KR100570602B1

KR100570602B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 ＭｇＯ 펠렛 및 이를이용한 플라즈마 디스플레이 패널

Info

Publication number: KR100570602B1
Application number: KR1020030072300A
Authority: KR
Inventors: 김기동
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2003-10-16
Filing date: 2003-10-16
Publication date: 2006-04-12
Also published as: KR20050036590A

Abstract

본 발명은 MgO에 함유되는 특정 불순물의 조성 범위를 조절하여 방전지연시간을 최소화할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판과 제2 기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극, 상기 다수의 제1 전극 및 상기 다수의 제2 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층 및 상기 유전체층을 덮어서 형성되는 MgO 보호막을 포함하고, MgO 보호막은, 0중량ppm 보다 크고 700중량ppm 이하인 Ca, 0중량ppm 보다 크고 50중량ppm 이하인 Si, 그리고 기타 불순물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 특징으로 한다. 이러한 본 발명을 통하여 방전지연시간을 감소시켜 방전 특성을 향상시킬 수 있다.

MgO 보호막, MgO 펠렛, Ca, Si

Description

플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 ＭｇＯ 펠렛 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널{MgO PELLET FOR A PROTECTION LAYER OF PLASMA DISPLAY PANEL AND THE PLASMA DISPLAY PANEL USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 상판의 사시도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 증착 과정을 나타내는 개략적인 도면이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, Ca/Si 값에 따른 방전지연시간의 변화를 나타낸 그래프이다.

도 4는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 분해 사시도이다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 MgO에 함유되는 특정 불순물의 조성 범위를 조절하여 방전지연시간을 최소화할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이 다.

플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 플라즈마 방전에 의한 하부기판 또는 방전에 의해 여기된 형광체에 의해 화상을 형성하는 장치로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전공간에 설치된 두 전극에 소정의 전압을 인가하여 이들 사이에서 플라즈마 방전이 일어나도록 하고, 이 플라즈마 방전시 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성한다.

이와 같은 플라즈마 디스플레이는 크게 교류형(AC type), 직류형(DC type) 및 혼합형(Hybrid type)으로 나누어진다. 도 4는 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 분해 사시도이다. 도 4를 참조하면, 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 하부기판(111), 하부기판(111) 위에 형성된 다수의 어드레스 전극(115), 이 어드레스 전극(115)이 형성된 하부기판(111) 위에 형성된 유전체층(119), 이 유전체층(119) 상부에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 크로스 토크(cross talk)를 방지하는 다수의 격벽(123)과 격벽(123) 표면에 형성된 형광체층(125)을 포함한다.

다수의 방전유지전극(117)은 하부기판(111) 상에 형성된 다수의 어드레스 전극(115)과 소정 간격으로 이격되어 직교하도록 상부기판(113) 하부에 형성된다. 그리고 유전체층(121) 및 보호막(127)이 순차적으로 방전유지전극(117)을 덮고 있다. 특히, 보호막(127)으로는 가시광선이 잘 투과될 수 있도록 투명할 뿐만 아니라 유전층 보호 및 2차 전자 방출 성능이 우수한 MgO를 주로 사용하고 있으며, 최근에는 다른 재료로 이루어진 보호막의 연구도 이루어지고 있다.

여기서의 MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 동작중의 방전시 방전가스의 이온충격으로 인한 영향을 완화시켜 이온 충돌로부터 유전층을 보호하고 2차 전자의 방출을 통하여 방전 전압을 낮추는 역할을 하는 투명 보호 박막으로서, 3000~7000Å 두께로 유전체층을 덮어서 형성한다. MgO 보호막은 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법) 및 솔-겔(sol-gel)법 등을 사용하여 형성하고 있으며, 최근에는 이온 플레이팅(ion plating) 방식이 개발되어 사용되고 있다.

여기서, 전자빔 증착법은 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 MgO 증착 재료에 충돌시켜 증착 재료를 가열 및 증발시킴으로써 MgO 보호막을 형성하는 방법이다. 스퍼터링법의 경우, 전자빔 증착법에 비하여 보호막이 치밀하며 결정배향에 유리한 특성을 지닌다는 이점이 있지만, 제조 공정시의 단가가 높은 문제점이 있다. 솔-겔법의 경우, 액상으로 MgO 보호막을 제조한다.

상기한 다양한 MgO 보호막의 형성 방식에 대한 대안으로 이온 플레이팅법이 최근 시도되고 있는데, 이온 플레이팅법에서는 증발되는 입자를 이온화하여 성막시킨다. 이온 플레이팅법은 MgO 보호막의 밀착성과 결정성에 대해서 스퍼터링법과 비슷한 특성을 가지지만, 증착을 8nm/s의 고속으로 행할 수 있다는 이점이 있다.

이와 같은 MgO 재료는 단결정 또는 소결체 형태의 것을 사용한다. MgO 단결정 재료의 경우, 증착을 위한 용융시 냉각 속도에 의한 고용 한계의 차이로 인하여 특정 도펀트(dopant)의 정량제어가 어려운 문제점이 있어서, 제조시에 특정 도펀트를 정량적으로 첨가한 MgO 소결체 재료를 사용하여 이온 플레이팅 방식으로 MgO 보 호막을 제조하고 있다. MgO 보호막 증착재는 펠렛 형태의 것이 사용되고 있으며, MgO 펠렛의 크기 및 형태에 따라 MgO 펠렛의 분해 속도가 달라서 MgO 보호막 증착 속도 등 여러면에서 큰 차이점이 있으므로, MgO 펠렛의 크기 및 형태를 최적화하고자 하는 여러가지 방법이 시도되고 있다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, MgO 보호막의 특성을 개선하기 위한 것으로서, MgO 보호막에 첨가되는 불순물을 특정한 조성범위로 조절하여 방전 특성을 향상시키고자 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판과 제2 기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극, 상기 다수의 제1 전극 및 상기 다수의 제2 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층 및 상기 유전체층을 덮어서 형성되는 MgO 보호막을 포함하고, MgO 보호막은, 0중량ppm 보다 크고 700중량ppm 이하인 Ca, 0중량ppm 보다 크고 50중량ppm 이하인 Si, 그리고 기타 불순물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막에 사용하는 MgO 펠렛도 상기와 동일한 조성을 가진다.

여기서, Ca/Si 비는 4 내지 30인 것이 바람직하다.

또한, MgO 펠렛은 기공률이 0% 보다 크고 25% 이하인 것이 바람직하다.

그리고 MgO 펠렛은 2.70~3.53g/cm3의 부피 밀도를 가질 수 있다.

한편, MgO 펠렛은 다결정일 수 있다.

이하에서는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 자세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판의 사시도이다.

도 1에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 부분만을 따로 떼어 도시하고 있다. 도 1에서는 기판(13) 상에 다수의 전극(17), 유전체층(21), 보호막(27)이 차례로 형성된 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 상판을 도시한다. 도 1에서는 편의상 이해를 돕기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판을 180° 뒤집어 도시한다. 도 1에 도시하지 않았지만, 플라즈마 디스플레이 패널의 상판과는 별도로 상기 기판(13)에 대응하는 다른 기판에 상기 전극(17)과 수직으로 교차하는 다수의 또다른 전극을 형성하고, 그 위에 유전체층을 덮은 다음 격벽을 형성한 후, 격벽 사이에 형광체층을 도포하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 하판을 제조한다.

이와 같이 제조한 플라즈마 디스플레이 패널 상판 및 하판의 가장자리를 프릿으로 도포하여 양 기판을 봉착하고, Ne 나 Xe 등의 방전가스를 주입함으로써 플라즈마 디스플레이 패널을 제조한다.

이와 같이 제조한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 전극들로부터 구동 전압을 인가받아 이들 전극들 사이에 어드레스 방전을 일으 켜서 유전체층에 벽전하를 형성하고, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들에서 상판에 형성한 한 쌍의 전극에 교반적으로 공급되는 교류 신호에 의하여 이들 전극들간에 서스테인 방전을 일으킨다. 이에 따라 방전셀을 형성하는 방전 공간에 충진된 방전 가스가 여기되고 천이되면서 자외선을 발생시키고, 자외선에 의한 형광체의 여기로 가시광선을 발생시키면서 화상을 구현하게 된다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는 보호막 형성 영역 안쪽에 다수의 전극이 서로 교차하여 픽셀을 이루고 이들이 모여서 표시영역을 형성하며, 그 주변부에는 비표시영역을 형성한다. 기판(13) 상에 형성된 다수의 전극(17)은 FPC(flexible printed circuit, 연성회로기판)(미도시)와 연결될 수 있도록 그 단자부가 유전체층(21)의 좌우로 인출되어 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 MgO 보호막(27)은 MgO 펠렛을 MgO 증착실에서 증착시켜 제조하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막에 사용하는 MgO 펠렛은 다음과 같은 방법으로 제조한다.

먼저 90.0~92.0% 순도를 가진 분말 형태의 MgO 원료 분말을 준비한 다음, 도핑 재료를 첨가하여 Mg(OH)2 를 제조함으로써 순도를 99.0% 정도까지 끌어올린다. 이와 같이 MgO의 순도를 높이기 위하여 Mg(OH)2로 만들며, Ca 및 Si를 포함한 도핑 재료를 첨가하여 불순물의 양을 조절한다.

이와 같이 제조한 Mg(OH)2는 수분을 50.0% 정도 함유하고 있으므로, 건조가 필요하다. 따라서 건조 오븐에서 열풍 건조하여 흡착수를 제거한다. 이와 같이 건조한 다음, 2800℃에서 60시간 정도 벨타입(bell type) 대차방식 저온 소결로에서 전기용융하여 하소(calcination)함으로써 결정수를 제거하여 Mg(OH)2를 MgO 분말로 제조한다. 이와 같이 전기용융한 MgO 분말을 냉각시킨 후 다시 고화시킨다.

고화된 MgO 분말을 파쇄기(breaker)를 이용하여 파쇄한 다음, 용제 및 첨가제로 된 부원료를 혼합하여 슬러리화한다. 혼합은 습식볼밀(wet mill)법을 통하여 행하며, 부원료로는 99.5% 이상의 시약급인 무수(無水)물 용제와 Aldrich 시약의 첨가제를 사용한다. 습식볼밀(wet mill)시에는 지로코니아 볼(zirconia ball)과 우레탄 포트를 사용한다.

방폭형 분무 건조기를 이용한 분무 건조법(spray drying)으로 혼합한 MgO 슬러리를 건조시켜 MgO 과립을 제조한다. 과립화 공정에서는 평균입자 3~5㎛ 크기의 MgO 분말을 80㎛ 정도로 과립화 및 구형화한다.

다음으로 로터리 프레스(rotary press)를 이용하여 MgO 과립을 압착 성형한다. 이와 같이 압착 성형된 MgO 과립을 대차방식 고온 소결로에서 1700℃ 정도의 온도에서 소결하여 결정화한다. 이러한 온도로 소결하는 경우, MgO 과립 표면이 녹아서 다른 MgO 과립 표면에 부착됨으로써 MgO 과립이 상호접착될 수 있으므로, MgO 과립 자체의 밀도가 높아져서 기공이 적어지므로 치밀한 조직을 가진 MgO 보호막을 형성할 수 있는 이점이 있다. 따라서, MgO 펠렛의 기공률은 0% 이상 25% 이하인 것이 바람직하다. MgO 펠렛의 기공률이 25%를 초과하는 경우에는 MgO 과립이 조밀하게 형성되지 않아 MgO 보호막 증착시 형성 속도가 저하되어 생산성도 마찬가 지로 저하되는 문제점이 있다. 한편, 이 경우 MgO 펠렛은 2.70~3.53g/cm3의 부피밀도를 가지는 것이 바람직하다.

다음으로는 소결한 다결정 형태의 MgO 과립을 절단하여 MgO 보호막 증착 공정시에 증착재로서 사용한다. Ca 및 Si를 포함하는 MgO 펠렛의 불순물들은 상기와 같은 공정을 거치면서 MgO 펠렛내에 고르게 분포된다. 따라서, MgO 펠렛을 이용하여 MgO 보호막을 증착하는 경우, MgO 보호막에 함유되는 성분의 양과 MgO 펠렛의 성분의 양은 대략 상호 동일하다.

본 발명에서는 Ca 함량이 0중량ppm 보다 크고 700중량ppm 이하이고, Si 함량이 0중량ppm 보다 크고 50중량ppm 이하가 되도록 MgO 펠렛을 제조한다. Ca의 경우, 그 양을 인위적으로 조절하는 것은 한계가 있어서 MgO 펠렛에 전혀 함유되지 않도록 하는 것은 불가능하므로 0중량ppm 보다 크게 되며, 또한 MgO 펠렛의 내수화성(耐水化性) 저하를 방지하기 위해서 그 양을 700중량ppm 이하로 유지한다. 그리고 Si의 경우에도 그 양을 인위적으로 조절하는 것은 한계가 있기 때문에, MgO 펠렛에 전혀 함유되지 않도록 하는 것은 불가능하므로 0중량ppm 보다 크게 되며, 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막을 형성시 Si4+ 이온이 Mg2+ 이온과 치환되어 양이온 결손을 만들어 내고, MgO 보호막의 광흡수장이 장파장쪽에 시프트되어 형광체의 발광 휘도를 저하시킬 우려가 있으므로 그 양을 50중량ppm 이하로 한다. 이와 같이 Ca 및 Si 함유량을 조절하는 경우, 어드레스 방전 지연으로 발생하는 블랙 노이즈 현상을 저감할 수 있는 이점도 있다.

추후에 기술하지만, 본 발명의 일 실시예에서는 상기한 바와 같이 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막 특성에 큰 영향을 끼치는 Ca 및 Si와의 상관관계를 파악하고자 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 펠렛을 이용한 MgO 보호막 형성에 관한 공정을 개략적으로 나타내는 도면으로서, 전극과 유전체층을 차례로 형성한 기판상에 MgO 보호막을 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 전자빔 증착법을 그 일례로 나타내고 있다.

전자빔 증착법에서는 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 증착 재료에 충돌시켜 증착 재료를 가열 및 증발시킴으로써 보호막을 형성한다. 이 경우, 전자빔의 에너지를 재료 표면에 집중시켜 고속증착 및 고순도증착을 실행할 수 있다. 도 2는 이러한 보호막의 형성 공정의 일례를 예시한 것에 지나지 않으며, 보호막의 형성 공정이 전자빔 증착법에 한정되는 것은 아니다.

도 2에 나타낸 MgO 보호막(17)의 성막 공정에 있어서는 먼저 기판(13)을 좌측으로부터 우측으로 롤러(21)로 이동시켜 증착실 입구(23)에 로드(load)하면서 MgO 보호막(17)을 증착한 후 증착실 출구(25)측으로 배출한다. 기판(13)에 이상이 있는 경우에는 증착실 입구(23)로부터 기판(13)을 언로드(unload)할 수 있다. 증착실(20)의 내부는 진공으로 형성되어야 하므로 진공 펌프(미도시)가 부착되어 배기를 지속적으로 행하며, 셔터(33)를 이용하여 내외부를 이중 차단하면서 개폐시킨다. 전자총(31)을 작동시켜 자기장 및 전기장을 형성하며, 전자총(31)에서 배출되는 이온을 하부에 위치한 증착재인 MgO 펠렛(27)에 충돌시켜 MgO 펠렛(27)을 상부에 위치한 기판(13) 상에 증착시킨다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 펠 렛(27)의 경우, 이온 충돌로 인하여 과열될 우려가 있어서 냉각 장치(29)를 통하여 냉각시키면서 MgO 보호막(17)을 증착한다.

본 발명에서는 MgO 보호막에 함유된 Ca/Si의 비가 어느 정도가 되는지를 시험하기 위하여, 0보다 크고 700중량ppm 이하의 Ca를 함유하고, 0보다 크고 50중량ppm 이하인 Si를 함유한 MgO 펠렛에 대하여 Ca/Si의 비를 변화시키면서 방전지연시간을 측정한다. 주사전극을 통하여 플라즈마 디스플레이 패널에 구동전압이 인가되는 시간을 주사시간이라고 하며, 주사시간동안 방전이 일어나게 되는데, 현실적으로 구동전압 인가시에 바로 방전이 일어나지 않으며, 방전이 지연되는 바 이를 방전지연시간이라고 한다. 방전지연시간은 다시 형성지연시간과 통계적지연시간으로 나누어진다. MgO 보호막의 경우, 그 특성상 이차전자방출과 밀접한 관련성을 가지므로, 본 발명의 실험예에서는 Ca/Si 비에 따른 방전지연시간을 측정하여 Ca/Si 비의 적정범위를 파악하고자 하였다. 이러한 실험예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.

실험예

0 < Ca ≤ 700중량ppm, 0 < Si ≤ 50중량ppm의 범위내에서 Ca/Si의 비를 다양하게 변화시킨 MgO 펠렛을 제조하였다. MgO 펠렛을 MgO 증착실에 넣고 유전체가 형성된 플라즈마 디스플레이 패널에 MgO를 증착시, MgO 보호막이 약 7000Å 정도로 형성되도록 하였다. 증착실 내부의 경우, 기본 압력을 1×10-4 Pa로, 증착 형성시의 압력을 5.3×10-2 Pa로 하였으며, 산소를 100sccm(유량부피단위)로 공급하면서 기판을 200±5℃로 유지하였다. 전류를 390mA, 전압을 -15kV DC로 조절한 전자총을 통하여 전자빔을 조사하여 MgO 보호막을 증착시켰다. 이러한 방법으로 제조한 플라즈마 디스플레이 패널에 대해 주사전극을 통하여 구동전압을 인가함으로써 방전지연시간을 측정하였다.

다음의 표 1은 상기한 Ca/Si의 비의 변화에 따른 방전지연시간을 나타내며, 이를 그래프로 나타내면 도 3과 같다.

도 3은 상기한 실험 결과에 따라 Ca/Si 비에 따른 방전지연시간의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 3에 도시한 바와 같이, MgO 보호막의 Ca/Si 비가 4 내지 30인 경우, 방전지연시간이 300ns 미만으로 양호하게 나타나고 있다. 따라서, Ca/Si 비를 4 내지 30으로 유지하면 방전 특성이 우수한 MgO 보호막을 얻을 수 있었다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따라 0중량ppm 보다 크고 700중량ppm 이하인 Ca와 0중량ppm 보다 크고 50중량ppm 이하인 Si를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막 및 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 펠렛은 방전 특성이 향상되는 이점이 있다. 또한, 어드레스 방전 지연으로 발생하는 블랙 노이즈 현상을 저감할 수 있다.

또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막 및 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO 펠렛의 Ca/Si 비는 4 내지 30이므로, 상기한 실험 결과로부터 알 수 있는 바와 같이 방전지연시간을 감소시켜 방전 특성이 향상되는 이점이 있다.

그리고 본 발명에 따른 MgO 펠렛은 기공률이 0% 보다 크고 25% 이하이므로, 그 조직이 치밀해져서 MgO 보호막 증착시 형성 속도가 커져서 생산성이 향상되는 이점이 있다.

마찬가지로, 본 발명에 따른 MgO 펠렛은 2.70~3.53g/cm3의 부피 밀도를 가지므로, MgO 보호막 증착시 형성 속도가 커져서 생산성이 향상된다.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.

Claims

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;

상기 제1 기판과 제2 기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극;

상기 다수의 제1 전극 및 상기 다수의 제2 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층; 및

상기 유전체층을 덮어서 형성되는 MgO 보호막

을 포함하고,

상기 MgO 보호막은, 0중량ppm 보다 크고 700중량ppm 이하인 Ca, 0중량ppm 보다 크고 50중량ppm 이하인 Si, 그리고 기타 불순물을 포함하며,

상기 Ca 및 상기 Si 에 대하여 Ca/Si 비는 4 내지 30인 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP).
삭제
플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막에 사용하는 MgO 펠렛(pellet)으로서, 0중량ppm 보다 크고 700중량ppm 이하인 Ca, 0중량ppm 보다 크고 50중량ppm 이하인 Si, 그리고 기타 불순물을 포함하고,

상기 Ca 및 상기 Si에 대하여 Ca/Si 비는 4 내지 30인 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛.
삭제
제3항에 있어서,

상기 MgO 펠렛은 기공률이 0% 보다 크고 25% 이하인 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛.
제3항에 있어서,

상기 MgO 펠렛은 2.70~3.53g/cm3의 부피 밀도를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛.
제3항에 있어서,

상기 MgO 펠렛은 다결정 형태인 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 MgO 펠렛.