KR100839423B1

KR100839423B1 - 산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널

Info

Publication number: KR100839423B1
Application number: KR1020070017557A
Authority: KR
Inventors: 추희영; 김영수; 서순성; 이민석; 김덕현; 김석기; 최종서; 김재혁
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2007-02-21
Filing date: 2007-02-21
Publication date: 2008-06-19
Also published as: US20080213571A1

Abstract

본 발명은 산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 상기 산화 마그네슘 소결체는 산화 마그네슘 입자를 포함하며, 밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 이다.

본 발명의 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 형성된 플라즈마 디스플레이의 MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 저감시키고, 응답 속도를 개선하고, 고순도의 우수한 막질을 가진다.

플라즈마디스플레이패널, 보호막, MgO, 산화마그네슘, 소결체, 입자

Description

산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널{SINTERED MAGNESIUM OXIDE, AND PLASMA DISPLAY PANEL PREPARED THEREFROM}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 부분 분해 사시도.

도 2a 내지 도 2d는 실시예 1에서 사용된 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경(SEM) 사진.

도 3a 내지 도 3d는 실시예 2에서 사용된 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 사진.

도 4a 내지 도 4d는 실시예 3에서 사용된 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 사진.

도 5a 내지 도 5d는 비교예 1에서 사용된 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 사진.

도 6은 실시예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체의 주사 전자 현미경 사진.

도 7은 실시예 2에서 제조된 산화 마그네슘 소결체의 주사 전자 현미경 사진.

도 8은 실시예 3에서 제조된 산화 마그네슘 소결체의 주사 전자 현미경 사 진.

도 9는 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체의 주사 전자 현미경 사진.

도 10은 실시예 1 내지 3, 및 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 나타내는 그래프.

도 11은 실시예 2, 및 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 지연 시간(T_s)의 변화를 나타내는 그래프.

[산업상 이용 분야]

본 발명은 산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 저감시키고, 응답 속도를 개선하고, 고순도의 우수한 막질을 가지는 MgO 보호막을 형성하기 위한 산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

[종래 기술]

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; plasma display panel)은 방전셀 내에서 일어나는 기체 방전에 의한 진공 자외선으로 형광체를 여기시켜 화상을 구현하는 표시장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시장치로 각광을 받고 있다.

플라즈마 디스플레이 패널은 직류형과 교류형이 있으며, 이 중에서 교류형이 가장 널리 사용되고 있다. 교류형 플라즈마 표시 소자는 방전 기체가 충전된 두 기판에 전극을 교차대향 배열하여 격벽으로 구획한 기본적 구조를 가지는데, 어느 한 전극 상에 벽전하를 형성하는 유전체층이 피복되고 대향층의 전극에 형광체층이 형성된다. 상기 유전체층을 보호하기 위한 보호막이 형성되며, 이러한 보호막으로 MgO를 가장 널리 사용한다.

보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 동작 중의 방전 시 방전가스의 이온충격으로 인한 영향을 완화시킬 수 있는 내스퍼터링 특성을 가져 이온 충돌로부터 유전체층을 보호하고, 2차 전자의 방출을 통하여 방전 개시 전압방전 개시 전압 역할을 하는 투명 보호 박막으로서, 3000 내지 7000 Å 두께로 유전체층을 덮어서 형성한다.

보호막은 가열 증착 등 성막 조건에 따라 특성이 크게 변화되어 일정한 표시 품질을 유지하기가 힘들다. 즉, 상기 보호막은 어드레스 방전 지연(Address Discharge Delay)에 따른 검은 노이즈(black noise), 즉 발광하도록 선택된 셀이 발광하지 않는 현상인 방전 미스(Address Miss)가 발생되기 쉽다. 이러한 검은 노이즈의 발생은 스크린 내의 발광 영역과 비 발광 영역 사이의 경계에서 쉽게 일어날 수 있지만 특정 장소에서 나타나며, 상기 방전 미스는 어드레스 방전(Address Discharge)이 없거나 심지어 주사 방전이 실행될 때 그 강도가 낮음에 의해 야기된다. 따라서 어드레스 방전 지연 시간을 감소시키기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.

본 발명의 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 저감시키고, 응답 속도를 개선하고, 고순도의 우수한 막질을 가지는 MgO 보호막을 형성하기 위한 산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 산화 마그네슘 입자를 포함하며, 밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 인 산화 마그네슘 소결체를 제공한다.

상기 결정립의 평균 사이즈는 3 ㎛ 내지 10 ㎛ 인 것이 바람직하다.

상기 산화 마그네슘 소결체의 밀도는 3.0 g/㎤ 내지 3.49 g/㎤ 인 것이 바람직하다.

상기 산화 마그네슘 입자는 다결정 산화 마그네슘으로 이루어지고, 입경이 10㎛ 내지 35㎛ 인 것일 수 있다. 또는, 상기 산화 마그네슘 입자는 단결정 산화 마그네슘으로 이루어지고, 입경이 50 내지 500nm 인 것일 수 있다.

본 발명은 또한, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들; 상기 제2 기판의 일면에 상기 어드레 스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들; 상기 표시 전극들을 덮으며 제2 기판 위에 형성되고, 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조한 MgO 보호막; 상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및 상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함하며, 상기 산화 마그네슘 소결체는 산화 마그네슘 입자를 포함하며, 밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 인 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.

본 발명은 본 발명은 산화 마그네슘 입자를 포함하며, 밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 인 산화 마그네슘 소결체를 제공한다. 상기 결정립의 평균 사이즈는 3 내지 10 ㎛ 인 것이 바람직하다.

산화 마그네슘 입자를 소결시키면, 상기 산화 마그네슘 입자가 서로 부착하여 굳어지면서 산화 마그네슘 소결체가 제조된다. 산화 마그네슘 소결체의 밀도가 3.5 g/㎤ 미만이라는 것은 상기 산화 마그네슘 입자가 덜 치밀하게 소결되었음을 의미한다. 따라서, 상기 산화 마그네슘을 이루고 있는 산화 마그네슘 입자간 결합력이 약하여, 적은 에너지를 가하여도 쉽게 증발하기 때문에 MgO 보호막 형성 시간이 줄어들게 된다. 또한 상기와 같이 산화 마그네슘 입자간 결합력이 약한 경우, 산화 마그네슘 입자가 최소 단위로 증발하게 되고, MgO 보호막에서의 산화 마그네슘 입자의 이동도(mobility)를 높여주어, 안정적인 MgO 보호막으로 성장하는데 유리한 조건이 된다.

상기 산화 마그네슘 소결체의 밀도는 3.5 g/㎤ 미만이고, 3.0 g/㎤ 내지 3.49 g/㎤ 인 것이 바람직하다. 상기 산화 마그네슘 소결체의 밀도가 3.5 g/㎤ 이상인 경우, 증착시 많은 양의 에너지가 소비되어 바람직하지 않다.

결정립의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 인 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 형성된 플라즈마 디스플레이의 MgO 보호막은 방전 개시 전압을 저감시키고, 응답 속도를 개선하고, 고순도의 우수한 막질을 가진다.

또한, 상기 산화 마그네슘 소결체의 결정립의 평균 사이즈가 상기 범위 내인 경우, 입자 사이의 기공에 수분, 및 불순물이 산화 마그네슘 입자와 강한 화학적 반응을 할 가능성이 적어, 고순도의 MgO 보호막을 제조하는 것이 가능하다.

상기 산화 마그네슘 소결체의 결정립의 평균 사이즈는 주사 전자 현미경(SEM) 관찰에 의하여 계산할 수 있다. 즉, 결정립의 평균 사이즈는 주사 전자 현미경 사진에 나타난 각각의 결정립의 최대 길이 방향으로 직선을 그린 후, 그 직선들의 실측치를 평균하여 얻을 수 있다. 이 때, 데이터의 수는 최소 20개 이상으로 하여 평균값을 취한다.

상기 산화 마그네슘 입자는 입경이 10㎛ 내지 35㎛ 이고, 다결정 산화 마그네슘 입자인 것이 바람직하다. 상기 다결정 산화 마그네슘 입자란, 산화 마그네슘의 1차 입자들이 뭉쳐서 이루어지는 2차 입자로서, 배향이 서로 다른 단결정들의 집합이다. 상기 산화 마그네슘 입자의 입경은 2차 입자의 입경을 의미한다.

입경이 10㎛ 내지 35㎛ 인 다결정 산화 마그네슘 입자를 소결하여 산화 마그네슘 소결체를 제조하는 경우, 상기 산화 마그네슘 입자 간의 소결이 잘 이루어지 지 않기 때문에 상기 산화 마그네슘 입자의 형상이 상기 산화 마그네슘 소결체 표면에 남게 되고, 따라서, 결정립의 평균 사이즈가 1㎛ 내지 12㎛, 더욱 바람직하게는 3㎛ 내지 10㎛ 인 산화 마그네슘 소결체를 제조할 수 있다.

또한, 상기 산화 마그네슘 입자는 입경이 50 내지 500nm 이고, 단결정 산화 마그네슘 입자인 것이 바람직하다. 상기 단결정 산화 마그네슘 입자란, 산화 마그네슘의 1차 입자들이 뭉쳐서 이루어지는 2차 입자로서, 결정 전체가 일정한 결정층을 따라 규칙적으로 생성된 고체를 의미하며, 규빅 결정체인 것이 바람직하다.

상기 입경이 50 내지 500nm 이고, 단결정 산화 마그네슘 입자는 안정적인 결정 특성으로 인하여, 소결 과정에서 주위의 불순물이나, 수분과 화학적으로 결합할 가능성이 적다. 또한, 상기 산화 마그네슘 입자 간의 소결이 잘 이루어지지 않기 때문에 상기 산화 마그네슘 입자의 형상이 상기 산화 마그네슘 소결체 표면에 남게 되고, 따라서, 결정립의 평균 사이즈가 1㎛ 내지 12㎛ 더욱 바람직하게는 3㎛ 내지 10㎛ 인 산화 마그네슘 소결체를 제조할 수 있다.

상기 다결정 산화 마그네슘 입자, 또는 단결정 산화 마그네슘 입자를 이용하여 산화 마그네슘 소결체를 만드는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니나, 일반 소결법을 이용하여 제조할 수 있다. 상세하게는 산화 마그네슘 입자 분말을 혼합 건조하여 압축 및 성형과정을 거친 후 1600 내지 1700℃의 고온에서 결정 성장이 이루어지는 공정으로 제조된다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 일 실시예에 한정되지 않는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 부분 분해 사시도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 구조는 제1 기판(3) 상에 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 어드레스 전극(13)이 형성되고 이 어드레스 전극(13)을 덮으면서 제1 기판(3)에 제1 유전체층(15)이 형성된다. 이 제1 유전체층(15) 위로 각 어드레스 전극(13) 사이에 배치되도록 격벽(5)이 형성되며 각각의 격벽(5) 사이에 복수의 방전셀(7R, 7G, 7B)이 형성된다. 상기 방전셀(7R, 7G, 7B) 내에는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체층(8R, 8G, 8B)이 형성된다.

상기 격벽(5)은 방전 공간을 구획하는 형상이라면 어느 형태도 가능하며, 다 양한 패턴의 격벽들로 형성된다. 예컨대 상기 격벽(5)은 스트라이프 등과 같은 개방형 격벽은 물론, 와플, 매트릭스, 델타 등과 같은 폐쇄형 격벽으로 될 수 있다. 또한, 폐쇄형 격벽은 방전공간의 횡단면이 사각형, 삼각형, 오각형 등의 다각형, 또는 원형, 타원형 등으로 되도록 형성될 수 있다.

그리고 제1 기판(3)에 대향하는 제2 기판(1)의 일면에는 어드레스 전극(13)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 한 쌍의 투명 전극(9a, 11a)과 버스 전극(9b, 11b)으로 구성되는 표시 전극이 형성되고 이 표시 전극을 덮으면서 제2 기판(1)에 제2 유전체(17)와 MgO 보호막(19)이 형성된다.

상기 MgO 보호막(19)은 상기 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된다. 상기 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 상기 MgO 보호막을 제조하는 방법으로는 후막 인쇄법과 플라즈마를 이용한 증착법을 예로 들 수 있다. 이 중에서 증착법은 이온의 충격에 의한 스퍼터링에 상대적으로 강하고, 2차 전자 방출에 의한 표시 전압과 방전 개시 전압을 감소시킬 수 있어 바람직하다.

상기 플라즈마 증착법으로 보호막을 형성하는 방법은 마그네트론 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법), 또는 증발되는 입자를 이온화하여 성막시키는 방법으로 MgO 보호막의 밀착성과 결정성에 대해서 스퍼터링법과 비슷한 특성을 가지지만 증착을 8nm/s의 고속으로 행할 수 있다는 이점을 가진 이온 플레이팅법(ion plating) 등을 사용할 수 있다.

상기 제1 기판(3) 상의 어드레스 전극(13)과 제2 기판(1) 상의 표시 전극이 교차하는 지점이 방전셀을 구성하는 부분이 된다.

상기 제1 기판(3)과 상기 제2 기판(1)은 상기 제1 기판(3)과 상기 제2 기판(1)이 포개지는 가장자리를 상기 진공 봉착용 유리 조성물을 이용하여 봉착시킨다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널은 어드레스 전극(13)과 표시 전극 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고 다시 한 쌍의 표시 전극 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하여 유지 방전시켜 구동한다. 이때 발생하는 여기원이 해당 형광체를 여기시켜 제2 기판(1)을 통하여 가시광을 방출하면서 플라즈마 디스플레이 패널의 화면을 구현하게 된다. 상기 여기원으로는 진공 자외선(Vacuum Ultraviolet)이 주로 이용된다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(산화 마그네슘 소결체의 제조)

(실시예 1)

입경이 10 내지 20㎛인 다결정 산화 마그네슘 입자를 1700 ℃에서 11 시간 동안 소결시켜, 산화 마그네슘 소결체를 제조하였다.

(실시예 2)

입경이 15 내지 35㎛인 다결정 산화 마그네슘 입자를 1700 ℃에서 11 시간 동안 소결시켜 산화 마그네슘 소결체를 제조하였다.

(실시예 3)

입경이 50 내지 500nm인 단결정 산화 마그네슘 입자를 1700 ℃에서 11 시간 동안 소결시켜 산화 마그네슘 소결체를 제조하였다.

(비교예 1)

입경이 1㎛인 다결정 산화 마그네슘 입자를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 산화 마그네슘 소결체를 제조하였다.

( 플라즈마 디스플레이 패널의 제조)

상부 기판 위에 인듐 틴 옥사이드 도전체 재료를 이용하여 표시 전극을 통상의 방법으로 스트라이프 상으로 형성하였다.

이어서, 유전층 형성용 페이스트를 상기 표시 전극이 형성된 상부 기판에 코팅하고 소성하여 유전층을 형성하였다.

상기 제조된 유전층에 상기 실시예 1 내지 3, 및 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 이온 플레이팅 방법으로 MgO 보호막을 제조하여 상부 패널을 제조하였다.

(산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 관찰)

실시예 1 내지 3, 및 비교예 1의 산화 마그네슘 입자를 주사 전자 현미경(SEM)으로 관찰하였다. 실시예 1의 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 사진을 도 2a(×1000), 도 2b(×5000), 도 2c(×20000), 및 도 2d(×50000)에 나타내었다. 또한, 실시예 2의 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 사진을 도 3a(×250), 도 3b(×500), 도 3c(×16000), 및 도 3d(×25000)에 나타내었다. 또한, 실 시예 3의 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 사진을 도 4a(×5000), 도 4b(×10000), 도 4c(×20000), 및 도 4d(×50000)에 나타내었다. 또한, 비교예 1의 산화 마그네슘 입자의 주사 전자 현미경 사진을 도 5a(×5000), 도 5b(×10000), 도 5c(×50000), 및 도 5d(×100000)에 나타내었다.

도 2a 내지 도 2d를 참고하면, 실시예 1에서 사용한 산화 마그네슘 입자는 입경이 10 내지 20㎛ 인 다결정 입자임을 확인할 수 있다.

또한, 도 3a 내지 도 3d를 참고하면, 실시예 2에서 사용한 산화 마그네슘 입자는 입경이 15 내지 35㎛ 인 다결정 입자임을 확인 할 수 있다.

도 4a 내지 도 4d를 참고하면, 실시예 3에서 사용한 산화 마그네슘 입자는 입경이 50 내지 500nm 인 단결정 입자임을 확인 할 수 있다.

도 5a 내지 도 5d를 참고하면, 비교예 1에서 사용한 산화 마그네슘 입자는 입경이 1㎛인 다결정 입자임을 확인 할 수 있다.

(제조된 산화 마그네슘 소결체의 주사 전자 현미경 관찰 및 밀도 측정)

실시예 1 내지 3, 및 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 주사 전자 현미경(SEM)으로 관찰하였다. 실시예 1 내지 3에서 제조된 산화 마그네슘 소결체의 주사 전자 현미경 사진을 도 6 내지 도 8에 나타내었다. 상기 도 6 내지 도 8에는 결정립의 평균 사이즈를 구하기 위하여 각각의 결정립의 최대 길이 방향으로 그려진 직선이 표시되어 있다. 또한, 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체의 주사 전자 현미경 사진을 도 9에 나타내었다.

도 6을 참고하면, 실시예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체는 결정립의 평 균 사이즈가 7.555㎛이고, 도 7을 참고하면, 실시예 2에서 제조된 산화 마그네슘 소결체는 결정립의 평균 사이즈가 4.487㎛이고, 도 8을 참고하면, 실시예 3에서 제조된 산화 마그네슘 소결체는 결정립의 평균 사이즈가 4.287㎛이고, 도 9를 참고하면, 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체는 결정립의 평균 사이즈가 24.5㎛임을 알 수 있다.

또한, 도 6 내지 도 9를 참고하면, 실시예 1 내지 3에서 제조된 산화 마그네슘 소결체 표면에는 산화 마그네슘 입자의 형상이 남아있고, 상기 산화 마그네슘 입자 간의 치밀화가 덜 진행되었음을 알 수 있다. 그러나, 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체는 산화 마그네슘 입자 간의 치밀화가 많이 이루어져, 상기 산화 마그네슘 소결체의 표면에 산화 마그네슘 입자의 형상이 남아있지 않음을 확인할 수 있다.

실시예 1 내지 3에서 제조된 산화 마그네슘은 3.0 g/㎤ 내지 3.49 g/㎤ 의 밀도를 갖는 것을 확인할 수 있었으나, 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘은 3.5 g/㎤ 의 밀도를 갖는 것을 확인할 수 있었다.

(제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성, 및 응답 속도 평가)

상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조한 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 방전 개시 전압을 측정하였고, 그 결과를 도 10에 나타내었다. 도 10을 참고하면, 실시예 1 내지 3의 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조한 플라즈마 디스플레이 패널이 비교예 1의 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조한 플라즈마 디스플레이 패널에 비하여 방전 개시 전압이 낮음을 알 수 있다.

상기 실시예 1 내지 3, 및 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 응답 속도를 알아보기 위해, 온도 변화에 따른 방전 지연 시간(T_s)의 변화를 측정하였다. 실시예 2 및 비교예 1의 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 대한 결과를 도 11에 나타내었다.

도 11을 참고하면, 실시예 2에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널은 -10 내지 60 ℃의 온도를 변화시키더라도 일정한 응답 속도를 나타내어 안정적인 방전 특성을 나타내었다. 이에 비하여, 비교예 1에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널은 온도에 따라 응답 속도가 크게 감소하는 등 큰 변화를 보여 불안정한 방전 특성을 나타내었다. 실시예 1, 및 3에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 경우, 실시예 2에서 제조된 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널과 유사한 정도의 방전 지연 시간의 변화를 나타내었다.

본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims

산화 마그네슘 입자를 포함하며,

밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립(grain)의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛이고,

상기 산화 마그네슘 입자는 입경이 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 이고, 다결정 산화 마그네슘 입자인 것인 산화 마그네슘 소결체.
제1항에 있어서,

상기 결정립의 평균 사이즈가 3 ㎛ 내지 10 ㎛ 인 것인 산화 마그네슘 소결체.
제1항에 있어서,

상기 산화 마그네슘 소결체의 밀도는 3.0 g/㎤ 내지 3.49 g/㎤ 인 것인 산화 마그네슘 소결체.
삭제
산화 마그네슘 입자를 포함하며,

밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립(grain)의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 이고,

상기 산화 마그네슘 입자는 입경이 50 내지 500 nm 이고, 단결정 산화 마그네슘 입자인 것인 산화 마그네슘 소결체.
서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;

상기 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들;

상기 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들;

상기 표시 전극들을 덮으며 제2 기판 위에 형성되고, 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조한 MgO 보호막;

상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및

상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함하며,

상기 산화 마그네슘 소결체는 산화 마그네슘 입자를 포함하며, 밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 이고,

상기 산화 마그네슘 입자는 입경이 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 이고, 다결정 산화 마그네슘 입자인 것인 플라즈마 디스플레에 패널.
제6항에 있어서,

상기 결정립의 평균 사이즈가 3 ㎛ 내지 10 ㎛ 인 것인 플라즈마 디스플레에 패널.
제6항에 있어서,

상기 산화 마그네슘 소결체의 밀도는 3.0 g/㎤ 내지 3.49 g/㎤ 인 것인 플라즈마 디스플레에 패널.
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서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;

상기 제1 기판의 일면에 형성되는 복수의 어드레스 전극들;

상기 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들;

상기 표시 전극들을 덮으며 제2 기판 위에 형성되고, 산화 마그네슘 소결체를 이용하여 제조한 MgO 보호막;

상기 제1 기판 및 제2 기판의 사이 공간에 배치되고, 복수의 방전셀을 구획하도록 형성된 격벽; 및

상기 방전셀 내에 형성되는 형광체층을 포함하며,

상기 산화 마그네슘 소결체는 산화 마그네슘 입자를 포함하며, 밀도가 3.5 g/㎤ 미만이고, 결정립의 평균 사이즈가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 이고,

상기 산화 마그네슘 입자는 입경이 50 내지 500 nm 이고, 단결정 산화 마그네슘 입자인 것인 플라즈마 디스플레에 패널.
제5항에 있어서,

상기 결정립의 평균 사이즈가 3 ㎛ 내지 10 ㎛ 인 것인 산화 마그네슘 소결체.
제5항에 있어서,

상기 산화 마그네슘 소결체의 밀도는 3.0 g/㎤ 내지 3.49 g/㎤ 인 것인 산화 마그네슘 소결체.
제10항에 있어서,

상기 결정립의 평균 사이즈가 3 ㎛ 내지 10 ㎛ 인 것인 플라즈마 디스플레에 패널.
제10항에 있어서,

상기 산화 마그네슘 소결체의 밀도는 3.0 g/㎤ 내지 3.49 g/㎤ 인 것인 플라즈마 디스플레에 패널.