JP2007134260A - 保護膜の成膜方法および保護膜の成膜装置 - Google Patents

保護膜の成膜方法および保護膜の成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007134260A
JP2007134260A JP2005328402A JP2005328402A JP2007134260A JP 2007134260 A JP2007134260 A JP 2007134260A JP 2005328402 A JP2005328402 A JP 2005328402A JP 2005328402 A JP2005328402 A JP 2005328402A JP 2007134260 A JP2007134260 A JP 2007134260A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
distance
substrate
protective film
vapor deposition
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005328402A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihisa Oe
良尚 大江
Kazuo Kamiya
一夫 上谷
Akira Shiokawa
塩川  晃
Kaname Mizogami
要 溝上
Hiroyuki Kado
博行 加道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2005328402A priority Critical patent/JP2007134260A/ja
Publication of JP2007134260A publication Critical patent/JP2007134260A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

【課題】結晶性と均一性を高めて、さらに成膜速度を高めることが可能な保護膜の成膜方法と成膜装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、蒸着材料40が配置された複数の蒸着ハース41と、蒸着材料40に電子ビーム44を照射する電子銃42と、蒸着材料40からの蒸発粒子を蒸着させる前面ガラス基板3と、前面ガラス基板3を搬送する基板搬送治具48とを備え、蒸着材料40に電子ビーム44を照射する照射点45を前面ガラス基板3の搬送方向に間隔Dを有して離間させるとともに、照射点45から前面ガラス基板3までを距離Hを有して離間させ、間隔Dを距離Hよりも小としている。
【選択図】図2

Description

本発明は、基板上に形成された誘電体膜を覆う保護膜を有するプラズマディスプレイパネルにおいて、特に、良質な保護膜を形成するために好適な成膜方法およびその成膜装置に関する。
プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと記す)は、前面パネルと背面パネルとを対向配置してその周縁部を封着材によって封着した構造を有し、前面パネルと背面パネルとの間に形成された放電空間には、ネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などの放電ガスが封入されている。前面パネルは、ガラス基板の片面にストライプ状に形成された走査電極と維持電極とからなる複数の表示電極対、これらの表示電極対を覆う誘電体膜および保護膜を備えている。表示電極対はそれぞれ、透明電極とその透明電極上に形成した金属材料からなる補助電極とによって構成されている。一方、背面パネルは、ガラス基板の片面に形成されたストライプ状の複数のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体膜と、下地誘電体膜上に形成され放電空間をアドレス電極毎に区画するストライプ状の隔壁と、隔壁間の下地誘電体膜上と隔壁側面に形成された赤色、緑色、青色の蛍光体層を備えている。
上記の構造のPDPにおいて、保護膜は耐スパッタ特性が大きいこと、かつ2次電子放出係数が大きいことなどが要求され、酸化マグネシウム(MgO)などが一般的に用いられる。これらの特性によって、保護膜の下層にある誘電体膜のスパッタを防止し、かつ放電電圧を低くするようにしている。
保護膜としての酸化マグネシウム(MgO)は電子ビーム蒸着法やプラズマガンなどによる成膜法により形成されるが、PDPの表示サイズの大型化とともに、大面積で均一な保護膜を高速で成膜する技術が求められている。基板搬送型の保護膜成膜装置において、蒸着材料を充填した蒸着ハースを搬送方向に対して複数列配置することにより、大面積の基板面に高速で均一に保護膜を形成する保護膜形成装置が開示されている(例えば、特許文献1)。
特開2002−129311号公報
酸化マグネシウム(MgO)保護膜の生産性を高めるためには成膜速度を高めて装置タクトを短縮する必要がある。そのために、従来は保護膜材料を蒸発させるための電子ビームへの投入電力を高めることで対応していたが、限界以上の電力を投入すると、保護膜材料にスプラッシュ現象が発生し、形成された保護膜の膜質が低下するとともに、膜質が不均一になるために成膜速度に上限があるいう課題があった。
この課題に対し、基板の搬送方向に蒸着材料を充填した複数の蒸着ハースを配置し、蒸発材料面の複数の点に電子ビームを照射することにより成膜速度をより高めるという方法が用いられるようになった。しかしながら、この方法では、基板の搬送方向に蒸着ハースが単数である場合に比べて、保護膜の結晶性が低下し、電子放出性能が低下したり、不均一になったりする。その結果、放電開始電圧の上昇や欠陥などが発生しPDPの表示品質が低下するという課題があった。
本発明は、これらの課題を解決し、結晶性と均一性を高めて、さらに成膜速度を高めることが可能な保護膜の成膜方法と成膜装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明による保護膜の成膜方法は、蒸着材料が配置された複数の蒸着ハースにそれぞれエネルギービームを照射し、搬送移動する基板上に保護膜を成膜する保護膜の成膜方法であって、エネルギービームを基板の搬送方向に間隔Dを有して離間させた複数の照射点に照射させるとともに、照射点から基板までを距離Hだけ離間させ、間隔Dを距離Hよりも小として成膜している。
このような成膜方法によれば、成膜速度が増大するとともに、基板面への蒸発粒子の入射角度を最適にして保護膜の結晶性を改善することができる。
さらに、間隔Dの距離Hに対する比が0.3<D/H<1であることが望ましく、成膜速度を向上させてスプラッシュの発生を抑え、結晶性の良好な保護膜を成膜できる。
さらに、間隔Dの距離Hに対する比が0.5<D/H<1であることがより望ましく、照射点からの輻射熱による基板の温度上昇を抑えて基板の熱割れを防止し、安定的に結晶性の良好な保護膜を成膜できる。
さらに、蒸着材料が主成分として酸化マグネシウム(MgO)を含むことが望ましく、PDP用の保護膜として最適の特性を有する保護膜を実現することができる。
また、本発明による保護膜の成膜装置は、少なくとも、蒸着材料が配置された複数の蒸着ハースと、蒸着材料にエネルギービームを照射するエネルギービーム発生手段と、蒸着材料からの蒸発粒子を蒸着させる基板と、基板を搬送する基板搬送手段とを備え、蒸着材料にエネルギービームを照射する照射点を基板の搬送方向に間隔Dを有して離間させるとともに、照射点から基板までを距離Hを有して離間させ、間隔Dを距離Hよりも小としている。
このような成膜装置によれば、成膜速度が増大するとともに、基板面への蒸発粒子の入射角度を最適にして保護膜の結晶性を改善することができる。
さらに、間隔Dの距離Hに対する比を0.3<D/H<1とすることが望ましく、成膜速度を向上させてスプラッシュの発生を抑え、結晶性の良好な保護膜を成膜できる。
さらに、間隔Dの距離Hに対する比を0.5<D/H<1とすることがより望ましく、照射点からの輻射熱による基板の温度上昇を抑えて基板の熱割れを防止し、安定的に結晶性の良好な保護膜を成膜できる。
以上のように本発明によれば、結晶性の優れた保護膜を高速に形成することができ、高品質のPDPを高い生産性で製造することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態における保護膜の製造方法およびその製造装置について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態)
本発明の保護膜の製造方法および製造装置によって製造した保護膜は、PDPの誘電体膜を保護する保護膜として有用である。そこで、まずこの保護膜が適用されるPDPについて説明する。
図1はPDPの構造を示す斜視図である。PDPの基本構造は、一般的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示すように、PDP1は、前面ガラス基板3などよりなる前面パネル2と、背面ガラス基板11などよりなる背面パネル10とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着して構成されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などの放電ガスが400Torr〜600Torrの圧力で封入されている。
前面パネル2の前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6と遮光層7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6と遮光層7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体膜8が形成され、さらにその表面に酸化マグネシウム(MgO)などからなる保護膜9が形成されている。
また、背面パネル10の背面ガラス基板11上には、前面パネル2の走査電極4および維持電極5と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置され、これを下地誘電体膜13が被覆している。さらに、アドレス電極12間の下地誘電体膜13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝にアドレス電極12毎に、紫外線によって赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。走査電極4および維持電極5とアドレス電極12とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
図2は本発明の実施の形態における保護膜の成膜装置の断面図であり、成膜装置は基板搬入室30、基板予備加熱室31、成膜室32、基板冷却室33、基板取出室34より構成されている。図3は成膜室32の平面図であり、4個の蒸着材料が充填された蒸着ハース41と、エネルギービームとしての電子ビーム44を発生させるための電子銃42、排気ポンプ43などを備えている。排気ポンプ43としては、一般にクライオポンプおよびターボ分子ポンプが使用される。図2、図3において、矢印Cは基板の搬送方法を示す。
図3に示すように、成膜室32には蒸着材料40が充填された蒸着ハース41と電子銃42が複数設置されていて、この図面では高い生産性を実現するために各々が4個設置されている。各電子銃42から発射された各2本の電子ビーム44は蒸着材料40面の照射点45に入射して蒸着材料40を加熱する。本発明の実施の形態では、基板搬送方向に並ぶ照射点45の間隔をDとし、照射点45とその上の前面ガラス基板3との間隔をHとしている。
PDPの誘電体膜8までが形成された前面ガラス基板3が基板搬送治具48に載せられて、基板搬入室30から搬入される。その後、前面ガラス基板3は基板予備加熱室31に搬入されて真空に排気しながら予備加熱され、成膜室32に搬入される。成膜室32においては、電子銃42から発射された電子ビーム44を偏向させるとともに複数の照射点45に集束させて、蒸着ハース41上に収納された蒸着材料40に照射する。これにより蒸着材料40が加熱されて蒸発し、その上方を移動する前面ガラス基板3の誘電体膜8上に保護膜9となる酸化マグネシウム(MgO)の薄膜が形成される。蒸着ハース41は低速度で回転していて、蒸着材料40における加熱位置を常に移動させて局所的な蒸発消失を防いでいる。保護膜9の形成が終了した後、前面ガラス基板3は基板冷却室33に搬送されて真空中で所定の温度まで冷却した後、基板取出室34に搬送されて取り出され、一連の作業が完了する。
このようにして形成された保護膜9としての酸化マグネシウム(MgO)の薄膜は、その成膜過程において、複数の照射点45から蒸発粒子が入射するため、その入射量や入射角度などにより結晶性に大きな差ができる。このため、照射点45の間隔Dと、照射点45と前面ガラス基板3の非成膜面の間隔Hとの関係が保護膜9の結晶性に大きな影響を及ぼす。PDPにおいては、保護膜9の結晶性により2次電子放出特性が大きく変化し、PDPの表示品質に大きな影響を及ぼす。
図3に示すように、基板搬送方向に蒸着ハース41を2組有して基板搬送方向に各2点の照射点45に電子ビームを照射する成膜装置を用いて、基板搬送方向の照射点45の間隔を変更して保護膜9としての酸化マグネシウム(MgO)薄膜の物性およびPDPの表示品質を調べた。図4は本発明の実施の形態における成膜装置による酸化マグネシウム(MgO)薄膜の結晶性を示す図であり、X線回折分析による(111)配向の強度を、照射点45と前面ガラス基板3との間隔Hに対する搬送方向の照射点45の間隔Dの比、つまりD/Hの関数としてプロットしたものである。図4から搬送方向の照射点45の間隔Dが照射点45と前面ガラス基板3との間隔Hよりも小さいとき、すなわち比率が1より小さいときに結晶性の高い酸化マグネシウム(MgO)膜が形成されていることがわかる。
また、同時に作成したPDPの表示品質は、比率D/Hが1よりも小さい場合には良レベルであり、1よりも大きくなるとともに表示品質が悪化した。このことから搬送方向の照射点45の間隔Dを、照射点45と前面ガラス基板3との間隔Hよりも小さくすることにより、結晶性の高い酸化マグネシウム(MgO)膜を高速に形成することができ表示品質の優れたPDPを製造することが可能となることがわかる。
ただし、比率D/Hが0.3よりも小さくなると、隣接する照射点45が近すぎるために、成膜速度が不安定になり、スプラッシュの発生確率が高くなるなどの問題が生じるため、比率は0.3より大きいことが望ましい。また、比率D/Hが0.5よりも小さくなると、隣接する照射点45からの輻射熱が強くなるため、輻射熱による温度上昇の勾配が急になり、前面ガラス基板3が熱割れを起こす確率が高くなる。このような問題を回避するためには、比率を0.5よりも大きくすることがより望ましい。
図3では基板搬送方向に一列2個の蒸着ハース41が2組設置された例を示した。図5は、本発明の実施の形態における他の実施例を示す成膜室の平面図である。図5に示すように、基板搬送方向に蒸着材料40を充填した一列2個の1組の蒸着ハース41を備え、一つの蒸着ハース41の基板搬送方向側に複数の位置に電子ビームを照射している。この構造によれば、成膜室の構造を簡略化できる。また、同図では蒸着ハース41がドーナツ形状であるが、矩形のものやトラック形状のものでも構わない。蒸着材料40面における電子ビームの形状をライン状にすると、さらに成膜速度を増大できる。
また、成膜装置の構成としては上述したもの以外に、例えば、温度プロファイルの設定条件に応じて、基板投入室30と成膜室32の間に複数個の基板予備加熱室31を設けたものや、成膜室32と基板取出室34との間に複数個の基板冷却室33を設けたものとしてもよい。
また、成膜室32に配置される蒸着ハース41や電子銃42や排気ポンプ43などの数は装置の搬送速度や成膜を行う前面ガラス基板3の大きさなどにより変わるものであり、図2や図3の数と異なるものでも構わない。
なお、以上の説明においては、保護膜9を電子ビーム蒸着法で形成する場合について説明したが、プラズマガンによる成膜の場合にも、成膜室32を以上に説明したような構造にすることにより、同様の結晶性の改善効果が得られる。また、保護膜として酸化マグネシウム(MgO)薄膜を形成する場合について説明したが、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)などの金属酸化膜を成膜する場合などにも同様の結晶性の改善効果が得られる。
本発明によれば、結晶性の優れた保護膜を高速に形成することができるため、PDP用の保護膜や、電子部品や表示装置などで用いる保護膜の成膜方法および成膜装置として有用である。
PDPの構造を示す斜視図 本発明の実施の形態における保護膜の成膜装置の断面図 同成膜装置の成膜室の平面図 同成膜装置による酸化マグネシウム(MgO)薄膜の結晶性を示す図 本発明の実施の形態における他の成膜装置の成膜室の平面図
符号の説明
1 PDP
2 前面パネル
3 前面ガラス基板
4 走査電極
5 維持電極
6 表示電極
7 遮光層
8 誘電体膜
9 保護膜
10 背面パネル
11 背面ガラス基板
12 アドレス電極
13 下地誘電体膜
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
30 基板搬入室
31 基板予備加熱室
32 成膜室
33 基板冷却室
34 基板取出室
40 蒸着材料
41 蒸着ハース
42 電子銃
43 排気ポンプ
44 電子ビーム
45 照射点
48 基板搬送治具

Claims (7)

  1. 蒸着材料が配置された複数の蒸着ハースにそれぞれエネルギービームを照射し、搬送移動する基板上に保護膜を成膜する保護膜の成膜方法であって、前記エネルギービームを前記基板の搬送方向に間隔Dを有して離間させた複数の照射点に照射させるとともに、前記照射点から前記基板までを距離Hだけ離間させ、前記間隔Dを前記距離Hよりも小として成膜することを特徴とする保護膜の成膜方法。
  2. 前記間隔Dの距離Hに対する比が0.3<D/H<1であることを特徴とする請求項1に記載の保護膜の成膜方法。
  3. 前記間隔Dの距離Hに対する比が0.5<D/H<1であることを特徴とする請求項2に記載の保護膜の成膜方法。
  4. 蒸着材料が主成分として酸化マグネシウム(MgO)を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の保護膜の成膜方法。
  5. 少なくとも、蒸着材料が配置された複数の蒸着ハースと、前記蒸着材料にエネルギービームを照射するエネルギービーム発生手段と、前記蒸着材料からの蒸発粒子を蒸着させる基板と、前記基板を搬送する基板搬送手段とを備え、前記蒸着材料にエネルギービームを照射する照射点を前記基板の搬送方向に間隔Dを有して離間させるとともに、前記照射点から前記基板までを距離Hを有して離間させ、前記間隔Dを前記距離Hよりも小としたことを特徴とする保護膜の成膜装置。
  6. 前記間隔Dの距離Hに対する比を0.3<D/H<1としたことを特徴とする請求項5に記載の保護膜の成膜装置。
  7. 前記間隔Dの距離Hに対する比を0.5<D/H<1としたことを特徴とする請求項6に記載の保護膜の成膜装置。
JP2005328402A 2005-11-14 2005-11-14 保護膜の成膜方法および保護膜の成膜装置 Pending JP2007134260A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005328402A JP2007134260A (ja) 2005-11-14 2005-11-14 保護膜の成膜方法および保護膜の成膜装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005328402A JP2007134260A (ja) 2005-11-14 2005-11-14 保護膜の成膜方法および保護膜の成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007134260A true JP2007134260A (ja) 2007-05-31

Family

ID=38155743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005328402A Pending JP2007134260A (ja) 2005-11-14 2005-11-14 保護膜の成膜方法および保護膜の成膜装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007134260A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032817A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 株式会社アルバック プラズマディスプレイパネルの基板への保護膜の形成方法及び同保護膜の形成装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032817A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 株式会社アルバック プラズマディスプレイパネルの基板への保護膜の形成方法及び同保護膜の形成装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI390572B (zh) A method for forming a protective film, and a method for manufacturing a plasma display panel
KR20020070755A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JP5078903B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置
JP2005050804A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造装置
JP4321593B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
WO2007055304A1 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2007119833A (ja) 蒸着膜の形成方法、保護膜の形成方法及びプラズマディスプレイパネル製造装置
JP2007134260A (ja) 保護膜の成膜方法および保護膜の成膜装置
US6744201B2 (en) Plasma information display element and method for producing the same
JP3624234B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造装置及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4381649B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法および誘電体保護膜製造装置
JP5268091B2 (ja) 金属酸化膜の蒸着方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2004273445A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法および基板保持具
KR100759444B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JP2010118157A (ja) フロントパネル製造方法
JP2009146803A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP4691896B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4650201B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法およびその製造装置
WO2004090927A1 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2008010195A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2011165534A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2004006082A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法および誘電体保護膜製造装置
KR20050034312A (ko) 개선된 보호막을 가진 플라즈마 디스플레이 패널
JP2006049168A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
KR20080051888A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법