KR20090017266A - ＭｇＯ 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용상부패널 - Google Patents

ＭｇＯ 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용상부패널 Download PDF

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KR20090017266A
KR20090017266A KR1020070081882A KR20070081882A KR20090017266A KR 20090017266 A KR20090017266 A KR 20090017266A KR 1020070081882 A KR1020070081882 A KR 1020070081882A KR 20070081882 A KR20070081882 A KR 20070081882A KR 20090017266 A KR20090017266 A KR 20090017266A
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박민수
김영성
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엘지전자 주식회사
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    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space

Abstract

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막은 막의 결정 배향면이 (111)면과 (200)면이 혼합하여 구성된다. 이러한 MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 구동시 방전 지연 특성 개선함과 동시에 내 스퍼터링 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

ＭｇＯ 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널{MgO PROTECTIVE LAYER AND UPPER PANEL FOR PLASMA DISPLAY PANEL INCLUDING THE SAME}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 보호막 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부 패널에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 상부 패널과 하부 패널이 소정의 간격을 두고 결합되고, 상부 패널과 하부 패널 사이에 배치된 격벽에 의하여 구획된 방전 셀 내에는 형광체가 배치된다. 상부 패널은 기판, 스캔전극, 서스테인 전극, 유전층 및 MgO 보호막을 구비하고, 하부 패널은 기판, 어드레스전극, 유전층을 구비한다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 구동부에 의하여 전극들에 구동 신호가 공급되면, 방전 셀 내에 형성된 형광체가 여기되어 빛을 방출한다.
특히, 상부 패널에 포함된 MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 구동시 방전 특성에 영향을 많이 준다. 즉, MgO 보호막의 면 특성에 따라 어드레스 기간에 일어나는 어드레스 방전 지연(Jitter) 이나 2차전자 방출 계수에 따른 방전전압 특성이 다르게 나타난다. 또한, MgO 보호막은 막의 내 스퍼터링 특성에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 수명에 영향을 준다.
따라서 플라즈마 디스플레이 패널이 최적의 상태로 구동할 수 있도록 MgO 보호막의 특성을 개선하는 것이 필요하다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 본 발명은 어드레스 방전 지연 및 내 스퍼터링 성이 개선될 수 있는 MgO 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용 상부 패널을 제공하기 위한 것이다.
또한, 2차 전자 방출 계수에 따른 방전 전압 특성을 향상시킬 수 있는 MgO 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용 상부 패널을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막은 막의 결정 배향면이 (111)면과 (200)면이 혼합하여 구성된다.
막의 결정 배향면이 (220)면을 더 포함할 수 있다.
결정 배향면 (111)면, (220)면, (222)면 중 (220)면이 가장 작게 혼합될 수 있다.
막의 결정 배향면은 어드레스 방전 지연을 줄이기 위한 (111)면이 (200)면보 다 더 많게 혼합될 수 있다.
막의 결정 배향면은 막의 내 스퍼터링성을 향상 시키기 위한 (200)면이 (111)면보다 더 많게 혼합될 수 있다.
MgO 보호막 상부는 단결정 혹은 다결정 구조를 갖을 수 있다.
본 발명의 제 2실시예에 따른 MgO 보호막은 복수의 원주형 결정체가 기판에 배열되어 형성되어 보호막 구조를 이루고, 복수의 원주형 결정체는 제 1 원주형 결정체 그룹과 제 2 원주형 결정체 그룹을 포함하고, 제 1원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 1기울기가 제 2원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 2기울기보다 크다.
제 1원주형 결정체 그룹의 결정 배향면은 (111)면이고, 제2원주형 결정체 그룹의 결정 배향면은 (200)면 일 수 있다.
복수의 원주형 결정체는 제 3 원주형 결정체 그룹을 더 포함하고, 제 3원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 3기울기가 제 1기울기 보다 작을 수 있다.
제 3원주형 결정체 그룹의 결정 배향면은 (220)면일 수 있다.
제 1원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 1기울기는 1° 이상 45°이하 일 수 있다.
제 1원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 1기울기는 10° 이상 20°이하 일 수 있다.
본 발명의 제 3실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널은 기판, 기판 상부에 소정 간격을 두고 평행하게 배열된 복수의 전극, 복수의 전극을 덮도록 기판 상부에 형성된 유전체층, 유전체층 상부에 배열된 MgO 보호막을 포함하고, MgO 보호막은 막의 결정 배향면이 (111)면과 (200)면이 혼합하여 구성된다.
유전체 층은 유전율이 서로 다른 두개의 유전체 층을 포함 할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 MgO 보호막의 방전 지연 특성, 내스퍼터링성 및 방전 전압 특성과 같은 막 특성을 향상 시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 제1 패널(100) 및 제2 패널(200)을 포함한다. 제1 패널(100)은 제1 기판(SUB1), 스캔 전극(101), 서스테인 전극(102), 제1 유전체층(103) 및 보호막(104)을 포함한다.
스캔 전극(101)과 서스테인 전극(102)은 제1 기판(SUB1) 상에 나란하게 배치된다. 스캔 전극(101)과 서스테인 전극(102) 각각은 투명 전극(101a, 102a)과 버스 전극(101b, 102b)을 포함한다. 투명 전극(101a, 102a)은 ITO(Indum Tin Oxide)로 형성되며, 구동 전압의 공급에 따라 방전을 확산시킨다. 버스 전극(101b, 102b)은 작은 저항을 지닌 금속으로 이루어진다.
제1 유전체층(103)은 스캔 전극(101)과 서스테인 전극(102)을 덮어 스캔 전극(101)과 서스테인 전극(102)을 서로 절연시킨다. 이러한 유전체층(103)은 도면에 도시되어 않지만 복수의 층으로 구성할 수 있고, 각 층의 유전율을 다르게 하여 방전특성을 향상 시킬 수 있다.
보호막(104)은 제1 유전체층(103) 상에 위치하며 MgO로 이루어진다. 보호막(104)은 이차 전자를 방출함으로써 방전의 발생을 용이하게 하며, 양이온의 스퍼터링으로부터 스캔 전극(101), 서스테인 전극(102) 및 제1 유전체층(103)을 보호한다. 이러한 보호막은(104)은 후술할 본 발명의 제 2실시예에 따른 보호막 구조 및 특성을 갖는다.
제2 패널(200)은 제2 기판(SUB2), 어드레스 전극(201), 제2 유전체층(202), 격벽(203) 및 형광체층(204)을 포함한다. 어드레스 전극(201)은 스캔 전극(101) 및 서스테인 전극(102)과 교차하도록 제2 기판(SUB2) 상에 배치된다. 제2 유전체층(202)은 어드레스 전극들(201)을 덮으며 어드레스 전극들(201)을 절연시킨다. 제2 유전체층(202)은 빛의 반사를 원활하게 하기 위한 화이트 백(white back) 유전체층일 수 있다.
격벽(203)은 스캔 전극(101), 서스테인 전극(102) 및 어드레스 전극(201)이 교차하는 영역에 해당하는 방전 셀을 구획한다. 이러한 격벽(203)은 도시된 바와 같이 격자형상을 이룰수 있지만 스트라입 형상이나 기타 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. 방전셀 내부에는 네온(Ne) 혹은 제논(Xe) 등과 같은 방전가스가 채워진다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 전극들(101,201)로부터 구동전압을 인가받아 이들 전극들(101,201) 사이에 어드레스 방전을 일으켜서 유전체층에 벽전하를 형성하고, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들에서 제 1패널(100)에 포함된 한 쌍의 전극(101,102)에 교번적으로 공급되는 교류신호에 의해 전극들(101,102) 간에 서스테인 방전을 일으킨다. 이에 따라 방전셀을 형성하는 방전 공간에 충진된 방전가스가 여기되고 천이되면서 자외선을 발생시키고, 자외선에 의한 형광체의 여기로 가시광선을 발생시키면서 화상을 구현한다.
특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호막은 스퍼터링법(Sputtering), 전자빔 증착법(electron beam deposition), 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition), 졸-겔법(sol-gel), 이온 플레이팅(ion plating) 등으로 형성될 수 있다. 전자빔 증착법은 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 MgO 증착재료에 충돌시켜 증착재료를 가열 및 증발시킴으로써 MgO보호막을 형성시키고, 스퍼터링법에 의해 형성된 보호막은 치밀하며 결정배향에 유리한 특성을 지닌다. 이온 플레이팅법은 증발되는 입자를 이온화하여 성막시키는데, 보호막의 밀착성과 결정성이 좋고, 증착을 고속으로 할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 MgO 보호막은 다양한 방법으로 제조될 수 있지만 보호막의 증착 장비에 인가되는 전압 및 전류, 증착 온도, 산소유량, 재료 순도등에 따라 막 특성이 다르게 나타난다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호막을 기판에 증착하는공정을 설명하기 위한 도이다.
도 2를 참조하면, 보호막 원료인 MgO 물질(104)을 도가니(12) 내에 배치시키고, 전극(101, 102) 및 유전체(103)가 배치된 기판(SUB1)을 챔버(10)내에 장착한다. 이후, 챔버(10)내를 고진공 상태로 유지하도록 배기한 후, 전원 공급부(13)를 통하여 전압을 인가하면 전자총(11)으로부터 열전자가 방출된다. 이러한 열전자는 도가니(12) 내에 배치된 MgO 물질(104)을 가열하여 증발시킴으로써 기판의 유전체(103) 상부에 코팅된다. 이때, 산소 공급부(14)는 MgO 보호막의 막의 결정 배향면 조절을 통하여 막 특성, 예를 들어, 방전 지연 특성, 내스퍼터링성, 방전전압 특성 등을 개선할 수 있도록 산소 유량을 제어한다.
따라서 본 발명에서는 MgO 보호막을 산소(O2)를 변화시켜 결정 배향면의 변화를 측정하였고, 또한 결정 배향면에 따른 막 특성 실험을 실시하였다. 표 1은 산소의 유량에 따라 MgO 보호막의 결정 배향면과 결정 배향면에 따른 방전 지연 시간 특성을 나타낸 것이다.
[표 1]
결정 배향면 방전 지연 시간(Tf) 방전 전압 특성(Vzy)
1 (111) 0.74 ~ 0.76 sec 286 ~ 290 V
2 (111) & (200) 0.67 ~ 0.68 sec 284 ~ 290 V
3 (111)&(200)&(220) 0.77 ~ 0.78 sec 264 ~ 265 V
4 (111)&(222) 0.73 ~ 0.75 sec 288 ~ 290 V
표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 MgO 보호막은 결정 배향면이 (111)면과 (110)면이 혼합되는 경우에 방전 지연 시간특성이 가장 좋게 나타난다. 또한, 방전 전압 특성은 배향 결정면이 (111)면, (200)면만이 혼합 됐을 때보다 (111)면, (200)면 및 (220)면이 혼합될 경우 방전 전압 특성이 더욱 좋게 나타난 다.
실험예 1
표 2는 본 발명의 MgO 보호막에서 있어서, 구체적으로 결정 배향면의 혼합 비율에 따라 막 특성을 나타낸 것이다. 실험 조건은 증착 온도를 300℃로 유지하고, 산소유량을 0 sccm(유량부피단위)에서 5 sccm를 각각 챔버에 공급하면서 결정 배향면을 조절하였고, 보호막 두께는 700nm로 형성 하였다.
[표 2]
결정 배향면 혼합 관계 방전 지연 시간 특성 (좋음: ◎, 보통:○) 내 스퍼터링 특성 (좋음: ◎, 보통:○)
(111) > (200) ◎ ○
(111) < (200) ○ ◎
표 2에서 보는 바와 같이, MgO 보호막은 형성된 막 결정 배향면 중 (111)면이 (200)면보다 많을 경우 내 스퍼터링 특성에 비하여 방전 지연 시간 특성이 좋아지고, 막 결정 배향면 중 (200)면이 (111)면보다 많을 경우, 방전 지연 시간 특성 보다 상대적으로 내 스퍼터링 특성이 향상됨을 알 수 있다.
도 3은 실험 예 1에 나타난 MgO보호막의 결정구조를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, MgO 보호막의 단면은 복수의 원주형 결정체가 그룹을 이루며 기판 상부에서 배향되는 것을 알 수 있다. 즉, 복수의 원주형 결정체는 결정 배향면이 (111)면을 갖는 제 1 원주형 결정체 그룹(G1)과 결정 배향면이 (200)면을 갖는 제 2 원주형 결정체 그룹(G2)을 포함하고, 제 1원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 기울기를 제 1기울기(θ1)라 하고, 제 2원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 기울기를 제 2기울기 (θ2) 라 할 때, 제 1기울기는 제 2기울기 보다 크게 형성된다.
이 경우, 제 2원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 2기울기(θ2) 는 1° 이상 45°이하를 갖고, 바람직하게는 제 2기울기가 10° 이상 20° 이하의 범위를 가져 방전지연시간 특성 및 내 스퍼터링성을 개선시킬 수 있게 된다. 한편, 상술한 기판은 글라스 상부에 복수의 전극이 형성되고, 복수의 전극 상부에 유전체층이 형성된 구조물이다.
이러한 MgO 보호막은 도면에 나타나 있지 않지만 MgO 보호막의 표면에서 (200) 배향면을 갖는 결정체의 표면적이 넓게 나타나고, (111) 배향면을 갖는 결정체의 표면적은 (200) 배향면을 갖는 결정체의 표면적보다 상대적으로 작게 나타난다.
실험예 2
표 3은 본 발명의 MgO 보호막에 있어서, 표 2와 다른 결정 배향면의 혼합 비율에 따라 나타난 방전 전압 특성을 나타낸 것이다. 실험 조건은 실험예 1과 같은 조건으로 하고, 다만, 산소유량을 6 sccm(유량부피단위)에서 20 sccm를 각각 챔버에 공급하였다.
[표 3]
결정 배향면 혼합 관계 방전 전압 특성 (Vzy) (좋음: ◎, 보통:○)
(111) ≥ (200) >(220) ◎
(111) ≥ (200) < (220) ○
표 3에서 보는 바와 같이, MgO 보호막의 결정 배향면이 (111)면, (200)면, (220)면을 포함할 경우, (220)면이 (111)면 이나 (200)면에 비하여 작을 경우 방전전압 특성이 좋아짐을 알 수 있다.
도 4는 실험 예 2에 나타난 MgO보호막의 결정구조를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, MgO 보호막의 단면은 도 3과 마찬가지로 복수의 원주형 결정체가 그룹을 이루며 기판 상부에서 배향되는 것을 알 수 있다. 다만, 복수의 원주형 결정체는 결정 배향면이 (111)면을 갖는 제 1 원주형 결정체 그룹(G1)과 결정 배향면이 (200)면을 갖는 제 2 원주형 결정체 그룹(G2) 및 결정 배향면이 (220)면을 갖는 제 3원주형 결정체 그룹(G3)을 포함하고, 제 1원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 기울기를 제 1기울기(θ1) 라 하고, 제 2원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 기울기를 제 2기울기(θ2) 라 하고, 제 3원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 기울기를 제 3기울기(θ3) 라 할 때, 제 3기울기는 제 2기울기와 실질적으로 동일하거나 더 크고, 제 1기울기보다 더 작게 형성된다.
이 경우, 제 3원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 3기울기(θ3) 는 10° 이상 60°이하를 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라 방전전압 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, MgO 보호막은 도면에 나타나 있지 않지만 표면에서 (220) 배향면을 갖는 결정체가 포함되어 전체적으로 결정체의 표면적이 일정하게 나타나지만 도 3과 같은 (200) 배향면을 갖는 결정체의 표면적 보단 작게 나타난다.
실험예 3
표 4는 본 발명의 MgO 보호막에 있어서, 결정 배향면의 혼합 비율에 따라 나타난 방전 지연 시간 및 방전 전압 특성을 나타낸 것이다. 실험 조건은 실험예 1과 같은 조건으로 하고, 다만, 산소유량을 21 sccm(유량부피단위)에서 35 sccm를 각각 챔버에 공급하였다.
[표 4]
결정 배향면 혼합 관계 방전 지연 시간 특성 (좋음: ◎, 보통:○) 방전 전압 특성 (좋음: ◎, 보통:○)
(111) > (222) ○ ○
(111) < (222) ○ ○
표 4에서 보는 바와 같이, MgO 보호막의 결정 배향면이 (111)면, (222)면을 포함할 경우, 방전지연 시간 특성이나 방전 전압 특성이 보통임을 알 수 있다.
도 5는 실험 예 3에 나타난 MgO보호막의 결정구조를 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, MgO 보호막의 단면은 도 3과 마찬가지로 복수의 원주형 결정체가 그룹을 이루며 기판 상부에서 배향되는 것을 알 수 있다. 다만, 복수의 원주형 결정체는 결정 배향면이 (111)면을 갖는 제 1 원주형 결정체 그룹(G1)과 결정 배향면이 (222)면을 갖는 제 4 원주형 결정체 그룹(G4)을 포함하고, 제 1원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 기울기를 제 1기울기(θ1) 라 하고, 제 4원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 기울기를 제 4기울기(θ4) 라 할 때, 제 1기울기는 제 4기울기와 실질적으로 동일하다.
이 경우, 제 3원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 기판의 면과 이루는 제 1 기울기(θ1) 및 제 4 기울기(θ4) 는 70° 이상 90°이하를 갖는다.
또한, MgO 보호막은 표면에서 (222) 배향면을 갖는 결정체가 포함되어 전체적으로 결정체의 표면적이 도 4의 결정체의 표면에 비해 더 일정하게 나타나고, 결정체의 표면적 또한 도 4의 결정체 표면적보다 작게 나타난다.
위 실험예 1, 2, 3을 종합적으로 살펴보면, MgO 보호막은 보호막 형성시 산소 유량부피 단위를 작게 하면 할수록, 방전 지연, 방전 전압, 내스퍼터링성과 같은 막 특성을 향상 시킬 수 있는 결정 배향면이 형성됨을 알 수 있다.
또한, 본 발명은 위 실험예와 같은 방법으로 형성된 MgO 보호막 상부에 MgO 분말 파우더를 액상으로 스프레이 한 후 열처리를 하게 되면 MgO 보호막 상부는 단결정 및 다결정 구조를 갖게된다. 이와 같이 구조를 갖게 되면 상술한 보호막 특성을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호막을 기판에 증착하는공정을 설명하기 위한 도이다.
도 3은 실험 예 1에 나타난 MgO보호막의 결정구조를 나타낸 단면도이다.
도 4는 실험 예 2에 나타난 MgO보호막의 결정구조를 나타낸 단면도이다.
도 5는 실험 예 3에 나타난 MgO보호막의 결정구조를 나타낸 단면도이다.

Claims (20)

  1. 막의 결정 배향면이 (111)면과 (200)면이 혼합하여 구성된 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 막의 결정 배향면이 (220)면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO보호막.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 결정 배향면 (111)면, (220)면, (222)면 중 상기 (220)면이 가장 작게 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 막의 결정 배향면은 (111)면이 (200)면보다 더 많게 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 막의 결정 배향면은 (200)면이 (111)면보다 더 많게 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 MgO 보호막은 단결정 혹은 다결정 구조를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막.
  7. 복수의 원주형 결정체가 기판에 배열되어 형성된 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO보호막 구조에 있어서,
    상기 복수의 원주형 결정체는 제 1 원주형 결정체 그룹과 제 2 원주형 결정체 그룹을 포함하고,
    상기 제 1원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 상기 기판의 면과 이루는 제 1기울기가 상기 제 2원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 상기 기판의 면과 이루는 제 2기울기 보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막 구조.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1원주형 결정체 그룹의 결정 배향면은 (111)면이고, 상기 제2원주형 결정체 그룹의 결정 배향면은 (200)면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막 구조.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 복수의 원주형 결정체는 제 3 원주형 결정체 그룹을 더 포함하고,
    상기 제 3원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 상기 기판의 면과 이루는 제 3기울기는 상기 제 2기울기와 실질적으로 동일하거나 더 크고, 상기 제 1기울기보다 더 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막 구조.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 3원주형 결정체 그룹의 결정 배향면은 (220)면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막 구조.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제 2원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 상기 기판의 면과 이루는 제 2기울기는 1° 이상 45°이하 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막 구조.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제 2원주형 결정체 그룹의 원주형 부분과 상기 기판의 면과 이루는 제 2기울기는 10° 이상 20°이하 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막 구조.
  13. 제 7항에 있어서,
    상기 MgO 보호막은 단결정 혹은 다결정 구조를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 보호막 구조.
  14. 기판, 상기 기판 상부에 소정 간격을 두고 평행하게 배열된 복수의 전극, 상기 복수의 전극을 덮도록 기판 상부에 형성된 유전체층, 상기 유전체층 상부에 배열된 MgO 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널에 있어서,
    상기 MgO 보호막은 막의 결정 배향면이 (111)면과 (200)면이 혼합하여 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 막의 결정 배향면이 (220)면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 결정 배향면 (111)면, (220)면, (222)면 중 상기 (220)면이 가장 작게 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 막의 결정 배향면은 어드레스 방전 지연을 줄이기 위한 (111)면이 (200)면보다 더 많게 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상 부패널.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 막의 결정 배향면은 막의 내 스퍼터링성을 향상 시키기 위한 (200)면이 (111)면보다 더 많게 혼합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 MgO 보호막은 단결정 혹은 다결정 구조를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널.
  20. 제 15항에 있어서,
    상기 유전체 층은 유전율이 서로 다른 두개의 유전체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 상부패널.
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