JP2000277009A - 交流型プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム膜の製造方法、交流型プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム膜、交流型プラズマディスプレイパネル及び交流型プラズマディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＰＤＰの信頼性を向上させるには、パネル制
作時のパターン内残留不純ガスを減らすことが必要であ
るが、そのためには、パネルに使用する材料の中で、ガ
ス吸着量の最も多い、ＭｇＯ膜のガス吸着量を減らす必
要がある。更に長期の信頼性を向上させるためには、放
電開始電圧変動の低減及びＭｇＯ膜のスパッタリング速
度を抑える必要がある。 【解決手段】 ＡＣ型ＰＤＰの保護膜用ＭｇＯ膜の作成
時の基板温度及び酸素分圧をそれぞれ２５０℃以上、１
×１０^-5〜１×１０^-4Ｔｏｒｒに制御する。これによっ
て、膜密度が従来よりも高く、且つ（１１１）方位の配
向性しかない膜が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、交流型プラズマデ
ィスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と呼ぶ）に関する
ものであり、特に二次電子放出効果を良好に保ちつつ、
かつパネル内の残存不純ガスを低減させ、さらにスパッ
タリングによる保護膜の消耗を低減することにより、Ｐ
ＤＰの性能向上および寿命延長させるための保護膜に関
する。

【０００２】

【従来の技術】放電発光を利用するフラットパネルディ
スプレイの一つであるＰＤＰは、その電極構造から、
（ｉ）放電空間に金属電極が露出している直流型（ＤＣ
型）と、（ｉｉ）金属電極が誘電体で覆われている交流
型（ＡＣ型）とに大別される。特にＡＣ型ＰＤＰでは、
上記誘電体層上に、当該誘電体層の保護膜として酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）膜が形成される。

【０００３】ここで、酸化マグネシウムは、二次電子放
出係数が大きい材料であるため放電開始電圧を低くし得
るという効果を有しており、更に放電に対するスパッタ
リング耐性に優れた材料でもある。従って、これらの特
性を用いることにより、ＡＣ型ＰＤＰの放電の低電圧化
と、電圧の安定化、及び長寿命化を図ることができる。

【０００４】このＭｇＯ保護膜は、（ａ）誘電体層及び
維持放電電極が放電（プラズマ）に直接さらされても、
イオン衝撃によるダメージを受けないようにするための
保護膜として機能するほかに、（ｂ）所定の電極間に放
電電圧を印加したときに、放電のための二次電子を放出
する機能（二次電子放出効果）や、（ｃ）壁電荷を蓄積
することによってＭｇＯ膜が無い場合よりも低い電圧で
電子を放出する機能、すなわち放電電圧を低減させる機
能を有する。

【０００５】このような特徴を有する酸化マグネシウム
保護膜は、一般的には、真空中で材料を電子ビームで溶
解蒸発させて基板に付着させる方法、即ち、電子ビーム
蒸着法によって成膜される。これは、（１）今までに提
案されているＭｇＯ膜の様々な成膜方法の中で当該電子
ビーム蒸着による成膜方法が最も速い速度で結晶性の良
い膜を形成できるという理由と、（２）当該電子ビーム
蒸着方法により形成されるＭｇＯ膜はＡＣ型ＰＤＰに要
求される諸性能（上記（ａ）〜（Ｃ））に関して他の方
法で成膜されたものよりも優れるという理由による。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】既述した通り、現在の
ＰＤＰに使用されている誘電体層上の保護膜としては、
ＭｇＯ膜が二次電子放出係数が大きいために放電開始電
圧を低くすることができること、しかも放電に対する対
スパッタ性も大きいという観点から、この材料が選択さ
れている。

【０００７】しかし、例えば「電子情報通信学会：信学
技報、ＥＩＤ９２−８５：ＡＣ面放電型プラズマディス
プレーの放電劣化の研究」において述べられているよう
に、ＭｇＯ膜も長時間の放電にさらされると、ＭｇＯ膜
のスパッタリングが発生してしまい、その膜厚が減少し
（場合によっては下地の誘電体層表面が露出する）、駆
動電圧が上昇することにより、パネルの寿命が決まって
しまうことが知られている。尚、上記の文献によれば、
駆動電圧が上昇する原因は、ＭｇＯ膜の一部がスパッタ
リングによって削られて下地の誘電体層が露出し、成分
の酸化鉛が蒸発してそれがＭｇＯ膜を覆うことにより、
ＭｇＯ膜の表面の二次電子放出係数が変化して、放電開
始電圧が上昇するためであるとされている。

【０００８】しかも、上記のスパッタリングは、放電ガ
ス中の不純ガス、特に水や炭酸ガスなどがＭｇＯ膜と反
応することで、より一層促進されると、考えられてい
る。

【０００９】更に、パネル内の不純ガスがＭｇＯ膜と反
応した状態ではＭｇＯ膜の二次電子放出係数が変化する
ために、放電電圧が変化し表示に悪影響を与える。

【００１０】この様な問題点を解決するためには、ＰＤ
Ｐ内の上記不純ガスを出来るだけ少なくすることが肝要
である。そのための第１の解決策は、ＰＤＰの製作時に
パネルの排気を十分に行うことである。また、第２の解
決策は、パネル内部に使用する材料や部品を事前に十分
にガス出しすることで、パネル内に不純物を持ち込まな
いようにすることである。

【００１１】ところで、ＭｇＯ膜（保護膜）は、その材
料がアルカリ土類金属酸化物であるために、容易に空気
中の水分及び炭酸ガスと反応して、これらを吸収すると
いう性質があり、パネル内部に使用される材料の中では
不純ガス発生の最大要因となる材料の一つである。従っ
て、第２の解決策を施すにあたっては、先ず以てＭｇＯ
膜のその様な特徴を改善する必要性がある。

【００１２】更には、ＭｇＯ膜の結晶方位や膜密度に対
するスパッタリング速度の依存性をも改善する必要性が
ある。

【００１３】本発明は、放電に対するＭｇＯ膜のスパッ
タリング耐性の低下及びＭｇＯ膜はガス吸着が多いとい
う、従来の問題点を解決して、パネルの表示寿命を延ば
すことを目的とするものであり、高い二次電子放出効率
を保ちつつ、水分や炭酸ガスなどの不純ガスの吸着が少
ない保護膜の供給により、ＰＤＰ表示寿命の延長を図る
ものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
その蒸着中に酸素ガスのみを加えて電子ビーム蒸着法に
より酸化マグネシウム膜を基板上に成膜する際に、成膜
時の酸素分圧及び基板温度をそれぞれ１×１０^-5Ｔｏｒ
ｒ乃至１×１０^-4Ｔｏｒｒの範囲内及び２５０℃以上に
制御することを特徴とする。

【００１５】請求項２に係る発明は、請求項１記載の前
記交流型プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウ
ム膜の製造方法により製造されたことを特徴とする。

【００１６】請求項３に係る発明は、その配向が（１１
１）方位のみに制御されており、且つその膜密度が（１
１１）方位以外の配向をも有するものよりも高いことを
特徴とする。

【００１７】請求項４に係る発明は、請求項２又は３記
載の前記交流型プラズマディスプレイパネル用酸化マグ
ネシウム膜をパネル用電極及び前記パネル用電極を被覆
する誘電体層の保護膜として有することを特徴とする。

【００１８】請求項５に係る発明は、請求項４記載の前
記交流型プラズマディスプレイパネルを有することを特
徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本実施の形態に係るＭｇ
Ｏ膜が保護膜３として用いられるときの、ＡＣ型ＰＤＰ
の発光セル２０の構造例を示すものである。勿論、図１
に例示するもの以外の面放電ＡＣ型ＰＤＰにも本発明の
ＭｇＯ膜を保護膜として用いることは可能である。

【００２０】同図において、前面パネル２１は、前面ガ
ラス基板１と、同基板１の内表面上に平行に形成された
電極対である維持放電電極１０と、同電極１０をその端
子部分を除いて被覆する誘電体層２と、同層２上に形成
された保護膜３とを有する。他方、背面パネル２２は、
背面ガラス基板９と、同基板９の内表面上に上記電極１
０と直交する方向に形成されたアドレス電極８と、同電
極８を被覆する誘電体層７と、アドレス電極８を挟み込
む様に誘電体層７上に同電極８と平行に形成された隔壁
６と、隔壁６の側面及び誘電体層７の表面上に塗布され
た蛍光体５とを有する。そして、隔壁６は支柱として機
能すると共に、放電ガス４が充填された放電空間２３を
規定している。

【００２１】次に、本実施の形態に係るＭｇＯ膜の製造
技術の着眼点及びその内容について説明する。

【００２２】ＰＤＰでは、表示放電時におけるＭｇＯ膜
の耐スパッタ特性という観点からみると、（１１１）方
位の配向面を有するＭｇＯ膜が優れていると言われてい
る。そして、酸化マグネシウムを酸素ガスのみを加えて
ガラスパネル上に電子ビーム蒸着すると共に、得られた
ＭｇＯ膜のＸ線回折パターンを測定すると、一般的には
（１１１）配向の結晶が得られることが検出される。と
ころが、酸素分圧のみならず基板温度をも適切にコント
ロールしない場合には、即ち、基板温度を比較的低温と
して設定するときには（例えば１５０℃）、特開平５−
２３４５１９号公報の図３からも推察される様に、（１
１１）配向以外の面をも有するＭｇＯ膜しか生成されな
いのが現実である。

【００２３】そこで、本願発明者は酸素分圧の制御はも
とより、基板温度をも適切に制御する場合には、（１１
１）配向のみを示す結晶性に優れたＭｇＯ膜が得られる
のではないかと考え、以下に示す研究を行った。

【００２４】本発明による検討では、基板温度を少なく
とも２５０℃として、電子ビーム蒸着時の酸素分圧を色
々変えてＭｇＯ膜を作成し、作成されたＭｇＯ膜のＸ線
回折を行ったところ、図２の結果が得られた。ＭｇＯ膜
は数千オングストロームの厚さのためにＸ線が透過し、
しかもＭｇＯ膜の下地ガラスは非定型であるため、ガラ
スのＸ線回折パターンは、ブロードなハローピークと
ＭｇＯ膜のＸ線回折パターンとが重なったものにな
る。図２に示すように、回折角２θが２８度のところで
ブロードなピークが見られるが、これがＭｇＯ膜の下地
のガラス層のアモルファス層を示す、ハローピークであ
る。そして、回折角２θが３６度のところで鋭いピーク
が見られるが（このピーク値は酸素分圧の量によって変
化する）、これはＭｇＯ膜の（１１１）配向面を示すピ
ークである。又、同じ（１１１）配向を示す（２２２）
面の回折ピークが、回折角２θが７９度のところにおい
て見られる。この様に、本例では、膜の結晶配向は（１
１１）配向だけがあらわれている。

【００２５】次に、ＭｇＯ膜の結晶評価法として、ガラ
スハローの回折ピーク高さに対する、回折角２θが３６
度のところで見られる（１１１）ピークのＸ線回折パタ
ーンの高さの比で以て、結晶性を評価した。図３の一部
は、蒸着時の酸素分圧に対する（１１１）ピーク強度比
を示している（白丸のデータ）。この関係から、基板温
度が２５０℃以上の場合には、酸素分圧が高い程にＸ線
回折により得られる（１１１）ピークの強度が強くなる
ことがわかる。このことは、一般的には酸素分圧が高い
程に結晶性が良くなることを表す。

【００２６】また同図では、酸素分圧に対する同じ膜の
屈折率変動の関係をも示している（正方形表示のデー
タ）。これによれば、酸素分圧を高くして成膜した場合
には、結晶性の良い（ＸＤ回折ピーク比の高い）膜が得
られる反面、この膜の屈折率は逆に酸素分圧に対して反
比例し、膜の屈折率が小さくなる。ここで、薄膜の屈折
率は、単結晶の屈折率と比較して小さな値を示すが、こ
の減少率が膜の空隙率を表し、屈折率が小さくなること
は、膜密度の減少を意味する。従って、酸素分圧を上げ
て結晶性を向上させた膜の膜密度は逆に低下してしまう
ことが判明した。

【００２７】また、基板温度≧２５０℃の条件の下で、
成膜時の酸素分圧を同様に変えて成膜したＭｇＯ膜のＸ
線ピーク高さ変動とガス吸着量の変化との関係を図４に
示す。ガス吸着量は昇温脱離ガス分析法（以下、ＴＤＳ
法と記述）で測定されている。また、発生ガスは主に水
と炭酸ガスであるので、ここでは、その合計量を発生ガ
ス総量として面積換算した量に変換している。

【００２８】ＴＤＳ法は薄膜の吸着ガス量の測定に一般
的に用いられる分析手法であり、薄膜（基板を含む）を
高真空中で一定速度で加熱し、発生するガスを質量分析
装置を用いてガス毎に分離し、温度に対する各種吸着及
び反応ガスの発生量を計測する分析手法である。

【００２９】図４から理解し得ることは、基板温度≧２
５０℃の下では、成膜時の酸素分圧が高くなる程に、
（１１１）ピーク比は高くなるが、同時にガス吸着量も
高くなるという事である。この関係と図３の酸素分圧−
膜密度の関係とを合わせて考慮すると、基板温度≧２５
０℃の下で酸素分圧を高くすると、（１１１）ピークが
高くなり、結晶性が向上するが、同時に膜密度の低下が
発生し、ガス吸着量の増大を招くことがわかる。従っ
て、パネルの信頼性を向上させるための、ガス発生量の
少ないＭｇＯ膜を成膜するには、放電性能を落とさず
に、出来るだけ酸素分圧を下げた成膜で、放電に対し良
好なパネル特性を有する条件を見出すことにあることが
わかる。

【００３０】ＰＤＰカラーディスプレイ装置は、テレビ
などのＶＧＡ表示装置としては６４０×４８０の画素点
が必要であり、各画素に対して赤，緑，青の三色の放電
セルが存在する。そして、パネルを放電させる場合に
は、表示側基板の維持放電電極に交流パルス電圧を加え
て放電させ、発生した紫外光で蛍光体を光らせて表示を
行う。この電圧を放電が発生しない状態から少しずつ増
加させた時に、最初にパネル内のどこか一点で放電を開
始する最低電圧を、放電開始電圧と呼び、パネルの特性
を表す重要な指標の一つである。

【００３１】そこで、基板温度≧２５０℃の下で各種酸
素分圧下で成膜したＭｇＯ膜を用いてＰＤＰパネルを作
成し、そのパネルの放電開始電圧を計測した。更に、そ
のパネルを１０ｋＨｚの白画面（赤，青，緑の全ての放
電セルが発光している状態）を表示して寿命試験を実施
し、放電開始電圧の１０００時間後の電圧変動を計測し
た。

【００３２】図５は、基板温度≧２５０℃の下での、成
膜時の酸素分圧と初期放電開始電圧の関係及び、放電開
始電圧の１０００時間後の低下率との関係を示す。図５
の酸素分圧が１×１０^-3Ｔｏｒｒ〜１×１０^-5Ｔｏｒｒ
の範囲内では、放電開始電圧は酸素分圧が低いほどに低
くなる。尚、酸素分圧が１×１０^-6Ｔｏｒｒとなる状態
は酸素なし（バックグランドの酸素分圧）の状態を示
す。そして、放電開始電圧は酸素分圧が１×１０^-5Ｔｏ
ｒｒのところで最低になるが、放電開始電圧Ｖｆの変化
率は酸素分圧が４×１０^-4Ｔｏｒｒのところで最低にあ
る。ここで、放電開始電圧の変化率はＰＤＰの実用的な
信頼性にとって重要な値であり、この値は小さいほど良
い。

【００３３】次に、ＭｇＯ蒸着時の酸素分圧と、放電時
に削られるスパッタ速度との関係を図６に示す。スパッ
タ速度は、シムス分析装置を用いて、アルゴンガスのス
パッタ速度を計測することで求めた。その結果が図６で
ある。これから言えるのは、基板温度≧２５０℃の下で
酸素分圧の低い条件で成膜したＭｇＯ膜ほどスパッタ速
度が小さい、言い換えれば、削れにくいと言える。これ
は、図３に示した膜密度とほぼ同じ関係であり、膜密度
が大きいほどＭｇＯ膜は削れ難いことを示している。

【００３４】これらの結果を総合して判断すると、ＰＤ
Ｐパネルの実用的信頼性を高めたＭｇＯ膜の成膜方法と
しては、酸素分圧を１×１０^-4Ｔｏｒｒ〜１×１０^-5Ｔ
ｏｒｒの範囲でコントロールして成膜するのが最適であ
ると言える。そして、この場合の成膜時の基板温度条件
は２５０℃以上である。

【００３５】（具体例）ＰＤＰ用保護膜を、電子ビーム
蒸着装置を用いて形成する。電子ビーム蒸着装置にＰＤ
Ｐの前面パネル２１の前面ガラス基板１上に電極１０及
び誘電体層２が形成されたものを準備し、これを電子ビ
ーム蒸着装置にセットする。ここでは電子ビーム蒸着装
置にはバッチ式蒸着装置を用いるものとし、且つ、Ｍｇ
Ｏ蒸着原料には３〜５ｍｍ角の単結晶砕片を用いた。前
面ガラス基板１をセットした後、電子ビーム蒸着装置を
真空に引き、赤外加熱装置で前面ガラス基板１を２５０
℃に加熱する。そして、真空度が１×１０^-5Ｔｏｒｒに
まで到達したところで、酸素ガスを１×１０^-5Ｔｏｒｒ
の圧力で加え、ＭｇＯ原料を電子ビームで溶解して、蒸
着を開始する。このとき、前面ガラス基板１は、ＭｇＯ
原料の電子ビーム融解時の輻射熱によって、２５０℃以
上の高温に加熱されている。

【００３６】その後、数千オングストロームの厚みのＭ
ｇＯ膜が誘電体層２上に蒸着された時点で電子ビーム蒸
着をストップし、徐冷した上で膜試料を取り出す。この
後、別に作成した背面パネル２２と合わせて、封着、排
気し、ネオンキセノンガスより成る放電ガス４を規定圧
力まで封入し、チップオフしてパネルを形成する。その
後、このパネルに１０ｋｈｚの維持放電パルスを加えて
４８時間のエージングを行う。

【００３７】このパネルの放電開始電圧を測定し、更に
１０ｋＨｚの維持放電パルスを加えて寿命試験を行い、
１０００時間後のパネルの放電開始電圧を測定し、その
低下率を計測する。

【００３８】次に、基板温度は変えずに同様に酸素分圧
を変えてＭｇＯ膜を蒸着した前面パネル用ガラス基板１
を用いてパネル製作し、放電開始電圧計測を同様に行
う。また、屈折率及びガス吸着量測定用サンプルとし
て、基板温度２５０℃以上の下で各酸素分圧条件下で、
前面パネル製作と同時に、シリコンウエハ上にＭｇＯ膜
を数千オングストロームの厚さで蒸着し、エリプソメー
タを用いて屈折率を計測し、ＴＤＳでガス吸着量を計測
する。

【００３９】このようにして、計測された各データが既
述した図３〜図６である。

【００４０】以上の通り、本実施の形態によれば、（１
１１）方位のみを有し且つ、（１１１）方位以外の配向
面をも有するＭｇＯ膜よりも膜密度の高い結晶性に優れ
たＭｇＯ膜が得られる。

【００４１】（付記） （１） 上述した製造方法によって成膜したＭｇＯ膜を
誘電体層の保護膜として有する基板を前面パネルとして
用い、且つ、このような前面パネルを有するＡＣ型ＰＤ
Ｐを表示パネル部としてＡＣ型プラズマディスプレイ装
置に組込むことは可能である。

【００４２】（２） 既述した特開平５−２３４５１９
号公報には、酸素雰囲気で蒸発させる真空蒸着法におい
て、誘電体上に（１１１）方位の酸化マグネシウムを形
成しうる旨の記述があり、しかも、基板温度が１５０℃
での成膜条件の下で生成したＭｇＯ膜について、同公報
の図３には、各Ｘ線回折の各方位に対する回折強度の和
に対する（１１１）ピーク強度比が図示されている。更
に、同文献では、その第３６段落において、蒸着時の好
ましい酸素分圧範囲は５×１０^-6Ｔｏｒｒ〜１×１０^-4
Ｔｏｒｒである旨が述べられている。この点では、本実
施の形態における最適な酸素分圧の範囲（１×１０^-5Ｔ
ｏｒｒ〜１×１０^-4Ｔｏｒｒ）と重なるが、本実施の形
態では、電子ビーム蒸着時の基板温度をも適切値にコン
トロールしており（その初期設定を２５０℃にし、更に
蒸着時にはもっと基板は高温になる）、このため、上記
文献で観察される（１１１）方位以外の方位の回折ピー
クは本実施の形態に係るＭｇＯ膜では一切観察されない
（図２参照）（特開平５−２３４５１９号公報では、
（１１１）方位の存在割合を定義しているため、他の配
向性も存在すると推察される）。従って、同文献に開示
されたＭｇＯ膜と本実施の形態に係るＭｇＯ膜とは、明
らかに膜質の点で異なっている。

【００４３】

【発明の効果】請求項１ないし５の各発明によれば、Ｍ
ｇＯ蒸着時の酸素分圧及び基板温度を適切に制御するこ
とにより、膜のＭｇＯ結晶成長を制御して、密度が従来
のものよりも高く、配向が（１１１）方位のみにコント
ロールされたＭｇＯ膜を得ることができる。これによ
り、パネル排気時にパネル内に持ち込まれる不純ガスの
量を格段に低減することができ、しかも、放電電流の経
時変化を格段に少なくすることができると共に、各放電
セルの放電時にＭｇＯ膜のスパッタリングを大幅に減少
させることができるので、プラズマディスプレイパネル
及びプラズマディスプレイ装置の寿命を延ばすことがで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に関わるＡＣ型ＰＤＰの発光セルの構
造を示す縦断面図である。

【図２】 本発明に関わる保護膜のＸ線回折結果を示す
図である。

【図３】 ＭｇＯ蒸着時の酸素分圧と（１１１）ピーク
高さ／誘電体ハロー比及び膜の屈折率との関係をそれぞ
れ示す図である。

【図４】 ＭｇＯ蒸着時の酸素分圧と（１１１）ピーク
高さ／誘電体ハロー比及びガス放出量との関係をそれぞ
れ示す図である。

【図５】 ＭｇＯ蒸着時の酸素分圧と放電開始電圧及び
１０００時間後の放電開始電圧の低下率との関係をそれ
ぞれ示す図である。

【図６】 ＭｇＯ蒸着時の酸素分圧とＭｇＯ膜のスパッ
タ速度との関係を示す図である。

【符号の説明】

１ 前面ガラス基板、２ 誘電体層、３ 保護膜、４
放電ガス、５ 蛍光体、６ 隔壁、７ 下地層、８ ア
ドレス電極、９ 背面ガラス基板、１０ 維持放電電
極、２０ 発光セル、２１ 前面パネル、２２ 背面パ
ネル、２３ 放電空間。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G059 AA06 EA01 EB01 EB03 4K029 AA09 AA24 BA43 BB01 CA09 5C027 AA07 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GE09 JA07 MA23 (54)【発明の名称】 交流型プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム膜の製造方法、交流型プラズマディスプ レイパネル用酸化マグネシウム膜、交流型プラズマディスプレイパネル及び交流型プラズマディ スプレイ装置

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その蒸着中に酸素ガスのみを加えて電子
   ビーム蒸着法により酸化マグネシウム膜を基板上に成膜
   する際に、成膜時の酸素分圧及び基板温度をそれぞれ１
   ×１０^-5Ｔｏｒｒ乃至１×１０^-4Ｔｏｒｒの範囲内及び
   ２５０℃以上に制御することを特徴とする、交流型プラ
   ズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム膜の製造方
   法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の前記交流型プラズマディ
   スプレイパネル用酸化マグネシウム膜の製造方法により
   製造されたことを特徴とする、交流型プラズマディスプ
   レイパネル用酸化マグネシウム膜。
3. 【請求項３】 その配向が（１１１）方位のみに制御さ
   れており、且つその膜密度が（１１１）方位以外の配向
   をも有するものよりも高いことを特徴とする、交流型プ
   ラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム膜。
4. 【請求項４】 請求項２又は３記載の前記交流型プラズ
   マディスプレイパネル用酸化マグネシウム膜をパネル用
   電極及び前記パネル用電極を被覆する誘電体層の保護膜
   として有することを特徴とする、交流型プラズマディス
   プレイパネル。
5. 【請求項５】 請求項４記載の前記交流型プラズマディ
   スプレイパネルを有することを特徴とする、交流型プラ
   ズマディスプレイ装置。