, 디핑방법(Dipping Method), 스크린 인쇄법 등으로 산화인듐 이나 산화주석을 증착시켜 형성할 수 있다.
상기 방전유지전극의 가장자리에는 ITO의 높은 저항을 보상하기 위하여, 은(Ag) 등의 도전성 박막으로 이루어진 버스전극(미도시)을 형성하는 것이 좋다. 버 스전극은 포토 리소그래피법(Photo Lithography)에 의하여 또는 금속 페이스트를 인쇄하여 형성된다.
상기 어드레스 전극(30)은 하부기판 위에 금속 물질을 박막증착함으로써 형성된다.
상기 유전체층의 형성에는 스크린(Screen) 인쇄 방법이 사용될 수 있다. 스크린 인쇄 방법은 유전체 페이스트(Paste)를 도포하고 건조 및 소성 공정을 실시하여 형성하는 것으로, 생산 설비가 간단하고, 재료 이용 효율이 높다.
전술하였듯이, 면방식 교류형 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키려면, 일정한 유지전압으로 유지되고 있는 상판의 유지 전극 유전체 벽면에 형성된 벽전위 상태를 하판의 어드레스 전극으로 인해서 가해지는 펄스 전압에 의해 방전을 일으키고 소거시키게 된다. 이때, 상부기판의 유지 전극을 덮고 있는 유전체막은 유전율이 클수록 유전 용량이 높아지기 때문에 높은 벽전하를 형성하게 되어 플라즈마 방전시 유지전압 및 구동전압을 낮출 수 있다. 그러나, 하부기판의 어드레스 전극의 경우는 화상신호를 플라즈마 패널내의 각 셀에 전달하는 역할을 하기 때문에 가능한 벽전하 형성이 낮은 저유전율의 유전체막을 사용하는 것이 유리하다. 그 이유는 패널내 각 셀의 방전을 신속하게 발광시키고 소거시켜야만 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 구현에 유리하기 때문이다. 유전체 물질로는 금속화합물 또는 금속화합물 등이 도핑된 유리 등이 사용된다.
상기 격벽의 재료로는 글래스 페이스트가 사용된다. 또한, 상기 격벽 재료의 적층은 스크린 프린팅법을 이용하여 프린팅과 건조를 교대로 반복하여 수행하는데 스크린 마스크 방법이 사용된다.
상기 상부기판산화마그네슘 보호막은 단결정 또는 다결정 산화마그네슘으로 이루어지며, 소량의 금속, 금속 산화물 및 실리콘 등을 포함할 수 있다. 본 실시예의 산화마그네슘 보호막은 색중심이 표면에 형성되어 이차전자 방출계수가 높으므로, 낮은 전압에서 플라즈마 방전이 가능하도록 하며, 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 및 효율 등의 성능을 향상시킨다.
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 산화마그네슘 보호막 제조방법의 일실시예를 단면도로 나타내는 순서도로서, 전극(22)을 감싸도록 기판(21) 상부에 형성된 유전체층(23) 상부에 산화마그네슘을 증착시켜 산화마그네슘 보호막(24)을 형성하는 단계(도 4a) 및 상기 증착된 산화마그네슘 보호막에 색중심(25)을 형성하는 단계(도 4 b)를 포함하여 이루어다.
상기 산화마그네슘 보호막은 전자빔 진공증착법(E-Beam Vacuum Evaporation Method)에 의하여 유전체층의 상부에 산화마그네슘을 진공증착하여 형성할 수 있다. 증착 조건으로서, 기판의 온도는 200℃, 진공도는 2x10-6torr, 증발 속도는 10 내지 20nm/min 으로 유지하는 것이 적당하다. STM(Scanning Tunneling Microscope)에 의하면, 동일한 진공증착법에 의하여 형성된 박막이라도 기판의 온도가 낮으면 오염도가 높게 되고 기판의 온도가 높을수록 산화마그네슘의 확산율이 증가하여 서로 잘 결합하기 때문에 증착된 산화마그네슘 덩어리가 크다는 것이 관찰된다. 상기 산화마그네슘 보호막은 스퍼터링(Sputtering) 방법이 사용될 수도 있다. 스퍼터링 방법을 이용하여 산화마그네슘 보호막을 형성할 경우 기판을 수직으로 세워 증착할 수 있기 때문에 대면적 증착이 가능하다.
상기 산화마그네슘 보호막의 증착은 3x10-5torr 내지 1.3x10-4torr 정도의 산소 분위기에서 증착시키는 것이 바람직하다. 이러한 과도한 산소 분위기에서 증착을 하는 것은 다음에서 설명할 색중심의 형성에 유리하다.
본 실시예에서는 전자빔 진공증착법을 사용하였으나, 후막인쇄법을 사용하여 산화마그네슘 보호막을 형성하는 것도 가능하다.
본 발명인 산화 마그네슘 보호막 제조방법에 있어서, 산화마그네슘 보호막에 색중심을 형성하는 방법의 일실시예는 상기 산화마그네슘 보호막에 이온을 주입한 후, 전자빔을 조사하는 것을 특징으로 한다.
먼저, 이온 주입은 전기장을 이용하여 주입하고자 하는 이온들을 높은 운동에너지를 갖도록 가속시켜 산화마그네슘 보호막의 표면에 충돌시킴으로써 이온들이 목표 재료의 표면에 주입되도록 한다. 주입되는 이온들은 수십~수백keV의 에너지 를 가지고 산화마그네슘 보호막의 표면에 충돌되며, 충돌된 이온들은 표면으로 부터 수~수백nm의 깊이까지 침투된다. 주입된 이온들은 격자원자와 부딪혀서 반도(recoil) 과정에 의해 격자결함을 목표 재료 내부에 형성시킨다. 이온 주입은 산화마그네슘 보호막의 특성에 거의 영향을 주지 않으면서 표면에 효과적으로 격자결함을 형성할 수 있으며, 이온 가속 전압과 주입되는 물질의 양을 조절하여 결함 밀도 및 깊이를 제어할 수 있다. 또, 이온 주입은 열역학적으로 비평형 공정이기 때문에 용해도, 확산 등의 열역학적 제한을 받지 않아, 새로운 물성을 갖는 표면층을 형성할 수 있다.
구체적인 방법으로는 플라즈마를 이용할 수 있는데, 진공 챔버 내에 있는 이온 소스에서 플라즈마에 의하여 이온화한 다음, 원하는 이온만을 가속하여 이온빔을 목표 재료에 주사하는 것이다.
상기 이온을 주입하는 단계에서 주입되는 이온으로는 실리콘, 질소, 황 및 인 중에서 하나 이상이 선택된 이온이 사용될 수 있다.
상기 이온 주입 단계를 거쳐 격자결함이 형성되면 전자빔을 수 초에서 수 분 동안 산화마그네슘 보호막의 표면에 입사한다. 이 과정에서 격자결함에 전자가 포획되어 색중심이 형성된다.
상기 산화마그네슘 보호막에 색중심을 형성하는 다른 실시예로서, 자외선을 조사하는 방법, X-선을 조사하는 방법, 전자빔을 조사하는 방법이 사용될 수 있으 며, 전술한 자외선, 방사선 및 전자빔을 함께 조사하는 방법이 사용될 수도 있다.
상기의 방법으로 제조된 산화마그네슘 보호막은 이차전자 방출계수가 획기적으로 향상됨으로써, 방전전압의 감소에 기여한다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층을 보호하는 산화마그네슘 보호막에 있어서, 산화마그네슘 보호막의 표면에 이온을 주입시키거나 자외선, X-선, 전자빔 등을 조사함으로써 형성된 색중심을 포함한다.
상기 산화마그네슘 보호막에 포함된 색중심은 산화마그네슘 결정의 에너지 준위를 변화시켜, 전도대로 여기되는데 필요한 에너지를 감소시킴으로써, 이차전자 방출계수를 증가시킨다.
따라서, 산화마그네슘 보호막으로부터 방출되는 이차전자 수의 증가를 통하여 방전개시전압 및 방전유지전압을 낮출 수 있으므로, 플라즈마 디스플레이 패널의 전력 소모를 감소시킬 수 있으며, 나아가 저전력 소모가 필수적인 휴대용 디스플레이 기기로서 사용될 수 있다. 뿐만 아니라, 이를 통하여 휘도의 증가와 효율의 개선을 기대할 수 있다.
Claims (7)
- 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 상부에 형성되는 산화마그네슘 보호막에 있어서,상기 산화마그네슘 보호막은 색중심(F-Center)을 포함하고,상기 색중심은 실리콘, 질소, 황 및 인 중에서 하나 이상이 선택된 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막.
- 하부기판, 상기 하부기판 위에 형성된 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극 위에 형성된 유전체층, 방전셀을 구분하도록 상기 유전체층 상부에 형성된 격벽, 상기 격벽과 유전체층의 표면에 형성된 형광체층, 상기 하부기판과 대향 배치되는 상부기판, 상부기판 내측에 형성된 방전유지전극, 상기 방전유지전극 하부에 형성된 유전체층 및 보호막을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,상기 보호막은 색중심(F-Center)을 포함하는 산화마그네슘 보호막이고,상기 색중심은 실리콘, 질소, 황 및 인 중에서 하나 이상이 선택된 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층을 보호하는 산화마그네슘 보호막 제조방법에 있어서,상기 유전체층 상부에 산화마그네슘을 증착시켜 산화마그네슘 보호막을 형성하는 단계; 및상기 산화마그네슘 보호막에 실리콘, 질소, 황 및 인 중에서 하나 이상이 선택된 이온을 주입하여 색중심을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 색중심을 형성하는 단계는 상기 산화마그네슘 보호막에 이온을 주입한 후, 전자빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 색중심을 형성하는 단계는 상기 산화마그네슘 보호막에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 색중심을 형성하는 단계는 상기 산화마그네슘 보호막에 X-선을 조사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 색중심을 형성하는 단계는 상기 산화마그네슘 보호막에 전자빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050073549A KR100707091B1 (ko) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막, 그제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US11/501,707 US20070035248A1 (en) | 2005-08-11 | 2006-08-10 | Plasma display panel |
| EP06291302A EP1764818A1 (en) | 2005-08-11 | 2006-08-11 | Plasma display panel |
| JP2006219146A JP2007048752A (ja) | 2005-08-11 | 2006-08-11 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050073549A KR100707091B1 (ko) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막, 그제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070019081A KR20070019081A (ko) | 2007-02-15 |
| KR100707091B1 true KR100707091B1 (ko) | 2007-04-13 |
Family
ID=37671028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050073549A Expired - Fee Related KR100707091B1 (ko) | 2005-08-11 | 2005-08-11 | 플라즈마 디스플레이 패널용 산화마그네슘 보호막, 그제조방법 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070035248A1 (ko) |
| EP (1) | EP1764818A1 (ko) |
| JP (1) | JP2007048752A (ko) |
| KR (1) | KR100707091B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218025A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3623406B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2005-02-23 | 松下電器産業株式会社 | ガス放電パネルとその製造方法 |
| JP2003151445A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネルおよびその駆動方法 |
| JP4151289B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | ガス放電パネルおよびその製造方法 |
| US7102287B2 (en) * | 2002-11-18 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and manufacturing method therefor |
| US7583026B2 (en) * | 2003-10-30 | 2009-09-01 | Panasonic Corporation | Plasma display panel having a protective layer preventing an increase in firing voltage |
-
2005
- 2005-08-11 KR KR1020050073549A patent/KR100707091B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-10 US US11/501,707 patent/US20070035248A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-11 JP JP2006219146A patent/JP2007048752A/ja not_active Withdrawn
- 2006-08-11 EP EP06291302A patent/EP1764818A1/en not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 미국특허공보 제6,788,373호 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007048752A (ja) | 2007-02-22 |
| KR20070019081A (ko) | 2007-02-15 |
| EP1764818A1 (en) | 2007-03-21 |
| US20070035248A1 (en) | 2007-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20050811 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20061117 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20070330 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20070405 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20070404 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |