JP4726699B2 - プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置 - Google Patents
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Description
また、放電中は放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンが保護膜に衝突するため、保護膜の耐スパッタ性が高いことが求められる。
プラズマディスプレイパネルに用いる放電ガスにおいては、Xeの濃度が高濃度、特に10体積%以上の場合に高輝度になることが知られている。一方で、Xeの濃度を10体積%以上にすると、放電電圧が上昇することが知られている。
本発明によれば、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。
(プラズマディスプレイパネル)
図1は、3電極AC型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。
プラズマディスプレイパネル(PDP)100は、背面基板(第1基板)1と前面基板(第2基板)2とが対向配置され、当該背面基板1と前面基板2との間に複数の放電室16を有する構成になっている。
次に、図2に基づいて、本実施形態に係るPDP製造装置を説明する。
同図に示すように、PDP製造装置30は、前面基板2と背面基板1とを導入し、真空処理によってPDP100を製造するものであり、前面基板ロード室31、蒸着室(保護膜形成部)32、冷却室33、背面基板ロード室34、脱ガス室35、搬送室36、アライメント・封着室(封着部)37、アンロード室38を有している。これら各室は、例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプなどの真空排気機構(調節手段)48に接続されている。
蒸着室32は、前面基板2に保護膜14を蒸着させるスペースであり、上述の前面基板ロード室31及び冷却室33に接続されている。蒸着室32には、前面基板2を加熱する加熱機構41と、SrO及びMgOを主成分とする蒸発材料42と、当該蒸発材料42に対して電子ビームを照射する電子ビーム銃43とが配置されている。蒸発材料42に電子ビームを照射することで、当該蒸発材料42を蒸発させることができるようになっている。また、蒸着室32には、蒸着時に当該蒸着室32内に酸素ガスを導入する酸素ガス導入機構(図示しない)が設けられている。
脱ガス室35は、背面基板1を加熱して当該背面基板1に吸着したガス(水蒸気など)を除去するスペースであり、上述した背面基板ロード室34及び搬送室36に接続されている。脱ガス室35内には、背面基板1を加熱する加熱機構46が設けられている。
アンロード室38は、アライメント・封着室37において完成されたPDP100を外部に取り出すスペースであり、上述した搬送室36に接続されている。
次に、本実施形態に係るPDP100の製造方法を、図3に沿って説明する。図3は、本実施形態に係るPDP100の製造の流れを示すフローチャートである。本実施形態では、前面基板2と背面基板1とを別個に形成し、両基板を貼り合せるという手順でPDP100を製造する。
まず、前面基板2に表示電極12及び誘電体層13を形成する(ST11)。この状態で、前面基板2をPDP製造装置30の前面基板ロード室31に搬入する。前面基板2が搬入されたら、前面基板ロード室31内の搬送機構が前面基板2を蒸着室32に搬送する。
まず、真空排気機構によって蒸着室32内を真空排気する。蒸着室32内を真空排気したら、酸素ガス供給機構によって蒸着室32内に酸素ガスを供給し、当該酸素ガスの分圧が3.0×10−2Pa程度になるように制御する。同時に、前面基板2の基板温度が250℃程度になるように調節する。
このようにして、前面基板2を形成する。
まず、背面基板1の内面にアドレス電極11、誘電体層19、隔壁15、蛍光体17を形成し(ST21)、さらに図示しない封着材を形成する(ST22)。この状態で、PDP製造装置30の背面基板ロード室34に搬入する。背面基板1が搬入されたら、背面基板ロード室34内の搬送機構が背面基板を脱ガス室35に搬送する。脱ガス室35では、真空中で背面基板1を加熱することによって、当該背面基板1の内面に形成された封着材に対して脱ガス処理を行う(ST23)。
アライメント・封着室37では、真空雰囲気下において、前面基板2と背面基板1とを貼り合わせるための位置決めをする(ST31)。位置決めが完了したら、アライメント・封着室37内に放電ガスを導入する(ST32)。放電ガスを導入したら、封着材を加熱して前面基板2と背面基板1とを貼り合わせる(ST33)。貼り合わせが完了したら、封着材を硬化させ、前面基板2と背面基板1との間に放電ガスが封入された状態で前面基板2と背面基板1との間を封着する(ST34)。このように、アライメント・封着室37では封着工程を行い、PDP100を得る。封着工程後、放電ガスは放電ガス純化器47によって取り込まれ、再利用可能な状態にされる。
その後、PDP100は、搬送室36を経由してアンロード室38に搬送され、アンロード室38から取り出される。
また、本実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととしたので、保護膜14の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、PDP100の長寿命化を図ることができる。
上記実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととして説明したが、これに限られることは無い。例えば、保護膜形成工程から封着工程までを露点−60℃以下の乾燥雰囲気中で行っても構わない。この場合、PDP製造装置30内(特に、蒸着室32内、冷却室33内、脱ガス室35内、搬送室36内、アライメント・封着室37内)にCDA(Clean Dry Air)を供給するCDA供給機構と、PDP製造装置30内からCDAを排出するCDA排出機構とを有していることが好ましい。PDP製造装置30内にCDAを供給することによって、当該PDP製造装置30内を容易に露点−60℃以下の乾燥雰囲気にすることができる。露点−60℃以下の乾燥雰囲気であっても、保護膜14の吸湿を十分に防ぐことが可能である。
また、上記実施形態では、保護膜14を背面基板1にのみ形成する構成であったが、これに限られることは無い。例えば、背面基板1と前面基板2との両方に保護膜14を形成する構成であっても、勿論構わない。
図4は、SrOとMgOとを含有する保護膜中のMgOの濃度と、当該MgO濃度に対応する第1セル点灯電圧(単位はV)、第1セル消灯電圧との関係を示すものである。「第1セル消灯電圧」は、セルが点灯状態から消灯状態になるときの電圧である。図4のグラフでは、縦軸が放電電圧の大きさ(単位はV)であり、横軸がMgO濃度(単位はmol%)である。
これに対して、保護膜中のMgO濃度が90mol%(SrO濃度は10mol%)の場合には、第1セル点灯電圧が215Vであり、第1セル消灯電圧が150Vであった。また、保護膜中のMgO濃度が80mol%(SrO濃度は20mol%)の場合には、第1セル点灯電圧が206Vであり、第1セル消灯電圧が149Vであった。保護膜中のMgOの濃度を減少させていき、SrOの濃度を増加させていくことによって、第1セル点灯電圧及び第1セル消灯電圧が徐々に低くなっている。
したがって、放電電圧の低下という観点から、保護膜中のMgO濃度については、放電電圧が大きく減少する70mol%以下にするのが好ましいといえる。
図5は、SrOとMgOとを含有する保護膜中のMgOの濃度と、当該MgO濃度に対応するエッチング速度を示すものである。本実施例では、アルゴン(Ar)原子に高周波(RF)を印加しプラズマを発生させて保護膜に衝突させる手法を用いている。Arの導入圧力は約1.0Paであり、高周波(RF)のパワー密度は0.2W/cm2であり、スパッタリング時間は72時間である。
図6は、SrO及びMgOを含有する保護膜中のMgOの濃度を(1)70mol%、(2)50mol%、(3)30mol%とした場合のそれぞれについて、エージング時間と第1セル点灯電圧との関係を示した表である。なお、比較例として、(4)SrOとCaOとの混合物(CaO濃度が50mol%)によって作製した保護膜についての上記関係も示している。図6のグラフでは、縦軸が第1セル点灯電圧(単位はV)であり、横軸がエージング時間(単位はmin)である。
これらのことから、保護膜中にMgOを30%〜70%含有させることによって、エージング時間の短縮が可能となることがわかる。
Claims (4)
- 第1基板と第2基板とが対向配置されると共に、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記第1基板のうち前記第2基板との対向面上に設けられた第1電極と、
前記第2基板のうち前記第1基板との対向面上に設けられた第2電極と、
前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜と
を具備し、
前記保護膜が、SrO及びMgOからなり、
前記保護膜中の前記MgOの濃度が、30mol%以上70mol%以下である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記放電ガスが、Xeを10体積%以上含有する
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 第1電極が設けられた第1基板と第2電極が設けられた第2基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護膜が、SrO及びMgOからなり、前記保護膜中の前記MgOの濃度が30mol%以上70mol%以下となる保護膜を前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着工程と
を具備し、
前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行う
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 第1基板に設けられた第1電極上及び第2基板に設けられた第2電極上のうち少なくとも一方に、SrO及びMgOからなり、前記保護膜中の前記MgOの濃度が30mol%以上70mol%以下となる保護膜を形成する保護膜形成部と、
前記保護膜形成部に接続され、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着部と、
前記保護膜形成部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−60℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段と
を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
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