KR20050123407A - 플라즈마 디스플레이 패널 유전체층의 보호막, 그제조방법 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 유전체층의 보호막, 그제조방법 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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KR20050123407A
KR20050123407A KR1020040048049A KR20040048049A KR20050123407A KR 20050123407 A KR20050123407 A KR 20050123407A KR 1020040048049 A KR1020040048049 A KR 1020040048049A KR 20040048049 A KR20040048049 A KR 20040048049A KR 20050123407 A KR20050123407 A KR 20050123407A
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오민호
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이민석
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel: PDP) 유전체층의 보호막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 표면 전기 저항값이 1×1011 내지 1×1012 Ω/□ (오옴/스퀘어)인 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막에 관한 것이다.
본 발명에 따른 PDP 유전체층의 보호막은 PDP 구동시 낮은 방전 개시 및 유지 전압을 가지며, 방전 개시 전압과 유지 전압의 차이로 정의되는 방전 마진 전압이 커서 방전의 고효율화 및 안정화에 적합하다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 유전체층의 보호막, 그 제조방법 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 {Protective layer for dielectric layer in plasma display panel, method for preparing the same, and plasma display panel comprising the same}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel: PDP) 유전체층의 보호막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 PDP 구동시 낮은 방전 개시 및 유지 전압을 가지며, 방전 개시 전압과 유지 전압의 차이로 정의되는 방전 마진 전압이 커서 방전의 고효율화 및 안정화에 적합한 유전체층의 보호막에 관한 것이다.
PDP는 화면을 대형화하기가 용이하고, 자발광형으로 표시품질이 좋고, 응답속도가 빠르다는 특징을 가지고 있다. 이러한 PDP는 박형화가 가능하기 때문에 LCD 등과 함께 벽걸이용 디스플레이로서 주목되고 있다.
도 1을 참조하여 통상적인 PDP의 구조를 살펴보면, 전면 글라스 기판 (14) 위에 제1 전극과 제2 전극을 쌍으로 하는 방전 유지 전극대 (15)가 형성되어 있고, 이 방전 유지 전극대는 글라스로 형성된 유전체층 (16)으로 피복되어 있고, 또한 이 유전체층은 얇은 보호막 (17)에 의해 보호되고 있다.
한편, 전면 글라스 기판의 안쪽에는 유리 위에 패턴화된 ITO전극이 있으며 그 위에 버스 전극이 형성되어 있으며, 유전체층이 인쇄법으로 인쇄되어 있다. 이러한 전면 글라스 기판과 배면 글라스 기판은 수 십 ㎛의 간극을 두고 마주보고 있고, 또한 이 간극에는 자외선을 발생하는 불활성가스가 감압 봉입되어 있다.
PDP의 작동 원리는 하기와 같다. 즉, 방전 유지 전극대를 형성하고 있는 제1 전극과 제2 전극의 사이에 AC 전압을 가하고, 가해진 전압이 방전 개시 전압에 도달하면 전기력선이 발생되며, 이렇게 발생된 전기력선에 의해 불활성가스는 전자와 이온으로 해리된다. 이어서, 해리된 전자와 이온이 재결합할 때에는 자외선이 발생되는데, 이러한 자외선의 조사를 받은 형광체 (13)가 발색됨으로써 PDP에 의한 화상이 형성되는 것이다.
이때, 상기 유전체가 방전 공간에 직접적으로 노출될 경우 방전 특성이 저하되고 수명이 단축되기 때문에 박막 공정을 통한 보호막의 형성이 필수적이다. 보호막은 플라즈마 방전시 가스 이온의 충격으로부터 상부 유전체 후막을 보호함과 아울러 이차전자를 방출하는 역할을 한다. 따라서, 보호막은 절연성, 내스퍼터링성, 낮은 방전 전압, 빠른 방전 응답 특성 및 가시광 투과율 등의 조건을 만족하여야 한다.
현재 보호막의 재료로서 통상적으로 자주 사용되는 물질은 MgO이다. MgO는 기타 재료에 비하여 방전 특성과 밀접한 이차전자방출계수가 높은 것으로 알려져 있으며, 빠른 증착 속도로 인하여 공정 특성도 양호한 것으로 알려져 있다.
한편, 보호막의 형성 방법으로는 주로 전자빔 증착 방식이 사용되고 있으며, 이러한 전자빔 증착 방식에 의할 경우, 성막시의 조건 등에 의해서 기판 단위 면적 당 주상 결정의 수나 결정 배향이 변화되는 것으로 알려져 있다. 또한, 종래의 전자빔 증착법에 의해서 형성된 보호막은 막을 구성하는 주상 조직이 거칠고 큰 조직으로 형성되어 있고, 조직의 치밀성이 낮으며, 막 자체의 물리적 및 화학적 안정성도 부족한 것으로 알려져 있다. 따라서, 서로 다른 환경에서 형성되는 보호막들에 대해서 어떠한 물리적 특성을 갖는 보호막들이 방전이 효율적이며 안정적인가에 대한 판단의 근거가 필요한 상황이지만, 이에 대해서는 보고된 바가 거의 없는 실정이다.
따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하여, PDP 구동시 낮은 방전 개시 및 유지 전압을 가지며, 방전 개시 전압과 유지 전압의 차이로 정의되는 방전 마진 전압이 커서 방전의 고효율화 및 안정화에 적합한 유전체층의 보호막을 제공하고자 하는 데에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 일 구현예에서,
플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel: PDP) 유전체층의 보호막으로서, 상기 보호막의 표면 전기 저항값이 1×1011 내지 1×1012 Ω/□ (오옴/스퀘어)인 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막을 제공한다.
본 발명은 다른 구현예에서,
금속 산화물에 주기율표 상의 ⅠA족, ⅠB족 및 ⅦB족으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 10 ppm 내지 500 ppm 첨가하여 펠렛을 제조하는 단계; 상기 펠렛을 열처리하는 단계; 상기 열처리된 펠렛을 이용하여 화학적 기상증착 (CVD), 이-빔 (E-beam), 이온-플레이팅 (Ion-plating) 및 스퍼터링 (Sputtering)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 공정에 의하여 증착막을 제조하는 단계를 포함하는 PDP 유전체층의 보호막 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 또 다른 구현예에서,
투명한 전면기판; 상기 전면기판에 대해 평행하게 배치된 배면기판; 상기 전면기판과 배면기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 격벽; 일 방향으로 배치된 발광셀들에 걸쳐서 연장되며, 후방 유전체층에 의하여 매입된 어드레스전극들; 상기 발광셀 내에 배치된 형광체층; 상기 어드레스전극이 연장된 방향과 교차하는 방향으로 연장되며 전방유전체층에 의하여 매립된 유지전극쌍들; 상기 전방유전체층의 하부에 형성된 상기 PDP 유전체층의 보호막; 및 상기 발광셀 내에 있는 방전가스를 구비한 PDP를 제공한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP)의 유전체층을 덮는 보호막에는 내스퍼터링성, 이차 전자 방출량, 다른 곳에 전하를 축적하는 능력 등에 관한 요구 사항들이 존재한다. 교류형 PDP의 표시 전극에 바이어스 전압이 인가되면, 보호막 표면에는 전하가 축적되고, 축적된 전하량에 의해서 방전 개시 전압 및 방전 유지 전압이 결정된다. 따라서, 교류형 PDP의 전하 축적량이 클수록 방전 개시 전압은 저하되고, 또한 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 차이로 정의되는 방전 마진 (margin) 전압이 커진다. 이러한 이유로 인해서 보호막의 전하 축적 능력을 향상시키는 것은 교류형 PDP의 방전 고효율화 및 안정화에 필수적인 사항이다.
본 발명자들은 이러한 보호막의 전하 축적 능력이 보호막의 표면 전기 저항값에 강하게 의존한다는 사실을 발견하게 되어 본 발명을 완성하게 되었다. 상기 보호막의 표면 전기 저항값은 막 내의 불순물 농도에 의존하며, 막 두께가 감소하면 증가한다. 따라서, 막 전반에 걸쳐서 높은 결정성을 구비하는 보호막의 경우에는, 불순물 제어와 막 두께 양자에 의한 표면 전기 저항값의 제어가 용이하다는 장점이 있다. 또한, 표면 전기 저항값의 증가는 이러한 보호막의 전하 축적 능력 증가 이외에도 이온 충돌에 대한 리키지 (leakage)성 전류를 감소시킴으로써 높은 이차 전자 방출을 나타내게 하는 데에도 기여한다.
이차 전자 방출 계수란 유전체만 형성된 샘플과 유전체 위에 보호막을 형성한 샘플에 대해서 충전되는 전하의 차이를 유전체만 형성된 샘플의 충전 전하로 나누어준 값을 의미하며, 일반적으로, 이차 전자 방출 계수 (ν)와 방전 개시 전압 (e) 사이에는 하기 식이 성립되는 것으로 알려져 있다.
ν = 1/eα/p×(pd)-1
(α: Townsend coefficient, p: 압력, A, B: 기체별 상수)
따라서, 이차 전자 방출 계수 값의 상승은 패널 내 방전 개시 전압을 낮추어 주게 된다.
그러나, 종래기술에 따른 PDP 보호막들은 통상적으로 1×109 내지 1×1011 Ω/□ 범위의 표면 전기 저항값을 가지고, 이때, 보호막의 표면 전기 저항값이 1×1011 Ω/□ 이하의 값을 갖게 되면, 이차 전자 방출량이 0.25 이하가 되어 높은 방전 전압을 갖게 된다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명에서는, 1×1011 내지 1×1012 Ω/□의 표면 전기 저항값을 가짐으로써, 방전 개시 전압 및 유지 전압이 낮으며, 또한 방전 마진 전압이 커서 방전의 고효율화 및 안정화에 적합한 PDP 유전체층의 보호막을 제공한다.
PDP 유전체층 보호막의 표면 전기 저항값이 1×1011 Ω/□ 미만인 경우에는 방전 전압 저하의 문제점이 있어서 바람직하지 않고, 1×1012 Ω/□를 초과하는 경우에는 통상적인 방식으로는 성막이 불가능하다는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 PDP 유전체층의 보호막은 상기와 같은 표면 전기 저항값을 가짐으로써, 그 이차 전자 방출 계수값이 0.25 내지 0.35의 범위를 갖는다.
이는 종래기술에 따라서 일반적으로 사용되는 보호막의 표면 전기 저항값이 이 1×109 내지 1×1011 Ω/□ 범위의 값을 가지며, 그에 따른 이차 전지 방출 계수값이 0.1 내지 0.25 범위를 갖는다는 점을 감안할 때, 종래기술에 비해서 월등하게 높은 범위의 값이며, 따라서 본 발명에 따른 PDP 유전체층의 보호막은 방전 개시 전압 및 방전 마진 전압 특성이 종래기술에 비해서 매우 우수하다.
본 발명에 따른 표면 전기 저항값을 갖도록 하기 위해서, 상기 보호막의 두께는 400 내지 1000 nm인 것이 바람직하다. 보호막의 두께가 400 nm 미만인 경우에는 표면 전기 저항값이 너무 커져서 바람직하지 않으며, 1000 nm를 초과하는 경우에는 반대로 표면 전기 저항값이 너무 작아져서 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 PDP 유전체층의 보호막은 금속 산화물에 주기율표 상의 ⅠA족, ⅠB족 및 ⅦB족으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소가 10 ppm 내지 500 ppm 첨가된 조성을 갖는다.
상기 금속 산화물은, 이에 제한되는 것은 아니지만, 알카리 토금속 산화물, 희토류 금속 산화물 및 ⅢB족 원소의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 알카리 토금속 산화물로는 MgO, SrO 및 BaO 등이 사용될 수 있고, 희토류 금속 산화물로는 Gd2O3, Sc2O3, Y2O3 및 GeO2 등이 사용될 수 있으며, ⅢB족 원소의 산화물로는 Al2O3 등이 사용될 수 있다.
상기 금속 산화물에 첨가되는 ⅠA족, ⅠB족 또는 ⅦB족 원소로는, ⅠA족 원소로서 Li, Na 또는 K 등을 예로 들 수 있고, ⅠB족 원소로서 Cu, Ag 또는 Au 등을 예로 들 수 있으며, 또한 ⅦB족 원소로서 F 또는 Cl 등을 예로 들 수 있다.
PDP 내에서의 이차전자 방출은 오제 중화 이론 (Auger Neutralization)에 따르면, 생성된 이온이 보호막으로 접근해오고, 이것이 일정 거리 안에 들어오게 되면 보호막 내의 전자가 가스 이온의 바닥 상태로 옮겨가면서 상기 이온을 중화시킨다. 이 에너지가 보호막 표면의 포텐셜 장벽을 넘을만큼 충분하면 에너지를 받은 전자는 보호막으로부터 튀어나오게 되어 이차 전자 방출이 이루어진다. 본 발명에 따라서, 금속 산화물에 주기율표 상의 ⅠA족, ⅠB족 및 ⅦB족으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소가 10 ppm 내지 500 ppm 첨가된 보호막은, 이차 전자 방출 계수값을 개선하는 데에 효과적이다.
상기 첨가되는 ⅠA족, ⅠB족 또는 ⅦB족 원소의 함량은 10 ppm 내지 500 ppm인 것이 바람직한데, 첨가량이 10 ppm에 미달되는 경우에는 공정상 불순물 제어의 문제점이 있어서 바람직하지 않고, 500 ppm을 초과하는 경우에는 불순물 도핑 (doping) 한계성의 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
다른 구현예에서, 본 발명은 또한, 금속 산화물에 주기율표 상의 ⅠA족, ⅠB족 및 ⅦB족으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 10 ppm 내지 500 ppm 첨가하여 펠렛을 제조하는 단계; 상기 펠렛을 열처리하는 단계; 상기 열처리된 펠렛을 이용하여 화학적 기상증착 (CVD), 이-빔 (E-beam), 이온-플레이팅 (Ion-plating) 및 스퍼터링 (Sputtering)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 공정에 의하여 증착막을 제조하는 단계를 포함하는 PDP 유전체층의 보호막 제조방법을 제공한다.
상기 펠렛을 증발 증착하게 되면 다량의 산소가 발생되기 때문에 증착 압력을 일정하게 유지하지 못한다. 따라서, 증착하기 전에 열처리하여 일정량의 산소를 제거하는 것이 바람직하며, 이러한 열처리를 거친 펠렛을 유리 기판 위에 증착하게 되면 저항값이 저하되고, 가시광의 투과율이 개선되는 효과를 얻을 수도 있다.
상기 열처리 공정은 진공 또는 질소 분위기에서 300 내지 1000 ℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 온도가 300 ℃ 미만인 경우에는 함유 산소를 제거하는 데에 어려움이 있다는 문제점이 있어서 바람직하지 않으며, 1000 ℃를 초과하는 경우에는 MgO 펠렛 재소결의 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
증착막의 제조에 사용되는 방법으로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 화학적 기상증착 (CVD), 이-빔 (E-beam), 이온-플레이팅 (Ion-plating), 스퍼터링 (Sputtering)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 공정이 사용될 수 있다.
또 다른 구현예에서 본 발명은 또한,
투명한 전면기판; 상기 전면기판에 대해 평행하게 배치된 배면기판; 상기 전면기판과 배면기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 격벽; 일 방향으로 배치된 발광셀들에 걸쳐서 연장되며, 후방 유전체층에 의하여 매입된 어드레스전극들; 상기 발광셀 내에 배치된 형광체층; 상기 어드레스전극이 연장된 방향과 교차하는 방향으로 연장되며 전방유전체층에 의하여 매립된 유지전극쌍들; 상기 전방유전체층의 하부에 형성된, 상기 PDP 유전체층의 보호막; 및 상기 발광셀 내에 있는 방전가스를 구비한 PDP를 제공한다.
도 2에는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 (200)의 구체적인 구조가 도시되어 있다. 도면에서 전방패널 (210)은 전면기판 (211), 상기 전면기판의 배면 (211a)에 형성된 Y전극 (212)과 X전극 (213)을 구비한 유지전극쌍 (214)들, 상기 유지전극쌍들을 덮는 전방유전체층 (215) 및 상기 전방유전체층을 덮으며 표면 전기 저항값이 1×1011 내지 1×1012 Ω/□인 보호막 (216)을 구비한다. 상기 Y전극 (212)과 X전극 (213) 각각은 ITO 등으로 형성된 투명전극 (212b, 213b)과 도전성 좋은 금속으로 형성된 버스전극 (212a, 213B)을 구비한다.
도면에서 후방패널 (220)은 배면기판 (221), 배면기판의 전면 (221a)에 상기 유지전극쌍과 교차하도록 형성된 어드레스전극들 (222), 상기 어드레스전극들을 덮는 후방유전체층 (223), 상기 후방유전체층 상에 형성되어 발광셀 (226)들을 구획하는 격벽 (224), 및 상기 발광셀 내에 배치된 형광체층 (225)을 구비한다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세하게 설명하기로 하되, 본 발명의 범위가 하기 실시예로만 한정되는 것으로 해석되어서는 아니될 것이다.
실시예
실시예 1
두께 2.8 mm의 배면 기판 위에 스크린 인쇄 방법으로 전극을 형성한 후, PbO 글라스로 전극을 피복하여 40㎛ 두께의 유전체 층을 형성하였다. 이후, MgO에 ⅠA족 원소로서 Na를 15 ppm 첨가하여 펠렛을 제조한 다음, 상기 펠렛을 350℃에서 열처리하고, 이를 전자빔 증착법에 의해서 증착시킴으로써 상기 전면 유전체층에 대한 보호막을 제조하였다.
상기 기판으로 Plasma 환경 측정 chamber에서 이차전자 방출량을 측정하였다.
실시예 2
두께 2.8 mm의 배면 기판 위에 스크린 인쇄 방법으로 전극을 형성한 후, PbO 글라스로 전극을 피복하여 40㎛ 두께의 유전체 층을 형성하였다. 이후, MgO에 ⅠA족 원소로서 Li을 10 ppm 첨가하여 펠렛을 제조한 다음, 상기 펠렛을 350℃에서 열처리하고, 이를 전자빔 증착법에 의해서 증착시킴으로써 상기 전면 유전체층에 대한 보호막을 제조하였다.
상기 기판으로 Plasma 환경 측정 chamber에서 이차전자 방출량을 측정하였다.
비교예 1
두께 2.8 mm의 배면 기판 위에 스크린 인쇄 방법으로 전극을 형성한 후, PbO 글라스로 전극을 피복하여 40㎛ 두께의 유전체 층을 형성하였다. 이후, MgO를 전자빔 증착법에 의해서 증착시킴으로써 상기 전면 유전체층에 대한 보호막을 제조하였다.
상기 기판으로 Plasma 환경 측정 chamber에서 이차전자 방출량을 측정하였다.
비교예 2
두께 2.8 mm의 배면 기판 위에 스크린 인쇄 방법으로 전극을 형성한 후, PbO 글라스로 전극을 피복하여 40㎛ 두께의 유전체 층을 형성하였다. 이후, MgO를 200℃에서 열처리한 후 전자빔 증착법에 의해서 증착시킴으로써 상기 전면 유전체층에 대한 보호막을 제조하였다.
상기 기판으로 Plasma 환경 측정 chamber에서 이차전자 방출량을 측정하였다.
비교예 3
두께 2.8 mm의 배면 기판 위에 스크린 인쇄 방법으로 전극을 형성한 후, PbO 글라스로 전극을 피복하여 40㎛ 두께의 유전체 층을 형성하였다. 이후, MgO를 100℃에서 열처리한 후 전자빔 증착법에 의해서 증착시킴으로써 상기 전면 유전체층에 대한 보호막을 제조하였다.
상기 기판으로 Plasma 환경 측정 chamber에서 이차전자 방출량을 측정하였다.
보호막 표면 저항값의 측정
보호막 표면의 저항은 원형 저항측정기를 사용하여 500V의 전압을 인가하여 10초가 지난 후의 저항값을 읽는 방식으로 실시예 1, 2 및 비교예 1 내지 3의 샘플에 대해 5회씩 측정하였고, 이차 전자 방출량은 챔버 내에 플라즈마를 형성시키고 음의 전압을 인가하여 충전되는 전하량을 측정하였다. 이 때 유전체만 형성된 샘플과 유전체 위에 보호막을 형성한 샘플에 대해 충전되는 전하 차이를 유전체만 형성된 샘플의 충전 전하로 나누어 준 값을 이차 전자 방출 계수라 정의하였다.
도 3에는 상기 5가지 샘플들에 대한 표면 저항값에 따른 이차 전자 방출 계수의 변화를 개략적으로 도시한 그래프를 나타내었으며, 하기 표 1에는 그 결과를 도표화하였다.
샘플 표면 저항값 (Ω/□) 이차 전자 방출 계수
비교예 1 3.57 ×109 0.120
비교예 2 2.46 ×1010 0.172
비교예 3 4.32 ×1010 0.206
실시예 1 1.06 ×1011 0.253
실시예 2 1.86 ×1011 0.279
도 3 및 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 표면 저항값이 증가함에 따라서 이차 전자 방출 계수가 증가하였으며, 실시예 1 및 2에 따른 보호막의 표면 저항값은 각각 1.06 ×1011 및 1.86 ×1011이고, 그에 따른 이차 전자 방출 계수는 0.253 및 0.279로서, 비교예 1 내지 3에 따른 이차 전자 방출 계수값들인 0.120, 0.172 및 0.206에 비해서 현저하게 높은 값을 나타냄을 알 수 있다.
본 발명에 따르면, PDP 구동시 낮은 방전 개시 및 유지 전압을 가지며, 방전 개시 전압과 유지 전압의 차이로 정의되는 방전 마진 전압이 커서 방전의 고효율화 및 안정화에 적합한 유전체층의 보호막 및 이를 채용한 PDP를 제공할 수 있다.
도 1은 통상적인 플라즈마 디스플레이 패널의 기본적인 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 PDP 유전체층의 보호막을 장착한 플라즈마 디스플레이 패널에 대한 개략적인 도면이다.
도 3은 PDP 유전체층의 보호막의 표면 전기 저항값에 따른 이차 전자 방출 계수를 나타낸 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
10... 배면 기판 11... 어드레스 전극
12... 배면 유전체층 13... 형광체
14... 전면 기판 15... 유지 전극쌍
16... 전면 유전체층 17... 보호막
19... 격벽 20... 가시광선

Claims (9)

  1. 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel: PDP) 유전체층의 보호막으로서, 상기 보호막의 표면 전기 저항값이 1×1011 내지 1×1012 Ω/□인 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막.
  2. 제1항에 있어서, 이차 전자 방출 계수값이 0.25 내지 0.35인 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막.
  3. 제1항에 있어서, 두께가 400 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막.
  4. 제1항에 있어서, 상기 PDP 유전체층의 보호막은 금속 산화물에 주기율표 상의 ⅠA족, ⅠB족 및 ⅦB족으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소가 10 ppm 내지 500 ppm 첨가된 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막.
  5. 제4항에 있어서, 상기 금속 산화물은 알카리 토금속 산화물, 희토류 금속 산화물 및 ⅢB족 원소의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막.
  6. 제5항에 있어서, 상기 알카리 토금속 산화물은 MgO, SrO 및 BaO로 이루어진 군으로부터 선택된 것이고, 상기 희토류 금속 산화물은 Gd2O3, Sc2O 3, Y2O3 및 GeO2로 이루어진 군으로부터 선택된 것이며, 상기 ⅢB족 원소의 산화물은 Al2O3인 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막.
  7. 금속 산화물에 주기율표 상의 ⅠA족, ⅠB족 및 ⅦB족으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 10 ppm 내지 500 ppm 첨가하여 펠렛을 제조하는 단계;
    상기 펠렛을 열처리하는 단계; 및
    상기 열처리된 펠렛을 이용하여 화학적 기상증착 (CVD), 이-빔 (E-beam), 이온-플레이팅 (Ion-plating) 및 스퍼터링 (Sputtering)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 공정에 의하여 증착막을 제조하는 단계를 포함하는 PDP 유전체층의 보호막 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열처리는 진공 또는 질소 분위기에서 300 내지 1000 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 PDP 유전체층의 보호막 제조방법.
  9. 투명한 전면기판;
    상기 전면기판에 대해 평행하게 배치된 배면기판;
    상기 전면기판과 배면기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 격벽;
    일 방향으로 배치된 발광셀들에 걸쳐서 연장되며, 후방 유전체층에 의하여 매입된 어드레스전극들;
    상기 발광셀 내에 배치된 형광체층;
    상기 어드레스전극이 연장된 방향과 교차하는 방향으로 연장되며 전방유전체층에 의하여 매립된 유지전극쌍들;
    상기 전방유전체층의 하부에 형성된, 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 따른 보호막; 및
    상기 발광셀 내에 있는 방전가스를 구비한 PDP.
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