KR100647604B1 - 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조한 플라즈마디스플레이 패널의 보호막 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 보호막 형성용 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 조성물을 이용한 보호막은 종래의 MgO 보호막보다 2차 전자 방출량이 많아서 이를 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 형성하게 되면 방전 개시 전압을 낮출 수 있다. 또한, SrO 등을 첨가하여 소결체 보호막 증착재를 만들어 열처리를 하고 보호막을 형성하면 저항성, 결정성, 투과율 측면에서 우수한 결과를 나타내는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제조할 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널, PDP 보호막, 이차전자방출계수, 방전특성

Description

보호막 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조한 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막{Composition for forming a protective layer and a protective layer of plasma display panel prepared from the same}
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 기본적인 셀구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 가스 이온에 의한 고체로부터 전자 방출을 설명하는 오제 중화이론을 나타낸다.
도 3은 MgO에 열처리한 5중량%의 SrO를 도핑한 보호막의 결정성을 도시한다.
도 4는 MgO에 열처리한 10중량%의 SrO를 도핑한 보호막의 결정성을 도시한다.
도 5는 본 발명의 보호막을 장착한 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한다.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
10... 배면 기판 11... 어드레스 전극
12... 배면 유전체층 13... 형광체
14... 전면 기판 15... 유지 전극쌍
16... 전면 유전체층 17... 보호막
19... 격벽 20... 가시광선
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel: PDP) 유전체층의 보호막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 방전특성 및 투과율이 우수한 유전체 보호막에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 화면을 대형화하기가 용이하고, 자발광형으로 표시품질이 좋고, 응답속도가 빠르다는 특징을 가지고 있다. 박형화가 가능하기 때문에 LCD 등과 함께 벽걸이용 디스플레이로서 주목되고 있다.
도 1을 참조하여 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 살펴보면, 전면 글라스 기판(14) 위에 제1 전극과 제2 전극을 쌍으로 하는 방전 유지 전극대(15)가 형성되어 있고, 이 방전 유지 전극대는 글라스로 형성된 유전체층(16)으로 피복되어 있고, 또한 이 유전체층은 얇은 보호막(17)에 의해 보호되고 있다.
한편, 전면 글라스 기판의 안쪽에는 유리 위에 패턴화된 ITO전극이 있으며 그 위에 버스 전극을 형성하고 유전체층이 인쇄법으로 인쇄되어 있다. 이 전면 글라스 기판과 배면 글라스 기판은 수십㎛의 간극을 두고 마주보고 있고, 또한 이 간극에는 자외선을 발생하는 불활성가스가 감압 봉입되어 있다.
그리고, 방전 유지 전극대를 형성하고 있는 제1 전극과 제2 전극의 사이에 AC 전압을 가하고, 이것이 방전 개시 전압에 도달하면, 전기력선이 발생하고 이 전기력선에 의해 불활성가스는 전자와 이온으로 해리되고, 그것이 재결합할 때에 자 외선이 발생되고, 그 자외선의 조사를 받은 형광체(13)가 발색된다.
상기 유전체가 방전 공간에 직접적으로 노출될 경우 방전 특성이 저하되고 수명이 단축되기 때문에 박막 공정을 통해 보호막을 형성하게 된다. 보호막은 플라즈마 방전시 가스 이온의 충격으로부터 상부 유전체 후막을 보호함과 아울러 이차전자를 방출하는 역할을 한다. 따라서 보호막은 절연성, 내스퍼터링성, 낮은 방전 전압, 빠른 방전 응답 특성 및 가시광 투과율 등의 조건을 만족하여야 한다.
현재 가장 통상적으로 사용하고 있는 보호막의 재료는 MgO를 들 수 있다. MgO는 기타 재료에 비하여 방전 특성과 밀접한 이차전자방출계수가 높은 것으로 알려져 있으며 빠른 증착 속도로 인하여 공정 특성도 양호한 것으로 판단된다. MgO 증착 공정은 상/하판 봉착 전 단계로 대기 노출시간을 최소화시키고 있다. 하지만, 수분과 CO2와 같은 불순가스가 쉽게 흡착하게 된다. 배기 공정과 에이징 공정을 통해서도 불순가스 등을 완전히 제거하기 어렵다. 또한, 증착막의 결정성이나 전기적 저항 특성이 저하로 인하여 수분에 의한 수화 (hydration) 및 불순가스 흡착에 의해 방전 특성이 떨어지는 문제점이 발생하게 된다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 MgO를 기반으로 하고 흡습특성에 유리하고 저항특성과 광학적 특성이 향상된 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 형성용 조성물 및 보호막을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 보호막 형성용 조성물을 제공한다.
상기 알칼리 토금속은 SrO 및 BaO를 포함하고, 바람직하게는 스트론튬 산화물 (SrO)이고, 희토류 금속은 Gd2O3, Sc2O3, Y2 O3 및 GeO2를 포함하며, 3B족 원소의 산화물은 Al2O3를 포함할 수 있다.
상기 첨가 산화물의 함량은 MgO 100중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 30중량부이다.
상기 보호막 형성용 조성물에 Mn, Ca, Al, Cr, Fe, Zn, Na, K, B로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 성분을 MgO 100중량부를 기준으로 하여 0.005중량부 미만으로 포함할 수 있다.
또한 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
상기 보호막의 결정 배향은 (111)과 (222)로 나타난다.
상기 보호막의 저항값은 1×1011Ω 이상일 수 있다.
상기 보호막의 투과율은 88 내지 91%일 수 있다.
또한 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
투명한 전면기판; 상기 전면기판에 대해 평행하게 배치된 배면기판; 전면기판과 배면기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 격벽; 일 방향으로 배치된 발광셀들에 걸쳐서 연장되며 후방 유전체층에 의하여 매입된 어드레스전극들; 상기 발광셀 내에 배치된 형광체층; 상기 어드레스전극이 연장된 방향과 교차하는 방향으로 연장되며 전방유전체층에 의하여 매립된 유지전극쌍들; 상기 전방유전체층의 하부에 형성되고, MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 보호막 및 상기 발광셀 내에 있는 방전가스;를 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명은 MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 형성용 조성물를 제공한다. 상기 알칼리 토금속은 SrO 및 BaO를 포함하고, 희토류 금속은 Gd2O3, Sc2O3, Y2O3 및 GeO 2를 포함하며, 3B족 원소의 산화물은 Al2O3를 포함할 수 있다. 특히, 스트론튬 산화물 (SrO)인 것이 바람직하다.
PDP의 보호막에 사용되고 있는 MgO는 다이아몬드처럼 와이드 밴드 갭 재료(Wide Band-gap Material)이며 전자 친화도가 매우 작거나 음의 부호를 갖는다. 버스 전극과 어드레스 전극 사이에 전압을 인가하면 우주선 또는 자외선에 의해 생성된 씨드 전자(seed electrons)가 가스와 충돌하여 가스 이온이 생성된다.
PDP내에서 이차전자 방출은 도 2에 도시된 바와 같이 오제 중화 이론(Auger Neutralization)에 따르면 가스, 생성된 이온이 보호막으로 접근해오고, 이것이 일정 거리 안에 들어오게 되면 보호막 내의 전자가 가스 이온의 바닥 상태로 옮겨가면서 상기 이온을 중화시킨다. 이 에너지가 보호막 표면의 포텐셜 장벽을 넘을만큼 충분하면 에너지를 받은 전자는 보호막으로부터 튀어나오게 되어 '이차전자방출'이 이루어진다. MgO 보호막은 이차전자방출을 통하여 방전전압을 낮추어 소비 전력 감소에 기여하고 있는데, 본 발명에 사용되는 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물, 바람직하게는 SrO, BaO, Gd2O3, Sc2O3, Al2O3 ,Y 2O3 및 GeO2 등은 이온결합으로 이루어진 보호막 물질의 이차전자 방출계수값을 개선하는 데 적용할 수 있다.
상기 첨가되는 산화물의 함량은 MgO 100중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 30중량부가 바람직하다. 30중량부를 초과하는 경우에는 MgO 보호막 특성이 저하되기 때문에 바람직하지 못하고, 0.01중량부 미만인 경우에는 함량이 미미하여 효과를 구현할 수 없다.
상기 보호막 형성용 조성물에는 Mn, Ca, Al, Cr, Fe, Zn, Na, K, B로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 성분이 0.005중량부 미만으로 포함될 수 있다. 재료를 합성하는 과정에는 기본적으로 들어가는 불순물이 있을 수 있는데 증착막 특성과 전기적 특성에 큰 영향을 주기 때문에 재료의 혼합 및 도핑시 상기 산화물의 영향을 최소화하여야 한다.
본 발명에 따른 보호막을 제조하는 방법은 MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금 속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 첨가하여 펠렛을 제조하는 단계 (가); 상기 펠렛을 열처리하는 단계 (나); 상기 열처리한 재료를 이용하여 화학적기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정에 의하여 증착막을 제조하는 단계 (다);를 포함함한다.
상기 산화물을 증발 증착하게 되면 다량의 산소가 발생되기 때문에 증착 압력을 일정하게 유지하지 못한다. 따라서 증착하기 전에 열처리하여 일정량의 산소를 제거하는 것이 바람직하다. 이러한 열처리를 거친 펠렛을 유리 기판 위에 증착하게 되면 저항값을 저하시키고 가시광의 투과율을 개선시킨다.
상기 열처리 공정은 진공 또는 질소 분위기에서 400 내지 700℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 온도가 400℃ 미만이면 산소제거가 충분하지 않고, 700℃이상이면 지나치게 많이 제거되기 때문에 바람직하지 못하다. 상기 증착막을 제조하는 방법은 화학적기상증착(CVD), 이-빔(E-beam), 이온-플레이팅(Ion-plating), 스퍼터링(Sputtering) 중 어느 하나의 공정에 의하여 제조되는 방법일 수 있다.
본 발명은 MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공한다.
MgO 단독의 보호막에 상기 산화물을 토핑한 보호막의 결정 배향은 (111)과 (222)이다. MgO막은 일정한 크기의 그레인을 갖는 결정성이 있는 것이 바람직하다. 결정성의 저하는 이차전자방출량을 감소시키고 방전 전압 및 소비전략을 증가시켜 바람직하지 못하다. 결정이 (111)배향을 주로 하면 보호막 특성이 우수하다고 볼 수 있고, 도 3 및 도4에는 상기 증착막에 대한 X선 회절 분석결과를 나타내었다. 상기 보호막에 대한 열처리를 통하여 (111) 및 (222)배향성을 나타낸다. 본 발명의 보호막의 결정 배향은 (111)배향성을 나타내는 것이 가장 바람직하다.
상기 보호막의 저항값은 1×1011Ω 이상이고, 바람직하게는 1×1011 내지 5×1012Ω이다.
PDP의 보호막은 그 제조방법에 따라서 보호막 표면이 상이한 저항값을 갖고 표면의 저항값이 높을수록 이차전자방출 특성이 우수하며 방전 특성이 우수한 것으로 알려져 있다. 본 발명에 의하면 이차전자방출량이 0.25 이상이 되어 PDP 구동시 방전개시전압 및 유지 전압이 낮아질 수 있고, 방전 개시전압과 유지전압의 차이로 정의되는 방전 마진(margin) 전압이 커져서 방전의 효율성을 증대시키고 안정한 보호막을 제공할 수 있다.
한편, MgO에 스트론튬 산화물 등을 도핑하였을 경우에도 열처리를 하지 않았을 때에는 표 3에 나타낸 바와 같이 대부분 한 수준 이상 낮은 저항값을 나타낸다. 따라서, 열처리를 통하여 높은 수준의 저항값을 나타내는 것을 알 수 있다.
상기 보호막의 투과율은 88 내지 91%이다.
공기 분위기에서 측정한 유리 자체의 투과율은 92.5% 수준이다. 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판에 증착되기 때문에 가시광의 투과율이 우수할수록 휘도특성에 유리하다. 상기 보호막을 열처리하면 투과율이 향상되는 것을 알 수 있다.
또한 본 발명은 투명한 전면기판; 상기 전면기판에 대해 평행하게 배치된 배면기판; 상기 전면기판과 상기 배면기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 격벽; 일 방향으로 배치된 발광셀들에 걸쳐서 연장되며 후방 유전체층에 의하여 매입된 어드레스전극들; 상기 발광셀 내에 배치된 형광체층; 상기 어드레스전극이 연장된 방향과 교차하는 방향으로 연장되며 전방유전체층에 의하여 매립된 유지전극쌍들; 상기 전방유전체층의 하부에 형성되고, MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 첨가하여 열처리한 후, 화학적기상증착, 이-빔, 이온-플레이팅, 스퍼터링 중 어느 하나의 공정에 의하여 도핑한 상기 보호막 및 상기 발광셀 내에 있는 방전가스;를 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
도 5에는 플라즈마 디스플레이 패널(200)의 구체적인 구조가 도시되어 있다. 상기 전방패널(210)은 전면기판(211), 상기 전면기판의 배면(211a)에 형성된 Y전극(212)과 X전극(213)을 구비한 유지전극쌍(214)들, 상기 유지전극쌍들을 덮는 전방유전체층(215) 및 상기 전방유전체층을 덮으며 MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 본 발명의 보호막(216)을 구비한다. 상기 Y전극(212)과 X전극(213) 각각은 ITO 등으로 형성된 투명전극(212b, 213b)과 도전성 좋은 금속으로 형성된 버스전극(212a, 213B)을 구비한다.
상기 후방패널(220)은 배면기판(221), 배면기판의 전면(221a)에 상기 유지전극쌍과 교차하도록 형성된 어드레스전극(222)들, 상기 어드레스전극들을 덮는 후방유전체층(223), 상기 후방유전체층 상에 형성되어 발광셀(226)들을 구획하는 격벽(224), 및 상기 발광셀 내에 배치된 형광체층(225)을 구비한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 보다 명확하게 나타내기 위한 목적으로 기재되었을 뿐 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
플라즈마 디스플레이 패널의 제조
도 1은 실험에 사용한 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 단면도이다.
이를 참조하여 설명하면, 두께 2mm의 배면 기판(10) 위에 사진식각법에 의해 구리로 된 어드레스 전극(11)을 형성한 후, PbO 글라스로 어드레스 전극(11)를 피복하여 20㎛ 두께의 배면 유전체층(12)을 형성하였다. 그리고나서 유전체층(12) 위에 BaAl12O19:Mn 녹색 발광 형광체(13)로 피복하였다.
한편, 두께 2mm의 전면 기판(14) 위에 사진식각법에 의해 구리로 된 버스 전극(15)을 형성한 후, PbO 글라스로 버스 전극(15)을 피복하여 20㎛ 두께의 전면 유전체층(16)을 형성하였다. 그런 다음 하기의 실시예와 비교예의 보호막 형성용 성분을 전자빔 증착법에 의해 보호막(17)을 형성하였다.
상기의 전면 기판(14)과 배면 기판(10)을 30㎛을 두고 마주보게 하여 셀을 만들고, 이 셀 내부에 네온과 크세논의 혼합가스를 주입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 형성하였다.
보호막 저항값의 측정방법
보호막 표면의 저항은 원형 저항측정기를 사용하여 500V의 전압을 인가하여 10초가 지난 후의 저항값을 읽는 방식으로 각 샘플에 대해 5회씩 측정하였고, 이차 전자방출량은 챔버내에 플라즈마를 형성시키고 음의 전압을 인가하여 충전되는 전하량을 측정하였다. 샘플은 Soda lime glass위에 스크린 프린팅 방식으로 전극, 유전체층을 형성한 후 그 위에 보호막을 전자빔 증착법으로 형성한다. 이 때 유전체만 형성된 샘플과 유전체 위에 보호막을 형성한 샘플에 대해 충전되는 전하 차이를 유전체만 형성된 샘플의 충전 전하로 나누어 준 값을 이차전자 방출량이라 정의한다.
소결체 MgO (R 샘플), MgO에 스트론튬산화물 5중량% 첨가품(S 샘플), MgO에 스트론튬산화물 10중량% 첨가품 (M 샘플)을 비교평가하였다. 증발증착법을 사용하여 6인치 기판에 증착하였다. 증착하기 전에 챔버 내부의 수분 등을 제거하기 위해 램프 히터를 이용하여 350℃에서 4시간 동안 건조하였다. 증착할 때 기판의 온도는 250℃였고 증착 속도와 산소량을 조절하여 9개의 샘플을 제조하여 평가하였다. 증착압력은 1.5×10-4torr로 가스 유량 제어기를 통해 산소를 일정량 넣고 아르곤 가스를 넣어 조절하였다.
보호막 저항값의 측정
MgO를 기반으로 한 보호막은 펠렛에 포함된 알칼리 및 희토류 금속 산화물에 의해 증착막의 물성 및 플라즈마 방전시 물성이 큰 영향을 받는다고 알려져 있기 때문에 R, S, M 각 샘플에 대해 ICP 정량 분석을 통하여 50ppm 이하로 하였다. 세부 분석 결과를 표 1에 나타내었다.
소결체 MgO (샘플 R) 불순물 함량 결과
Mn Ca Al Cr Fe Zn Na K B
R샘플 10 30 40 1 20 20 40 30 20
Mg+SrO 5중량% <1 30 40 1 20 20 30 30 20
Mg+SrO 10중량% <1 30 30 1 20 20 30 30 20
증착 속도 10 내지 30Å/s 수준과 산소량 10 내지 200sccm수준으로 조합하여 9개의 샘플을 준비하였다. 샘플 R은 보편적인 소결체 MgO이고, 샘플 S 및 샘플 M은 스트론튬 산화물을 첨가하여 제조한 소결체이다. 상기 재료를 이용하여 유리기판 위에 막을 증착하여 저항값을 표 2 및 표 3에 나타내었다.
소결체 MgO (시료 R) 저항값
샘플명 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9
저항 (Ω) 6.95E +09 1.07E +11 1.21E +11 1.65E +12 1.72E +11 8.86E +10 1.78E +12 4.73E +11 1.62E +11
상기 표 2에서 나타내는 바와 같이 샘플 R은 증착 조건 범위내에서 대부분의 샘플들이 1.0×1011Ω 이상의 저항을 나타내고 있다.
소결체 MgO (샘플 S 및 샘플 M, 소스 열처리 전) 저항값
Mg+SrO 5중량% 샘플명 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9
저항 (Ω) 2.22E +11 1.39E +10 2.92E +09 4.95E +08 1.09E +10 5.59E +09 4.06E +10 1.69E +10 1.74E +10
Mg+SrO 10중량% 번호 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9
저항 (Ω) 3.14E +12 5.48E +09 7.40E +09 2.26E +09 8.26E +09 4.87E +09 1.84E +10 3.15E +10 3.04E +10
그러나, 샘플 S 및 샘플 M의 경우 대부분 한 수준 이상 낮은 저항값을 나타내고 있다. SrO를 증발 증착하게 되면 다량의 산소가 발생되기 때문에 증착압력을 일정하게 유지하지 못한다. 따라서, 증착하기 전에 소스를 550℃에서 열처리하여 일정량의 산소를 제거하였다. 이렇게 열처리한 펠렛을 유리기판 위에 증착하여 측정한 저항값을 표 4에 나타내었다.
소결체 MgO (샘플 S 및 샘플 M, 소스 열처리 후) 저항값
Mg+SrO 5중량% 샘플명 S'1 S'2 S'3 S'4 S'5 S'6 S'7 S'8 S'9
저항 (Ω) 1.64E +10 1.89E +11 1.11E +11 8.77E +10 1.12E +11 7.17E +10 5.50E +10 3.97E +10 3.84E +10
Mg+SrO 10중량% 번호 M'1 M'2 M'3 M'4 M'5 M'6 M'7 M'8 M'9
저항 (Ω) 1.59E +11 6.77E +10 6.33E +11 4.33E +11 1.60E +11 1.09E +12 1.39E +12 2.20E +12 1.09E +12
소스 열처리 후 모든 샘플의 저항값이 증가하였으나 SrO 5중량% 첨가품의 경우는 낮은 값을 보였다. SrO 10중량% 첨가품의 경우 모든 샘플은 1.0×1011Ω 이상의 저항값을 나타내었다.
결정성의 측정
저항값과 마찬가지로 결정성이 이차전자방출량과 깊은 상관관계가 있는 것으로 알려져 있다. 특히 (111) 배향성이 바람직한 것으로 공지되어 있다. 세 가지 소스의 증착막에 대한 X-선 회절 분석 결과를 도 3 및 도 4에 도시하였다. 소스 열처리 후 증착막은 주로 (111)과 (222) 배향성을 보였다. SrO 첨가량에 따라 강도가 다르게 나타나는 데 10중량%를 첨가한 경우 (111) 배향성이 향상된 결과를 나타내었다.
투과율의 측정
표 5 및 표 6에 SrO 첨가품에 대한 소스 열처리 전/후 증착막에 대한 투과율을 나타냈다. 공기 상태를 기준으로 측정한 투과율로서 순수 유리 기판은 92.5%였다. 보호막은 PDP상판에 증착되기 때문에 가시광 투과율이 우수할수록 PDP 휘도 특성에 유리하다. 소스를 열처리 후 공정조건에 따라 2 내지 5%이상 투과율이 향상되는 것을 확인할 수 있다.
소결체 MgO (샘플 S 및 샘플 M, 소스 열처리 전) 투과율
Mg+SrO 5중량% 샘플명 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9
투과율 (%) 89.7 89.9 89.8 89.3 89.9 90.8 90.0 90.5 90.8
Mg+SrO 10중량% 번호 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9
투과율 (%) 86.3 89.3 89.1 87.1 87.3 87.9 87.4 88.2 88.5
소결체 MgO (샘플 S 및 샘플 M, 소스 열처리 후) 투과율
Mg+SrO 5중량% 샘플명 S'1 S'2 S'3 S'4 S'5 S'6 S'7 S'8 S'9
투과율 (%) 91.8 91.4 91.4 91.4 91.4 91.4 91.5 91.5 91.4
Mg+SrO 10중량% 번호 M'1 M'2 M'3 M'4 M'5 M'6 M'7 M'8 M'9
투과율 (%) 91.4 92.0 91.7 91.2 90.6 91.5 91.4 91.2 91.3
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 재료를 이용한 보호막은 종래의 순수한 보호막과 비교하여 소결체 보호막 증착재를 만들고, 소스 열처리를 하여 보호막을 형성한 결과 저항, 결정성 및 투과율 측면에서 우수한 결과를 나타내었다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

  1. MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 보호막 형성용 조성물로서, 상기 조성물로 제조된 보호막의 저항값이 1×1011Ω 이상인 것을 특징으로 하는 보호막 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알칼리 토금속의 산화물은 SrO 및 BaO를 포함하고, 희토류 금속의 산화물은 Gd2O3, Sc2O3, Y2O3 및 GeO2를 포함하며, 3B족 원소의 산화물은 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성용 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화물이 스트론튬 산화물 (SrO)인 것을 특징으로 하는 보호막 형성용 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물의 함량은 MgO 100중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 30중량부인 것을 특징으로 하는 보호막 형성용 조성물.
  5. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 보호막 형성용 조성물에 Mn, Ca, Al, Cr, Fe, Zn, Na, K, B로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 성분을 MgO 100중량부를 기준으로 하여 0.005중량부 미만으로 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막 형성용 조성물.
  6. MgO에 알칼리 토금속, 희토류 금속 및 3B족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막으로서, 상기 보호막의 저항값이 1×1011Ω 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  7. 제6항에 있어서, 상기 알칼리 토금속의 산화물은 SrO 및 BaO를 포함하고, 희토류 금속의 산화물은 Gd2O3, Sc2O3, Y2O3 및 GeO2를 포함하며, 3B족 원소의 산화물은 Al2O3를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 보호막의 결정 배향이 (111)과 (222)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  9. 삭제
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 보호막의 투과율이 88 내지 91%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막.
  11. 투명한 전면기판;
    상기 전면기판에 대해 평행하게 배치된 배면기판;
    전면기판과 배면기판 사이에 배치되어 발광셀들을 구획하는 격벽;
    일 방향으로 배치된 발광셀들에 걸쳐서 연장되며 후방 유전체층에 의하여 매입된 어드레스전극들;
    상기 발광셀 내에 배치된 형광체층;
    상기 어드레스전극이 연장된 방향과 교차하는 방향으로 연장되며 전방유전체층에 의하여 매립된 유지전극쌍들;
    상기 전방유전체층의 하부에 형성되고, 상기 제6항 내지 제8항, 및 제10항 중 어느 한 항의 보호막 및
    상기 발광셀 내에 있는 방전가스;를 구비한 플라즈마 디스플레이 패널.
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