JP4481710B2

JP4481710B2 - プラズマディスプレイパネル

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Publication number: JP4481710B2
Application number: JP2004114591A
Authority: JP
Inventors: 基東金
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2003-10-21
Filing date: 2004-04-08
Publication date: 2010-06-16
Anticipated expiration: 2024-04-08
Also published as: JP2005129485A; CN1610043A; KR20050038267A; KR100599704B1; US7417374B2; US20050134178A1; CN1311501C

Description

本発明はプラズマディスプレイパネルに係り、より詳しくは、特性が改善されたプラズマディスプレイの保護膜に関するものである。

プラズマディスプレイパネル（PDP）は、気体放電の際に生じるプラズマから出る光を用いて文字またはグラフィックを表示する装置であって、プラズマディスプレイパネルの放電空間に設置された二つの電極に所定の電圧を印加してこれらの間でプラズマ放電が起こるようにし、このプラズマ放電時に発生する紫外線によって所定のパターンに形成した蛍光体層を励起させて画像を表示する。

このようなプラズマディスプレイは、大きく、交流形（AC type）、直流形（DC type）、及び混合形（Hybrid type）に分けられる。図１０は、一般的な交流形プラズマディスプレイパネルの放電セルの分解斜視図である。図１０を参照すれば、一般的なプラズマディスプレイパネル１００は、下部基板１１１、下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５、このアドレス電極１１５が形成された下部基板１１１の上に形成された誘電体層１１９、この誘電体層１１９の上に形成されて放電距離を維持させ、セル間のクロストーク（cross talk）を防止する複数の隔壁１２３、隔壁１２３の表面に形成された蛍光体層１２５、を含む。

複数の放電維持電極１１７は、下部基板１１１の上に形成された複数のアドレス電極１１５と所定の間隔をおいて離れて直交するように、上部基板１１３の下に形成される。そして、誘電体層１２１及び保護膜１２７が順に放電維持電極１１７を覆っている。特に、保護膜１２７としては、可視光線がよく透過するように透明で、誘電層保護及び２次電子放出性能の優れたＭｇＯを主に用いており、最近は他の材料の保護膜の研究も行われている。

ここで、ＭｇＯ保護膜は、プラズマディスプレイパネルが動作して放電する時に、放電ガスのイオン衝撃による影響を緩和させることができる耐スパッタリング特性を有しているのでイオン衝突から誘電体層を保護し、２次電子の放出を通じて放電電圧を下げる役割を果たす透明保護薄膜であって、３０００〜７０００Åの厚さで誘電体層を覆うように形成される。ＭｇＯ保護膜は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、IBAD（ion beam assisted deposition、イオンビーム支援堆積法）、CVD（chemical vapor deposition、化学気相蒸着法）、及びゾル−ゲル（sol−gel）法などを用いて形成することができ、最近はイオンプレーティング（ion plating）法が開発されて用いられている。

ここで、電子ビーム蒸着法は、電場及び磁場で加速された電子ビームをＭｇＯ蒸着材料に衝突させ、蒸着材料を加熱及び蒸発させることによってＭｇＯ保護膜を形成する方法である。スパッタリング法の場合、電子ビーム蒸着法に比べて保護膜が緻密で、結晶配向に有利な特性を有するという利点があるが、形成工程の単価が高くなる問題点がある。ゾル−ゲル法の場合、液体でＭｇＯ保護膜を形成する。

前記様々なＭｇＯ保護膜の形成方法に対する代案として、イオンプレーティング法が最近試みられているが、イオンプレーティング法では、蒸発する粒子をイオン化して成膜させる。イオンプレーティング法は、ＭｇＯ保護膜の密着性及び結晶性においてはスパッタリング法と類似した特性を有するが、蒸着を８ｎｍ／ｓの高速で行うことができる利点がある。

このようなＭｇＯ保護膜の材料としては、単結晶または焼結体形態のものを用いる。ＭｇＯ単結晶材料の場合、蒸着のための溶融の際に、冷却速度による固溶限界の差によって特定のドーパント（dopant）の定量制御が難しくなる問題点があるため、形成時に特定のドーパントを定量的に添加したＭｇＯ焼結体材料を用いて、イオンプレーティング法でＭｇＯ保護膜を形成している。

ＭｇＯ保護膜は放電ガスに接触するので、保護膜を構成する成分及び保護膜の特性は放電特性に大きく影響を与える可能性がある。そして、ＭｇＯ保護膜の特性は、成分及び蒸着時の成膜条件に大きく依存する。

したがって、保護膜の特性が向上するように最適な組成を開発することが切実に要求されている。

本発明は前述の要求によって発明されたものであって、その目的は、プラズマディスプレイパネルに用いられるＭｇＯ保護膜の特性を改善することにある。

本発明の他の目的は、プラズマディスプレイパネル用保護膜の特性の改善のために、保護膜の最適な組成を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明では、基板；前記基板の上に形成される複数の電極；前記複数の電極を覆うように形成される誘電体層；及び前記誘電体層を覆うように形成され、０．１乃至３モル％のＺｒＯ_２とＭｇＯとを含む保護膜；を含むプラズマディスプレイパネルを提供する。

この時、保護膜は、ＺｒＯ_２を１．８乃至２．２モル％含むのがより好ましい。

保護膜において、Ｚｒは、ＭｇＯ内に固溶（solid solution）されている状態であるのが好ましい。

保護膜は、透過率が９０％以上であり、厚さが６００ｎｍ以上であり、屈折率が１．４５乃至１．７４であり、柱状結晶構造を有するのが好ましい。

また、本発明では、プラズマディスプレイパネルの保護膜に用いるペレット（pellet）として、０．１乃至３モル％のＺｒＯ_２とＭｇＯとを含むプラズマディスプレイパネルの保護膜用ＭｇＯペレットを提供する。

本発明では、ＭｇＯに０．１乃至２．２モル％のＺｒＯ_２を添加した保護膜を用いることによって、電子放出特性を向上させ、プラズマディスプレイパネルの表示性能を改善する効果がある。

以下、本発明について詳細に説明する。

一般に、プラズマディスプレイパネルにおいては、誘電体層の表面を覆い、放電中に放電ガスのイオン衝撃から誘電体層を保護する保護膜を用いる。

図１は、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの斜視図である。図１では、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの前面基板だけを別途に離して示している。

図１には、基板１３の上に複数の電極１７、誘電体層２１、保護膜２７が順に形成された、本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルの前面基板が示されている。便宜上、理解しやすくするために、本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの前面基板を１８０度ひっくり返して示した。図１に示してはいないが、プラズマディスプレイパネルの前面基板とは別途に、前記基板１３に対向する他の基板に、前記電極１７と垂直に交差する複数の他の電極を形成し、その上を誘電体層で覆った後、隔壁を形成し、隔壁の間に蛍光体層を塗布して、プラズマディスプレイパネルの背面基板を製造する。

このように製造したプラズマディスプレイパネルの前面基板及び背面基板の縁部にフリットを塗布して両基板を封着し、ＮｅやＸｅなどの放電ガスを注入することによって、プラズマディスプレイパネルを製造する。

このように製造した本発明の実施例によるプラズマディスプレイパネルでは、電極から駆動電圧の印加を受け、これら電極の間にアドレス放電を起こして誘電体層に壁電荷を形成し、アドレス放電によって選択された放電セルから前面基板に形成した一対の電極に攪拌的に供給される交流信号により、これら電極の間でサステイン放電を起こす。これにより、放電セルを形成する放電空間に充填された放電ガスが励起され、遷移しながら紫外線を発生させ、紫外線によって蛍光体が励起されて可視光線を発生させながら画像を表示する。

前述したような保護膜の材料としてはＭｇＯを主に用いるが、これは、ＭｇＯが優れた耐スパッタリング特性と大きな２次電子放出係数とを有する誘電材料の条件に合うからである。

ＭｇＯ保護膜は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、IBAD（イオンビーム支援堆積法）、CVD（化学気相蒸着法）及びゾル−ゲル（sol−gel）法などを用いて形成し、最近では、イオンプレーティング法が開発されて用いられている。

ＭｇＯ保護膜の材料としては、単結晶または焼結体形態のものを用いる。ＭｇＯ単結晶材料の場合、蒸着のための溶融の際に、冷却速度による固溶限界の差によって特定のドーパント（dopant）の定量制御が難しくなる問題点があるため、形成時に特定のドーパントを定量的に添加したＭｇＯ焼結体材料を用いて、イオンプレーティング法でＭｇＯ保護膜を形成している。

ＭｇＯ保護膜の蒸着材としては、ペレット形態に成形した後で焼結したものが用いられており、ペレットの大きさ及び形態によってペレットの分解速度が異なり、保護膜の蒸着速度など色々な面で大きな差があるので、ペレットの大きさ及び形態を最適化しようとする様々な方法が試みられている。

また、ＭｇＯ保護膜は放電ガスに接触するので、保護膜を構成する成分及び保護膜の特性は放電特性に大きく影響を与える可能性がある。そして、ＭｇＯ保護膜の特性は、成分及び蒸着時の成膜条件に大きく依存する。

本発明では、このような要求に応じて、プラズマディスプレイパネルに用いられる保護膜として主に用いられるＭｇＯにＺｒＯ_２を添加する。つまり、ＭｇＯとＺｒＯ_２とが混合されたペレットを製造した後、このペレットを用いて、ＭｇＯとＺｒＯ_２とが混合された保護膜であるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜を形成する。

ＭｇＯにＺｒＯ_２が添加されると、ＺｒはＭｇＯ内に固溶されるが、その固溶限界により、ＺｒＯ_２は３モル％まで添加することができる。また、ＺｒＯ_２の添加による保護膜特性の改善効果を示すためには、ＺｒＯ_２が０．１モル％以上添加されなければならない。

したがって、好ましいＺｒＯ_２の添加量は０．１乃至３モル％であり、特に、保護膜特性の改善効果がより増進するＺｒＯ_２の添加量は１．８乃至２．２モル％の範囲である。

ＭｇＯにＺｒＯ_２が添加されると、蒸着速度が減少する傾向を示す。これは、ＭｇＯにＺｒＯ_２が混合されたＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の蒸着時にＺｒＯ_２の蒸気圧がＭｇＯの蒸気圧に比べて非常に小さいことに起因するので、ＺｒＯ_２の添加量が増加するほど混合物であるＭｇＯ−ＺｒＯ_２の蒸着速度は減少すると解釈される。

また、ＭｇＯにＺｒＯ_２が添加されると、エックス線（X-ray）回折ピークが、ＺｒＯ_２の添加量が増加するほど低い２θ値に移動する。これは、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の格子定数が増加することを意味し、ＭｇＯ内にイオン半径の大きなＺｒが固溶された結果である。

しかし、エックス線回折ピークの判読の結果、ＺｒＯ_２が添加されたＭｇＯ保護膜の結晶性及び配向性には問題が無いことを確認した。

ＺｒＯ_２が添加されたＭｇＯ保護膜の屈折率は、ＺｒＯ_２の添加量が増加するほど増加する傾向を示し、これは、ＺｒＯ_２の屈折率がＭｇＯの屈折率よりも大きいからである。本発明によるＺｒＯ_２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合、屈折率が１．４５乃至１．７４の値を有する。

ＺｒＯ_２が添加されたＭｇＯ保護膜の充電密度は、純粋なＭｇＯ保護膜に比べて高い。保護膜の充電密度が増加するほどプラズマ耐腐食特性が向上するという研究が発表されているので、このような研究結果から、ＺｒＯ_２が添加されたＭｇＯ保護膜は、プラズマ耐腐食特性が向上し、これによってプラズマディスプレイパネルの寿命も長くなる。

一方、保護膜の表面粗度が大きいと、光の散乱による可視光の透過率を阻害するので、放電電圧の安定性、つまり素子の安定した駆動の側面からは、表面粗度が小さい保護膜が有利である。

ＭｇＯにＺｒＯ_２が添加されると、ＺｒＯ_２の添加量が２モル％まででは表面粗度が減少するが、途中から再び増加する傾向を示す。本発明によるＺｒＯ_２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合は、表面粗度（RMS平均値）が１５ｎｍ以下と良好な表面粗度値を有する。

透過率に関しては、ＺｒＯ_２は優れた光学的性質を有しているので、ＭｇＯにＺｒＯ_２を添加しても透過率にはほとんど変化がない。したがって、本発明によるＺｒＯ_２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合は、９０％以上の透過率を有する。

ＭｇＯにＺｒＯ_２が添加されると、２次電子放出係数が純粋なＭｇＯ保護膜に比べて増加する。例えば、ＺｒＯ_２の添加量が２モル％である場合、２次電子放出係数は０．０２４乃至０．０８９であって、純粋なＭｇＯ保護膜の０．０２乃至０．０４５よりも最大で２倍の効率向上を示す。このように、２次電子放出係数が増加すれば放電電圧を減少させることができ、低電圧での駆動及び放電特性の向上に寄与することができる。

ＭｇＯにＺｒＯ_２が添加されると、放電開始電圧（Vf）及び放電維持電圧（Vs）が純粋なＭｇＯ保護膜に比べて減少する。例えば、純粋なＭｇＯ保護膜の場合、１８７Ｖの放電開始電圧及び１５５Ｖの放電維持電圧を示すが、ＺｒＯ_２が２モル％添加されると、放電開始電圧は１６７Ｖ、放電維持電圧は１３７Ｖを示し、保護膜の電圧特性が向上する。

このように、ＭｇＯにＺｒＯ_２が添加されると、保護膜の特性が向上するが、さらにＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜を成膜した後に熱処理すれば、水分に弱い性質が改善されて、膜特性はさらに向上する。熱処理の温度、時間、及び雰囲気は特に限定する必要はないが、約１００度以上の温度で２０分以上真空熱処理するのが好ましい。

このように熱処理すれば、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の２次電子放出係数が増加し、放電開始電圧及び放電維持電圧が減少する。

このような本発明によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜は、６００ｎｍ以上の厚さに形成し、混合方向に成長した柱状結晶構造を有する場合に、より優れた性能改善効果が得られる。

［実験例］
Ｍｇ（ＯＨ）_２とＺｒＯＣｌ_２・８Ｈ_２Ｏとを出発物質として液体反応法（LPE）を用いた。ＺｒＯ_２の添加量が０、１、２、３、４モル％になるように秤量した後、蒸溜水に濃度が４０％になるように混合し、ジルコニアボールを用いてボールミルしてスラリーを製造した。

製造されたスラリーをスプレードライし、１０００℃で１時間焼成した後、１０ｍｍのジルコニアボールを用いて１２時間湿式でボールミルした。

その後、再びスプレードライし、常温で一方向に２０００Ｐａの圧力で圧縮して、直径５ｍｍのペレットに成形した。成形されたペレットは１６００℃で１時間焼結し、このように製造されたペレット焼結体を電子ビーム蒸着のための出発物質として用いた。

次に、最大出力３ｋＷの電子銃を備えた電子ビーム蒸着装備を用いて、電子銃とペレットとの間の経路差を考慮して印加電圧を４ｋＷに固定した後、印加電流を１００ｍＡから５００ｍＡまで変化させながらＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜を蒸着して、蒸着速度、表面粗度などを分析し、その後で電流を２５０ｍＡに固定した。電子ビーム蒸着装備のチャンバーは１０^−６Torrの真空度を維持した状態で、ＺｒＯ_２の添加量が各々０、１、２、３、４モル％であるペレットで各々ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜を蒸着した。

蒸着されたＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の特性を評価した。

まず、図２は、ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の蒸着速度に関するグラフであって、このグラフに示されているように、ＺｒＯ_２が添加されると、保護膜の蒸着速度が減少することを確認した。

これは、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の蒸着時にＺｒＯ_２の蒸気圧がＭｇＯの蒸気圧に比べて非常に小さいことに起因するので、ＺｒＯ_２の添加量が増加するほど混合物であるＭｇＯ−ＺｒＯ_２の蒸着速度は減少すると解釈される。

しかし、ＺｒＯ_２の添加量が本発明の範囲である３モル％を超える場合には、Ｚｒが固溶限界を超えてＭｇＯ内に固溶体として存在しなくなるため、蒸着速度の減少はそれ以上起こらないと解釈される。

したがって、ＺｒＯ_２の添加量は、固溶限界により３モル％以内であるのが好ましい。

次に、図３は、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜のエックス線回折分析結果を示すグラフであって、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は、各々順にＺｒＯ_２の添加量が０、１、２、３、４モル％である場合を示す。

エックス線回折分析の際に、ターゲットとしてはＣｕ−Ｋα、フィルターはＮｉを用い、２度／分の速度で測定した。

図３に示されているように、エックス線回折ピークが、ＺｒＯ_２の添加量が増加するのに伴って低い２θ値に移動する。これは、ＭｇＯ内にイオン半径の大きなＺｒが固溶された結果、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の格子定数が増加することを意味する。

しかし、ＺｒＯ_２の添加量が本発明の範囲である３モル％を超える場合（（ｄ）ピーク）には、Ｚｒが固溶限界を超えるためピークの移動が観察されなかった。

一方、エックス線回折ピークにより、ＺｒＯ_２が添加されても、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の結晶性及び配向性には問題がないことを確認した。

次に、図４は、ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の屈折率を示したグラフであって、このグラフに示されているように、屈折率はＺｒＯ_２の添加量が増加するほど増加するが、本発明によるＺｒＯ_２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合には、屈折率が１．７４以下であることを確認した。

次に、図５は、ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の充電密度を示したグラフである。この時、充電密度は、ドルーデ（Drude）モデル及び最大スクリーニングモデルから計算した。

図５に示されているように、ドルーデモデル及び最大スクリーニングモデルの両方において、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の充電密度は純粋なＭｇＯ保護膜に比べて高いことを確認した。したがって、本発明によってＺｒＯ_２が添加されたＭｇＯ保護膜の場合には、プラズマ耐腐食特性が向上し、これによってプラズマディスプレイパネルの寿命を長くすることができる。

次に、図６は、ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の表面粗度を示したグラフである。表面粗度は、同一な組成の異なる試片を５回ずつ測定したが、その偏差が小さかったので、表面粗度の平均値（RMS）だけを示した。

図６に示されているように、ＺｒＯ_２の添加量が２モル％まででは表面粗度が減少し、途中から再び増加する傾向を示す。本発明によるＺｒＯ_２の添加量が０．１乃至３モル％であるＭｇＯ保護膜の場合には、表面粗度（RMS平均値）が１５ｎｍ以下と良好な表面粗度値を有する。

次に、透過率に関しては、偏光解析装置（Ellipsometer、Plas Mos SD2302、ドイツ会社の製品）及び紫外線／可視光線分光器を用いて測定し、その結果、全ての場合で９０％以上の透過率を有することが確認された。

次に、図７は、加速電圧による２次電子放出係数をＺｒＯ_２の添加量によって各々示したグラフである。本実験で用いた加速電圧は１００乃至２００Ｖであり、単一ガスとしてＮｅガスを用いた。

図７に示されているように、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の２次電子放出係数は、純粋なＭｇＯ保護膜に比べて増加した。特に、ＺｒＯ_２の添加量が２モル％である時の２次電子放出係数は０．０２４乃至０．０８９であるので、純粋なＭｇＯ保護膜の０．０２乃至０．０４５よりも最大で２倍の効率向上を示す優れた結果を示した。

このように２次電子放出係数が増加すれば放電電圧を減少させることができ、低電圧での駆動及び放電特性向上に寄与することができる。

次に、図８は、ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の放電開始電圧（Vf）及び放電維持電圧（Vs）を示したグラフである。

図８に示されているように、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の放電開始電圧及び放電維持電圧は純粋なＭｇＯ保護膜に比べて減少した。特に、ＺｒＯ_２の添加量が１．８乃至２．２モル％である時の放電開始電圧及び放電維持電圧が低く、最も優れた放電特性を示すことを確認した。

また、水分に対して弱い特性を示す保護膜の機能を改善するために、製造したＭｇＯ−ＺｒＯ_２（ＺｒＯ_２の添加量：２モル％）を１５０℃で３０分間真空熱処理した後で２次電子放出係数を測定し、その結果を熱処理していない試料と比較した。

図９は、加速電圧による２次電子放出係数を、熱処理していない蒸着直後のＭｇＯ−ＺｒＯ_２（ＺｒＯ_２の添加量：２モル％）保護膜と、熱処理したＭｇＯ−ＺｒＯ_２（ＺｒＯ_２の添加量：２モル％）保護膜とに対して各々示したグラフである。

図９に示されているように、熱処理をすることによって、ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の２次電子放出係数が増加することを確認した。

本発明の一実施例によるプラズマディスプレイパネルの斜視図である。ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の蒸着速度に関するグラフである。ＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜のエックス線回折分析結果を示すグラフである。ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の屈折率を示したグラフである。ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の充電密度を示したグラフである。ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の表面粗度を示したグラフである。加速電圧による２次電子放出係数を、ＺｒＯ_２の添加量によって各々示したグラフである。ＺｒＯ_２の添加量によるＭｇＯ−ＺｒＯ_２保護膜の放電開始電圧（Vf）及び放電維持電圧（Vs）を示したグラフである。加速電圧による２次電子放出係数を、熱処理していない蒸着直後のＭｇＯ−ＺｒＯ_２（ＺｒＯ_２の添加量：２モル％）保護膜と、熱処理したＭｇＯ−ＺｒＯ_２（ＺｒＯ_２の添加量：２モル％）保護膜とに対して各々示したグラフである。一般的な交流形プラズマディスプレイパネルの放電セルの分解斜視図である。

符号の説明

１３基板
１７電極
２１、１１９、１２１誘電体層
２７、１２７保護膜
１００プラズマディスプレイパネル
１１１下部基板
１１３上部基板
１１５アドレス電極
１１７放電維持電極
１２３隔壁
１２５蛍光体層

Claims

基板と；
前記基板の上に形成される複数の電極と；
前記複数の電極を覆うように形成される誘電体層と；
前記誘電体層を覆うように形成され、０．１乃至３モル％のＺｒＯ_２及びＭｇＯを含む保護膜と；
を含み、
前記保護膜は、透過率が９０％以上であり、
前記保護膜の表面粗度が１２〜１５ｎｍである、
プラズマディスプレイパネル。
前記保護膜は、ＺｒＯ_２を１．８乃至２．２モル％含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
前記保護膜は、前記Ｚｒが前記ＭｇＯ内に固溶（solid solution）されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
前記保護膜は、厚さが６００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
前記保護膜は、屈折率が１．４５乃至１．７４であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
前記保護膜は、柱状結晶構造を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。