JP2003100219A - プラズマ情報表示素子およびその製造方法 - Google Patents
プラズマ情報表示素子およびその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐スパッタリング性に優れた保護層を備え、
且つ、放電電圧の低いプラズマ情報表示素子およびその
製造方法を提供することにある。 【解決手段】 互いに対向するように設けられた第１基
板１１０および第２基板１２０と、第１基板１１０と第
２基板１２０との間に設けられた複数の隔壁１４０とを
備え、第１基板１１０および第２基板１２０と、複数の
隔壁１４０とが、複数の放電チャネル１５０を規定す
る。第１基板１１０の第２基板１２０側に設けられた陽
極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃと、陽極１１４Ａおよび
陰極１１４Ｃを覆うように設けられた保護層１１８とを
有し、保護層１１８は、（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯを含む層である。
且つ、放電電圧の低いプラズマ情報表示素子およびその
製造方法を提供することにある。 【解決手段】 互いに対向するように設けられた第１基
板１１０および第２基板１２０と、第１基板１１０と第
２基板１２０との間に設けられた複数の隔壁１４０とを
備え、第１基板１１０および第２基板１２０と、複数の
隔壁１４０とが、複数の放電チャネル１５０を規定す
る。第１基板１１０の第２基板１２０側に設けられた陽
極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃと、陽極１１４Ａおよび
陰極１１４Ｃを覆うように設けられた保護層１１８とを
有し、保護層１１８は、（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯを含む層である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）やプラズマアドレス液晶表示装置
（ＰＡＬＣ）などのプラズマ情報表示素子およびその製
造方法に関する。
レイパネル（ＰＤＰ）やプラズマアドレス液晶表示装置
（ＰＡＬＣ）などのプラズマ情報表示素子およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ）やプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）な
どのプラズマ情報表示素子が注目を集めている。
ＤＰ）やプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）な
どのプラズマ情報表示素子が注目を集めている。
【０００３】ＰＤＰは、ＤＣタイプとＡＣタイプとに大
別されるが、放電の安定性や長期信頼性の観点から、現
在ではＡＣタイプが主流であり、ＡＣタイプのＰＤＰは
既に市販されている。
別されるが、放電の安定性や長期信頼性の観点から、現
在ではＡＣタイプが主流であり、ＡＣタイプのＰＤＰは
既に市販されている。
【０００４】図８を参照しながら、従来のＡＣタイプの
ＰＤＰ３００の構造を説明する。図８は、ＰＤＰ３００
を模式的に示す断面図である。なお、図８における前面
基板３１０の断面は、放電チャネル３５０の伸長方向に
平行な方向における模式的な断面であり、背面基板３２
０の断面は、放電チャネル３５０の伸長方向に直交する
方向における模式的な断面である。
ＰＤＰ３００の構造を説明する。図８は、ＰＤＰ３００
を模式的に示す断面図である。なお、図８における前面
基板３１０の断面は、放電チャネル３５０の伸長方向に
平行な方向における模式的な断面であり、背面基板３２
０の断面は、放電チャネル３５０の伸長方向に直交する
方向における模式的な断面である。
【０００５】ＰＤＰ３００は、互いに対向するように設
けられた前面基板３１０および背面基板３２０と、前面
基板３１０と背面基板３２０との間に設けられた複数の
隔壁３４０とを備えている。
けられた前面基板３１０および背面基板３２０と、前面
基板３１０と背面基板３２０との間に設けられた複数の
隔壁３４０とを備えている。
【０００６】複数の隔壁３４０は、ストライプ状に配設
されており、前面基板３１０および背面基板３２０と、
複数の隔壁３４０とによって包囲された空間として、ス
トライプ状の複数の放電チャネル３５０が規定される。
上述の空間、すなわち、放電チャネル３５０には、放電
によってイオン化が可能な放電ガスが封入されている。
されており、前面基板３１０および背面基板３２０と、
複数の隔壁３４０とによって包囲された空間として、ス
トライプ状の複数の放電チャネル３５０が規定される。
上述の空間、すなわち、放電チャネル３５０には、放電
によってイオン化が可能な放電ガスが封入されている。
【０００７】前面基板３１０は、透明基板３１２と、透
明基板３１２上に設けられた表示電極３１４と、表示電
極３１４を覆うように設けられた誘電体層３１６と、誘
電体層３１６上に設けられた保護層３１８とを有する。
明基板３１２上に設けられた表示電極３１４と、表示電
極３１４を覆うように設けられた誘電体層３１６と、誘
電体層３１６上に設けられた保護層３１８とを有する。
【０００８】前面基板３１０が有する表示電極３１４
は、ストライプ状に配設されており、一対の表示電極３
１４の一方が陽極３１４Ａとして機能し、他方が陰極３
１４Ｃとして機能する。また、表示電極３１４は、透明
電極３１４ａと、透明電極３１４ａ上に設けられたバス
電極３１４ｂとから構成されている。
は、ストライプ状に配設されており、一対の表示電極３
１４の一方が陽極３１４Ａとして機能し、他方が陰極３
１４Ｃとして機能する。また、表示電極３１４は、透明
電極３１４ａと、透明電極３１４ａ上に設けられたバス
電極３１４ｂとから構成されている。
【０００９】背面基板３２０は、絶縁性基板３２２と、
絶縁性基板３２２上に設けられたアドレス電極３２４
と、アドレス電極３２４を覆うように設けられた誘電体
層３２６とを有する。アドレス電極３２４は、表示電極
３１４と交差するようにストライプ状に配設されてお
り、隣接するアドレス電極３２４間に、上述の隔壁３４
０が形成されている。
絶縁性基板３２２上に設けられたアドレス電極３２４
と、アドレス電極３２４を覆うように設けられた誘電体
層３２６とを有する。アドレス電極３２４は、表示電極
３１４と交差するようにストライプ状に配設されてお
り、隣接するアドレス電極３２４間に、上述の隔壁３４
０が形成されている。
【００１０】隔壁３４０の側面および誘電体層３２６の
表面には、Ｕ字状に蛍光体層３２８が形成されている。
この蛍光体層３２８は、典型的には、赤色蛍光体層３２
８Ｒ（例えば（Ｙ，Ｇａ）ＢＯ3：Ｅｕ層）、緑色蛍光
体層３２８Ｇ（例えばＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ層）または青
色蛍光体層３２８Ｂ（例えばＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ
層）である。
表面には、Ｕ字状に蛍光体層３２８が形成されている。
この蛍光体層３２８は、典型的には、赤色蛍光体層３２
８Ｒ（例えば（Ｙ，Ｇａ）ＢＯ3：Ｅｕ層）、緑色蛍光
体層３２８Ｇ（例えばＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ層）または青
色蛍光体層３２８Ｂ（例えばＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ
層）である。
【００１１】上述の構造を有するＰＤＰ３００の動作を
図９を参照しながら説明する。図９は、ＰＤＰ３００の
動作を模式的に示す図である。なお、ＰＤＰ３００は、
マトリクス状に配列された複数の絵素領域を有し、複数
の絵素領域のそれぞれにおいて一対の表示電極３１４と
アドレス電極３２４とが交差している。また、後述する
書き込み時に、一対の表示電極３１４の一方がスキャン
電極として機能する。
図９を参照しながら説明する。図９は、ＰＤＰ３００の
動作を模式的に示す図である。なお、ＰＤＰ３００は、
マトリクス状に配列された複数の絵素領域を有し、複数
の絵素領域のそれぞれにおいて一対の表示電極３１４と
アドレス電極３２４とが交差している。また、後述する
書き込み時に、一対の表示電極３１４の一方がスキャン
電極として機能する。
【００１２】まず、スキャン電極（一対の表示電極３１
４の一方）とアドレス電極３２４との間に放電しきい値
を超える電圧を印加して、所定の絵素領域に選択的に書
き込み放電を発生させる。この書き込み放電により、ス
キャン電極の上方の誘電体層３１６の表面近傍に電荷が
誘導・蓄積される。なお、このようにして電荷が誘導・
蓄積されることを壁電荷が形成されるともいう。
４の一方）とアドレス電極３２４との間に放電しきい値
を超える電圧を印加して、所定の絵素領域に選択的に書
き込み放電を発生させる。この書き込み放電により、ス
キャン電極の上方の誘電体層３１６の表面近傍に電荷が
誘導・蓄積される。なお、このようにして電荷が誘導・
蓄積されることを壁電荷が形成されるともいう。
【００１３】次に、一対の表示電極３１４間に、放電し
きい値を超えない程度の電圧を印加する。このとき、書
き込み放電が行われた所定の絵素領域においては、書き
込み時に形成された壁電荷に起因する壁電圧が重畳して
印加されるので、実効電圧が放電しきい値を超え、維持
放電が開始される。この維持放電により発生する紫外線
を用いて蛍光体層３２８を発光させることにより、所定
の絵素領域を発光状態とすることが可能となる。
きい値を超えない程度の電圧を印加する。このとき、書
き込み放電が行われた所定の絵素領域においては、書き
込み時に形成された壁電荷に起因する壁電圧が重畳して
印加されるので、実効電圧が放電しきい値を超え、維持
放電が開始される。この維持放電により発生する紫外線
を用いて蛍光体層３２８を発光させることにより、所定
の絵素領域を発光状態とすることが可能となる。
【００１４】上述のようにして動作するＰＤＰ３００に
おいて、保護層３１８は、表示電極３１４および誘電体
層３１６を放電（プラズマ放電）から保護するために設
けられている。この保護層３１８としては、一般に、Ｍ
ｇＯ層が用いられる。
おいて、保護層３１８は、表示電極３１４および誘電体
層３１６を放電（プラズマ放電）から保護するために設
けられている。この保護層３１８としては、一般に、Ｍ
ｇＯ層が用いられる。
【００１５】特開平５−２３４５１９号公報には、（１
１１）配向ＭｇＯ層を保護層として用いることによって
放電電圧を低下させたＰＤＰが開示されている。また、
特開平１０−１０６４４１号公報には、（２２０）配向
ＭｇＯ層（上記公報においては（１１０）配向ＭｇＯ層
として開示されている）を保護層として用いることによ
って保護層の耐スパッタリング性（プラズマ放電による
スパッタリングに対する耐性）が向上したＰＤＰが開示
されている。
１１）配向ＭｇＯ層を保護層として用いることによって
放電電圧を低下させたＰＤＰが開示されている。また、
特開平１０−１０６４４１号公報には、（２２０）配向
ＭｇＯ層（上記公報においては（１１０）配向ＭｇＯ層
として開示されている）を保護層として用いることによ
って保護層の耐スパッタリング性（プラズマ放電による
スパッタリングに対する耐性）が向上したＰＤＰが開示
されている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平５−２３４５１９号公報に開示されているＰＤＰが
保護層として備える（１１１）配向ＭｇＯ層は、放電電
圧を低下させる特性に優れるものの、耐スパッタリング
性が十分ではない。
開平５−２３４５１９号公報に開示されているＰＤＰが
保護層として備える（１１１）配向ＭｇＯ層は、放電電
圧を低下させる特性に優れるものの、耐スパッタリング
性が十分ではない。
【００１７】また、上記特開平１０−１０６４４１号公
報に開示されているＰＤＰが保護層として備える（２２
０）配向ＭｇＯ層は、耐スパッタリング性に優れている
ものの、放電電圧を低下させる特性が十分ではない。
報に開示されているＰＤＰが保護層として備える（２２
０）配向ＭｇＯ層は、耐スパッタリング性に優れている
ものの、放電電圧を低下させる特性が十分ではない。
【００１８】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、耐スパッタリング性に優れた保
護層を備え、且つ、放電電圧の低いプラズマ情報表示素
子およびその製造方法を提供することにある。
のであり、その目的は、耐スパッタリング性に優れた保
護層を備え、且つ、放電電圧の低いプラズマ情報表示素
子およびその製造方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明によるプラズマ情
報表示素子は、互いに対向するように設けられた第１お
よび第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に
設けられた複数の隔壁とを備え、前記第１および第２基
板と、前記複数の隔壁とが、複数の放電チャネルを規定
するプラズマ情報表示素子であって、前記第１基板の前
記第２基板側に設けられた陽極および陰極と、前記陽極
および陰極を覆うように設けられた保護層とを有し、前
記保護層は、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配
向ＭｇＯを含む層であり、そのことによって上記目的が
達成される。なお、「（２２０）配向ＭｇＯ」は、層面
に平行な結晶面が（２２０）面であるＭｇＯ結晶であ
り、「（２００）配向ＭｇＯ」は、層面に平行な結晶面
が（２００）面であるＭｇＯ結晶である。
報表示素子は、互いに対向するように設けられた第１お
よび第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に
設けられた複数の隔壁とを備え、前記第１および第２基
板と、前記複数の隔壁とが、複数の放電チャネルを規定
するプラズマ情報表示素子であって、前記第１基板の前
記第２基板側に設けられた陽極および陰極と、前記陽極
および陰極を覆うように設けられた保護層とを有し、前
記保護層は、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配
向ＭｇＯを含む層であり、そのことによって上記目的が
達成される。なお、「（２２０）配向ＭｇＯ」は、層面
に平行な結晶面が（２２０）面であるＭｇＯ結晶であ
り、「（２００）配向ＭｇＯ」は、層面に平行な結晶面
が（２００）面であるＭｇＯ結晶である。
【００２０】前記保護層は、前記陽極および陰極上に直
接設けられている構成としてもよい。
接設けられている構成としてもよい。
【００２１】前記陽極および陰極と前記保護層との間に
介在するように設けられた誘電体層をさらに有する構成
としてもよい。
介在するように設けられた誘電体層をさらに有する構成
としてもよい。
【００２２】前記保護層は、実質的に、（２２０）配向
ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯのみからなる層であ
ることが好ましい。
ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯのみからなる層であ
ることが好ましい。
【００２３】前記第２基板に対向するように設けられた
第３基板と、前記第２基板と前記第３基板との間に設け
られた液晶層とをさらに有する構成としてもよい。
第３基板と、前記第２基板と前記第３基板との間に設け
られた液晶層とをさらに有する構成としてもよい。
【００２４】前記複数の放電チャネルのそれぞれは、蛍
光体層をさらに有する構成としてもよい。
光体層をさらに有する構成としてもよい。
【００２５】本発明によるプラズマ情報表示素子の製造
方法は、互いに対向するように設けられた第１および第
２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けら
れた複数の隔壁とを備え、前記第１および第２基板と前
記複数の隔壁とが複数の放電チャネルを規定するプラズ
マ情報表示素子であって、前記第１基板の前記第２基板
側に設けられた陽極および陰極と、前記陽極および陰極
を覆うように設けられた保護層とを有するプラズマ情報
表示素子の製造方法であって、陽極および陰極が形成さ
れた第１基板を用意する工程と、前記第１基板を２００
℃以上に加熱した状態で、前記陽極および陰極を覆うよ
うにＭｇＯを含む層を堆積することによって、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む保護
層を形成する工程と、を包含し、そのことによって上記
目的が達成される。
方法は、互いに対向するように設けられた第１および第
２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けら
れた複数の隔壁とを備え、前記第１および第２基板と前
記複数の隔壁とが複数の放電チャネルを規定するプラズ
マ情報表示素子であって、前記第１基板の前記第２基板
側に設けられた陽極および陰極と、前記陽極および陰極
を覆うように設けられた保護層とを有するプラズマ情報
表示素子の製造方法であって、陽極および陰極が形成さ
れた第１基板を用意する工程と、前記第１基板を２００
℃以上に加熱した状態で、前記陽極および陰極を覆うよ
うにＭｇＯを含む層を堆積することによって、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む保護
層を形成する工程と、を包含し、そのことによって上記
目的が達成される。
【００２６】以下、本発明の作用を説明する。
【００２７】本発明によるプラズマ情報表示素子におい
ては、陽極および陰極を覆うように設けられた保護層
が、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯ
を含む層であるので、プラズマ放電によって保護層がス
パッタリングされることが抑制されるともに、放電電圧
が低下する。
ては、陽極および陰極を覆うように設けられた保護層
が、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯ
を含む層であるので、プラズマ放電によって保護層がス
パッタリングされることが抑制されるともに、放電電圧
が低下する。
【００２８】陽極および陰極と保護層との間に介在する
ように設けられた誘電体層をさらに有する構成としても
よいし、保護層が陽極および陰極上に直接設けられてい
る構成としてもよい。上述のような誘電体層を有する構
成を採用すると、保護層のスパッタリングが一層抑制さ
れ、プラズマ情報表示素子の信頼性が向上する。保護層
が陽極および陰極上に直接設けられている構成を採用す
ると、陽極および陰極と保護層との間に介在する層（例
えば上述の誘電体層）を形成する工程を省略することが
でき、製造コストを低減することが可能になる。
ように設けられた誘電体層をさらに有する構成としても
よいし、保護層が陽極および陰極上に直接設けられてい
る構成としてもよい。上述のような誘電体層を有する構
成を採用すると、保護層のスパッタリングが一層抑制さ
れ、プラズマ情報表示素子の信頼性が向上する。保護層
が陽極および陰極上に直接設けられている構成を採用す
ると、陽極および陰極と保護層との間に介在する層（例
えば上述の誘電体層）を形成する工程を省略することが
でき、製造コストを低減することが可能になる。
【００２９】放電電圧の低下および耐スパッタリング性
の観点から、保護層は、実質的に、（２２０）配向Ｍｇ
Ｏおよび（２００）配向ＭｇＯのみからなる層であるこ
とが好ましい。
の観点から、保護層は、実質的に、（２２０）配向Ｍｇ
Ｏおよび（２００）配向ＭｇＯのみからなる層であるこ
とが好ましい。
【００３０】本発明によるプラズマ情報表示素子の製造
方法は、第１基板を２００℃以上に加熱した状態で、陽
極および陰極を覆うようにＭｇＯを含む層を堆積するこ
とによって、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配
向ＭｇＯを含む保護層を形成する工程を包含するので、
耐スパッタリング性に優れた保護層を備え、放電電圧の
低いプラズマ情報表示素子が効率よく製造される。
方法は、第１基板を２００℃以上に加熱した状態で、陽
極および陰極を覆うようにＭｇＯを含む層を堆積するこ
とによって、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配
向ＭｇＯを含む保護層を形成する工程を包含するので、
耐スパッタリング性に優れた保護層を備え、放電電圧の
低いプラズマ情報表示素子が効率よく製造される。
【００３１】
【発明の実施の形態】本願発明者は、保護層のスパッタ
リングを抑制するとともに、放電電圧を低下させるとい
う課題を解決すべく種々の検討を行った結果、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層を
保護層として用いると、保護層のスパッタリングが抑制
されるとともに、放電電圧が低下するということを見出
し、本発明に想到した。
リングを抑制するとともに、放電電圧を低下させるとい
う課題を解決すべく種々の検討を行った結果、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層を
保護層として用いると、保護層のスパッタリングが抑制
されるとともに、放電電圧が低下するということを見出
し、本発明に想到した。
【００３２】以下、図面を参照しながら本発明による実
施形態のプラズマ情報表示素子およびその製造方法を説
明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるも
のではない。 （実施形態１）図１を参照しながら、本発明による実施
形態１のプラズマ情報表示素子であるプラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）１００の構成を説明する。図１
は、ＰＤＰ１００を模式的に示す断面図である。なお、
図１における第１基板１１０の断面は、放電チャネル１
５０の伸長方向に平行な方向における模式的な断面であ
り、第２基板１２０の断面は、放電チャネル１５０の伸
長方向に直交する方向における模式的な断面である。
施形態のプラズマ情報表示素子およびその製造方法を説
明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるも
のではない。 （実施形態１）図１を参照しながら、本発明による実施
形態１のプラズマ情報表示素子であるプラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）１００の構成を説明する。図１
は、ＰＤＰ１００を模式的に示す断面図である。なお、
図１における第１基板１１０の断面は、放電チャネル１
５０の伸長方向に平行な方向における模式的な断面であ
り、第２基板１２０の断面は、放電チャネル１５０の伸
長方向に直交する方向における模式的な断面である。
【００３３】ＰＤＰ１００は、互いに対向するように設
けられた第１基板（前面基板）１１０および第２基板
（背面基板）１２０と、第１基板１１０と第２基板１２
０との間に設けられた複数の隔壁１４０とを備えてい
る。
けられた第１基板（前面基板）１１０および第２基板
（背面基板）１２０と、第１基板１１０と第２基板１２
０との間に設けられた複数の隔壁１４０とを備えてい
る。
【００３４】複数の隔壁１４０は、典型的にはストライ
プ状に配設されており、第１基板１１０および第２基板
１２０と、複数の隔壁１４０とによって包囲された空間
として、ストライプ状の複数の放電チャネル１５０が規
定される。言い換えると、ＰＤＰ１００は、第１基板１
１０と第２基板１２０との間に、複数の放電チャネル１
５０を備えている。第１基板１１０と第２基板１２０と
は、数百μｍの間隔で貼り合わされており、放電チャネ
ル１５０には、放電によってイオン化が可能な放電ガス
（例えばＮｅとＸｅとの混合ガス）が封入されている。
プ状に配設されており、第１基板１１０および第２基板
１２０と、複数の隔壁１４０とによって包囲された空間
として、ストライプ状の複数の放電チャネル１５０が規
定される。言い換えると、ＰＤＰ１００は、第１基板１
１０と第２基板１２０との間に、複数の放電チャネル１
５０を備えている。第１基板１１０と第２基板１２０と
は、数百μｍの間隔で貼り合わされており、放電チャネ
ル１５０には、放電によってイオン化が可能な放電ガス
（例えばＮｅとＸｅとの混合ガス）が封入されている。
【００３５】第１基板１１０は、透明基板（例えばガラ
ス基板）１１２と、透明基板１１２上に設けられた表示
電極１１４と、表示電極１１４を覆うように設けられた
第１誘電体層（例えば低融点ガラス層）１１６と、第１
誘電体層１１６上に設けられた保護層１１８とを有す
る。
ス基板）１１２と、透明基板１１２上に設けられた表示
電極１１４と、表示電極１１４を覆うように設けられた
第１誘電体層（例えば低融点ガラス層）１１６と、第１
誘電体層１１６上に設けられた保護層１１８とを有す
る。
【００３６】第１基板１１０が有する表示電極１１４
は、典型的にはストライプ状に配設されており、一対の
表示電極１１４の一方が陽極１１４Ａとして機能し、他
方が陰極１１４Ｃとして機能する。本実施形態において
は、表示電極１１４は、透明電極（例えばＩＴＯ層）１
１４ａと、透明電極１１４ａ上に設けられたバス電極
（例えばＡｌ層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−Ｒｕ−Ｃ
ｕ層またはＡｇ−ＳｎＯ2層）１１４ｂとから構成され
ている。
は、典型的にはストライプ状に配設されており、一対の
表示電極１１４の一方が陽極１１４Ａとして機能し、他
方が陰極１１４Ｃとして機能する。本実施形態において
は、表示電極１１４は、透明電極（例えばＩＴＯ層）１
１４ａと、透明電極１１４ａ上に設けられたバス電極
（例えばＡｌ層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−Ｒｕ−Ｃ
ｕ層またはＡｇ−ＳｎＯ2層）１１４ｂとから構成され
ている。
【００３７】保護層１１８は、表示電極１１４（すなわ
ち陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃ）と第１誘電体層１
１６とを覆うように設けられており、（２２０）配向Ｍ
ｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層である。本実
施形態においては、保護層１１８は、実質的に、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯのみからな
る層である。
ち陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃ）と第１誘電体層１
１６とを覆うように設けられており、（２２０）配向Ｍ
ｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層である。本実
施形態においては、保護層１１８は、実質的に、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯのみからな
る層である。
【００３８】第２基板１２０は、絶縁性基板（例えば、
ガラス基板）１２２と、絶縁性基板１２２上に表示電極
１１４と交差するようにストライプ状に配設されたアド
レス電極（例えばＡｌ層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−
Ｒｕ−Ｃｕ層またはＡｇ−ＳｎＯ2層）１２４と、アド
レス電極１２４を覆うように設けられた第２誘電体層
（例えば低融点ガラス層）１２６とを有する。隣接する
アドレス電極１２４間に、上述した隔壁１４０が、例え
ば低融点ガラスを用いて形成されている。
ガラス基板）１２２と、絶縁性基板１２２上に表示電極
１１４と交差するようにストライプ状に配設されたアド
レス電極（例えばＡｌ層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−
Ｒｕ−Ｃｕ層またはＡｇ−ＳｎＯ2層）１２４と、アド
レス電極１２４を覆うように設けられた第２誘電体層
（例えば低融点ガラス層）１２６とを有する。隣接する
アドレス電極１２４間に、上述した隔壁１４０が、例え
ば低融点ガラスを用いて形成されている。
【００３９】隔壁１４０の側面および第２誘電体層１２
６の表面に、Ｕ字状に蛍光体層１２８が形成されてい
る。この蛍光体層１２８は、典型的には、赤色蛍光体層
１２８Ｒ（例えば（Ｙ，Ｇａ）ＢＯ3：Ｅｕ層）、緑色
蛍光体層１２８Ｇ（例えばＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ層）また
は青色蛍光体層１２８Ｂ（例えばＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：
Ｅｕ層）である。
６の表面に、Ｕ字状に蛍光体層１２８が形成されてい
る。この蛍光体層１２８は、典型的には、赤色蛍光体層
１２８Ｒ（例えば（Ｙ，Ｇａ）ＢＯ3：Ｅｕ層）、緑色
蛍光体層１２８Ｇ（例えばＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ層）また
は青色蛍光体層１２８Ｂ（例えばＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：
Ｅｕ層）である。
【００４０】次に、本実施形態のＰＤＰ１００の動作を
説明する。なお、ＰＤＰ１００は、マトリクス状に配列
された複数の絵素領域を有しており、複数の絵素領域の
それぞれにおいて一対の表示電極１１４とアドレス電極
１２４とが交差する。また、後述する書き込み時に、一
対の表示電極１１４の一方がスキャン電極として機能す
る。
説明する。なお、ＰＤＰ１００は、マトリクス状に配列
された複数の絵素領域を有しており、複数の絵素領域の
それぞれにおいて一対の表示電極１１４とアドレス電極
１２４とが交差する。また、後述する書き込み時に、一
対の表示電極１１４の一方がスキャン電極として機能す
る。
【００４１】まず、スキャン電極（一対の表示電極１１
４の一方）とアドレス電極１２４との間に放電しきい値
を超える電圧を印加して、所定の絵素領域に選択的に書
き込み放電を発生させる。この書き込み放電により、ス
キャン電極の上方の第１誘電体層１１６の表面近傍に電
荷が誘導・蓄積される。なお、このようにして電荷が誘
導・蓄積されることを壁電荷が形成されるともいう。
４の一方）とアドレス電極１２４との間に放電しきい値
を超える電圧を印加して、所定の絵素領域に選択的に書
き込み放電を発生させる。この書き込み放電により、ス
キャン電極の上方の第１誘電体層１１６の表面近傍に電
荷が誘導・蓄積される。なお、このようにして電荷が誘
導・蓄積されることを壁電荷が形成されるともいう。
【００４２】次に、一対の表示電極１１４間に、放電し
きい値を超えない程度の電圧を印加する。このとき、書
き込み放電が行われた所定の絵素領域においては、書き
込み時に形成された壁電荷に起因する壁電圧が重畳して
印加されるので、実効電圧が放電しきい値を超え、維持
放電が開始される。この維持放電により発生する紫外線
を用いて蛍光体層１２８を発光させることにより、所定
の発光セルを発光状態とすることが可能となる。
きい値を超えない程度の電圧を印加する。このとき、書
き込み放電が行われた所定の絵素領域においては、書き
込み時に形成された壁電荷に起因する壁電圧が重畳して
印加されるので、実効電圧が放電しきい値を超え、維持
放電が開始される。この維持放電により発生する紫外線
を用いて蛍光体層１２８を発光させることにより、所定
の発光セルを発光状態とすることが可能となる。
【００４３】続いて、本実施形態のＰＤＰ１００の製造
方法を説明する。
方法を説明する。
【００４４】まず、透明基板１１２上に表示電極１１
４、すなわち陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃが形成さ
れた第１基板１１０を用意する。この工程は、公知の材
料を用いて公知の方法により実行される。
４、すなわち陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃが形成さ
れた第１基板１１０を用意する。この工程は、公知の材
料を用いて公知の方法により実行される。
【００４５】次に、陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃを
覆うように第１誘電体層１１６を形成する。第１誘電体
層１１６を形成する工程は、公知の材料を用いて公知の
方法により実行される。
覆うように第１誘電体層１１６を形成する。第１誘電体
層１１６を形成する工程は、公知の材料を用いて公知の
方法により実行される。
【００４６】続いて、第１基板１１０を２００℃以上に
加熱した状態で、陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃを覆
うようにＭｇＯ層を堆積することによって、（２２０）
配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む保護層１
１８を形成する。
加熱した状態で、陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃを覆
うようにＭｇＯ層を堆積することによって、（２２０）
配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む保護層１
１８を形成する。
【００４７】次に、絶縁性基板１２２上にアドレス電極
１２４および第２誘電体層１２６が形成された第２基板
１２０を用意する。アドレス電極１２４および第２誘電
体層１２６を形成する工程は、公知の材料を用いて公知
の方法により実行される。
１２４および第２誘電体層１２６が形成された第２基板
１２０を用意する。アドレス電極１２４および第２誘電
体層１２６を形成する工程は、公知の材料を用いて公知
の方法により実行される。
【００４８】続いて、隣接するアドレス電極１２４間に
位置するように隔壁１４０を形成し、隔壁１４０の側面
および第２誘電体層１２６の表面にＵ字状に蛍光体層１
２８を形成する。隔壁１４０および蛍光体層１２８を形
成する工程は、公知の材料を用いて公知の方法により実
行される。
位置するように隔壁１４０を形成し、隔壁１４０の側面
および第２誘電体層１２６の表面にＵ字状に蛍光体層１
２８を形成する。隔壁１４０および蛍光体層１２８を形
成する工程は、公知の材料を用いて公知の方法により実
行される。
【００４９】その後、第１基板１１０および第２基板１
２０を所定の間隔で貼り合わせ、放電ガスを封入・封止
することによって、ＰＤＰ１００が完成する。
２０を所定の間隔で貼り合わせ、放電ガスを封入・封止
することによって、ＰＤＰ１００が完成する。
【００５０】ここで、保護層１１８を形成する工程をさ
らに詳しく説明する。
らに詳しく説明する。
【００５１】上述した保護層１１８を形成する工程は、
例えば、図２に模式的に示す中外炉工業製イオンプレー
ティング製膜装置５００を用いて以下のようにして実行
される。
例えば、図２に模式的に示す中外炉工業製イオンプレー
ティング製膜装置５００を用いて以下のようにして実行
される。
【００５２】まず、陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃと
第１誘電体層１１６とが形成された第１基板１１０を真
空チャンバー内に入れ、蒸着源５０２に対して水平にセ
ッティングする。
第１誘電体層１１６とが形成された第１基板１１０を真
空チャンバー内に入れ、蒸着源５０２に対して水平にセ
ッティングする。
【００５３】次に、第１基板１１０の温度が２００℃以
上になるように、例えば抵抗加熱やレーザー照射によっ
て加熱する。第１基板１１０が２００℃以上に加熱され
た状態で、プラズマガン５０３からイオンビーム５０４
を蒸着源５０２に照射し、ＭｇＯ層を堆積することによ
って、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍｇ
Ｏを含む保護層１１８を形成する。第１基板１１０の温
度は、基板、電極および誘電体層の材料の融点を考慮す
ると、２００℃以上６００℃以下であることが好まし
く、プロセスタイムの観点からは２００℃以上４００℃
以下であることがさらに好ましい。本実施形態において
は、酸素と水素の割合が約１０：３の混合ガスを約０．
１Ｐａで導入し、第１基板１１０の温度が２００℃、投
入電力が約７ｋＷの条件で約１５分間製膜することによ
って、厚さが約１μｍの保護層１１８を形成する。
上になるように、例えば抵抗加熱やレーザー照射によっ
て加熱する。第１基板１１０が２００℃以上に加熱され
た状態で、プラズマガン５０３からイオンビーム５０４
を蒸着源５０２に照射し、ＭｇＯ層を堆積することによ
って、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍｇ
Ｏを含む保護層１１８を形成する。第１基板１１０の温
度は、基板、電極および誘電体層の材料の融点を考慮す
ると、２００℃以上６００℃以下であることが好まし
く、プロセスタイムの観点からは２００℃以上４００℃
以下であることがさらに好ましい。本実施形態において
は、酸素と水素の割合が約１０：３の混合ガスを約０．
１Ｐａで導入し、第１基板１１０の温度が２００℃、投
入電力が約７ｋＷの条件で約１５分間製膜することによ
って、厚さが約１μｍの保護層１１８を形成する。
【００５４】上述のようにして形成された保護層１１８
のＸ線回折測定の結果を図３（ａ）に示す。図３（ａ）
においては、縦軸に回折強度を示し、横軸にブラッグ反
射角２θを示している。図３（ａ）に示すように、（２
２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯに由来す
るピークが観察され、本実施形態のＰＤＰ１００が備え
る保護膜１１８が実質的に（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯのみからなる層であることがわか
る。これに対して、例えば、（１１１）配向ＭｇＯ層の
Ｘ線回折測定の結果においては、図３（ｂ）に示すよう
に、（１１１）配向ＭｇＯに由来するピークと、（２２
２）配向ＭｇＯ（＝（１１１）配向ＭｇＯ）に由来する
ピークとが観察される。
のＸ線回折測定の結果を図３（ａ）に示す。図３（ａ）
においては、縦軸に回折強度を示し、横軸にブラッグ反
射角２θを示している。図３（ａ）に示すように、（２
２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯに由来す
るピークが観察され、本実施形態のＰＤＰ１００が備え
る保護膜１１８が実質的に（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯのみからなる層であることがわか
る。これに対して、例えば、（１１１）配向ＭｇＯ層の
Ｘ線回折測定の結果においては、図３（ｂ）に示すよう
に、（１１１）配向ＭｇＯに由来するピークと、（２２
２）配向ＭｇＯ（＝（１１１）配向ＭｇＯ）に由来する
ピークとが観察される。
【００５５】ここで、上述の製膜条件と同じ条件で、第
１基板１１０の温度を変化させた場合に形成されるＭｇ
Ｏ層のＭｇＯ結晶の面方位を表１に示す。 〔表１〕 設定基板温度 ＭｇＯ面方位 室温 （１１１） １００℃ （１１１） ２００℃ （２２０）＋（２００） ３００℃ （２２０）＋（２００） 表１から、第１基板１１０の温度が２００℃以上の状態
でＭｇＯ層を堆積することによって、（２２０）配向Ｍ
ｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層が形成される
ことがわかる。また、ＭｇＯ層を形成した後、窒素雰囲
気下、４８５℃で１時間程度放置したところ、面方位は
変化しなかった。このことから、ＭｇＯ層を形成すると
きの基板の温度は面方位に影響を及ぼすが、ＭｇＯ層を
形成した後の基板の温度は面方位に影響を及ぼさないこ
とが確認された。
１基板１１０の温度を変化させた場合に形成されるＭｇ
Ｏ層のＭｇＯ結晶の面方位を表１に示す。 〔表１〕 設定基板温度 ＭｇＯ面方位 室温 （１１１） １００℃ （１１１） ２００℃ （２２０）＋（２００） ３００℃ （２２０）＋（２００） 表１から、第１基板１１０の温度が２００℃以上の状態
でＭｇＯ層を堆積することによって、（２２０）配向Ｍ
ｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層が形成される
ことがわかる。また、ＭｇＯ層を形成した後、窒素雰囲
気下、４８５℃で１時間程度放置したところ、面方位は
変化しなかった。このことから、ＭｇＯ層を形成すると
きの基板の温度は面方位に影響を及ぼすが、ＭｇＯ層を
形成した後の基板の温度は面方位に影響を及ぼさないこ
とが確認された。
【００５６】また、スパッタリング法によりＭｇＯ層を
形成した場合のＭｇＯ結晶の面方位を表２に示す。 〔表２〕 設定基板温度 ＭｇＯ面方位 加熱せず （１１１） １５０℃ （１１１） ２００℃ （２２０）＋（２００） 表２から、スパッタリング法を用いる場合にも、基板の
温度が２００℃以上の状態でＭｇＯ層を堆積することに
よって、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍ
ｇＯを含む層が形成されることがわかる。
形成した場合のＭｇＯ結晶の面方位を表２に示す。 〔表２〕 設定基板温度 ＭｇＯ面方位 加熱せず （１１１） １５０℃ （１１１） ２００℃ （２２０）＋（２００） 表２から、スパッタリング法を用いる場合にも、基板の
温度が２００℃以上の状態でＭｇＯ層を堆積することに
よって、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍ
ｇＯを含む層が形成されることがわかる。
【００５７】上述の表１および表２に示した結果から、
ＭｇＯ層の形成方法によらず、第１基板１１０の温度を
２００℃以上にすることによって、（２２０）配向Ｍｇ
Ｏおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層が得られること
がわかる。
ＭｇＯ層の形成方法によらず、第１基板１１０の温度を
２００℃以上にすることによって、（２２０）配向Ｍｇ
Ｏおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層が得られること
がわかる。
【００５８】本発明による実施形態１のＰＤＰ１００に
おいては、陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃを覆うよう
に設けられた保護層１１８が、（２２０）配向ＭｇＯお
よび（２００）配向ＭｇＯを含む層であるので、プラズ
マ放電によって保護層１１８がスパッタリングされるこ
とが抑制されるともに、放電電圧の低減が実現される。
おいては、陽極１１４Ａおよび陰極１１４Ｃを覆うよう
に設けられた保護層１１８が、（２２０）配向ＭｇＯお
よび（２００）配向ＭｇＯを含む層であるので、プラズ
マ放電によって保護層１１８がスパッタリングされるこ
とが抑制されるともに、放電電圧の低減が実現される。
【００５９】（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配
向ＭｇＯを含む層が優れた耐スパッタリング性を有する
理由を説明する。ＭｇＯ結晶の格子定数をａとすると、
（１１１）面、（２００）面および（２２０）面の面間
隔は、それぞれ以下の通りである。
向ＭｇＯを含む層が優れた耐スパッタリング性を有する
理由を説明する。ＭｇＯ結晶の格子定数をａとすると、
（１１１）面、（２００）面および（２２０）面の面間
隔は、それぞれ以下の通りである。
【００６０】
（１１１）面：｛（√３）／３｝・ａ＝０．５８ａ
（２００）面：ａ／２＝０．５ａ
（２２０）面：｛（√２）／４｝・ａ＝０．３５ａ
従って、（２２０）配向ＭｇＯと（２００）配向ＭｇＯ
との混合物であれば、面間隔は、０．４ａ程度であると
考えられる。そのため、（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯを含む層は、（１１１）配向Ｍｇ
Ｏ層よりも密度が高く緻密な層であり、（２２０）配向
ＭｇＯ層とほぼ同等の耐スパッタリング性を有する。
との混合物であれば、面間隔は、０．４ａ程度であると
考えられる。そのため、（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯを含む層は、（１１１）配向Ｍｇ
Ｏ層よりも密度が高く緻密な層であり、（２２０）配向
ＭｇＯ層とほぼ同等の耐スパッタリング性を有する。
【００６１】また、本願発明者は、（２２０）配向Ｍｇ
Ｏおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層を保護層１１８
として用いることによってプラズマ情報表示素子の放電
電圧が十分に低減されることを、後述するように実験的
に確認している。（実施形態２）図４を参照しながら、
本発明による実施形態２のプラズマ情報表示素子である
プラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）２００の構
成を説明する。図４は、ＰＡＬＣ２００を模式的に示す
断面図である。なお、図４における第１基板２１０の断
面は、放電チャネル２５０の伸長方向に直交する方向に
おける模式的な断面であり、第２基板２２０および第３
基板２３０の断面は、放電チャネル２５０の伸長方向に
平行な方向における模式的な断面である。
Ｏおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層を保護層１１８
として用いることによってプラズマ情報表示素子の放電
電圧が十分に低減されることを、後述するように実験的
に確認している。（実施形態２）図４を参照しながら、
本発明による実施形態２のプラズマ情報表示素子である
プラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）２００の構
成を説明する。図４は、ＰＡＬＣ２００を模式的に示す
断面図である。なお、図４における第１基板２１０の断
面は、放電チャネル２５０の伸長方向に直交する方向に
おける模式的な断面であり、第２基板２２０および第３
基板２３０の断面は、放電チャネル２５０の伸長方向に
平行な方向における模式的な断面である。
【００６２】ＰＡＬＣ２００は、互いに対向するように
設けられた第１基板２１０および第２基板２２０と、第
１基板２１０と第２基板２２０との間に設けられた複数
の隔壁２４０とを備えている。
設けられた第１基板２１０および第２基板２２０と、第
１基板２１０と第２基板２２０との間に設けられた複数
の隔壁２４０とを備えている。
【００６３】ＰＡＬＣ２００は、さらに、第２基板２２
０に対向するように設けられた第３基板２３０と、第２
基板２２０と第３基板２３０との間に設けられた液晶層
２６０とを有する。
０に対向するように設けられた第３基板２３０と、第２
基板２２０と第３基板２３０との間に設けられた液晶層
２６０とを有する。
【００６４】第１基板２１０と第２基板２２０との間に
設けられた複数の隔壁２４０は、典型的にはストライプ
状に配設されており、第１基板２１０および第２基板２
２０と、複数の隔壁２４０とによって包囲された空間と
して、ストライプ状の複数の放電チャネル２５０が規定
される。言い換えると、ＰＡＬＣ２００は、第１基板２
１０と第２基板２２０との間に、複数の放電チャネル２
５０を備えている。放電チャネル２５０には、放電によ
ってイオン化が可能な放電ガス（例えばＸｅ）が所定の
圧力（例えば約４０００Ｐａ）で封入されている。
設けられた複数の隔壁２４０は、典型的にはストライプ
状に配設されており、第１基板２１０および第２基板２
２０と、複数の隔壁２４０とによって包囲された空間と
して、ストライプ状の複数の放電チャネル２５０が規定
される。言い換えると、ＰＡＬＣ２００は、第１基板２
１０と第２基板２２０との間に、複数の放電チャネル２
５０を備えている。放電チャネル２５０には、放電によ
ってイオン化が可能な放電ガス（例えばＸｅ）が所定の
圧力（例えば約４０００Ｐａ）で封入されている。
【００６５】第１基板２１０は、透明基板（例えば厚さ
約０．５ｍｍ〜約３．０ｍｍのガラス基板）２１２と、
透明基板２１２上に複数の放電チャネル２５０のそれぞ
れに対応してストライプ状に配設された陽極（例えばＡ
ｌ層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−Ｒｕ−Ｃｕ層または
Ａｇ−ＳｎＯ2層）２２４Ａおよび陰極（例えばＡｌ
層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−Ｒｕ−Ｃｕ層またはＡ
ｇ−ＳｎＯ2層）２２４Ｃと、陽極２２４Ａおよび陰極
２２４Ｃを覆うように設けられた誘電体層（例えば低融
点ガラス層）２１６と、誘電体層２１６上に設けられた
保護層２１８とを有する。
約０．５ｍｍ〜約３．０ｍｍのガラス基板）２１２と、
透明基板２１２上に複数の放電チャネル２５０のそれぞ
れに対応してストライプ状に配設された陽極（例えばＡ
ｌ層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−Ｒｕ−Ｃｕ層または
Ａｇ−ＳｎＯ2層）２２４Ａおよび陰極（例えばＡｌ
層、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層、Ａｇ−Ｒｕ−Ｃｕ層またはＡ
ｇ−ＳｎＯ2層）２２４Ｃと、陽極２２４Ａおよび陰極
２２４Ｃを覆うように設けられた誘電体層（例えば低融
点ガラス層）２１６と、誘電体層２１６上に設けられた
保護層２１８とを有する。
【００６６】保護層２１８は、陽極２１４Ａおよび陰極
２１４Ｃと誘電体層２１６とを覆うように設けられてお
り、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯ
を含む層である。本実施形態においては、保護層２１８
は、実質的に、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）
配向ＭｇＯのみからなる層である。
２１４Ｃと誘電体層２１６とを覆うように設けられてお
り、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯ
を含む層である。本実施形態においては、保護層２１８
は、実質的に、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）
配向ＭｇＯのみからなる層である。
【００６７】第２基板２２０は、透明な誘電体薄板（例
えば、厚さ約１０μｍ〜約１００μｍのガラス板）であ
り、この第２基板２２０と第１基板２１０との間に設け
られた隔壁２４０は、例えば低融点ガラスを用いて形成
されている。
えば、厚さ約１０μｍ〜約１００μｍのガラス板）であ
り、この第２基板２２０と第１基板２１０との間に設け
られた隔壁２４０は、例えば低融点ガラスを用いて形成
されている。
【００６８】第３基板２３０は、透明基板（例えば厚さ
が約０．５ｍｍ〜約２．０ｍｍのガラス基板）２３２
と、透明基板２３２の液晶層２６０側に設けられたカラ
ーフィルタ２３４と、このカラーフィルタ２３４上に陽
極２２４Ａおよび陰極２２４Ｃと交差するように設けら
れたストライプ状の透明電極（例えばＩＴＯ層）２３６
とを有する。
が約０．５ｍｍ〜約２．０ｍｍのガラス基板）２３２
と、透明基板２３２の液晶層２６０側に設けられたカラ
ーフィルタ２３４と、このカラーフィルタ２３４上に陽
極２２４Ａおよび陰極２２４Ｃと交差するように設けら
れたストライプ状の透明電極（例えばＩＴＯ層）２３６
とを有する。
【００６９】液晶層２６０としては、例えば、ＴＮモー
ドの液晶層を用いることができる。勿論これに限定され
ず、ゲストホストモードの液晶層を用いれば、第１基板
２１０および第３基板２３０の外側に設けられた偏光板
２１７および２３７を省略することができる。また、用
いる液晶層に応じて、第２基板２２０および第３基板２
３０の液晶層２６０側には配向層（例えば高分子膜から
なる配向層；不図示）が設けられている。この液晶層２
６０の厚さは、第２基板２２０と第３基板２３０との間
に設けられたスペーサ２６２によって規定されている。
ドの液晶層を用いることができる。勿論これに限定され
ず、ゲストホストモードの液晶層を用いれば、第１基板
２１０および第３基板２３０の外側に設けられた偏光板
２１７および２３７を省略することができる。また、用
いる液晶層に応じて、第２基板２２０および第３基板２
３０の液晶層２６０側には配向層（例えば高分子膜から
なる配向層；不図示）が設けられている。この液晶層２
６０の厚さは、第２基板２２０と第３基板２３０との間
に設けられたスペーサ２６２によって規定されている。
【００７０】図５を参照しながら、本実施形態のＰＡＬ
Ｃ２００の動作を説明する。図５は、本実施形態のＰＡ
ＬＣ２００の動作を説明するための模式図である。な
お、図５においては、第１基板２１０の外側に設けられ
たバックライト２７０を併せて示している。
Ｃ２００の動作を説明する。図５は、本実施形態のＰＡ
ＬＣ２００の動作を説明するための模式図である。な
お、図５においては、第１基板２１０の外側に設けられ
たバックライト２７０を併せて示している。
【００７１】まず、陽極２２４Ａおよび陰極２２４Ｃ間
に例えば１００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加し、放電チャ
ネル２５０内にプラズマ放電を発生させる。プラズマ放
電が発生すると、放電チャネル２５０内は導通状態とな
り、放電チャネル２５０内の電位は陰極２２４Ｃの近傍
を除いて陽極２２４Ａの電位とほぼ等しくなる。
に例えば１００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加し、放電チャ
ネル２５０内にプラズマ放電を発生させる。プラズマ放
電が発生すると、放電チャネル２５０内は導通状態とな
り、放電チャネル２５０内の電位は陰極２２４Ｃの近傍
を除いて陽極２２４Ａの電位とほぼ等しくなる。
【００７２】これと同期して、第３基板２３０の等明電
極２３６に例えば０Ｖ〜１００Ｖの電圧Ｅｄを印加する
ことにより第２基板２２０の放電チャネル２５０側の表
面近傍（以下、「第２基板下面」と記す。）に負の電荷
が誘導・蓄積される。勿論、透明電極２３６に例えば０
Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することによって、正
の電荷を蓄積させてもよい。このとき、液晶層２６０
は、陽極２２４Ａと透明電極２３６との間の電圧（電位
差）が第２基板２２０と液晶層２６０とで容量分割され
た電圧に応じて、配向状態が変化する。
極２３６に例えば０Ｖ〜１００Ｖの電圧Ｅｄを印加する
ことにより第２基板２２０の放電チャネル２５０側の表
面近傍（以下、「第２基板下面」と記す。）に負の電荷
が誘導・蓄積される。勿論、透明電極２３６に例えば０
Ｖ〜−１００Ｖの電圧Ｅｄを印加することによって、正
の電荷を蓄積させてもよい。このとき、液晶層２６０
は、陽極２２４Ａと透明電極２３６との間の電圧（電位
差）が第２基板２２０と液晶層２６０とで容量分割され
た電圧に応じて、配向状態が変化する。
【００７３】次に、プラズマ放電が中止されると、放電
チャネル２５０内は絶縁状態となり、第２基板下面に電
荷が蓄積された状態が維持される。すなわち、第２基板
下面と透明電極２３６との間の電圧（電位差）が、第２
基板下面と、第２基板２２０および液晶層２６０と、透
明電極２３６とによって形成される容量によって、サン
プルホールドされる。その結果、放電チャネル２５０内
が絶縁状態となっている間も、サンプルホールドされた
電圧により液晶層２６０の配向状態は維持される。
チャネル２５０内は絶縁状態となり、第２基板下面に電
荷が蓄積された状態が維持される。すなわち、第２基板
下面と透明電極２３６との間の電圧（電位差）が、第２
基板下面と、第２基板２２０および液晶層２６０と、透
明電極２３６とによって形成される容量によって、サン
プルホールドされる。その結果、放電チャネル２５０内
が絶縁状態となっている間も、サンプルホールドされた
電圧により液晶層２６０の配向状態は維持される。
【００７４】続いて、本実施形態のＰＡＬＣ２００の製
造方法を説明する。本実施形態のＰＡＬＣ２００は、保
護層２１８を形成する工程以外は公知のＰＡＬＣの製造
方法を用いて製造されるので、以下の説明においては、
保護層２１８を形成する工程を中心に説明し、その他の
工程の説明を省略する。
造方法を説明する。本実施形態のＰＡＬＣ２００は、保
護層２１８を形成する工程以外は公知のＰＡＬＣの製造
方法を用いて製造されるので、以下の説明においては、
保護層２１８を形成する工程を中心に説明し、その他の
工程の説明を省略する。
【００７５】まず、透明基板２１２上に陽極２１４Ａお
よび陰極２１４Ｃが形成された第１基板２１０を用意
し、次に、陽極２１４Ａおよび陰極２１４Ｃを覆うよう
に誘電体層２１６を形成する。これらの工程は、公知の
材料を用いて公知の方法により実行される。
よび陰極２１４Ｃが形成された第１基板２１０を用意
し、次に、陽極２１４Ａおよび陰極２１４Ｃを覆うよう
に誘電体層２１６を形成する。これらの工程は、公知の
材料を用いて公知の方法により実行される。
【００７６】続いて、第１基板２１０を２００℃以上に
加熱した状態で、陽極２１４Ａおよび陰極２１４Ｃを覆
うようにＭｇＯ層を堆積することによって、（２２０）
配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む保護層２
１８を形成する。
加熱した状態で、陽極２１４Ａおよび陰極２１４Ｃを覆
うようにＭｇＯ層を堆積することによって、（２２０）
配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む保護層２
１８を形成する。
【００７７】保護層２１８を形成する工程は、例えば、
図６に模式的に示す反応性スパッタリング装置６００を
用いて以下のようにして実行される。
図６に模式的に示す反応性スパッタリング装置６００を
用いて以下のようにして実行される。
【００７８】まず、陽極２１４Ａおよび陰極２１４Ｃと
誘電体層２１６とが形成された第１基板２１０をＭｇタ
ーゲット６０２に対して水平にセッティングする。
誘電体層２１６とが形成された第１基板２１０をＭｇタ
ーゲット６０２に対して水平にセッティングする。
【００７９】次に、第１基板２１０の温度が２００℃以
上になるように、例えば抵抗加熱やレーザー照射によっ
て加熱する。第１基板２１０が２００℃以上に加熱され
た状態で、放電およびスパッタリングに必要なＡｒガス
およびＯ2ガスを導入してＭｇＯ層を堆積することによ
って、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍｇ
Ｏを含む保護層２１８を形成する。このとき、Ｏ2ガス
の導入量および電源６０４から投入されるターゲット電
力は、コントロールユニット６０６によって制御され
る。また、スパッタリング速度を向上させる観点から、
Ｏ2ガス導入ポート６０８は、第１基板２１０の直上に
セッティングされる。
上になるように、例えば抵抗加熱やレーザー照射によっ
て加熱する。第１基板２１０が２００℃以上に加熱され
た状態で、放電およびスパッタリングに必要なＡｒガス
およびＯ2ガスを導入してＭｇＯ層を堆積することによ
って、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍｇ
Ｏを含む保護層２１８を形成する。このとき、Ｏ2ガス
の導入量および電源６０４から投入されるターゲット電
力は、コントロールユニット６０６によって制御され
る。また、スパッタリング速度を向上させる観点から、
Ｏ2ガス導入ポート６０８は、第１基板２１０の直上に
セッティングされる。
【００８０】第１基板２１０の温度は、基板、電極およ
び誘電体の材料の融点を考慮すると、２００℃以上６０
０℃以下であることが好ましく、プロセスタイムの観点
からは２００℃以上４００℃以下であることがさらに好
ましい。本実施形態においては、第１基板２１０の温度
が２００℃、投入電力が約７ｋＷの条件で約１５分間製
膜することによって、厚さが約１μｍの保護層２１８を
形成する。
び誘電体の材料の融点を考慮すると、２００℃以上６０
０℃以下であることが好ましく、プロセスタイムの観点
からは２００℃以上４００℃以下であることがさらに好
ましい。本実施形態においては、第１基板２１０の温度
が２００℃、投入電力が約７ｋＷの条件で約１５分間製
膜することによって、厚さが約１μｍの保護層２１８を
形成する。
【００８１】上述のようにして形成された保護層２１８
を備えるＰＡＬＣ２００の初期化時の放電電圧を図７
（ａ）および（ｂ）に示す。図７（ａ）および（ｂ）
は、ＰＡＬＣ２００の放電電圧を縦軸に示し、エージン
グ時間を横軸に示すグラフであり、図７（ａ）は、エー
ジングガスがＨｅとＸｅとの混合ガス（Ｈｅ３％）であ
る場合を示し、図７（ｂ）は、エージングガスがＸｅガ
スである場合を示す。また、図７（ａ）および（ｂ）に
おいては、比較例として、（１１１）配向ＭｇＯからな
る保護層を有する従来のＰＡＬＣの初期化時の放電電圧
を併せて示している。なお、図７（ａ）および（ｂ）に
放電電圧を示したＰＡＬＣ２００の構成は、図４に示し
た構成とは、誘電体層２１６が陽極２１４Ａおよび陰極
２１４Ｃの一方のみを覆うように設けられている点で異
なっている。また、初期化とは、製造直後のＰＡＬＣに
おいて、放電電極（陽極および陰極）間に十分に高い電
圧を印加して放電を起こすことによって、放電電極に付
着した不純物をスパッタで除去し、放電電極の表面を清
浄にする工程である。製造直後の放電電極の表面には不
純物が付着しているので、比較的高い電圧を印加しない
と放電が起こらない。十分なエージング時間が経過した
後の放電電圧が、実際のＰＡＬＣ駆動時の放電電圧に相
当する。
を備えるＰＡＬＣ２００の初期化時の放電電圧を図７
（ａ）および（ｂ）に示す。図７（ａ）および（ｂ）
は、ＰＡＬＣ２００の放電電圧を縦軸に示し、エージン
グ時間を横軸に示すグラフであり、図７（ａ）は、エー
ジングガスがＨｅとＸｅとの混合ガス（Ｈｅ３％）であ
る場合を示し、図７（ｂ）は、エージングガスがＸｅガ
スである場合を示す。また、図７（ａ）および（ｂ）に
おいては、比較例として、（１１１）配向ＭｇＯからな
る保護層を有する従来のＰＡＬＣの初期化時の放電電圧
を併せて示している。なお、図７（ａ）および（ｂ）に
放電電圧を示したＰＡＬＣ２００の構成は、図４に示し
た構成とは、誘電体層２１６が陽極２１４Ａおよび陰極
２１４Ｃの一方のみを覆うように設けられている点で異
なっている。また、初期化とは、製造直後のＰＡＬＣに
おいて、放電電極（陽極および陰極）間に十分に高い電
圧を印加して放電を起こすことによって、放電電極に付
着した不純物をスパッタで除去し、放電電極の表面を清
浄にする工程である。製造直後の放電電極の表面には不
純物が付着しているので、比較的高い電圧を印加しない
と放電が起こらない。十分なエージング時間が経過した
後の放電電圧が、実際のＰＡＬＣ駆動時の放電電圧に相
当する。
【００８２】図７（ａ）および（ｂ）に示すように、
（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含
む層を保護層２１８として備える本実施形態のＰＡＬＣ
２００は、（１１１）配向ＭｇＯからなる保護層を有す
る従来のＰＡＬＣよりも放電電圧が低減されている。
（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含
む層を保護層２１８として備える本実施形態のＰＡＬＣ
２００は、（１１１）配向ＭｇＯからなる保護層を有す
る従来のＰＡＬＣよりも放電電圧が低減されている。
【００８３】また、実施形態１の説明において述べたよ
うに、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍｇ
Ｏを含む保護層２１８は、（１１１）配向ＭｇＯ層より
も密度が高く緻密な層であり、（２２０）配向ＭｇＯ層
とほぼ同等の耐スパッタリング性を有する。
うに、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向Ｍｇ
Ｏを含む保護層２１８は、（１１１）配向ＭｇＯ層より
も密度が高く緻密な層であり、（２２０）配向ＭｇＯ層
とほぼ同等の耐スパッタリング性を有する。
【００８４】このように、本発明による実施形態２のＰ
ＡＬＣ２００においては、陽極２１４Ａおよび陰極２１
４Ｃを覆うように設けられた保護層２１８が、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層で
あるので、プラズマ放電によって保護層２１８がスパッ
タリングされることが抑制されるともに、放電電圧の低
減が実現される。
ＡＬＣ２００においては、陽極２１４Ａおよび陰極２１
４Ｃを覆うように設けられた保護層２１８が、（２２
０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含む層で
あるので、プラズマ放電によって保護層２１８がスパッ
タリングされることが抑制されるともに、放電電圧の低
減が実現される。
【００８５】なお、上述した実施形態１および２におい
ては、陽極および陰極と保護層との間に介在するように
設けられた誘電体層を有する場合について説明したが、
本発明はこれに限定されず、保護層が陽極および陰極上
に直接設けられている構成としてもよい。
ては、陽極および陰極と保護層との間に介在するように
設けられた誘電体層を有する場合について説明したが、
本発明はこれに限定されず、保護層が陽極および陰極上
に直接設けられている構成としてもよい。
【００８６】保護層が陽極および陰極上に直接設けられ
ている場合には、典型的には、保護層が、上述した誘電
体層としても機能する。保護層が陽極および陰極上に直
接設けられている構成を採用すると、陽極および陰極と
保護層との間に介在する層（例えば上述の誘電体層）を
形成する工程を省略することができ、製造コストを低減
することが可能になる。例えば、誘電体層は、誘電体印
刷、乾燥および焼成などのプロセスを経て形成されるの
で、上述の構成を採用することによって、材料の削減お
よびプロセスの短縮が可能になり、製造コストが低減さ
れる。
ている場合には、典型的には、保護層が、上述した誘電
体層としても機能する。保護層が陽極および陰極上に直
接設けられている構成を採用すると、陽極および陰極と
保護層との間に介在する層（例えば上述の誘電体層）を
形成する工程を省略することができ、製造コストを低減
することが可能になる。例えば、誘電体層は、誘電体印
刷、乾燥および焼成などのプロセスを経て形成されるの
で、上述の構成を採用することによって、材料の削減お
よびプロセスの短縮が可能になり、製造コストが低減さ
れる。
【００８７】一方、陽極および陰極と保護層との間に介
在するように設けられた誘電体層を有する構成を採用す
ると、保護層のスパッタリングが一層抑制され、プラズ
マ情報表示素子の信頼性が向上する。
在するように設けられた誘電体層を有する構成を採用す
ると、保護層のスパッタリングが一層抑制され、プラズ
マ情報表示素子の信頼性が向上する。
【００８８】また、上述の実施形態１および２において
は、保護層が、実質的に、（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯのみからなる層である場合につい
て説明したが、これに限定されず、例えば（１１１）配
向ＭｇＯが含まれている層であってもよい。
は、保護層が、実質的に、（２２０）配向ＭｇＯおよび
（２００）配向ＭｇＯのみからなる層である場合につい
て説明したが、これに限定されず、例えば（１１１）配
向ＭｇＯが含まれている層であってもよい。
【００８９】放電電圧の低下および耐スパッタリング性
の観点からは、保護層は、実質的に、（２２０）配向Ｍ
ｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯのみからなる層である
ことが好ましい。
の観点からは、保護層は、実質的に、（２２０）配向Ｍ
ｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯのみからなる層である
ことが好ましい。
【００９０】
【発明の効果】本発明によると、耐スパッタリング性に
優れた保護層を備え、且つ、放電電圧の低いプラズマ情
報表示素子およびその製造方法が提供される。
優れた保護層を備え、且つ、放電電圧の低いプラズマ情
報表示素子およびその製造方法が提供される。
【００９１】本発明によるプラズマ情報表示素子におい
ては、陽極および陰極を覆うように設けられた保護層が
（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含
む層であるので、プラズマ放電によって保護層がスパッ
タリングされることが抑制されるともに、放電電圧の低
減が実現される。
ては、陽極および陰極を覆うように設けられた保護層が
（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯを含
む層であるので、プラズマ放電によって保護層がスパッ
タリングされることが抑制されるともに、放電電圧の低
減が実現される。
【００９２】本発明は、プラズマディスプレイパネル
（ＰＤＰ）やプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬ
Ｃ）などのプラズマ情報表示素子に好適に用いられる。
（ＰＤＰ）やプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬ
Ｃ）などのプラズマ情報表示素子に好適に用いられる。
【図１】本発明による実施形態１のプラズマ情報表示素
子であるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）１００
を模式的に示す断面図である。
子であるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）１００
を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明による実施形態１のＰＤＰ１００が有す
る保護層１１８を形成する工程において用いられるイオ
ンプレーティング製膜装置５００を模式的に示す図であ
る。
る保護層１１８を形成する工程において用いられるイオ
ンプレーティング製膜装置５００を模式的に示す図であ
る。
【図３】（ａ）は、本発明による実施形態１のＰＤＰ１
００が有する保護層１１８のＸ線回折測定の結果を示す
図であり、（ｂ）は、（１１１）配向ＭｇＯ層のＸ線回
折測定の結果を示す図である。
００が有する保護層１１８のＸ線回折測定の結果を示す
図であり、（ｂ）は、（１１１）配向ＭｇＯ層のＸ線回
折測定の結果を示す図である。
【図４】本発明による実施形態２のプラズマ情報表示素
子であるプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）２
００を模式的に示す断面図である。
子であるプラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）２
００を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明による実施形態２のＰＡＬＣ２００の動
作を説明するための模式図である。
作を説明するための模式図である。
【図６】本発明による実施形態２のＰＡＬＣ２００が有
する保護層２１８を形成する工程において用いられる反
応性スパッタリング装置６００を模式的に示す図であ
る。
する保護層２１８を形成する工程において用いられる反
応性スパッタリング装置６００を模式的に示す図であ
る。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明による実施形態
２のＰＡＬＣ２００の初期化時の放電電圧を縦軸に示
し、エージング時間を横軸に示すグラフであり、（ａ）
は、エージングガスがＨｅとＸｅとの混合ガス（Ｈｅ３
％）である場合の放電電圧を示すグラフであり、（ｂ）
は、エージングガスがＸｅガスである場合の放電電圧を
示すグラフである。
２のＰＡＬＣ２００の初期化時の放電電圧を縦軸に示
し、エージング時間を横軸に示すグラフであり、（ａ）
は、エージングガスがＨｅとＸｅとの混合ガス（Ｈｅ３
％）である場合の放電電圧を示すグラフであり、（ｂ）
は、エージングガスがＸｅガスである場合の放電電圧を
示すグラフである。
【図８】従来のＡＣタイプのプラズマディスプレイパネ
ル（ＰＤＰ）３００を模式的に示す断面図である。
ル（ＰＤＰ）３００を模式的に示す断面図である。
【図９】ＰＤＰ３００の動作を説明するための模式図で
ある。
ある。
１００ プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
１１０ 第１基板
１１４ 表示電極
１１４Ａ 陽極
１１４Ｃ 陰極
１１６ 第１誘電体層
１１８ 保護層
１２０ 第２基板
１２４ アドレス電極
１２６ 第２誘電体層
１２８ 蛍光体層
１４０ 隔壁
１５０ 放電チャネル
２００ プラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）
２１０ 第１基板
２１４Ａ 陽極
２１４Ｃ 陰極
２１６ 誘電体層
２１８ 保護層
２２０ 第２基板
２３０ 第３基板
２３６ 等明電極
２４０ 隔壁
２５０ 放電チャネル
２６０ 液晶層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 正信
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 2H089 HA36 QA12 QA16 TA03 TA12
5C027 AA05 AA07
5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GE07
GE09 JA07
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに対向するように設けられた第１お
よび第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に
設けられた複数の隔壁とを備え、 前記第１および第２基板と、前記複数の隔壁とが、複数
の放電チャネルを規定するプラズマ情報表示素子であっ
て、 前記第１基板の前記第２基板側に設けられた陽極および
陰極と、前記陽極および陰極を覆うように設けられた保
護層とを有し、 前記保護層は、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）
配向ＭｇＯを含む層であるプラズマ情報表示素子。 - 【請求項２】 前記保護層は、前記陽極および陰極上に
直接設けられている、請求項１に記載のプラズマ情報表
示素子。 - 【請求項３】 前記陽極および陰極と前記保護層との間
に介在するように設けられた誘電体層をさらに有する請
求項１に記載のプラズマ情報表示素子。 - 【請求項４】 前記保護層は、実質的に、（２２０）配
向ＭｇＯおよび（２００）配向ＭｇＯのみからなる層で
ある請求項１から３のいずれかに記載のプラズマ情報表
示素子。 - 【請求項５】 前記第２基板に対向するように設けられ
た第３基板と、前記第２基板と前記第３基板との間に設
けられた液晶層とをさらに有する請求項１から４のいず
れかに記載の気体放電表示装置。 - 【請求項６】 前記複数の放電チャネルのそれぞれは、
蛍光体層をさらに有する請求項１から４のいずれかに記
載の気体放電表示装置。 - 【請求項７】 互いに対向するように設けられた第１お
よび第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に
設けられた複数の隔壁とを備え、前記第１および第２基
板と、前記複数の隔壁とが、複数の放電チャネルを規定
するプラズマ情報表示素子であって、前記第１基板の前
記第２基板側に設けられた陽極および陰極と、前記陽極
および陰極を覆うように設けられた保護層とを有するプ
ラズマ情報表示素子の製造方法であって、 陽極および陰極が形成された第１基板を用意する工程
と、 前記第１基板を２００℃以上に加熱した状態で、前記陽
極および陰極を覆うようにＭｇＯを含む層を堆積するこ
とによって、（２２０）配向ＭｇＯおよび（２００）配
向ＭｇＯを含む保護層を形成する工程と、 を包含するプラズマ情報表示素子の製造方法。
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