JP2009064778A - プラズマディスプレイパネルとその保護膜形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】MgO保護膜の膜面の特性は2次電子放出特性によるアドレス放電遅延や放電電圧特性、耐スパッタ特性に影響を与えるため、これらの特性を改善する。
【解決手段】プラズマディスプレイパネル用MgO保護膜の表面は結晶構造111と結晶構造200の組合を含む。MgO保護膜は放電遅延特性と耐スパッタリング(sputtering)特性を向上させることができる。
【選択図】図3A
【解決手段】プラズマディスプレイパネル用MgO保護膜の表面は結晶構造111と結晶構造200の組合を含む。MgO保護膜は放電遅延特性と耐スパッタリング(sputtering)特性を向上させることができる。
【選択図】図3A
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネル、保護膜及びこれを含むプラズマディスプレイパネル用上部パネルに関する。
一般に、プラズマディスプレイパネルは、上部パネルと下部パネルが所定の間隔を置いて結合され、上部パネルと下部パネルとの間に配置された隔壁により区画された放電セル内には蛍光体が配置される。上部パネルは、基板、スキャン電極、サステイン電極、誘電層、及びMgO保護膜を備え、下部パネルは、基板、アドレス電極、及び誘電層を備える。このようなプラズマディスプレイパネルは、駆動部により電極に駆動信号が供給されれば、放電セル内に形成された蛍光体が励起されて光を放出する。
マグネシウム(Mg)は高い電子親和力を持っていて、 酸素のような他のイオンと結合が可能にさせて、励起されるうちに酸化マグネシウムはPDP不活性ガスの衝撃を耐えることができるようにする。上部パネルのMgO保護膜はプラズマディスプレイパネル駆動の時放電特性に影響を与えることができる。
特に、MgO保護膜の面特性に従いアドレス期間に生じるアドレス放電遅延(Jitter)や2次電子放出係数に従う放電電圧特性が異なるように表れる。また、MgO保護膜は膜の耐スパッタリング特性に従いプラズマディスプレイパネルの寿命に影響を与えることができる。
一つの観点において、プラズマディスプレイパネルは映像表示面を持つ基板を含む第1パネルと前記基板一部に平行に整列されたスキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極とサステイン電極を覆うように基板の上に配列された誘電体層及び前記誘電体層一部に配列されて、結晶構造111と結晶構造200の組合せを含む表面を持つMgO保護膜を含む。
実施形態は一つ以上の次のような特徴を含むことができる。例えば、その組合せは結晶構造220をさらに含むことができる。いくつかの実施形態で、結晶構造220は第1量を持って、結晶構造111は第2量を持って、結晶構造200は第3量を持って、前記第1量は前記第2量及び第3量より小さく混合することができる。
実験例において、結晶構造111の量は前記結晶構造200の量よりさらに多く混合することができる。他の実験例において、結晶構造200の量が結晶構造111の量よりさらに多く混合することができる。MgO保護膜は単結晶あるいは多結晶構造を含むことができる。
MgO保護膜は第1円周型結晶体グループと第2円周型結晶体グループで前記基板に整列された円周型結晶体を含むことができる。第1円周型結晶体グループの円周型部分と前記基板の面と成す第1傾きが前記第 2円周型結晶体グループの円周型部分と前記基板の面と成す第2傾きより大きくなることができる。 第2傾きは 1° 以上 45°以下の範囲であることができるし、他の実施形態で、2傾きは 10° 以上 20°以下の範囲であることができる。 MgO保護膜は単結晶あるいは多結晶構造をさらに含むことができる。
円周型結晶体は第3円周型結晶体グループをさらに含むことができる。 第3円周型結晶体グループの円周型部分と前記基板の面と成す第3傾きは前記第2傾きと実質的に同一であるかさらに大きく、前記第1傾きよりはさらに小さいことがある。第3円周型結晶体グループの結晶配向面は結晶構造220を含むことができる。
プラズマディスプレイパネルは前記第1パネルに平行でありで、第2基板を含む第2パネルと、前記第1パネルと第2パネルの間に配置されて、前記第2基板上部に配列されたアドレス電極; 前記第1パネルと前記第2パネルの間に配列された隔壁と、前記アドレス電極を覆うように前記第1パネルと前記第2パネルの間に配列された第2誘電体層をさらに含むことができる。MgO保護膜は前記スキャン電極とサステイン電極を覆う誘電体層と前記第2パネルの間に配列されることができる。
他の観点で、プラズマディスプレイパネルは映像表示面を持つ基板を含む第1パネルと前記基板一部に平行に整列されたスキャン電極及びサステイン電極と前記スキャン電極とサステイン電極を覆うように基板の上に配列された誘電体層と、前記誘電体層一部に配列されて、膜の結晶構造111と結晶構造200が混合した表面を持つ MgO保護膜を含む。前記 MgO保護膜は結晶構造111と結晶構造200の組合せを含む表面を持って、前記結晶構造は結晶構造111と結晶構造200の組合せを持つMgO保護膜を配向するために形成された過程で起因する。
実施形態は一つ以上の次のような特徴を含むことができる。例えば、その組合せは結晶構造220をさらに含むことができる。いくつかの実施形態で、結晶構造220は第1量を持って、結晶構造111は第2量を持って、結晶構造200は第3量を持って、前記第1量は前記第2量及び第3量より少なく混合することができる。
実験例において、結晶構造111の量は前記結晶構造200の量よりさらに多く混合することができる。 他の実験例で、結晶構造200の量は結晶構造111の量よりさらに多く混合することができる。MgO保護膜は単結晶あるいは多結晶構造を含むことができる。
また他の観点において、プラズマディスプレイパネルの保護膜形成方法を提供する。その方法は坩堝中にMgO物質を位置させる段階と、電極と前記電極上部に形成された誘電体層を含む基板をチャンバ(Chamber) 中に設置する段階と前記チャンバの中を真空状態に維持するために前記チャンバを排気させる段階と、前記チャンバに6A/sec の速度で電圧を印加する段階と、前記坩堝中のMgO物質を 300 ℃ に加熱して前記基板の誘電体層一部を覆うように蒸発させる段階と、前記加熱する間、膜の結晶構造111と結晶構造200が混合した表面を持つMgO保護膜を形成するために10sccm流速で酸素を供給する段階を含む。
他の特徴と利点は、次の発明の詳細な説明及び請求項で表現される。
詳細な説明を構成する実施形態は混合した結晶構造を持つ表面を含む保護膜を提供することができる。その結果最適の状態でPDPが動作可能にできてフィルム特性も向上する。少なくとも一つの実施形態でプラズマディスプレイパネルのMgO保護膜の結晶配向面(配列)は 111配向面及び200配向面の混合を含むことができる。MgO保護膜の結晶配向面は220配向面をさらに含む。
図1はプラズマディスプレイパネルを示す斜視図である。図1に示すように、プラズマディスプレイパネルは、第1パネル100及び第2パネル200を含む。第1パネル100は、第1基板SUB1、スキャン電極101、サステイン電極102、第1誘電体層103、及び保護膜104を含む。
スキャン電極101とサステイン電極102は、第1基板SUB1の上に並んで配置される。上記電極は基板の上部に所定の間隔で平行に配列できる。スキャン電極101とサステイン電極102の各々は、透明電極101a、102aとバス電極101b、102bとを含む。透明電極101a、102aは、ITO(Indium Tin Oxide)で形成され、駆動電圧の供給に従い放電を拡散させる。バス電極101b、102bは小さな抵抗を有する金属からなる。
第1誘電体層103は、スキャン電極101とサステイン電極102を覆ってスキャン電極101とサステイン電極102とを互いに絶縁させる。このような誘電体層103は、図示してはいないが、複数の層で構成することができ、各層の誘電率を異にして放電特性を向上させることができる。
保護膜104は、第1誘電体層103の上に位置し、MgOのような適切な物質からなる。保護膜104は、2次電子を放出することにより放電を容易にし、正イオンのスパッタリングからスキャン電極101、サステイン電極102、及び第1誘電体層103を保護する。保護膜104の構造及び特性に対する追加的な詳細事項は下で言及される。
第2パネル200は、第2基板SUB2、アドレス電極201、第2誘電体層202、隔壁203、及び蛍光体層204を含む。アドレス電極201は、スキャン電極101及びサステイン電極102と交差するように第2基板SUB2の上に配置される。第2誘電体層202は、アドレス電極201を覆ってアドレス電極201を絶縁させる。第2誘電体層202は、光の反射を円滑にするためのホワイトバック(white back)誘電体層でありうる。
隔壁203は、サステイン電極102、及びアドレス電極201が交差する領域に該当する放電セルを区画する。このような隔壁203は、図示されたように格子形状をなすことができるが、ストライプ形状やその他の多様な形状からなることができる。放電セルの内部にはネオン(Ne)あるいはキセノン(Xe)のような放電ガスが詰められる。
図1で、プラズマディスプレイパネルは、電極101、201から駆動電圧の印加を受けて、これらの電極101、201の間にアドレス放電を起こして誘電体層に壁電荷を形成し、アドレス放電により選択された放電セルで第1パネル100に含まれた一対の電極101、102に交番的に供給される交流(AC)信号により電極101、102の間にサステイン放電を起こす。これによって、放電セルを形成する放電空間に充填された放電ガスが励起され、かつ遷移されながら紫外線を発生させ、紫外線による蛍光体の励起により可視光線を発生させながら画像を具現する。
MgO保護膜は、スパッタリング法(Sputtering)、電子ビーム蒸着法(electron beam deposition)、化学気相蒸着法(chemical vapor deposition)、ゾル−ゲル法(sol-gel)、イオンプレーティング(ion plating)などのように多様な工程で形成されることができる。電子ビーム蒸着法は、電場と磁場で加速される電子ビームをMgO蒸着材料に衝突させて蒸着材料を加熱及び蒸発させることによりMgO保護膜を形成させ、スパッタリング法により形成された保護膜は緻密で、かつ結晶配向に有利な特性を有する。イオンプレーティング法は蒸発される粒子をイオン化して成膜させるが、保護膜の密着性と結晶性が良くて、蒸着を高速にすることができる長所がある。
このように、MgO保護膜は多様な方法により製造できる。保護膜の蒸着装備に印加される電圧及び電流、蒸着温度、酸素流量、材料純度等によって膜特性が異なるように表れる。
図2Aは基板にMgO保護膜を蒸着する例を示す図である。一実施形態に従って 図2Bは MgO保護膜を形成する実験工程を示すフローチャートに関する。
保護膜の原料であるMgO物質104を坩堝12内に配置させ(段階210)、電極101、102及び誘電体103が配置された基板SUB1をチャンバ10内に装着する(段階220)。以後、チャンバ10内を高真空状態に維持するように排気した後(段階230)、電源供給部13を通じて電圧を印加すると(段階240)、電子銃11から熱電子が放出される。このような熱電子は、坩堝12内に配置されたMgO物質104を加熱させて蒸発させることによって(段階250)、基板の誘電体103の上部にコーティングされる。この際、酸素供給部14は、MgO保護膜の結晶配向面の調節により膜特性、例えば、放電遅延特性、耐スパッタリング特性、放電電圧特性などを改善できるように酸素流量を制御する(段階260)。
MgO保護膜の酸素(O2)を変化させて結晶配向面の変化を測定したし、また結晶配向面による膜特性実験を実施した。下の表1は酸素の流量によって MgO保護膜の結晶配向面と結晶配向面による放電遅延時間特性を示すことである。
表1に表れたように、MgO保護膜は、結晶配向面が結晶構造111と結晶構造(110)とが混合される場合に、放電遅延時間特性が最も良く表れる。また、放電電圧特性は配向結晶面が結晶構造111、結晶構造200のみ混合された時より結晶構造111、200、及び220が混合される場合、放電電圧特性がより良く表れる。
図6Aは実験結果物に関することで、結晶配向面の放電遅延特性を示したグラフである。グラフに示すように、一番低い放電遅延時間 (0.67〜0.68sec)は結晶配向面が結晶構造111と結晶構造200の組合せに形成される時、結晶配向面2から発生する。
図6Bは実験結果物に関することで、結晶配向面の放電電圧特性を示すグラフである。グラフに示すように、結晶構造111と結晶構造200及び結晶構造220の混合に形成された結晶配向面3は、結晶構造111と結晶構造200だけで混合して形成された結晶配向面2の放電電圧特性(284〜290V)に比べてさらに良い放電電圧特性(264〜265V)を持つ。
実験例1
下の表2は、 実験例 でMgO保護膜の結晶配向面の混合割合に従い膜特性を示したものである。実験条件は、蒸着温度を約300℃に維持し、酸素流量を約0sccm(流量体積単位)で5sccmを各々チャンバに供給しながら結晶配向面を調節したし、保護膜の厚みは約700nmで形成した。
下の表2は、 実験例 でMgO保護膜の結晶配向面の混合割合に従い膜特性を示したものである。実験条件は、蒸着温度を約300℃に維持し、酸素流量を約0sccm(流量体積単位)で5sccmを各々チャンバに供給しながら結晶配向面を調節したし、保護膜の厚みは約700nmで形成した。
表2に示すように、MgO保護膜は、配向面111が配向面200面より多い場合、耐スパッタリング特性に比べて放電遅延時間特性が良くなり、配向面200が 配向面111より多い場合、放電遅延時間特性より相対的に耐スパッタリング特性が向上される。
図3Aは 実験例1で現われたMgO保護膜結晶構造を示す断面図である。
図3Aを参照すると、MgO保護膜の断面は複数の円柱型結晶体がグループをなして基板の上部で配向されることが分かる。即ち、複数の円柱型結晶体は、結晶配向面が(111)面を有する第1円柱型結晶体グループ(G1)と結晶配向面が(200)面を有する第2円柱型結晶体グループ(G2)とを含む。
図3Bは各々の配向面111と配向面200で単結晶成長を示す図表である。
第1円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面と成す傾きを第1傾き(θ1)とし、第2円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面と成す傾きを第2傾き(θ2)とすると、第1傾きは第2傾きより大きく形成される。
その場合、第2円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす第2傾き(θ2)は 1°以上45°以下を有し、好ましくは、第2傾きが約10°以上約20°以下の範囲を有して、放電遅延時間特性及び耐スパッタリング特性を改善させることができるようになる。一方、前述した基板は、ガラスの上部に複数の電極が形成され、複数の電極の上部に誘電体層が形成された構造物である。
このようなMgO保護膜は、図示してはいないが、MgO保護膜の表面で(200)配向面を有する結晶体の表面積が広く表れ、(111)配向面を有する結晶体の表面積は(200)配向面を有する結晶体の表面積より相対的に小さく表れる。
実験例2
下の表3は、本発明のMgO保護膜において、表2と異なる結晶配向面の混合割合に従って表れた放電電圧特性を示すものである。実験条件は、実験例1のような条件とし、但し、酸素流量を約6sccm(流量体積単位)で約20sccmに各々チャンバに供給した。
下の表3は、本発明のMgO保護膜において、表2と異なる結晶配向面の混合割合に従って表れた放電電圧特性を示すものである。実験条件は、実験例1のような条件とし、但し、酸素流量を約6sccm(流量体積単位)で約20sccmに各々チャンバに供給した。
表3に示すように、MgO保護膜の結晶配向面が(111)面、(200)面、(220)面を含む場合、(220)面が(111)面や(200)面に比べて小さい場合、放電電圧特性が良くなることが分かる。
図4は、実験例2に表れたMgO保護膜の結晶構造を示す断面図である。
図4を参照すると、MgO保護膜の断面は、 図3と同一に複数の円柱型結晶体がグループをなして基板の上部で配向されることが分かる。
図4は、実験例2に表れたMgO保護膜の結晶構造を示す断面図である。
図4を参照すると、MgO保護膜の断面は、 図3と同一に複数の円柱型結晶体がグループをなして基板の上部で配向されることが分かる。
但し、複数の円柱型結晶体は結晶配向面が(111)面を有する第1円柱型結晶体グループ(G1)と結晶配向面が(200)面を有する第2円柱型結晶体グループ(G2)、及び結晶配向面が(220)面を有する第3円柱型結晶体グループ(G3)を含み、第1円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第1傾き(θ1)とし、第2円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第2傾き(θ2)とし、第3円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第3傾き(θ3)とする時、第3傾きは第2傾きと実質的に等しいか大きくて、第1傾きより小さく形成される。
この場合、第3円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす第3傾き(θ3)は、約10°以上約60°以下を有することが好ましい。これによって、放電電圧特性を向上させることができる。
また、MgO保護膜は、図示してはいないが、表面で(220)配向面を有する結晶体が含まれて全体的に結晶体の表面積が一定に表れるが、図4Aのような(200)配向面を有する結晶体の表面積よりは小さく表れる。
実験例3
表4は、本発明のMgO保護膜において、結晶配向面の混合割合に従い表れた放電遅延時間及び放電電圧特性を示すものである。実験条件は、実験例1のような条件とし、但し、酸素流量を約21sccm(流量体積単位)で約35sccmに各々チャンバに供給した。
表4は、本発明のMgO保護膜において、結晶配向面の混合割合に従い表れた放電遅延時間及び放電電圧特性を示すものである。実験条件は、実験例1のような条件とし、但し、酸素流量を約21sccm(流量体積単位)で約35sccmに各々チャンバに供給した。
表4に示すように、MgO保護膜の結晶配向面が(111)面、(222)面を含む場合、放電遅延時間特性や放電電圧特性が普通(平均)であることが分かる。
図5は、実験例3に表れたMgO保護膜の結晶構造を示す断面図である。
図5を参照すると、MgO保護膜の断面は、図3と同様に、複数の円柱型結晶体がグループをなして基板の上部で配向されることが分かる。但し、複数の円柱型結晶体は、結晶配向面が(111)面を有する第1円柱型結晶体グループ(G1)と結晶配向面が(222)面を有する第4円柱型結晶体グループ(G4)とを含み、第1円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第1傾き(θ1)とし、第4円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす傾きを第4傾き(θ4)とする時、第1傾きは第4傾きと実質的に同一である。
この場合、第3円柱型結晶体グループの円柱型部分と基板の面とがなす第1傾き(θ1)及び第4傾き(θ4)は約70°以上約90°以下を有する
また、MgO保護膜は、表面で配向面を有する結晶体が含まれる。
結晶体の表面積が図4の結晶体の表面より一定に表れ、結晶体の表面積も図4の結晶体表面積より小さく表れる。
また、MgO保護膜は、表面で配向面を有する結晶体が含まれる。
結晶体の表面積が図4の結晶体の表面より一定に表れ、結晶体の表面積も図4の結晶体表面積より小さく表れる。
上記の実験例1、2、3はMgO保護膜は保護膜形成の時酸素流量体積単位を小さくすればするほど、放電遅延、放電電圧、耐スパッタリング性のような膜特性を向上させることができる結晶配向面が形成されることが分かる。また、本発明は上記の実験例のような方法により形成されたMgO保護膜の上部にMgO粉末パウダーを液状でスプレーした後、熱処理することになると、MgO保護膜の上部は単結晶及び多結晶構造を有することになる。このような構造を有することになると、前述した保護膜特性をより向上させることができる。
前記のようにMgO保護膜は、スパッタリング法(Sputtering)、電子ビーム蒸着法(electron beam deposition)、化学気相蒸着法(chemical vapor deposition)、ゾル−ゲル法(sol-gel)、イオンプレーティング(ion plating)などのように多様な工程で形成されることができる。MgO保護膜は多様な方法により製造できる。保護膜の蒸着装備に印加される電圧及び電流、蒸着温度、酸素流量、材料純度等によって膜特性が異なるように表れる。
図7A、7B及び7Cは蒸着法を使って形成されたMgOフィルムの表面特性を示すグラフである。特に、摂氏300度から6A/sec 割合で電子ビーム蒸着法を利用して形成された700nmのターゲット厚さを持つMgOフィルムの等しい条件で、MgOフィルムの代表的な特徴は酸素の流速が0sccm(図7A)、10sccm(図7B)、30sccm(図7C)の時に比較された。
図7A乃至図7Cで見られるように、形成されたフィルムの表面特性は実質的に酸素の流量によって変わる。図7Aのように、酸素流速が0sccmの場合にはMgO表面のGrainサイズがとても大きくて、結晶配向面が200 面の特性を持つ強い膜が作われた。図7Cのように、酸素流速が30sccmである場合には、Grainサイズがとても小さく、結晶配向面が111 面の特性を持つ強い膜が作われた。また、図7Bのように酸素の流速が 10sccmである場合には、Grainサイズが前記言及した二つのフィルム間の中程度のサイズを持って、アモルファス特性が強くて結晶配向面が (111)、(200)の特性を持つ膜が混ざって表れた。
前の説明でMgO保護膜を言及したが、このような内容は保護膜の他のタイプに適用することができる。例えば、いくつかの実施形態で、前記内容はドーパント(dopant)としてMgOに追加するとかMgO代りに他の物質を含む保護膜に適用されることができる。
前記実施形態と長所はただ例示的なことであり、本願明細書の範囲を制限するとか限定することではないことで解釈されなければならない。本願明細書の観点は他の形態の装置に適用されることができる。前の実施形態の詳細な説明は説明をするための意図であり、請求項の範囲を制限するための意図ではない。さまざまな選択で、変更または変形は技術分野に属する当業者に明白であるべきである。形態や詳細な説明での変化は現われられるとか記述された実施形態に形成されることができるし、他の実施形態は次の請求項の範囲の中にある。
Claims (20)
- 映像表示面を有する基板を含む第1パネルと、
前記基板の一部に平行するように整列されたスキャン電極及びサステイン電極と、
前記スキャン電極とサステイン電極とを覆うように基板の上に配列された誘電体層と、
前記誘電体層の一部に配列され、膜の結晶構造(111)と結晶構造(200)とが混合された表面を有するMgO保護膜と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記MgO保護膜の表面は、前記膜の結晶構造(220)をさらに混合することを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記結晶構造(220)は第1量を有し、前記結晶構造(111)は第2量を有し、前記結晶構造(200)は第3量を有し、前記第1量は前記第2量及び第3量より少なく混合されることを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記結晶構造(111)の量は、前記結晶構造(200)の量より多く混合されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記結晶構造(200)の量が前記結晶構造(111)の量より多く混合されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記MgO保護膜は、単結晶あるいは多結晶構造を含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記MgO保護膜は、第1円柱型結晶体グループと第2円柱型結晶体グループに前記基板に整列された円柱型結晶体を含み、
前記第1円柱型結晶体グループの円柱型部分と前記基板の面とがなす第1傾きが前記第2円柱型結晶体グループの円柱型部分と前記基板の面とがなす第2傾きより大きいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記円柱型結晶体は第3円柱型結晶体グループをさらに含み、
前記第3円柱型結晶体グループの円柱型部分と前記基板の面とがなす第3傾きは前記第2傾きと実質的に等しいか大きくて、前記第1傾きより小さいことを特徴とする請求項7に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記第3円柱型結晶体グループの結晶配向面は、結晶構造(220)を含むことを特徴とする請求項8に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記第2傾きは約1°以上約45°以下であることを特徴とする請求項7に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記第2傾きは約10°以上約20°以下であることを特徴とする請求項10に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記MgO保護膜は、単結晶あるいは多結晶構造を含むことを特徴とする請求項7に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記第1パネルに平行し、第2基板を含む第2パネルと、
前記第1パネルと第2パネルとの間に配置され、前記第2基板の上部に配列されたアドレス電極と、
前記第1パネルと前記第2パネルとの間に配列された隔壁と、
前記アドレス電極を覆うように前記第1パネルと前記第2パネルとの間に配列された第2誘電体層と、をさらに含み、
前記MgO保護膜は、前記スキャン電極とサステイン電極とを覆う誘電体層と前記第2パネルの間に配列されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 映像表示面を有する基板を含む第1パネルと、
前記基板の一部に平行するように整列されたスキャン電極及びサステイン電極と、
前記スキャン電極とサステイン電極とを覆うように 前記基板の上に配列された誘電体層と、
前記誘電体層の一部に配列され、膜の結晶構造(111)と結晶構造(200)とが混合された表面を有するMgO保護膜を含み、
前記結晶構造(111)と結晶構造(200)は、前記結晶構造(111)と前記結晶構造(200)との混合を含む前記MgO保護膜を配向するために形成された過程で起因することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記MgO保護膜の表面は、膜の結晶構造(220)をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記結晶構造(220)は第1量を有し、前記結晶構造(111)は第2量を有し、前記結晶構造(200)は第3量を有し、前記第1量は前記第2量及び第3量より少なく混合されることを特徴とする請求項15に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記結晶構造(111)の量は前記結晶構造(200)の量より多く混合されることを特徴とする請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記結晶構造(200)の量が前記結晶構造(111)の量より多く混合されることを特徴とする請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記MgO保護膜は、単結晶あるいは多結晶構造を含むことを特徴とする請求項14に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 坩堝内にMgO物質を位置させるステップと、
電極と前記電極の上部に形成された誘電体層を含む基板をチャンバ内に設置するステップと、
前記チャンバ内を真空状態に維持するために前記チャンバを排気させるステップと、
前記チャンバに約6A/secの速度で電圧を印加するステップと、
前記坩堝内のMgO物質を約300℃に加熱して前記基板の誘電体層の一部を覆うように蒸発させるステップと、
前記加熱する間、膜の結晶構造(111)と結晶構造(200)とが混合された表面を有するMgO保護膜を形成するために約10sccmの流速で酸素を供給するステップと、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの保護膜形成方法。
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