JP2000164136A

JP2000164136A - Ａｃ型プラズマディスプレイパネル用基板、その製造方法、ａｃ型プラズマディスプレイパネル、その製造方法、及びａｃ型プラズマディスプレイ装置

Info

Publication number: JP2000164136A
Application number: JP33597498A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Harada; 茂樹原田; Akihiko Iwata; 明彦岩田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-11-26
Filing date: 1998-11-26
Publication date: 2000-06-16

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電体の保護層である酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）の表面を清浄な状態に保つことによって、製造プ
ロセスを簡略化し、かつ放電の安定性に優れたプラズマ
ディスプレイパネルを得る。【解決手段】誘電体１１の表面に第１保護層としての
ＭｇＯ膜１２を成膜した後、ＭｇＯ膜１２を大気に曝す
前に、大気中においてＭｇＯよりも化学的に安定で、Ｍ
ｇＯよりも放電によるスパッタに弱く、且つ可視光線と
紫外線とが透過し得るという物性的な条件を満たす第２
保護層１３を、ＭｇＯ膜１２の表面上に成膜する。その
後、パネルを封着し、パネル内に放電用ガスを封入した
上でエージングを行い、放電によるスパッタによって陰
極領域から第２保護層１３を除去し、ＭｇＯ膜１２の表
面を放電空間３に露出させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対向放電型又は面
放電型（２電極又は３電極構造）より成るＡＣ型プラズ
マディスプレイパネル（以下、ＡＣ−ＰＤＰと称す）の
構成及びその製造技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネルは、放電に
伴う発光を利用した表示デバイスである。プラズマディ
スプレイパネルの中で、ＡＣ−ＰＤＰにおいては、電極
を誘電体で被覆し、容量により放電電流を制限してい
る。ＡＣ−ＰＤＰの構造は従来から様々なものが提案さ
れてきたが、ここでは、３電極面放電型ＡＣ−ＰＤＰと
呼ばれるＡＣ−ＰＤＰを一例として、その構造及び製造
プロセスを説明する。そこで、構造の斜視図を図４に、
断面図を図５に示す。また、製造プロセスフローを図６
に示す。

【０００３】まず、背面基板２側について説明する。は
じめに、背面基板２に書込電極と呼ばれる平行な電極群
５が形成され、次にリブ４と呼ばれる障壁が画素ピッチ
で書き込み電極５に平行に形成される。更に、リブ４間
に蛍光体６が各三原色に塗り分けて形成され、背面基板
２の製造が終了する。リブ４は、画素と画素とを電気
的、光学的に分離する障壁としての役割と、前面基板１
と背面基板２とを一定の間隔で保つためのスペーサとし
ての役割とを担っている。また、蛍光体６は、放電によ
って生じた紫外線を、可視光線に変換する。

【０００４】次に、前面基板１側について説明する。前
面基板１の表面上には、二本一対の電極７、８が画素ピ
ッチの間隔で、平行配置される。前面基板１の電極７、
８は、蛍光体６からの可視光線を効率良くとり出すため
に、ＩＴＯ、ＳｎＯ２などの透明電極９が用いられる。
また、透明電極９は高抵抗であるため、抵抗による電圧
低下を軽減するため、バス電極１０と呼ばれる低抵抗の
金属電極が透明電極の一部に重なるように形成される。

【０００５】次に、前面基板１の電極７、８は誘電体１
１によって被覆される。誘電体１１は酸化鉛（ＰｂＯ）
を主体とした低融点ガラス等で形成されているが、誘電
体１１は放電によるスパッタに弱いため、この誘電体１
１が放電空間に露出したままで放電させると、ＰＤＰの
放電特性は著しく悪化する。これを防ぐために、誘電体
の表面上に、耐スパッタ性に優れた保護層１２が形成さ
れる。

【０００６】また、ＰＤＰの放電開始電圧は、陰極の二
次電子放出比γが大きいほど低くなる。そのため、ＡＣ
−ＰＤＰの低電圧化のためには、直接放電空間３に接
し、陰極として働く保護層１２は、高二次電子放出比の
材料より成ることが要求される。

【０００７】現在、耐スパッタ性と高二次電子放出比と
の両方を満たす保護層１２の材料としては酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）が広く用いられている。

【０００８】完成した前面基板１及び背面基板２は、そ
れぞれの電極が直交するように重ね合わされ、図示して
いないが周囲を低融点ガラスによって封着される。封着
は大気下において約４３０℃の焼成によって行われる。
以後、封着された前面基板１と背面基板２とが一体化し
たものを、パネルと称する。パネルには、図示しない排
気用の排気穴と排気管とが設置されており、排気管を用
いて、パネル内ガスの排気、放電用ガスの導入が行われ
る。放電用ガスとしては、放電によって紫外線を発生す
るＸｅ等の希ガスと他の希ガスとの混合ガス（数百Ｔｏ
ｒｒ）が用いられる。

【０００９】ここで、ＭｇＯ膜１２の取り扱いについて
説明する。ＭｇＯ膜１２は、成膜後に大気下において前
面基板１と背面基板２との封着プロセスを経なければな
らないため、プロセス上、ＭｇＯ膜１２が汚染される機
会が多い。また、ＭｇＯ膜１２自体が、水等の不純物を
吸収しやすい性質を持っている。そして、ＭｇＯ膜１２
は直接放電空間３に接し、放電に曝されるため、もしＭ
ｇＯ膜１２の表面またはその内部に不純物が存在すると
きには、当該不純物はＰＤＰの放電特性に大きな影響を
与える。ここで、ＭｇＯの表面不純物がＰＤＰの放電特
性に与える影響については、例えばＷ．Ｅ．Ａｈｅａｒ
ｎａｎｄＯ．Ｓｈｎｉ，ＩＢＭＪ．Ｒｅｓ．Ｄ
ｅｖｅｌｏｐ．２２，６２２（１９７９）に開示されて
いる。即ち、不純物によっては、放電セルと非放電セル
との放電開始電圧が変動し、出荷時に設定した電圧で
は、表示の制御ができなくなってしまう。

【００１０】また、ＭｇＯは水、二酸化炭素などの不純
物を吸着しやすく、徐々に水酸化マグネシウム（Ｍｇ
（ＯＨ）₂）や水酸化炭酸マグネシウム（ｍＭｇＣＯ₃・
ｎＭｇ（ＯＨ）₂・ｘＨ₂Ｏ）になる。そのため、本来は
耐スパッタ性に優れていた筈のＭｇＯが前出の様な物質
に一部変化してしまうと、その耐スパッタ性は劣化し、
スパッタされやすくなってしまう。この点は、ＰＤＰの
長時間の寿命に影響を与え、保護層がスパッタによって
消失し、下地層（誘電体１１）が露出するまでの時間を
短くしてしまう。

【００１１】そのため、従来のプロセスでは、ＭｇＯが
汚染されないようにするために、ＭｇＯ成膜後の保管中
の雰囲気を真空や窒素にしたり、また、ＭｇＯが大気に
曝される時間をできるだけ短縮したりしている。また、
付着した不純物を除去するために、ガス封入前に真空加
熱排気を行い、表面の不純物を除去している。真空加熱
排気の温度は、封着層の軟化温度によって制限される
が、経験的に３５０℃程度になっている。３５０℃の実
験的な裏付けとしては、町田他、ディスプレイアンド
イメージング、１９９３、Ｖｏｌ．１，ｐｐ．３２９
−３４１に示されており、ＭｇＯ膜の表面に物理的に
付着した水は２００℃で、ＭｇＯ膜の内部に存在する水
は３００℃程度で各々脱離されるとされている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＭｇＯ成膜後の雰囲気や時間の管理では、完全にＭｇＯ
表面を清浄な状態に保つことは不可能であり、また、そ
れを行うための管理も容易ではない。

【００１３】また、ＰＤＰにおいては、その内部の排気
コンダクタンスが非常に小さいため、３５０℃で真空加
熱排気を行ったとしても、ＭｇＯ膜の内部および表面か
ら脱離した不純物が多量であれば、不純物が完全に排気
されるまでには長時間を要すると共に、その際の排気が
不十分であれば、排気されなかった不純物が再びＭｇＯ
膜に付着してしまい、ＭｇＯ膜の耐スパッタ特性及びＰ
ＤＰの放電特性に悪影響を与える。

【００１４】本発明は上記課題を解決するために成され
たものであり、保護層としてのＭｇＯ表面を簡便な方法
で清浄な状態に保つことによって、放電の安定性に優れ
たプラズマディスプレイパネルを提供すると共に、その
製造プロセスを簡略化することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１にかかる発明
は、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板であっ
て、電極を含む基板本体と、前記基板本体の表面上に形
成された誘電体と、前記誘電体を放電によるスパッタか
ら保護するために前記誘電体の表面上に形成された第１
保護層と、前記第１保護層の表面上に形成された第２保
護層とを備え、前記第２保護層は大気中に於いて前記第
１保護層よりも化学的に安定であるという第１物性的条
件を満たすことを特徴とする。

【００１６】請求項２にかかる発明は、請求項１記載の
ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板であって、前
記第２保護層は前記第１保護層を大気に曝す前に形成さ
れていることを特徴とする。

【００１７】請求項３にかかる発明は、請求項２記載の
ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板であって、前
記第２保護層は、前記第１保護層よりも放電によるスパ
ッタに弱いという第２物性的条件及び可視光線と紫外線
とを透過させ得るという第３物性的条件をも満たすこと
を特徴とする。

【００１８】請求項４にかかる発明は、ＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルであって、請求項３記載の前記ＡＣ
型プラズマディスプレイパネル用基板である第１基板
と、少なくとも蛍光体を有し、前記第１基板と封着され
て放電空間を形成する第２基板とを備え、前記放電空間
内の陰極領域の前記第２保護層が除去されて前記第１保
護層の前記表面が前記放電空間に直接に接していること
を特徴とする。

【００１９】請求項５にかかる発明は、ＡＣ型プラズマ
ディスプレイ装置であって、請求項４記載の前記ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルを有することを特徴とす
る。

【００２０】請求項６にかかる発明は、ＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネル用基板の製造方法であって、（ａ）
電極と誘電体とを有する基板本体を準備する工程と、
（ｂ）前記誘電体の表面上に第１保護層を形成する工程
と、（ｃ）前記第１保護層の表面上に第２保護層を形成
する工程とを備え、前記第２保護層は大気中に於いて前
記第１保護層よりも化学的に安定であるという第１物性
的条件を満たすことを特徴とする。

【００２１】請求項７にかかる発明は、請求項６記載の
ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法で
あって、前記第１保護層を大気に曝す前に前記第２保護
層を形成することを特徴とする。

【００２２】請求項８にかかる発明は、請求項７記載の
ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板の製造方法で
あって、前記工程（ｃ）は、（ｃ−１）前記第１保護層
を所定の温度で加熱して前記第１保護層の内部に取り込
まれている不純物を除去する工程と、（ｃ−２）前記工
程（ｃ−１）後の前記第１保護層の前記表面上に前記第
２保護層を形成する工程とを備えることを特徴とする。

【００２３】請求項９にかかる発明は、ＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルの製造方法であって、請求項７又は
８に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板の
製造方法を用いて第１基板を形成する工程と、少なくと
も蛍光体を有する第２基板を形成する工程と、前記第１
基板と前記第２基板とを互いに封着し、その後、真空加
熱排気を経て、前記蛍光体と前記第２保護層の前記表面
とで規定される放電空間内に放電用ガスを導入する工程
と、放電によるスパッタによって、前記放電空間内の陰
極領域の前記第２保護層を除去する工程とを備え、前記
第２保護層は、前記第１保護層よりも放電によるスパッ
タに弱いという第２物性的条件及び可視光線と紫外線と
を透過させ得るという第３物性的条件をも満たすことを
特徴とする。

【００２４】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態１の特徴点は、前面パネル側の第１基板の誘電体の
保護層を、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）より成る第１保
護層と、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、フッ化カル
シウム（ＣａＦ₂）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の何
れかから成る第２保護層として形成し、第１基板と背面
パネル側の第２基板との封着（貼り合わせ）後のエージ
ングによって、放電空間内の陰極領域に面した第２保護
層を除去した点にある。従って、本実施の形態１のＰＤ
Ｐは、上記保護層の構成・形成方法を除いては、基本的
に、従来例で示した図４，図５の３電極面放電反射型Ａ
Ｃ−ＰＤＰと同一であるため、以下では図４，図５中の
各参照符号を援用して説明する。なお、本発明は、本実
施の形態１で説明する３電極面放電反射型ＡＣ−ＰＤＰ
のみならず、電極を被覆している誘電体の保護層として
ＭｇＯを用いる様々なタイプのＡＣ−ＰＤＰにも適用可
能であり、その場合にも同じ効果が得られることは勿論
である。例えば、２電極対向放電型ＡＣ−ＰＤＰや、２
電極又は３電極構造の面放電透過型ＡＣ−ＰＤＰに適用
可能である。

【００２５】図１は、本実施の形態に係るＡＣ−ＰＤＰ
の製造プロセスフローを示す図であり、特に破線で囲ん
だＭｇＯ蒸着後からの製造プロセスフローに特徴点があ
る。従って、本実施の形態における前面基板（第１基板
に該当）のＭｇＯ膜蒸着工程前の製造プロセスと背面基
板（第２基板に該当）の製造プロセスとは、図６の従来
例で説明したものと同じであると考えて差し支えなく、
ここでは図６の説明を援用する。

【００２６】そこで、以下では、第１保護層であるＭｇ
Ｏ膜１２の蒸着工程以後のプロセスについて詳述する。

【００２７】先ず、ＭｇＯ膜１２の成膜方法としては、
電子ビーム蒸着法（ＥＢ蒸着法）、スパッタリング法、
イオンプレーティング法等の物理蒸着法を用いることが
多い。本実施の形態では、ＥＢ蒸着法を用いた場合につ
いて説明するが、上述した他の蒸着法を用いても同じ効
果が得られることは勿論である。

【００２８】互いに平行な第１及び第２電極（Ｘ，Ｙ）
より成る複数の電極対７，８と当該電極対７，８を被覆
する（但し、電極対の外部への取出し部分は除く）誘電
体１１とがその表面上に順次に形成された前面基板（基
板本体）１を、ＥＢ蒸着装置の中にセットした上で、Ｍ
ｇＯ膜１２の蒸着を行う。この時、ＭｇＯ膜１２の結晶
性を向上させるために、１０^-5Ｔｏｒｒ〜１０^-4Ｔｏｒ
ｒの酸素雰囲気中、基板温度が１００℃〜２００℃の条
件で上記ＥＢ蒸着を行うのが、一般的である。そこで、
本実施の形態でも上記の条件でＥＢ蒸着を行う。ＥＢ蒸
着の開始後、所定の膜厚、例えば５０００オングストロ
ームが得られた時点で、誘電体１１の表面上へのＭｇＯ
膜１２の蒸着を終了する。

【００２９】ＥＢ蒸着装置の同一チャンバー内には、Ｍ
ｇＯが収納されている坩堝とは別の坩堝に、ＭｇＯ膜１
２の表面を全面的に覆うための物性的にある条件を持つ
材料が収納されている。ここで、この材料を、第２保護
層材料と呼ぶ。第２保護層の物理的条件としては、大
気中においてＭｇＯよりも化学的に安定しており（第１
条件）、ＭｇＯよりも放電によるスパッタに弱く（第
２条件）、可視光線及び紫外光線を透過させ得る光学
特性を有すること（第３条件）である。これらの条件
〜を満たす物質としては、例えばＭｇＦ₂、ＬｉＦ、
ＣａＦ₂を挙げることができる。

【００３０】現在、ＰＤＰの紫外線放射ガスとしてはＸ
ｅガスが用いられており、その共鳴線の波長は１４７ｎ
ｍである。従って、波長１４７ｎｍの紫外線が透過しえ
ない物質が蛍光体６の表面に付着していると、蛍光体６
に達する紫外線量が低下し、輝度が低下する。

【００３１】これに対して、前述の第２保護層の例とし
て挙げた各材料の光透過波長域については、ＭｇＦ₂は
１１０ｎｍ〜７５００ｎｍ、ＬｉＦは１２０ｎｍ〜９０
００ｎｍ、ＣａＦ₂は１３０ｎｍから１２０００ｎｍで
ある（ＡｍｅｒｉｃａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆ
ＰｈｙｓｉｃｓＨａｎｄｂｏｏｋより）。つまり、
波長が１４７ｎｍ以上の真空紫外領域から可視光領域ま
での光は、これらの材料をを透過し得るため、これらの
第２保護層材料がＰＤＰの放電空間３内のどこに付着し
たとしても、同材料はＰＤＰの輝度を低下させることが
ない。

【００３２】また、それらの沸点については、ＭｇＯの
３６００℃に対し、ＭｇＦ₂は２２６０℃、ＬｉＦは１
６８０℃、ＣａＦ₂は２５００℃と低く、それらの第２
保護層材料はＭｇＯよりも放電によるスパッタに対し弱
い。

【００３３】また、これらの第２保護層材料は、一般に
光学材料に用いられており、大気中においてＭｇＯより
も安定であり、大気から多量に不純物を吸収する性質を
もたない材質である。

【００３４】ＭｇＯ膜１２の蒸着が終了した後、同一チ
ャンバー内で連続して第２保護層１３（図２参照）の蒸
着を行う。つまり、ＭｇＯ膜１２の表面は、その蒸着後
に大気に曝されることなく、第２保護層１３によって覆
われる。この時、後程説明するが、ＰＤＰのエージング
時間を短縮するために、なるべく第２保護層１３の膜厚
を薄く設定した方が良い。

【００３５】次に、従来例と同じように、前面基板１と
背面基板２との封着を行う。ここで、背面基板２の表面
上には、複数のストライプ状の障壁４と、隣り合う障壁
４間に挟まれて障壁４に平行に延在した書込み電極（第
３電極）５と、障壁４の側面上及び書込み電極５上に各
３原色に塗り分けられた蛍光体６とが既に形成されてお
り、障壁４の頂上部が第２保護層１３の表面に接し且つ
電極対７，８と書込み電極５とが互いに立体交差するよ
うに、両基板１，２を互いに封着する。この封着工程の
間、パネルは大気中で処理されているけれども、ＭｇＯ
膜１２の表面は第２保護層１３によって覆われているた
め、ＭｇＯ膜１２自体は大気の影響を受けない。また、
第２保護層１３は、ＭｇＯ膜１２に比べて化学的に安定
しているので、不純物をパネル内に取り込む量が格段に
少なくなる。

【００３６】パネルの封着後は、パネルの一部に設けら
れた排気管を用いて、パネルの真空加熱排気を行う。こ
のときの加熱温度については、脱ガスを促進させるため
に出来る限り高い方が良いけれども、封着層の軟化温度
との関係から、上記加熱温度を約３５０℃に設定した上
で真空加熱排気を行う。そして、ＰＤＰの内部が十分に
排気された状態に達した時点で、放電用のガスをＰＤＰ
内に導入し、排気管でＰＤＰを封じ切る。

【００３７】次に、封じ切られたパネルの放電開始電圧
を安定化させるために、初期に比較的高電圧でパネルを
放電する。この工程をエージングと称する。図２に本実
施の形態におけるエージングの様子を断面図を用いて模
式的に表す。

【００３８】図２（ａ）は、封じ切られた後の、エージ
ングを行う前のＰＤＰの要部断面図を示している。この
状態ではＭｇＯ膜１２の表面上に第２保護層１３が形成
され、ＭｇＯ膜１２は完全に被覆されている。この状態
でエージングを開始すると、放電によるスパッタによっ
て、陰極領域１７の第２保護層１３は除去されていく
（図２（ｂ））。この際、既述の通り、スパッタに弱い
材料を第２保護層１３として選定しており、しかも、そ
の膜厚を比較的薄く設定しているため、短時間で陰極領
域１７から第２保護層１３が除去される。その結果、陰
極領域１７の第２保護層１３が完全に除去された箇所に
おいては、蒸着時の清浄な状態のＭｇＯ膜１２の表面が
放電空間３に直接に対面するように現れ、以後、安定し
た放電特性が得られる（図２(c)）。

【００３９】尚、「陰極領域」とは、ＭｇＯ膜１２の表
面において放電時に陰極として働き、イオン衝撃を実際
に受ける領域を言う。

【００４０】以上のように、各放電空間３において陰極
領域１７から第２保護層１３がスパッタによって除去さ
れるので、エージング終了後も、隣り合う表示ラインの
それぞれの電極７，８間や障壁４の頂上部と接触してい
る部分等の陰極領域以外の部分における第２保護層１３
はなお残留する。しかし、残留する第２保護層１７は以
後の放電１５の特性に影響を与えるものではない。

【００４１】しかも、陰極領域１７より除去された第２
保護層材料１４は、周辺の陰極領域以外の領域に飛散し
て、蛍光体６上や前面パネルの光の取り出し口等に付着
する可能性がある。しかし、これらの除去後付着した第
２保護層材料１６は可視光線及び紫外線を透過させ得る
ので、飛散・付着した同層材料１６の存在によって輝度
が減少することはない。

【００４２】（変形例１）図３は、実施の形態１の変形
例に係るＡＣ−ＰＤＰの製造プロセスフローを示す図で
ある。本変形例は、図１の実施の形態１の製造プロセス
フローに対して、３００℃以上のＭｇＯ膜１２のベーキ
ングプロセスを第２保護層１３の蒸着前に設けた点を特
徴とする。

【００４３】ＭｇＯ膜１２の蒸着時、例えば、実施の形
態１に示すように酸素雰囲気中でＥＢ蒸着を行う場合、
真空度が低かったり、酸素導入管の内壁に水分等が付着
していたりすることもあるため、ＭｇＯ膜の蒸着中に水
等の不純物が取り込まれることがある。この場合、Ｍｇ
Ｏ膜１２の内部に取り込まれた不純物は、前面基板１と
背面基板２とを封着した後の真空加熱排気によって、あ
る程度除去される。しかしながら、パネル内のコンダク
タンスは非常に低いため、パネル化した後に、多量の不
純物を除去するのは効率的でない。そのため、ＭｇＯ膜
１２の蒸着後、第２保護層１３を蒸着する前に、ＭｇＯ
膜１２を３００℃以上の所定の温度で加熱し、これによ
りＭｇＯ膜１２の内部に取り込まれた不純物を除去する
プロセスを行う。この場合にはパネル化前のベーキング
なので、パネルの低コンダクタンスに起因した上記の制
約は生じない。

【００４４】ＭｇＯ膜１２は、その内部の不純物が効率
良く除去された後に、第２保護層１３の蒸着によって同
様に被覆されるため、実施の形態１で説明したように、
後のプロセスにおいて不純物により汚染されることはな
く、エージングによって、ＭｇＯ１２膜の清浄な表面を
放電空間３に対して露出させることができる。

【００４５】実施の形態１、変形例１で述べたＰＤＰ
を、その駆動部（入力映像信号に基づき第１〜第３電極
に印加する信号を生成する部分）と共に、プラズマディ
スプレイ装置ないしは表示装置に適用することは可能で
ある。

【００４６】（まとめ）この実施の形態１及び変形例
１，２は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような利点を有する。

【００４７】（１）ＭｇＯの蒸着後、ＭｇＯ膜１２の
表面は、大気に曝される前に第２保護層１３としてＭｇ
Ｆ₂、ＬｉＦ、ＣａＦ₂のいずれかの膜によって被覆さ
れ、ＭｇＯ膜１２自体はその後のプロセスで大気に曝さ
れることがない。第２保護層１３は大気から多量に不純
物を吸収する性質をもたないので、パネルの保管が容易
になる。

【００４８】（２）また、第２保護層１３の不純物の
付着量は、ＭｇＯ膜１２に比べて格段に少ないため、真
空加熱排気のプロセスにおいて、パネル化された低コン
ダクタンスの状態においても、容易に不純物を排気する
ことができる。

【００４９】（３）また、第２保護層１３は、放電に
よるスパッタに弱い性質を有するため、放電によって陰
極領域から同層１３を容易に除去することができるた
め、エージング時間を短縮することができる。

【００５０】（４）また、スパッタによって、非陰極
領域に飛散しＰＤＰ内部に付着した第２保護層材料１６
は、可視光線、紫外線を透過させ得るため、ＰＤＰの輝
度を低下させることがない。

【００５１】（５）さらに、ＭｇＯ膜１２の蒸着後、
第２保護層１３の蒸着前に、３００℃以上の加熱工程を
加えることによって、蒸着中にＭｇＯ膜１２中に取り込
まれた不純物を、予めコンダクタンスの大きな状態で除
去できるため、後の真空加熱排気のプロセスが容易にな
る。

【００５２】

【発明の効果】請求項１ないし９記載の各発明によれ
ば、酸化マグネシウムに代表される第１保護層の成膜後
に、大気中において第１保護層よりも化学的に安定した
材料である第２保護層によって第１保護層の表面が被覆
されるので、当該基板ないしは第１基板の製造後のＰＤ
Ｐの製造プロセスにおいて、第１保護層が不純物で汚染
されることを確実に防止することができ、当該基板ない
しは第１基板の製造後の第１保護層の保管に対しても、
従来技術のような特別な注意を払う必要がなくなるとい
う効果が得られる。また、これらの各発明によれば、第
２保護層は大気中において化学的に安定であることか
ら、第２保護層は第１保護層に比べて不純物を吸着しに
くく、ＰＤＰ製造時の真空加熱排気のプロセスにおいて
容易に不純物を除去することが出来るという効果も得ら
れる。

【００５３】特に、請求項２及び７の両発明によれば、
第１保護層が大気中に曝されることを防止することがで
きるので、第１保護層が不純物で汚染されることをより
一層防止することができる結果、第１保護層が他の物質
に変わることがなく、第１保護層の耐スパッタ性の優位
性や高二次電子放出比を維持することが出来る。

【００５４】更に請求項８の発明によれば、第１保護層
の成膜中に水等の不純物が取り込まれたとしても、これ
らの不純物を第２保護層の成膜前に十分に取り除くこと
ができる結果、第１保護層が不純物で汚染されるのを更
に一層防止することができ、耐スパッタ性の優位性や高
二次電子放出比をより一層維持することが可能となる。

【００５５】また、請求項３ないし５及び請求項９に記
載の各発明によれば、第２保護層を放電によるスパッタ
によって容易に除去することができるので、短時間でエ
ージングを終了することが出来るという効果を奏する。
更に、これらの発明によれば、放電によるスパッタによ
って除去された第２保護層が蛍光体上や可視光線の取り
出し面に付着したとしても、第２保護層自体が可視光線
や紫外線を透過させ得るため、輝度の低下を生じさせる
ことはないという効果も奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係るＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルの製造プロセスフローを示す図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態１に係るＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルのガス封入後の状態と、エージング
によって第２保護層がスパッタされる様子と、エージン
グ後の状態とを示す断面図である。

【図３】本発明の変形例１に係るＡＣ型プラズマディ
スプレイパネルの製造プロセスフローを示す図である。

【図４】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルを
示す斜視図である。

【図５】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルを
示す断面図である。

【図６】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
製造プロセスフローを示す図である。

【符号の説明】

１前面基板、２背面基板、３放電空間、４リ
ブ、５書込電極、６蛍光体、７維持電極（Ｘ電
極）、８維持電極（Ｙ電極）、９透明電極、１０
バス電極、１１誘電体層、１２第１保護層（酸化マ
グネシウム）、１３第２保護層、１４スパッタにより
飛散した第２保護層材料、１５放電、１６飛散し付
着した第２保護層材料、１７陰極領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5C027 AA07 5C040 FA01 GB03 GB06 GB14 GE02 GE09 JA07 JA24 KA04 KB13 MA10 MA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極を含む基板本体と、前記基板本体の表面上に形成された誘電体と、前記誘電体を放電によるスパッタから保護するために前
記誘電体の表面上に形成された第１保護層と、前記第１保護層の表面上に形成された第２保護層とを備
え、前記第２保護層は大気中に於いて前記第１保護層よりも
化学的に安定であるという第１物性的条件を満たすこと
を特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基
板。
【請求項２】請求項１記載のＡＣ型プラズマディスプ
レイパネル用基板であって、前記第２保護層は前記第１保護層を大気に曝す前に形成
されていることを特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプ
レイパネル用基板。
【請求項３】請求項２記載のＡＣ型プラズマディスプ
レイパネル用基板であって、前記第２保護層は、前記第１保護層よりも放電によるス
パッタに弱いという第２物性的条件及び可視光線と紫外
線とを透過させ得るという第３物性的条件をも満たすこ
とを特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用
基板。
【請求項４】請求項３記載の前記ＡＣ型プラズマディ
スプレイパネル用基板である第１基板と、少なくとも蛍光体を有し、前記第１基板と封着されて放
電空間を形成する第２基板とを備え、前記放電空間内の陰極領域の前記第２保護層が除去され
て前記第１保護層の前記表面が前記放電空間に直接に接
していることを特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプレ
イパネル。
【請求項５】請求項４記載の前記ＡＣ型プラズマディ
スプレイパネルを有することを特徴とする、ＡＣ型プラ
ズマディスプレイ装置。
【請求項６】（ａ）電極と誘電体とを有する基板本
体を準備する工程と、（ｂ）前記誘電体の表面上に第１保護層を形成する工
程と、（ｃ）前記第１保護層の表面上に第２保護層を形成す
る工程とを備え、前記第２保護層は大気中に於いて前記第１保護層よりも
化学的に安定であるという第１物性的条件を満たすこと
を特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基
板の製造方法。
【請求項７】請求項６記載のＡＣ型プラズマディスプ
レイパネル用基板の製造方法であって、前記第１保護層を大気に曝す前に前記第２保護層を形成
することを特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプレイパ
ネル用基板の製造方法。
【請求項８】請求項７記載のＡＣ型プラズマディスプ
レイパネル用基板の製造方法であって、前記工程（ｃ）は、（ｃ−１）前記第１保護層を所定の温度で加熱して前
記第１保護層の内部に取り込まれている不純物を除去す
る工程と、（ｃ−２）前記工程（ｃ−１）後の前記第１保護層の
前記表面上に前記第２保護層を形成する工程とを備える
ことを特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル
用基板の製造方法。
【請求項９】請求項７又は８に記載のＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネル用基板の製造方法を用いて第１基板
を形成する工程と、少なくとも蛍光体を有する第２基板を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板とを互いに封着し、その
後、真空加熱排気を経て、前記蛍光体と前記第２保護層
の前記表面とで規定される放電空間内に放電用ガスを導
入する工程と、放電によるスパッタによって、前記放電空間内の陰極領
域の前記第２保護層を除去する工程とを備え、前記第２保護層は、前記第１保護層よりも放電によるス
パッタに弱いという第２物性的条件及び可視光線と紫外
線とを透過させ得るという第３物性的条件をも満たすこ
とを特徴とする、ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
製造方法。