KR20080051888A - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 산화마그네슘 재질의 보호막 표면의 처리 방법을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 유리 기판 상에 버스 전극, 서스테인 전극, 유전체층을 형성하는 단계, 상기 유전체층 상부에 산화마그네슘(MgO)을 증착하여 보호막을 형성하는 단계, 및 상기 보호막 표면을 인덕션 히팅(induction heating)으로 하여 열처리하는 단계를 포함하거나 또는 버스 전극, 서스테인 전극, 유전체층, 산화마그네슘(MgO) 보호막이 형성된 상판과 어드레스 전극, 유전체층, 격벽, 형광막이 형성된 하판을 준비하는 단계, 상기 상판과 하판을 밀봉 수단에 의해 합착하여 패널로 형성하는 단계, 상기 패널 내부의 공기를 배기시키는 단계, 상기 패널을 인덕션 히팅(induction heating)으로 하여 상기 보호막 표면을 열처리하는 단계, 상기 패널 내부의 잔존 기체 또는 가스를 배기시키는 단계, 및 상기 패널 내부에 방전 가스를 주입하는 단계를 포함한다.

PDP, 보호막, 인덕션, 히팅, 열처리

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL}

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도면이다.

도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 증착하는 과정을 나타낸 공정도이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 나타낸 개략 블록도이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 나타낸 개략 블록도이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕션 히팅 공정을 개략적으로 나타낸 공정도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

11 : 상판 13 : 하판

12 : 격벽 19 : 형광층

14 : 유전체 15 : 어드레스 전극

59, 60 : 서스테인 전극쌍 70 : 인덕션 히터

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 특히 보호막 표면의 처리 방법을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온과 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet Rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도면이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 서스테인 전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 서스테인 전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합 된다.

전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 물질로 형성된 투명전극(a)과 은(Ag)과 같은 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.

후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.

이와 같은 전면 패널에서의 보호층(240)은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전전압을 낮추기 위한 이차전자를 공급해주며 상부 유전체층(230)이 이온으로부터 받는 손상을 막아주는 역할을 한다.

다음, 도 2a 및 도 2b는 이러한 역할을 하는 보호층이 E-beam법을 이용하여 증착하는 과정을 나타낸 것이다.

도 2a 및 2b는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 보호층을 E-beam법을 이용하여 증착하는 방법을 나타낸 도면이다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 서스테인 전극쌍 상부에 유전체층(204)이 형성된 전면 패널(200)을 보호층(205)을 증착시키기 위해 진공 챔버(210) 내부로 진입시킨다. 이 때, 진공 챔버(210) 내부로 진입한 전면 패널(200)은 유전체층(204) 상부에 보호층(205)을 증착시키는 장치를 통해 보호층(205)이 증착되는데, 이러한 보호층 증착 장치는 전면 패널(200)을 고정하는 패널 고정부(230)와 전면 패널(200)이 소정거리로 이격되어 전면 패널(200)에 통상 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층(205)을 증착시키는 증기발산부(250)를 포함한다. 여기서, 증기발산부(250)는 허스(Hearth, 250a)내에 MgO 물질(250b)을 담아서 허스(Hearth, 250a)에 형성된 오리피스(Orifice, 250a1)를 통하여 전자빔(E-Beam, 270)건으로 MgO 물질(250b)을 집중 조사하는 장치를 말한다.

한편, 진공 챔버(210) 내부에서 패널고정부(230)에 놓여진 전면 패널(200)은 증기발산부(250)와 10㎝의 거리(d1)로 이격되어 제작된다. 이와 같이 제작된 진공 챔버(210)내의 보호층 증착장치(230, 250)를 이용하여 도 2b에 도시된 바와 같이 증기발산부(250)의 MgO 물질(250b)을 허스(Hearth, 250a)에 형성된 오리피스(Orifice, 250a1)를 통하여 전자빔(EBeam, 270) 건으로 집중 조사하면 MgO 물질(250b)은 에너지 대부분이 열로 변하게 되어 기체의 승화상태인 증기가 전면패널(200)의 유전체층(204) 표면에 달라붙게 된다.

이와 같은 방법으로 증착되는 MgO 보호층은 MgO 특성상 H₂O와 CO₂와의 반응이 매우 강하여 보호층 장착 후 대기 중에 노출되면 이러한 물질이 MgO 보호층에 흡착되어 방전특성이 악화된다.

따라서 MgO 보호층 증착 후, 가능한 빠르게 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널과 후면 패널을 합착해야 하는데 합착 중에 일부 흡착되는 H₂O와 CO₂는 방지할 수 없다.

이와 같은 현상으로 종래에는 두 가지 방법으로 MgO의 표면처리를 한다.

먼저, 첫 번째 방법으로 MgO 증착 후, 불산(HF)가스를 사용하여 MgO 표면을 처리한다. 이와 같은 방법은 불산가스의 불소(F)가 H₂O와 CO₂가 흡착할 장소를 미리 제거하여, H₂O와 CO₂의 흡착을 방지하는 방법이다.

또한, 종래 사용했던 MgO 표면처리의 두 번째 방법으로는 MgO 증착 후, MgO를 Ar, Ne 등의 불활성 기체를 사용하여 스퍼터링 한 후, 진공을 제거하지 않고 진공 챔버에서 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널과 후면 패널을 합착, 불순가스 배기 및 실링을 연속하여 하는 방법이다. 이와 같은 방법은 Ar, Ne 등의 불활성 기체를 사용하여 MgO 표면을 스터퍼링 하면, H₂O와 CO₂ 등의 불순물이 제거되고, 표면의 불균일성도 제거되므로 두 가지 목적을 달성할 수 있다.

그러나 전술한 MgO 표면처리를 위한 열처리 방법은 이미 흡착된 H₂O와 CO₂는 제거하지 못한다는 문제가 있었고, 다시 대기 중에 노출되면 H₂O와 CO₂가 흡착되므 로, 스퍼터링 챔버에서 합착, 불순가스 배기 및 실링을 연속해서 수행하여야 한다는 문제가 있었다.

또한, 플라즈마 디스플레이 패널 전체나 전면 패널을 균일한 온도로 가열을 하기가 어렵고, 유전체나 실(seal)재의 허용 온도 범위 내에서 열처리를 하여야 하므로 최대 400℃ 이상의 열처리가 어렵다는 문제가 있었다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 산화마그네슘 재질의 보호층 표면 처리 방법을 개선하여 균일한 표면의 보호막을 제공할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

또한 본 발명은 산화마그네슘 재질의 보호층 표면 처리 방법을 개선하여 고온의 열처리가 가능함과 동시에 공정 시간을 단축시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은, 유리 기판 상에 버스 전극, 서스테인 전극, 유전체층을 형성하는 단계, 상기 유전체층 상부에 산화마그네슘(MgO)을 증착하여 보호막을 형성하는 단계, 및 상기 보호막 표면을 인덕션 히팅(induction heating)으로 하여 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은, 버스 전극, 서스테인 전극, 유전체층, 산화마 그네슘(MgO) 보호막이 형성된 상판과 어드레스 전극, 유전체층, 격벽, 형광막이 형성된 하판을 준비하는 단계, 상기 상판과 하판을 밀봉 수단에 의해 합착하여 패널로 형성하는 단계, 상기 패널 내부의 공기를 배기시키는 단계, 상기 패널을 인덕션 히팅(induction heating)으로 하여 상기 보호막 표면을 열처리하는 단계, 상기 패널 내부의 잔존 기체 또는 가스를 배기시키는 단계, 및 상기 패널 내부에 방전 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 열처리는 상기 패널을 인덕션 히터 내에 삽입하여 유도 가열하거나 또는 상기 전극 상부의 보호막 표면을 열처리할 수 있다.

이때, 상기 열처리 온도는 400℃ 이상이며, 이 열처리된 보호막은 다결정 MgO 소결체로서 전체 불순물 농도가 300ppm 이하이다.

그리고 상기 보호막의 증착은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅 (Ion-plating) 및 스퍼터링 (Sputtering) 중 선택된 어느 하나의 공정을 이용한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 살펴보도록 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 나타낸 개략 블록도이다.

먼저 유리 기판 상에 버스 전극, 서스테인 전극, 유전체층을 차례로 형성한다(301).

다음 상기 유전체층 상부에 산화마그네슘(MgO)을 증착하여 보호막을 형성한다(302). 여기서 상기 유전체층을 덮는 보호막에는 내스퍼터링성, 이차 전자 방출 량, 다른 곳에 전하를 축적하는 능력 등에 관한 요구 사항들이 존재한다.

상기 보호막을 증착하는 방법은 화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅 (Ion-plating) 및 스퍼터링 (Sputtering) 중 선택된 어느 하나의 공정을 이용하여 보호막을 증착한다.

다음 상기 형성된 보호막 표면을 인덕션 히팅(induction heating)으로 하여 열처리한다(303). 여기서, MgO 보호막의 표면처리를 위해 인덕션 히팅(induction heating)을 사용한다.

상기 인덕션 히팅으로 열처리를 할 경우 열처리되는 부위는 전도도가 높은 전극 부위에 국한되므로 국부적인 열처리가 가능하고, 그 열용량이 작으므로 신속한 가열/냉각이 가능해지므로 플라즈마 디스플레이 패널의 공정 시간이 단축된다.

또한, 실제 방전에 기여하는 전극 상의 MgO 보호막 부위만이 선택적으로 열처리할 수 있으므로 400℃ 이상의 고온 열처리도 가능하다.

MgO는 강방전이 발생하는 플라즈마 디스플레이 패널 내부의 셀에서 방전으로부터 구조물들을 보호하는 역할을 하는 동시에 높은 이차전자방출계수를 가짐으로서 패널의 방전전압을 낮게 유지하는데 매우 중요한 역할을 한다.

특히, 방전전압을 낮게 유지하는 전자소스로서의 역할에 있어서 MgO는 표면의 오염에 취약하고, 오염에 따라 그 물성이 현저히 변화하므로 MgO의 표면을 깨끗이 하기 위해서는 전술한 고온의 열처리가 필요하다.

상기 유전체층의 보호막 재료로는 MgO 다결정체 또는 단결정체가 사용되며, 현재는 불순물 및 증착성 등의 문제점들로 인해서 단결정체보다는 다결정체 MgO 보 호막 재료가 선호된다.

이러한 다결정체 MgO 보호막은 유전체층의 표면을 방전시의 스퍼터링으로부터 보호하면서, PDP의 장수명에 기여하는 것으로 알려져 있고, 보호막의 막 밀도가 높을수록 스퍼터링을 향상시키는 것으로 알려져 있다.

그러나, 현재 다결정체 MgO 내에 포함되는 불순물들이 증착에 어떠한 영향을 미치는지에 대한 연구 또는 보고는 알려진 바가 없고, 따라서 증착성 향상을 위해서 불순물의 농도를 어느 정도 수준까지 조절하여야 하는지도 알려진 바가 없다.

따라서, 본 발명에서는, 플라즈마 디스플레이 패널 유전체층의 다결정 MgO 소결체 보호막으로서, 상기 다결정 MgO 소결체 내의 전체 불순물 농도가 300ppm 이하인 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 다결정 MgO 소결체 보호막을 제공한다.

이하, 전술한 상기 인덕션 히팅으로 전도도가 높은 전극 부위에만 국부적인 열처리를 실시하는 일 예를 도 4를 참조하여 설명하기로 한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 상부기판(11) 상에 투명전극(59a, 60a)과 금속막 형태의 버스전극(59b, 60b)으로 이루어진 서스테인 전극쌍(59, 60)을 구비하며 AC 구동을 위한 유전체층(14)과 그 유전체층(14)의 표면 상에 두께 1㎛의 MgO를 포함하는 보호막(18)이 형성되어 있다.

한편, 상기 상부기판(11)에 대향하는 하부기판(13) 위에는 상부기판(11)의 서스테인 전극쌍(59, 60)과 직교 상태로 배치되는 어드레스 전극(15)이 형성되어 있고, 이 어드레스 전극(15) 위에는 하부 유전체층(17)이 형성되어 있다.

그리고, 하부 유전체층(17) 위에는 소정 높이로 형성되어 방전 공간(51)인 제 1, 제 2, 제 3 셀을 형성하도록 다수의 격벽(12)들이 형성되어 있다.

상부기판(11)의 측면 상의 보호막(18)은, 셀 내의 플라즈마에 직접 노출되어야 하는 유전체층(14)을 이온충격에 대해 보호하는 기능을 하여, 유전체층(14)이 손상되는 것을 방지한다. 이 기능에 더하여, 보호막(18)은 전극들 간에 전압을 인가할 때의 가스방전을 위해 2차 전자들을 방출하는 기능과, 벽전하를 축적하고 유지하기에 충분한 높은 절연성을 제공하는 기능도 가진다. 이들 중에, 고절연성을 제공하는 기능은 방전개시전압의 저하와 플라즈마 디스플레이 패널의 짧은 응답시간을 얻는 데에 중요하다.

본 발명에서는 상기 고순도의 MgO 증착재료로 된 MgO 보호막(18)을 인덕션 히팅으로 고열 처리함으로써, MgO 보호막의 불순물 증가량을 300ppm 이하로 제한할 수 있고, 결과적으로, 양호하게 에이징된 플라즈마 디스플레이 패널의 구동시에 프라이밍 전압을 저하시킬 수 있어 표시의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.

여기서 국부적인 열처리를 가함으로써, 고온으로 열처리를 하더라도, 기판이 갈라지는 것을 방지할 수 있기 때문에, 기판 온도의 상한을 400℃ 이상으로 높일 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 나타낸 개략 블록도이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 도 5의 우측에 나열된 전면 패널이 되는 상판의 제조 과정과, 좌측에 나열된 후면 패널이 하판의 제조 과정 및 하측에 나열된 실링 과정 등을 포함한 조립 과정을 포함한다.

먼저, 도 5의 우측에 나열된 상판의 제조 과정을 설명하면 다음과 같다. 상판은 먼저 기재가 되는 유리 기판을 준비한 후, 유리 기판 상부에 복수의 서스테인 전극쌍이 되는 버스 전극, 서스테인 전극을 차례로 형성한다. 다음 상기 서스테인 전극쌍 상면에 상부 유전체층을 형성하고, 상기 서스테인 전극쌍을 보호하기 위한 산화마그네슘(Mgo)으로 이루어진 보호층을 형성한 상판을 준비한다(501).

이어서, 도 5의 좌측에 나열된 후면 패널이 되는 하판의 제조 과정을 설명하면 다음과 같다. 하판은 상판과 마찬가지로 먼저 기재가 되는 유리 기판을 준비하고, 상판에 형성된 서스테인 전극쌍과 교차하여 대향되도록 복수의 어드레스 전극을 유리 기판 상에 형성한다. 이 후, 어드레스전극 상면에 하부 유전체층을 형성하고, 하부 유전체층 상면에 형광체층을 형성한 하판을 준비한다(502).

다음, 이와 같이 제조된 상판과 하판을 서로 실링하여 합착하고 플라즈마 디스플레이 패널을 형성한다(503).

다음, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 내부에 존재하는 공기를 펌프를 이용하여 배기시켜 제거한다(504).

이어서, 상기 플라즈마 디스플레이 패널에 포함되는 보호막 표면을 열처리하기 위해, 인덕션 히팅을 이용하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 국부 부위를 열처리하거나 또는 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 인덕션 히터 내부에 삽입하여 열처리한다(505).

다음, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 내부에 존재하는 기체 또는 가스를 완전히 배기시켜 제거하고(506), 이어서 플라즈마 디스플레이 패널 내부에 배기구를 통해 Xe, Ne, Ar과 같은 방전 가스를 주입하고(507), 토치를 이용하여 상기 배기구의 중간 부분을 녹여 밀봉함으로써 플라즈마 디스플레이 패널의 제작을 완료한다.

여기서, 상기 유도 가열의 열처리 온도는 400℃ 이상으로, 상기 전극 상부의 보호막 표면을 열처리한다. 이때, 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 인덕션 히터 내에 삽입하여 유도 가열할 수도 있다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 인덕션 히팅 공정을 개략적으로 나타낸 공정도이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 인던션 히터(201) 내의 이송부(202)에 올려진 플라즈마 디스플레이 패널(203)은 로울러(205)의 회전 방향에 따라 이송부(202)를 따라 이송되면서, 히팅 코일(204)에 의해 고주파 가열된다.

이때, 상기 플라즈마 디스플레이 패널은 인덕션 히터(201) 내에 연속적으로 투입하여 고주파 가열을 통하여 소정의 온도(ex : 400℃)까지 가열하는 히팅 공정을 진행할 수 있을 뿐만 아니라 대량 생산 공정에도 적용할 수 있다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형과 조합이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 산화마그네슘 재질의 보호층 표면 처리 방법을 개선하여 균일한 표면의 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있다는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 산화마그네슘 재질의 보호층 표면 처리 방법을 개선하여 고온의 열처리가 가능함과 동시에 공정 시간을 단축시킬 수 있다는 효과가 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (7)

1. 유리 기판 상에 버스 전극, 서스테인 전극, 유전체층을 형성하는 단계;

   상기 유전체층 상부에 산화마그네슘(MgO)을 증착하여 보호막을 형성하는 단계; 및

   상기 보호막 표면을 인덕션 히팅(induction heating)으로 하여 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
2. 버스 전극, 서스테인 전극, 유전체층, 산화마그네슘(MgO) 보호막이 형성된 상판과 어드레스 전극, 유전체층, 격벽, 형광막이 형성된 하판을 준비하는 단계;

   상기 상판과 하판을 밀봉 수단에 의해 합착하여 패널로 형성하는 단계;

   상기 패널 내부의 공기를 배기시키는 단계;

   상기 패널을 인덕션 히팅(induction heating)으로 하여 상기 보호막 표면을 열처리하는 단계;

   상기 패널 내부의 잔존 기체 또는 가스를 배기시키는 단계; 및

   상기 패널 내부에 방전 가스를 주입하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 열처리는,

   상기 패널을 인덕션 히터 내에 삽입하여 유도 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열처리는,

   상기 전극 상부의 보호막 표면을 열처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열처리 온도는,

   400℃ 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열처리된 보호막은

   다결정 MgO 소결체로서 전체 불순물 농도가 300ppm 이하인 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 제조방법.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호막의 증착은,

   화학적 기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅 (Ion-plating) 및 스퍼터링 (Sputtering) 중 선택된 어느 하나의 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.

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