JPWO2008050662A1 - プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
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Abstract
プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、保護層としての（１１１）配向したＭｇＯ膜を容易に得られるように、成膜温度を下げて製造工程を簡素にする。また、製造装置を簡単な構造にしてタクトタイムを短縮する。走査電極、維持電極、誘電体層及び保護層から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの製造方法において、電子ビーム蒸着装置での蒸着の前のガラス基板の温度を常温（１２０℃以下）にし、且つ前記電子ビーム蒸着装置のＭｇＯ成膜速度を８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上とする。常温での成膜で、従来の高温での成膜と同等のＭｇＯ膜が得られた。
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の製造方法及び製造装置に関し、特に誘電体層の保護層の形成に関する。
現在のＰＤＰの主流であるＡＣ面放電型ＰＤＰは、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護層から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されている（図２０参照）。
図２０に示すようにＡＣ面放電型ＰＤＰ８１は、放電ガスが満たされた狭いギャップを介して２枚のガラス基板がフリットシールされている。背面ガラス基板９０には、アドレス電極８９が列方向に配置され、その上に誘電体層８７が形成されている。この誘電体層８７はアドレス電極８９の保護や白色反転層として輝度改善の役割を持つ。バリアリブ８８は高さが１００〜１５０μｍ程度あり、バリアリブ８８により形成される溝内壁には赤青緑の蛍光体（９１Ｒ、９１Ｂ、９１Ｇ）が順次塗布されている。
表示側となる前面基板にはＩＴＯなどの透明電極とバス電極からなる面放電電極が設けられる。面放電電極は５０〜１００μｍ程度の放電ギャップを挟んで対となって配列されている。これらの放電電極は厚さ２０〜３０μｍ程度の誘電体層で覆われる。その上部には酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる表面保護層が形成されている。
各色の表示単位となる１セルは、蛍光体が周囲に塗布された放電空間に対して、誘電体層８５、８７で覆われた面放電電極（走査電極８３と維持電極８４）とアドレス電極８９からなる３つの電極で構成されている。走査電極８３には負電位の走査パルスが順次印加され、それに同期してアドレス電極に正電位のデータパルスを表示データに応じて印加することにより、選択的に書込み放電を発生させる。引き続いて維持電極と走査電極間に交流維持放電パルスを印加し、書き込まれたセルを維持放電させることにより発光表示させる。
前述のように、保護層には主にＭｇＯが使用されている。さらにＭｇＯは保護層としての機能に加え二次電子放出係数が大きいことが求められている。ＰＤＰの価格低下、需要アップによりガラス基板のサイズは益々大きくなりＰＤＰの保護層であるＭｇＯを成膜する生産装置のスループットは益々短時間になっている。
ＭｇＯは結晶の成長において、配向性を有し、その成長の方向によって特性が異なることが知られている。成膜条件を変えることで、（１１１）、（１１０）、（１００）等の各結晶方向に配向したＭｇＯの成膜が可能となっている。そこで、所望する配向性の被膜を得るために様々な方法が開発されてきた。
例えば、保護膜としての耐スパッタ性に主眼を置いた場合、（１１０）配向性のＭｇＯ層を得る方法がある（特許文献３参照）。ＭｇＯの結晶構造においては、（１１１）配向面よりも（１１０）面の方がチャネリングが起こりやすい。つまり、入射イオンが結晶の内部に深く入り込み易く、表面の近傍でのスパッタが起こりにくいというものである。適当な酸素分圧及び水蒸気分圧の雰囲気中での高周波イオンプレーティング法などによって形成する。
また、二次電子放出に着目した場合、（１１１）配向性のＭｇＯ層を得る方法がある（特許文献１参照）。酸素雰囲気中で行う真空蒸着法または蒸着面にイオンビームを照射するイオンアシスト蒸着法を用いる方法である。
しかし、より高精度のＭｇＯ層を得るためには、イオンビームよりも制御性の良い電子ビームを用いた蒸着法が望ましい。ここで、電子ビ−ムを用いた蒸着法で（１１１）配向性のＭｇＯ層を得るためには、２３０℃以上の基板温度で堆積させるか、または、１．５Å／秒以上、３Å／秒以下という堆積速度で形成する必要があった（特許文献２参照）。
この方法は、電子ビームを使用して、まず２３０℃以上、３５０℃以下の基板温度または、１．５Å／秒以上、３Å／秒以下という堆積速度で（１１１）配向性の酸化マグネシウム膜を下地として形成する。ついで、低基板温度、高堆積速度での電子ビーム蒸着で（１１１）配向性の保護層が得られるというものである。
しかしながら、下地を形成するプロセスと、保護層を形成するプロセスとを必要とするため２度の工程を必要とし、両プロセスの条件も違うため、近時の大幅な生産性向上要求にこたえられなかった。
従来から、ＰＤＰ製造装置においては、対角６０インチクラスの大型ガラス基板に対し基板を固定した状態で均一に成膜することが困難なことと、重いＰＤＰ用のガラス基板を搬送するために必要な真空対応の大型基板搬送用ロボットの開発が必要なことなどの理由から、キャリアに基板を搭載し、蒸発源上を通過させながら成膜するインライン式蒸着装置が用いられている。
ＰＤＰ用インライン式蒸着装置の装置構成を図１０に示す。装置は仕込み室６２、加熱室６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、蒸着室６４、冷却室６５及び取り出し室の７室構成からなる。まず、ガラス基板１０は、基板脱着ポシション７０でロボット（図示せず）によりキャリア（図示せず）にセットされる。前記キャリアは仕込室６２に搬入され、真空排気後、加熱室６３ａ、６３ｂ、６３ｃと順次送られ、加熱脱ガスされる。その後、蒸着室６４に搬送される。蒸着室では、キャリアが蒸発源上を連続して通過し、ガラス基板１０にＭｇＯ膜が成膜される。キャリアはさらに冷却室６５で冷却され、取出室６６を通って、基板脱着ポジション７０に戻る。
すなわち、図１０のＰＤＰ製造装置６１は、図１１に示すように、
（Ａ）ガラス基板を仕込室に配置する工程；
（Ｂ）ガラス基板を加熱室に移動する工程；
（Ｃ）ガラス基板を加熱室で高温（２００〜２５０℃）に加熱する工程；
（Ｄ）ガラス基板を蒸着室に移動する工程；
（Ｅ）ガラス基板に、高温（２００〜２５０℃）且つダイナミックレート４０００Å・ｍ／ｍｉｎ（スタティックレート１４０Å／ｓｅｃ）の速さでＭｇＯを成膜する工程；
（Ｆ）ガラス基板を冷却室に移動する工程；
（Ｇ）ガラス基板を冷却する工程；
（Ｈ）ガラス基板を取出し室へ移動する工程；
（Ｉ）ガラス基板を取出し室から取出す工程；
によってＭｇＯの成膜を行っていた。
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（Ｉ）ガラス基板を取出し室から取出す工程；
によってＭｇＯの成膜を行っていた。
ここで、従来のＰＤＰ製造装置での成膜において、結晶配向性については基板温度が低い方が（１１１）配向性の良い膜が得られる（図１６参照）。 一方、膜密度及び屈折率は基板温度が高い方が良い（図１７参照）という傾向があった。したがって、両方の条件を満たすには、ガラス基板を２００〜２５０℃の範囲内で加熱する必要があるとされていたのである。
そのため、従来の電子ビームを使用して成膜するプロセスでは一般的に次のような課題があった。
スループット内でガラスを所定温度に加熱するために多くの加熱室を必要とし、装置が大型になり、設備コストがアップする。例えば、図１０のＰＤＰ製造装置では３つの加熱室を使用している。また、ガラス基板１０を加熱室に移動する間にも予加熱のためのヒーターを配置してある。なお、図中のワット数は、特に図示しないが配置してあるヒーターのワット数を示す。
また、加熱室の数の増加に伴い、消費電力が大幅にアップする。例えば、４２インチ６〜８面取りのガラス基板にＭｇＯを蒸着する場合、従来のＰＤＰ製造装置では、タクトタイムを２分で運転する場合、ヒーターへの投入電力は約８００ｋＷが必要であった。タクトタイムを１．５分にする場合は１２００ｋＷ以上になる。
また、ロボットでガラス基板１０を脱着する場合、基板冷却が必要となり、エネルギーをクリーンルーム内に排出するため、クリーンルームの維持コストが増大する。
また、ガラスを急速加熱、冷却するためのガラス基板１０の保持方法及びベントに特別な配慮が必要である。図１０では、冷却室を用意して冷却効率を上げている。
また、ＰＤＰの引き出し電極部にＭｇＯが付着しないように、キャリア１５にマスク１５ａを設けてガラス基板１０の成膜エリアを制限するが、大型のガラス基板を加熱することになり、マスク１５ａとガラス基板１０の熱膨張係数の僅かな違いによってマスク精度の維持が困難になる。そこで、マスク１５ａを張力部材で形成してガラス基板１０の伸縮に対応している。
また、ガラス基板及びキャリアを加熱するため、真空槽、駆動系及び機器導入ポートは充分に冷却しなければならない。前記装置の構成品であるＯリング及び潤滑系から雰囲気に放出される高分子（油）の蒸気圧は温度に依存するため、コンタミネーションを完全に防止することは非常に困難である。
上記課題は、いずれも成膜時の温度を高くしていることに起因する。成膜時の温度を常温にできれば、上記課題は解決される。発明者は研究開発の結果、成膜温度を引き下げることのできる条件を見出した。
膜質を左右する要素は温度以外にも多々ある。例えば、成膜時の成膜速度、酸素分圧等が挙げられる。発明者は、これらの温度以外の成膜条件を十分に満たすことができれば、相対的に温度条件を緩和できるものと考えた。そこで、温度以外の成膜に関する条件毎に傾向を掴み徹底的に改善することにした。さらに、ＭｇＯ層に要求される項目毎に検証を行った。
また、ＭｇＯ膜中に取り込む不純物（Ｃ、ＣＯ、ＣＯ2など）の量を大幅に減らすことができれば、成膜条件は緩和できる可能性があることが分った。
そこで、電子ビーム蒸着装置のＭｇＯ成膜速度をダイナミックレートで８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上、もしくはスタティックレートで２８０Å／ｓｅｃ以上にして基板温度を１２０℃以下にしたところ、ＭｇＯ膜中に取り込む不純物の量を大幅に削減でき、保護層としてのＭｇＯ層に期待されるパネル特性（カソードルミネセンス特性、書込み特性等）が大幅に改善された。
そこで、ＭｇＯ成膜速度を８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上とした場合に結晶配向性、膜密度・屈折率、透過率等の特性を満足するか調べた結果、常温（１２０℃以下）においても良好な膜特性が得られることを確認した。
すなわち、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護層から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法において、前記保護層としての（１１１）配向のＭｇＯ膜の形成工程を含み、前記ＭｇＯ膜が８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上の堆積速度で蒸着法により形成する方法によって前記課題が解決される。
また、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護層から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイパネルの製造装置において、前記保護層としての（１１１）配向のＭｇＯ膜を形成するための手段を有し、該手段が、前記ＭｇＯ膜を８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上の堆積速度で蒸着して形成する製造装置によって前記課題は解決される。
常温（１２０℃以下）でのＭｇＯの成膜が可能になった。
また、生産設備の大幅なスループットの向上が出来た。
また、生産設備の大幅なスループットの向上が出来た。
さらに、上記２点の改善に関して、下記の副次的効果が得られ、前記課題を解決することが出来た。
・ＭｇＯ成膜装置から加熱室及び冷却室が削減できた。これにより装置がコンパクトになった。
・従来加熱機構を必要とした蒸着室からヒーター機構が削減できた。これによりシンプルな構成になった。
・リターンコンベア、エレベータからの加熱機構が削減できた。これによりシンプルな構造になった。
・加熱及び冷却のためのタクトタイムの律速がなくなり、装置タクトタイムを大幅に短縮できる。従来の９０秒から３０秒以下まで短縮が可能となった。
・加熱を必要としないため、マスクズレは大幅に改善できた。
・プロセス温度が低温になったため、大幅にコンタミネーションを減らすことが出来膜特性の改善になった。
・装置コストが削減できた。
・ランニングコストが大幅に削減できた。電力は従来の１／３以下になった。冷却水は従来の１／２以下になった。
・クリーンルーム内への熱負荷量が従来の１／３以下になった。
・基板のハンドリング、キャリア搬送が容易になった。
・ＭｇＯ成膜装置から加熱室及び冷却室が削減できた。これにより装置がコンパクトになった。
・従来加熱機構を必要とした蒸着室からヒーター機構が削減できた。これによりシンプルな構成になった。
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・加熱を必要としないため、マスクズレは大幅に改善できた。
・プロセス温度が低温になったため、大幅にコンタミネーションを減らすことが出来膜特性の改善になった。
・装置コストが削減できた。
・ランニングコストが大幅に削減できた。電力は従来の１／３以下になった。冷却水は従来の１／２以下になった。
・クリーンルーム内への熱負荷量が従来の１／３以下になった。
・基板のハンドリング、キャリア搬送が容易になった。
１ 電子ビーム蒸着装置
２ 真空槽
３ ピアス式電子銃
４ リングハース（蒸着材料容器、蒸着源）
９ 防着板
１０ ガラス基板（前面基板）
１１ 蒸発材料（ＭｇＯ）
１５ キャリア
１５ａ マスク
２６ａ 永久磁石（Ｎ極）
２６ｂ 永久磁石（Ｓ極）
３１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）製造装置
３２ 仕込／取出室
３３ 加熱室
３４ 蒸着室
４１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）製造装置
４２ 仕込室
４３ トランスファーチャンバー
４４ 蒸着室
４６ 取出室
４７ フロントエレベータ
４８ リターンコンベア
４９ リアエレベータ
５０ 基板脱着ポジション
６１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）製造装置
６２ 仕込室
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ 加熱室
６４ 蒸着室
６５ 冷却室
６６ 取出室
６７ フロントエレベータ
６８ リターンコンベア
６９ リアエレベータ
７０ 基板脱着ポジション
８１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
８２ 前面基板
８３ 走査電極
８４ 維持電極
８５ 誘電体層
８６ 保護層（ＭｇＯ）
８７ 誘電体層
８８ バリアリブ
８９ アドレス電極
９０ 背面基板
９１Ｒ、９１Ｇ、９１Ｂ 蛍光体
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２ 電子ビーム照射点（蒸発ポイント）
２ 真空槽
３ ピアス式電子銃
４ リングハース（蒸着材料容器、蒸着源）
９ 防着板
１０ ガラス基板（前面基板）
１１ 蒸発材料（ＭｇＯ）
１５ キャリア
１５ａ マスク
２６ａ 永久磁石（Ｎ極）
２６ｂ 永久磁石（Ｓ極）
３１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）製造装置
３２ 仕込／取出室
３３ 加熱室
３４ 蒸着室
４１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）製造装置
４２ 仕込室
４３ トランスファーチャンバー
４４ 蒸着室
４６ 取出室
４７ フロントエレベータ
４８ リターンコンベア
４９ リアエレベータ
５０ 基板脱着ポジション
６１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）製造装置
６２ 仕込室
６３ａ、６３ｂ、６３ｃ 加熱室
６４ 蒸着室
６５ 冷却室
６６ 取出室
６７ フロントエレベータ
６８ リターンコンベア
６９ リアエレベータ
７０ 基板脱着ポジション
８１ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
８２ 前面基板
８３ 走査電極
８４ 維持電極
８５ 誘電体層
８６ 保護層（ＭｇＯ）
８７ 誘電体層
８８ バリアリブ
８９ アドレス電極
９０ 背面基板
９１Ｒ、９１Ｇ、９１Ｂ 蛍光体
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２ 電子ビーム照射点（蒸発ポイント）
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施例１）
本発明の実施の形態を図1〜３に示す。
図１は本発明の実施の形態のＰＤＰ製造装置４１を示す。従来のＰＤＰ製造装置（図１０）に比べて加熱室を２つと冷却室が削減できた。図２は本実施の形態の電子ビーム蒸発源の図である。図３は、本実施形態のＰＤＰ製造装置を使用して成膜したＭｇＯ膜のＸ線回折パターンの図である。図４は、本発明の実施の形態のＰＤＰ製造装置による成膜レートの図である。
本発明の実施の形態を図1〜３に示す。
図１は本発明の実施の形態のＰＤＰ製造装置４１を示す。従来のＰＤＰ製造装置（図１０）に比べて加熱室を２つと冷却室が削減できた。図２は本実施の形態の電子ビーム蒸発源の図である。図３は、本実施形態のＰＤＰ製造装置を使用して成膜したＭｇＯ膜のＸ線回折パターンの図である。図４は、本発明の実施の形態のＰＤＰ製造装置による成膜レートの図である。
図１に示すように、本発明の実施の形態のＰＤＰ製造装置４１は、仕込室４２、トランスファーチャンバー４３、蒸着室４４、取出室４６、フロントエレベータ４７、リアエレベータ４９及び基板ポジション５０からなっていて、従来のような加熱工程を必要としない。したがって、従来のＰＤＰ製造装置６１（図１０）の、加熱室６３ａ、６３ｂ、６３ｃ及び冷却室６５を削減したものとなっている。
蒸着室４４の電子ビーム蒸発源は図２に示す構成となっている。リングハース３台とピアス式電子銃６台を配置し、一つの電子銃３が一つの照射点Ｐに対応するようになっている。電子ビームの制御にリングハース４の下方に配置した永久磁石２６ａ、２６ｂを使用している。なお、この蒸発源から、ガラス基板１０に対するＭｇＯの蒸気の入射角度は３０°以下となるように位置決めしてある。
また、ピアス式電子銃３は、新たに開発した大容量のものである。これを６台使用して、８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上の速さでＭｇＯを成膜する。図４に示す成膜レートは、従来の成膜レ−ト（図１５）に比べて大幅増となっている。
以上のＰＤＰ製造装置４１は、
（Ａ）ガラス基板を仕込室に配置する工程；
（Ｂ）ガラス基板をトランスファーチャンバーに移動する工程；
（Ｃ）ガラス基板を蒸着室に移動する工程；
（Ｄ）ガラス基板に、常温（２５〜１２０℃）、
且つ８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上の速さでＭｇＯを成膜する工程；
（Ｅ）ガラス基板を取出し室へ移動する工程；
（Ｆ）ガラス基板を取出し室から取出す工程；
によってＭｇＯの成膜を行う。
（Ａ）ガラス基板を仕込室に配置する工程；
（Ｂ）ガラス基板をトランスファーチャンバーに移動する工程；
（Ｃ）ガラス基板を蒸着室に移動する工程；
（Ｄ）ガラス基板に、常温（２５〜１２０℃）、
且つ８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上の速さでＭｇＯを成膜する工程；
（Ｅ）ガラス基板を取出し室へ移動する工程；
（Ｆ）ガラス基板を取出し室から取出す工程；
によってＭｇＯの成膜を行う。
図３に本発明の実施の形態のＰＤＰ製造装置４１を用い、基板温度を常温（１２０℃以下）として得られたＭｇＯ膜のＸ線回折パタ−ンを示す。図から明らかなように、３６．９３°のとき回折強度のピークがきて（１１１）配向性であることを表している。従来の方法によりえられたＭｇＯ膜のＸ線回折パタ−ンは３６．８４°のとき回折強度ピークがきていた（図１４参照）。従って、本発明の方法で得られたＭｇＯ膜は、従来の方法で得られたものと遜色ないことが分る。
以上説明したＰＤＰの製造方法及び製造装置により、常温で（１１１）配向性のＭｇＯ膜を得られる。
（実施例２）
本発明を既存装置に適用した場合の実施例である。
図５に示す装置で確認試験を行った。
これは温度条件を緩和するための各部の改良を行った結果の総合的な実施形態である。
以下、本発明の常温成膜方法の具体例を、従来例と比較して詳細に説明する。
本発明を既存装置に適用した場合の実施例である。
図５に示す装置で確認試験を行った。
これは温度条件を緩和するための各部の改良を行った結果の総合的な実施形態である。
以下、本発明の常温成膜方法の具体例を、従来例と比較して詳細に説明する。
まず、ＭｇＯ膜に求められる特性につき説明する。
ＭｇＯ膜の基本特性は、結晶配向性、膜密度・屈折率、透過率で評価される。
ＭｇＯ膜の基本特性は、結晶配向性、膜密度・屈折率、透過率で評価される。
結晶配向性で、現在生産に求められるのは（１１１）配向性である。
また、膜密度９０％以上、屈折率１．６以上が求められる。膜密度が良いほど耐スパッタ性が良くなる。
透過率はガラス基板との比で９５％以上。ＭｇＯはＰＤＰパネルの前面板に使用されるので高い透過率が要求される。
また、膜密度９０％以上、屈折率１．６以上が求められる。膜密度が良いほど耐スパッタ性が良くなる。
透過率はガラス基板との比で９５％以上。ＭｇＯはＰＤＰパネルの前面板に使用されるので高い透過率が要求される。
次に、本発明の実施について行った改善につき説明する。
発明者は、膜密度や屈折率に関し、成膜時の基板温度以外の要因についても分析し、対策を施せば基板温度を低くしても満足する膜特性が得られるものと考えた。そこで、下記のような検討と対策を実施した。
発明者は、膜密度や屈折率に関し、成膜時の基板温度以外の要因についても分析し、対策を施せば基板温度を低くしても満足する膜特性が得られるものと考えた。そこで、下記のような検討と対策を実施した。
生産性向上のため、ダイナミックレートを大きくするには電子ビームの電流を多くすることが望ましい。然し、電子ビ−ム蒸着の場合、成膜速度は照射する電子ビームの電流値が大きいほど早くなるが、成膜速度を上げるために大きな電流を流すと、蒸発源の温度の急上昇によって蒸着材料が細かく砕け、弾き飛ぶ、スプラッシュと呼ばれる現象が起きる。スプラッシュによって弾け飛んだ蒸着材料の一部がガラス基板まで到達する場合があり、歩留まり低下の原因になる。そこで従来は、このスプラッシュを押さえて成膜速度を上げるために、図１２に示す構成から電子銃とハースの組数を増やして対応していた（図１３参照）。すなわちビームの照射点を増やして電流を分散していた。
しかしながら、複数のハースと複数の電子銃、さらには、図示しない電子ビームの偏向装置が複数詰め込まれていたため、配置の自由度が低いこと、また前記電子ビームの偏向装置同士の相互干渉等により、蒸発源からみた基板へのＭｇＯの入射角は大きくなる傾向にあった（図２１参照）。
蒸発源からみた基板へのＭｇＯの入射角は大きくなると、屈折率が低下する傾向にあった（図１８参照）。また、結晶配向性も悪くなる（図１９参照）。いずれも、成膜時の温度依存性よりも大きな値であった。したがって、入射角度を充分に改善すれば、もっと低い温度で、結晶配向性、膜密度及び屈折率のすべてを満足する条件が得られることが期待できる。入射角度は少なくとも３０°以下、望ましくは２０°以下である。
そこで発明者は、電子銃を出力の大きなものにし、且つ電子ビームを揺動させて照射面積を広くした（図２２、図２３参照）。照射面積を広くすることにより電流密度を高くせず（図２４参照）、蒸着源の温度の急上昇を押さえて前記スプラッシュを防止した。これによって少ない台数のピアス式電子銃で成膜速度を早くできるようになった。その結果、蒸発源からみた基板へのＭｇＯの入射角も改善できた。
発明者は上記のような対策を施した上で実験を行った。
図５に実験に使用したＰＤＰ製造装置３１を示す。装置は、仕込／取出室３２、加熱室３３、蒸着室３４の３室からなる。図６に示すように、蒸着室３４には、蒸発源として回転式のリングハース４とピアス式電子銃３を２台搭載したロードロック式の蒸着装置の例である。リングハース４上の４ポイントからＭｇＯを蒸発させながら、ガラス基板１０を載せたキャリア１５を水平方向に搬送してＭｇＯを成膜する。
図５に実験に使用したＰＤＰ製造装置３１を示す。装置は、仕込／取出室３２、加熱室３３、蒸着室３４の３室からなる。図６に示すように、蒸着室３４には、蒸発源として回転式のリングハース４とピアス式電子銃３を２台搭載したロードロック式の蒸着装置の例である。リングハース４上の４ポイントからＭｇＯを蒸発させながら、ガラス基板１０を載せたキャリア１５を水平方向に搬送してＭｇＯを成膜する。
実験の結果を図７〜９に示す。
図７は、Ｘ線回折パターンの（１１１）配向のピーク強度をガラス基板の左端、中央、右端の３点で測定した結果である。なお、膜厚は８０００Åで蒸着室の圧力を変えて成膜したものを並べて示している。この結果から０．０２と０．０４Ｐａの圧力にて良好な特性を示していることが分かるが、０．０６Ｐａの圧力でも（１１１）配向の膜が得られることを確認している。
図７は、Ｘ線回折パターンの（１１１）配向のピーク強度をガラス基板の左端、中央、右端の３点で測定した結果である。なお、膜厚は８０００Åで蒸着室の圧力を変えて成膜したものを並べて示している。この結果から０．０２と０．０４Ｐａの圧力にて良好な特性を示していることが分かるが、０．０６Ｐａの圧力でも（１１１）配向の膜が得られることを確認している。
図８は透過率を示す。基準となるガラス基板は、旭硝子株式会社製ＰＤ２００を使用した。図９は、ＰＤ２００を基準に比を取ったものである。結果は、９５％以上となっていることを示している。
以上のように、測定の結果は、いずれも良好な特性のＭｇＯ膜が得られたことを示している。
したがって、電子ビーム蒸着装置での蒸着時のガラス基板の温度を常温（１２０℃以下）にし、且つ前記電子ビーム蒸着装置のＭｇＯ成膜速度を８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上とすることによって、従来、２００〜２５０℃で行った成膜と比べて遜色のない成膜を行えることが確認できた。
したがって、電子ビーム蒸着装置での蒸着時のガラス基板の温度を常温（１２０℃以下）にし、且つ前記電子ビーム蒸着装置のＭｇＯ成膜速度を８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上とすることによって、従来、２００〜２５０℃で行った成膜と比べて遜色のない成膜を行えることが確認できた。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変更が可能である。
例えば、インライン式電子ビーム蒸着装置、ロードロック式電子ビーム蒸着装置に限らず、ピアス式電子銃を用いた他の方式の電子ビーム蒸着装置にも適用可能である。
本発明の実施の形態の電子ビーム蒸着装置では蒸着材料を入れる容器をリングハース４としたが、るつぼでも良い。
Claims (8)
- 走査電極、維持電極、誘電体層及び保護層から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法において、前記保護層としての（１１１）配向のＭｇＯ膜の形成工程を含み、前記ＭｇＯ膜が８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上の堆積速度で蒸着法により形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記ＭｇＯ膜が、１２０℃以下の基板温度で蒸着法により形成されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記ＭｇＯ膜の形成時、成膜圧力を０．０２〜０．０６Ｐａとすること特徴とする請求の範囲第２項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記ＭｇＯ膜の形成時、前記前面基板へのＭｇＯの入射角度を３０°以下とすることを特徴とする請求の範囲第２項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 走査電極、維持電極、誘電体層及び保護層から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイパネルの製造装置において、前記保護層としての（１１１）配向のＭｇＯ膜を形成するめの手段を有し、該手段が、前記ＭｇＯ膜を８０００Å・ｍ／ｍｉｎ以上の堆積速度で蒸着して形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
- 前記ＭｇＯ膜が、１２０℃以下の基板温度で蒸着できるようにしたことを特徴とする請求の範囲第５項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
- 前記ＭｇＯ膜の形成時、成膜圧力が０．０１〜０．０６Ｐａとなるようにしたことを特徴とする請求の範囲第６項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
- 前記ＭｇＯ膜の形成時、前記前面基板へのＭｇＯの入射角度が３０°以下となるようにしたことを特徴とする請求の範囲第６項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造装置。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0618908A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH06349745A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Canon Inc | ロール・ツー・ロール型マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH11149865A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JPH11213869A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Asahi Glass Co Ltd | 交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置 |
| JP2001057149A (ja) * | 1992-02-25 | 2001-02-27 | Fujitsu Ltd | Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの製造方法及び特性改善方法 |
| JP2002129311A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイ保護膜形成装置および保護膜形成方法 |
| JP2004095233A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Mitsubishi Materials Corp | 有機ｅｌディスプレイ吸湿膜およびその製造方法 |
| JP2005113202A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Mitsubishi Shoji Plast Kk | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3149249B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2001-03-26 | 富士通株式会社 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JPH07252643A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着方法および真空蒸着装置 |
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| JPH10106441A (ja) | 1996-10-02 | 1998-04-24 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネル |
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Patent Citations (8)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001057149A (ja) * | 1992-02-25 | 2001-02-27 | Fujitsu Ltd | Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの製造方法及び特性改善方法 |
| JPH0618908A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH06349745A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Canon Inc | ロール・ツー・ロール型マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH11149865A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JPH11213869A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Asahi Glass Co Ltd | 交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置 |
| JP2002129311A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイ保護膜形成装置および保護膜形成方法 |
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