JP2002294432A - Ｆｐｄの保護膜用蒸着材及びその製造方法 - Google Patents
Ｆｐｄの保護膜用蒸着材及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002294432A JP2002294432A JP2001163910A JP2001163910A JP2002294432A JP 2002294432 A JP2002294432 A JP 2002294432A JP 2001163910 A JP2001163910 A JP 2001163910A JP 2001163910 A JP2001163910 A JP 2001163910A JP 2002294432 A JP2002294432 A JP 2002294432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- alkaline earth
- fpd
- vapor deposition
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】真空成膜用容器の内部に設置した直後の脱ガス
排気処理時間を短縮し、特性が安定した均一な成膜が可
能な蒸着材を得る。 【解決手段】ＦＰＤの保護膜用蒸着材は、表面がフッ化
物層１２で覆われた多結晶体１１，焼結体又は単結晶体
により形成される。多結晶体１１，焼結体又は単結晶体
が、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複
合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化
物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成
され、フッ化物層１２がガス状フッ素化剤とＭｇＯ，Ｃ
ａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しく
は希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸
化物の複合酸化物のいずれかとの反応によって得られ
る。
排気処理時間を短縮し、特性が安定した均一な成膜が可
能な蒸着材を得る。 【解決手段】ＦＰＤの保護膜用蒸着材は、表面がフッ化
物層１２で覆われた多結晶体１１，焼結体又は単結晶体
により形成される。多結晶体１１，焼結体又は単結晶体
が、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複
合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化
物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成
され、フッ化物層１２がガス状フッ素化剤とＭｇＯ，Ｃ
ａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しく
は希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸
化物の複合酸化物のいずれかとの反応によって得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ（Plasma D
isplay Panel：プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（Plasma Addressed Liquid Crystal display）等の
ＦＰＤ（Flat Panel Display）の保護膜を成膜するのに
好適な蒸着材及びその製造方法に関する。
isplay Panel：プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（Plasma Addressed Liquid Crystal display）等の
ＦＰＤ（Flat Panel Display）の保護膜を成膜するのに
好適な蒸着材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ここ数年、液晶（Liquid Crystal Displ
y：以下、ＬＣＤという）をはじめとして、各種の平面
ディスプレイの研究開発と実用化はめざましく、その生
産も急増している。カラープラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰという）についても、その開発と実用化
の動きが最近活発になっている。ＰＤＰは大型化し易
く、ハイビジョン用大画面壁掛けテレビの最短距離にあ
り、既に対角４０インチクラスのＰＤＰの試作が進めら
れている。このようなＰＤＰを含むＦＰＤでは、ガラス
誘電体層が直接放電にさらされ、イオン衝撃のスパッタ
リングにより誘電体層表面が変化して、放電開始電圧が
上昇していた。そのため、高い昇華熱を持つ種々の酸化
物を保護膜とすることが行われる。
y：以下、ＬＣＤという）をはじめとして、各種の平面
ディスプレイの研究開発と実用化はめざましく、その生
産も急増している。カラープラズマディスプレイパネル
（以下、ＰＤＰという）についても、その開発と実用化
の動きが最近活発になっている。ＰＤＰは大型化し易
く、ハイビジョン用大画面壁掛けテレビの最短距離にあ
り、既に対角４０インチクラスのＰＤＰの試作が進めら
れている。このようなＰＤＰを含むＦＰＤでは、ガラス
誘電体層が直接放電にさらされ、イオン衝撃のスパッタ
リングにより誘電体層表面が変化して、放電開始電圧が
上昇していた。そのため、高い昇華熱を持つ種々の酸化
物を保護膜とすることが行われる。
【０００３】従来、この保護膜を形成する方法として、
電子ビーム蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーテ
ィング法などの真空プロセスを用いてＦＰＤの保護膜を
形成する方法が知られている。電子ビーム蒸着法及びイ
オンプレーティング法では、保護膜を形成するための原
料である蒸着材と、保護膜を形成させるＦＰＤを真空容
器内に設置し、高真空下において蒸着材を加熱、又は電
子ビームやプラズマ等を用いて蒸発させ、その蒸気をＦ
ＰＤの表面に薄膜として凝着させている。一方、ＰＤＰ
の保護膜は直接、放電空間に接しているため、放電特性
に最も重要な役割を担うキーマテリアルであり、従来よ
り２次電子放出能が高く、耐スパッタ性，光透過性及び
絶縁性に優れた膜を形成すべく、保護膜を形成するため
の原料としてアルカリ土類金属酸化物を蒸着材として使
用されている。
電子ビーム蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーテ
ィング法などの真空プロセスを用いてＦＰＤの保護膜を
形成する方法が知られている。電子ビーム蒸着法及びイ
オンプレーティング法では、保護膜を形成するための原
料である蒸着材と、保護膜を形成させるＦＰＤを真空容
器内に設置し、高真空下において蒸着材を加熱、又は電
子ビームやプラズマ等を用いて蒸発させ、その蒸気をＦ
ＰＤの表面に薄膜として凝着させている。一方、ＰＤＰ
の保護膜は直接、放電空間に接しているため、放電特性
に最も重要な役割を担うキーマテリアルであり、従来よ
り２次電子放出能が高く、耐スパッタ性，光透過性及び
絶縁性に優れた膜を形成すべく、保護膜を形成するため
の原料としてアルカリ土類金属酸化物を蒸着材として使
用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このアルカリ
土類金属酸化物は蒸着材として使用される以前に大気中
に曝されると、容易にＣＯ2やＨ2Ｏと反応して変質する
ことから、アルカリ土類金属酸化物からなる蒸着材を真
空容器内部に設置した後、真空加熱下での長時間の脱ガ
ス排気処理が必要であることが知られている。即ち、比
較的長い時間をかけて脱ガス排気処理を行わないと、蒸
着材の変質した表面から多量に生じるＨ2Ｏ，Ｈ2，
Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスが得られた保護
膜の特性に不具合を生じさせることが知られている。本
発明の目的は、容器内部に設置した直後の脱ガス排気処
理時間を短縮し得るＦＰＤの保護膜用蒸着材及びその製
造方法を提供することにある。本発明の別の目的は、特
性が安定した均一な成膜が可能なＦＰＤの保護膜用蒸着
材及びその製造方法を提供することにある。
土類金属酸化物は蒸着材として使用される以前に大気中
に曝されると、容易にＣＯ2やＨ2Ｏと反応して変質する
ことから、アルカリ土類金属酸化物からなる蒸着材を真
空容器内部に設置した後、真空加熱下での長時間の脱ガ
ス排気処理が必要であることが知られている。即ち、比
較的長い時間をかけて脱ガス排気処理を行わないと、蒸
着材の変質した表面から多量に生じるＨ2Ｏ，Ｈ2，
Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスが得られた保護
膜の特性に不具合を生じさせることが知られている。本
発明の目的は、容器内部に設置した直後の脱ガス排気処
理時間を短縮し得るＦＰＤの保護膜用蒸着材及びその製
造方法を提供することにある。本発明の別の目的は、特
性が安定した均一な成膜が可能なＦＰＤの保護膜用蒸着
材及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、表面がフッ化物層１２で覆われた多
結晶体１１，焼結体又は単結晶体により形成されたＦＰ
Ｄの保護膜用蒸着材である。この請求項１に記載された
ＦＰＤの保護膜用蒸着材では、多結晶体１１，焼結体又
は単結晶体の表面がフッ化物層１２により被覆されるた
め、この蒸着材１０が大気中に長時間曝されても、多結
晶体１１，焼結体又は単結晶体が大気中のＣＯ2ガスや
Ｈ2Ｏガスと殆ど反応しない。この結果、容器内部にこ
の蒸着材１０を設置した後に発生する有害物質の量は従
来より抑制され、この有害物質を除去するために従来か
ら行われている脱ガス排気処理を短縮又はそのガス処理
工程を省くことが可能になり、ＦＰＤの製造コストを従
来より低減できる。
図１に示すように、表面がフッ化物層１２で覆われた多
結晶体１１，焼結体又は単結晶体により形成されたＦＰ
Ｄの保護膜用蒸着材である。この請求項１に記載された
ＦＰＤの保護膜用蒸着材では、多結晶体１１，焼結体又
は単結晶体の表面がフッ化物層１２により被覆されるた
め、この蒸着材１０が大気中に長時間曝されても、多結
晶体１１，焼結体又は単結晶体が大気中のＣＯ2ガスや
Ｈ2Ｏガスと殆ど反応しない。この結果、容器内部にこ
の蒸着材１０を設置した後に発生する有害物質の量は従
来より抑制され、この有害物質を除去するために従来か
ら行われている脱ガス排気処理を短縮又はそのガス処理
工程を省くことが可能になり、ＦＰＤの製造コストを従
来より低減できる。
【０００６】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、多結晶体１１，焼結体又は単結晶体が、Ｍ
ｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化
物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び
希土類酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成された
ＦＰＤの保護膜用蒸着材である。請求項３に係る発明
は、請求項２に係る発明であって、フッ化物層１２がガ
ス状フッ素化剤とＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ア
ルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアル
カリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれ
かとの反応によって得られたＦＰＤの保護膜用蒸着材で
ある。この請求項２及び請求項３に記載されたＦＰＤの
保護膜用蒸着材では、電子ビーム蒸着法、イオンプレー
ティング法等により保護膜をＦＰＤに成膜する際に、Ｈ
2Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスが発
生させることなく蒸発するので、高速安定性膜が可能と
なり、かつ膜の緻密性は向上し、特性が安定した均一な
成膜が可能になる。
明であって、多結晶体１１，焼結体又は単結晶体が、Ｍ
ｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化
物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び
希土類酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成された
ＦＰＤの保護膜用蒸着材である。請求項３に係る発明
は、請求項２に係る発明であって、フッ化物層１２がガ
ス状フッ素化剤とＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ア
ルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアル
カリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれ
かとの反応によって得られたＦＰＤの保護膜用蒸着材で
ある。この請求項２及び請求項３に記載されたＦＰＤの
保護膜用蒸着材では、電子ビーム蒸着法、イオンプレー
ティング法等により保護膜をＦＰＤに成膜する際に、Ｈ
2Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスが発
生させることなく蒸発するので、高速安定性膜が可能と
なり、かつ膜の緻密性は向上し、特性が安定した均一な
成膜が可能になる。
【０００７】請求項４に係る発明は、ＭｇＯ，ＣａＯ，
ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しくは希土
類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸化物の
複合酸化物のいずれかの多結晶体１１，焼結体又は単結
晶体を形成する工程と、その多結晶体１１，焼結体又は
単結晶体をガス状フッ素化剤にて表面処理することによ
り多結晶体１１，焼結体又は単結晶体の表面にフッ化物
層１２を形成する工程とを含むＦＰＤの保護膜用蒸着材
の製造方法である。この請求項４に記載されたＦＰＤの
保護膜用蒸着材の製造方法では、大気中に長時間曝され
ても大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスと殆ど反応しない蒸
着材を比較的容易に得ることができる。
ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しくは希土
類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸化物の
複合酸化物のいずれかの多結晶体１１，焼結体又は単結
晶体を形成する工程と、その多結晶体１１，焼結体又は
単結晶体をガス状フッ素化剤にて表面処理することによ
り多結晶体１１，焼結体又は単結晶体の表面にフッ化物
層１２を形成する工程とを含むＦＰＤの保護膜用蒸着材
の製造方法である。この請求項４に記載されたＦＰＤの
保護膜用蒸着材の製造方法では、大気中に長時間曝され
ても大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスと殆ど反応しない蒸
着材を比較的容易に得ることができる。
【０００８】請求項５に係る発明は、請求項４に係る発
明であって、ガス状フッ素化剤がフッ素ガス、フッ化水
素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれかであるＦ
ＰＤの保護膜用蒸着材の製造方法である。この請求項５
に記載されたＦＰＤの保護膜用蒸着材の製造方法では、
多結晶体１１，焼結体又は単結晶体の表面にフッ化物層
１２を比較的容易に形成することができる。請求項６に
係る発明は、請求項１ないし３いずれか記載の蒸着材又
は請求項４若しくは請求項５に記載された方法により得
られた蒸着材を用いて保護膜が形成されたＦＰＤであ
る。この請求項６に記載されたＦＰＤでは、ＦＰＤの製
造工数を大幅に低減できるので、安価にＦＰＤを製造で
きる。
明であって、ガス状フッ素化剤がフッ素ガス、フッ化水
素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれかであるＦ
ＰＤの保護膜用蒸着材の製造方法である。この請求項５
に記載されたＦＰＤの保護膜用蒸着材の製造方法では、
多結晶体１１，焼結体又は単結晶体の表面にフッ化物層
１２を比較的容易に形成することができる。請求項６に
係る発明は、請求項１ないし３いずれか記載の蒸着材又
は請求項４若しくは請求項５に記載された方法により得
られた蒸着材を用いて保護膜が形成されたＦＰＤであ
る。この請求項６に記載されたＦＰＤでは、ＦＰＤの製
造工数を大幅に低減できるので、安価にＦＰＤを製造で
きる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１に示すように、本発明の
ＦＰＤの保護膜用蒸着材１０は、表面がフッ化物層１２
で覆われた多結晶体１１により形成される。多結晶体１
１は、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類
複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸
化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかの粉末を
用いて形成される。多結晶体１１を得る方法は、特に限
定しないが、粉末を成型し、焼結させる（焼結体）方法
が一般的に広く知られている。図１には表面がフッ化物
層１２で覆われた多結晶体１１により形成された保護膜
用蒸着材１０を示すが、本発明のＦＰＤの保護膜用蒸着
材１０は、表面がフッ化物層１２で覆われた単結晶体に
より形成しても良い。単結晶体の作製方法は特に限定し
ないが、アーク溶融法が一般的に広く知られている（J.
Chem.Phys.35[8].p.3752-6.(1971)）。
図面に基づいて説明する。図１に示すように、本発明の
ＦＰＤの保護膜用蒸着材１０は、表面がフッ化物層１２
で覆われた多結晶体１１により形成される。多結晶体１
１は、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類
複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸
化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかの粉末を
用いて形成される。多結晶体１１を得る方法は、特に限
定しないが、粉末を成型し、焼結させる（焼結体）方法
が一般的に広く知られている。図１には表面がフッ化物
層１２で覆われた多結晶体１１により形成された保護膜
用蒸着材１０を示すが、本発明のＦＰＤの保護膜用蒸着
材１０は、表面がフッ化物層１２で覆われた単結晶体に
より形成しても良い。単結晶体の作製方法は特に限定し
ないが、アーク溶融法が一般的に広く知られている（J.
Chem.Phys.35[8].p.3752-6.(1971)）。
【００１０】一方フッ化物層１２は、多結晶体１１を形
成するＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類
複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸
化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかと、ガス
状フッ素化剤との反応によって得ることができる。ガス
状フッ素化剤としては反応性の高さや汎用性の観点から
フッ素ガス、フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ
4のいずれか、特にフッ素ガス又はフッ化水素ガスを用
いることが好ましい。またフッ化物層１２の厚さはＭｇ
Ｏ等のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスとの反応阻止向上と、Ｍｇ
Ｏ等とガス状フッ素化剤との反応時間とのバランスによ
り決定され、好ましくは０．１ｎｍ〜１００μｍの範囲
内、更に好ましくは１ｎｍ〜１μｍの範囲内に形成され
る。フッ化物層１２の厚さを０．１ｎｍ〜１００μｍの
範囲内に限定したのは、１００μｍを越えると、ＭｇＯ
等とガス状フッ素化剤との反応時間が長くなって作業性
が悪くなるためである。
成するＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類
複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸
化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかと、ガス
状フッ素化剤との反応によって得ることができる。ガス
状フッ素化剤としては反応性の高さや汎用性の観点から
フッ素ガス、フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ
4のいずれか、特にフッ素ガス又はフッ化水素ガスを用
いることが好ましい。またフッ化物層１２の厚さはＭｇ
Ｏ等のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガスとの反応阻止向上と、Ｍｇ
Ｏ等とガス状フッ素化剤との反応時間とのバランスによ
り決定され、好ましくは０．１ｎｍ〜１００μｍの範囲
内、更に好ましくは１ｎｍ〜１μｍの範囲内に形成され
る。フッ化物層１２の厚さを０．１ｎｍ〜１００μｍの
範囲内に限定したのは、１００μｍを越えると、ＭｇＯ
等とガス状フッ素化剤との反応時間が長くなって作業性
が悪くなるためである。
【００１１】次にこのＦＰＤの保護膜用蒸着材１０の製
造方法を説明する。このＦＰＤの保護膜用蒸着材１０の
製造方法は、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカ
リ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ
土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかの
粉末を用いて多結晶体１１を形成する工程と、その多結
晶体１１をガス状フッ素化剤にて表面処理することによ
りその多結晶体１１の表面にフッ化物層１２を形成する
工程とを含む。
造方法を説明する。このＦＰＤの保護膜用蒸着材１０の
製造方法は、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカ
リ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ
土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかの
粉末を用いて多結晶体１１を形成する工程と、その多結
晶体１１をガス状フッ素化剤にて表面処理することによ
りその多結晶体１１の表面にフッ化物層１２を形成する
工程とを含む。
【００１２】［１］多結晶体１１の形成 ここでは、多結晶体１１を得る方法として、焼結により
得る方法を示すが、本発明の内容を限定するものではな
い。多結晶体１１を形成する工程では、先ずＭｇＯ，Ｃ
ａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しく
は希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸
化物の複合酸化物のいずれかの粉末を所定量準備する。
この準備する粉末の平均粒径は０．０１〜１００μｍの
範囲内にあることが好ましい。粉末の平均粒径が０．０
１μｍ未満では、粉末が細かすぎて凝集するため、粉末
のハンドリングが悪くなり、高濃度スラリーを調製する
ことが困難となるためであり、１００μｍを越えると、
微細構造の制御が難しく、緻密な多結晶体１１が得られ
ないからである。またＭｇＯ等の粉末の平均粒径を上記
範囲に限定すると、焼結助剤を用いなくても所望の多結
晶体１１が得られる利点もある。
得る方法を示すが、本発明の内容を限定するものではな
い。多結晶体１１を形成する工程では、先ずＭｇＯ，Ｃ
ａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物若しく
は希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸
化物の複合酸化物のいずれかの粉末を所定量準備する。
この準備する粉末の平均粒径は０．０１〜１００μｍの
範囲内にあることが好ましい。粉末の平均粒径が０．０
１μｍ未満では、粉末が細かすぎて凝集するため、粉末
のハンドリングが悪くなり、高濃度スラリーを調製する
ことが困難となるためであり、１００μｍを越えると、
微細構造の制御が難しく、緻密な多結晶体１１が得られ
ないからである。またＭｇＯ等の粉末の平均粒径を上記
範囲に限定すると、焼結助剤を用いなくても所望の多結
晶体１１が得られる利点もある。
【００１３】次に、それらのいずれかの粉末とバインダ
と有機溶媒とを混合してスラリーを調製する。この時の
スラリーの濃度は４０〜７０重量％であることが好まし
く、７０重量％を越えると上記スラリーが非水系である
ため、安定した造粒が難しい問題点があり、４０重量％
未満では均一な組織を有する緻密な多結晶体１１が得ら
れいないからである。即ち、スラリー濃度を上記範囲に
限定すると、スラリーの粘度が２００ｃｐｓ以下とな
り、例えばスプレードライヤによる粉末の造粒を安定し
て行うことができ、更には成形体の密度が高くなって緻
密な多結晶体１１の製造が可能になる。
と有機溶媒とを混合してスラリーを調製する。この時の
スラリーの濃度は４０〜７０重量％であることが好まし
く、７０重量％を越えると上記スラリーが非水系である
ため、安定した造粒が難しい問題点があり、４０重量％
未満では均一な組織を有する緻密な多結晶体１１が得ら
れいないからである。即ち、スラリー濃度を上記範囲に
限定すると、スラリーの粘度が２００ｃｐｓ以下とな
り、例えばスプレードライヤによる粉末の造粒を安定し
て行うことができ、更には成形体の密度が高くなって緻
密な多結晶体１１の製造が可能になる。
【００１４】また粉末とバインダと有機溶媒との湿式混
合、特に粉末と分散媒である有機溶媒との湿式混合は、
湿式ボールミル又は撹拌ミルにより行われる。湿式ボー
ルミルでは、ＺｒＯ2製ボールを用いる場合には、直径
５〜１０ｍｍの多数のＺｒＯ2製ボールを用いて８〜２
４時間、好ましくは２０〜２４時間湿式混合される。Ｚ
ｒＯ2製ボールの直径を５〜１０ｍｍと限定したのは、
５ｍｍ未満では混合が不十分となることからであり、１
０ｍｍを越えると不純物が増大する不具合があるからで
ある。また混合時間が最長２４時間と長いのは、長時間
連続混合しても不純物の発生が少ないからである。一
方、湿式ボールミルにおいて、鉄芯入りの樹脂製ボール
を用いる場合には、直径１０〜１５ｍｍのボールを用い
ることが好ましい。
合、特に粉末と分散媒である有機溶媒との湿式混合は、
湿式ボールミル又は撹拌ミルにより行われる。湿式ボー
ルミルでは、ＺｒＯ2製ボールを用いる場合には、直径
５〜１０ｍｍの多数のＺｒＯ2製ボールを用いて８〜２
４時間、好ましくは２０〜２４時間湿式混合される。Ｚ
ｒＯ2製ボールの直径を５〜１０ｍｍと限定したのは、
５ｍｍ未満では混合が不十分となることからであり、１
０ｍｍを越えると不純物が増大する不具合があるからで
ある。また混合時間が最長２４時間と長いのは、長時間
連続混合しても不純物の発生が少ないからである。一
方、湿式ボールミルにおいて、鉄芯入りの樹脂製ボール
を用いる場合には、直径１０〜１５ｍｍのボールを用い
ることが好ましい。
【００１５】撹拌ミルでは、直径１〜３ｍｍのＺｒＯ2
製ボールを用いて０．５〜１時間湿式混合される。Ｚｒ
Ｏ2製ボールの直径を１〜３ｍｍと限定したのは、１ｍ
ｍ未満では混合が不十分となることからであり、３ｍｍ
を越えると不純物が増える不具合があるからである。ま
た混合時間が最長１時間と短いのは、１時間を越えると
原料の混合のみならず粉砕の仕事をするため、不純物の
発生の原因となり、また１時間もあれば十分に混合でき
るからである。
製ボールを用いて０．５〜１時間湿式混合される。Ｚｒ
Ｏ2製ボールの直径を１〜３ｍｍと限定したのは、１ｍ
ｍ未満では混合が不十分となることからであり、３ｍｍ
を越えると不純物が増える不具合があるからである。ま
た混合時間が最長１時間と短いのは、１時間を越えると
原料の混合のみならず粉砕の仕事をするため、不純物の
発生の原因となり、また１時間もあれば十分に混合でき
るからである。
【００１６】次に上記スラリーを噴霧乾燥して平均粒径
が５０〜３００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍの造
粒粉末を得た後、この造粒粉末を所定の型に入れて所定
の圧力で成形する。ここで、造粒粉末の平均粒径を５０
〜３００μｍと限定したのは、５０μｍ未満では成形性
が悪い不具合があり、３００μｍを越えると成形体１２
密度が低く強度も低い不具合があるからである。上記噴
霧乾燥はスプレードライヤを用いて行われることが好ま
しい。またペレットの成形には、メカニカルプレス法、
タブレットマシン法又はブリケットマシン法のいずれか
の金型プレス法を用いて行われることが好ましい。
が５０〜３００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍの造
粒粉末を得た後、この造粒粉末を所定の型に入れて所定
の圧力で成形する。ここで、造粒粉末の平均粒径を５０
〜３００μｍと限定したのは、５０μｍ未満では成形性
が悪い不具合があり、３００μｍを越えると成形体１２
密度が低く強度も低い不具合があるからである。上記噴
霧乾燥はスプレードライヤを用いて行われることが好ま
しい。またペレットの成形には、メカニカルプレス法、
タブレットマシン法又はブリケットマシン法のいずれか
の金型プレス法を用いて行われることが好ましい。
【００１７】図２に一例としてメカニカルプレス法に使
用されるメカニカルプレス装置１３を示す。この装置１
３は、円筒状の型１３ａと、この型１３ａに下方から挿
入される下ポンチ１３ｂと、型１３ａに上方から挿入さ
れる上ポンチ１３ｃとを備える。この装置１３で造粒粉
末１４を成形するには、先ず円筒状の型１３ａに円柱状
の下ポンチ１３ｂを下方から挿入した状態で造粒粉末１
４を上記型１３ａ内に投入し（図２（ａ））、上ポンチ
１３ｃを型１３ａに上方から挿入して造粒粉末１４の圧
密を行う（図２（ｂ））。次に上ポンチ１３ｃを抜いた
後、下ポンチ１３ｂによりペレット状の成形体１６を突
上げてこの成形体１６を取出す（図２（ｃ））。また上
記メカニカルプレス法によるプレス圧力は３００〜２０
００ｋｇ／ｃｍ2、好ましくは５００〜１０００ｋｇ／
ｃｍ2である。プレス圧を上記範囲に限定したのは、３
００ｋｇ／ｃｍ2未満では所定の密度が得られず、２０
００ｋｇ／ｃｍ2を越えると割れや欠けの原因となる層
状の亀裂（ラミネーション）が発生するからである。ま
た高圧プレスを用いると、高強度の金型を必要とし成形
装置が大型化するため、成形コストが上昇し好ましくな
い。この原料粉末にはバインダが混合されているため、
比較的小さな圧力でも十分に強度が高くかつ密度の大き
い成形体１６を得ることができる。
用されるメカニカルプレス装置１３を示す。この装置１
３は、円筒状の型１３ａと、この型１３ａに下方から挿
入される下ポンチ１３ｂと、型１３ａに上方から挿入さ
れる上ポンチ１３ｃとを備える。この装置１３で造粒粉
末１４を成形するには、先ず円筒状の型１３ａに円柱状
の下ポンチ１３ｂを下方から挿入した状態で造粒粉末１
４を上記型１３ａ内に投入し（図２（ａ））、上ポンチ
１３ｃを型１３ａに上方から挿入して造粒粉末１４の圧
密を行う（図２（ｂ））。次に上ポンチ１３ｃを抜いた
後、下ポンチ１３ｂによりペレット状の成形体１６を突
上げてこの成形体１６を取出す（図２（ｃ））。また上
記メカニカルプレス法によるプレス圧力は３００〜２０
００ｋｇ／ｃｍ2、好ましくは５００〜１０００ｋｇ／
ｃｍ2である。プレス圧を上記範囲に限定したのは、３
００ｋｇ／ｃｍ2未満では所定の密度が得られず、２０
００ｋｇ／ｃｍ2を越えると割れや欠けの原因となる層
状の亀裂（ラミネーション）が発生するからである。ま
た高圧プレスを用いると、高強度の金型を必要とし成形
装置が大型化するため、成形コストが上昇し好ましくな
い。この原料粉末にはバインダが混合されているため、
比較的小さな圧力でも十分に強度が高くかつ密度の大き
い成形体１６を得ることができる。
【００１８】更にペレット状の成形体１６を所定の温度
で焼結する。焼結する前に成形体１６を３５０〜６２０
℃の温度で脱脂処理することが好ましい。この脱脂処理
は成形体１６の焼結後の色むらを防止するために行わ
れ、時間をかけて十分に行うことが好ましい。焼結は１
５００℃〜１７００℃の温度で行うことが好ましい。焼
結温度を１５００℃〜１７００℃に限定したのは、１５
００℃未満では緻密な焼結体が得られず、１７００℃を
越えると粒成長が著しく速く、特性が低下するからであ
る。また、成形体を不活性ガス雰囲気中で焼結する場合
には、不活性ガスとしてアルゴンガスを用いることが好
ましい。このようにして相対密度が９５％以上の緻密な
多結晶体１１が得られる。
で焼結する。焼結する前に成形体１６を３５０〜６２０
℃の温度で脱脂処理することが好ましい。この脱脂処理
は成形体１６の焼結後の色むらを防止するために行わ
れ、時間をかけて十分に行うことが好ましい。焼結は１
５００℃〜１７００℃の温度で行うことが好ましい。焼
結温度を１５００℃〜１７００℃に限定したのは、１５
００℃未満では緻密な焼結体が得られず、１７００℃を
越えると粒成長が著しく速く、特性が低下するからであ
る。また、成形体を不活性ガス雰囲気中で焼結する場合
には、不活性ガスとしてアルゴンガスを用いることが好
ましい。このようにして相対密度が９５％以上の緻密な
多結晶体１１が得られる。
【００１９】［２］フッ化物層１２の形成 次に、上述したようにして得られた多結晶体１１の表面
にフッ化物層１２を形成する。このフッ化物層１２の形
成は、その多結晶体１１をガス状フッ素化剤雰囲気中
（温度１０〜１００℃）に０．１〜１２０分間保持して
多結晶体１１の表面を改質し、多結晶体１１の表面にフ
ッ化物層１２を形成する。上記ガス状フッ素化剤として
はフッ素ガス、フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳ
Ｆ4のいずれか、特にフッ素ガス又はフッ化水素ガスを
用いることが好ましく、このガス状フッ素化剤の圧力は
好ましくは１〜７６０Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１０〜
３００Ｔｏｒｒの範囲内に設定される。ガス状フッ素化
剤の圧力を１〜７６０Ｔｏｒｒの範囲内に限定したのは
反応進行度、即ちフッ化物層１２の厚さの制御を容易に
するためである。
にフッ化物層１２を形成する。このフッ化物層１２の形
成は、その多結晶体１１をガス状フッ素化剤雰囲気中
（温度１０〜１００℃）に０．１〜１２０分間保持して
多結晶体１１の表面を改質し、多結晶体１１の表面にフ
ッ化物層１２を形成する。上記ガス状フッ素化剤として
はフッ素ガス、フッ化水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳ
Ｆ4のいずれか、特にフッ素ガス又はフッ化水素ガスを
用いることが好ましく、このガス状フッ素化剤の圧力は
好ましくは１〜７６０Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１０〜
３００Ｔｏｒｒの範囲内に設定される。ガス状フッ素化
剤の圧力を１〜７６０Ｔｏｒｒの範囲内に限定したのは
反応進行度、即ちフッ化物層１２の厚さの制御を容易に
するためである。
【００２０】フッ化物層１２の形成は、多結晶体１１を
真空中又は不活性ガス中で形成し、この多結晶体１１を
大気に暴露させることなくガス状フッ素化剤にて表面処
理することが好ましい。しかし、多結晶体１１を大気に
暴露した場合には、その多結晶体１１を大気中で焼成し
て多結晶体１１を活性化させ、ガス状フッ素化剤にて表
面処理することにより多結晶体１１の表面にフッ化物層
１２を形成することが好ましい。この場合の多結晶体１
１の大気中での焼成温度は２５０〜５５０℃、好ましく
は３５０〜４５０℃であり、焼成時間は０．１〜２４時
間、好ましくは０．２〜１時間である。上記範囲の温度
及び時間で焼成することにより多結晶体１１が活性化さ
れる。このような処理を施すことにより、多結晶体１１
の表面にＦＰＤに有害なＭｇＯ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3
等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）が生成されても、
多結晶体１１を大気中で焼成することにより多結晶体１
１が活性化され、多結晶体１１の表面のＭｇＯ等の炭酸
塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）がＣ
Ｏ2及びＨ2Ｏとして除去される。この状態で多結晶体１
１の表面にフッ化物層１２を形成することにより、多結
晶体１１の表面がフッ化物層１２により保護され、Ｍｇ
Ｏ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）2等）の生成を防止或いは抑制することができる。
真空中又は不活性ガス中で形成し、この多結晶体１１を
大気に暴露させることなくガス状フッ素化剤にて表面処
理することが好ましい。しかし、多結晶体１１を大気に
暴露した場合には、その多結晶体１１を大気中で焼成し
て多結晶体１１を活性化させ、ガス状フッ素化剤にて表
面処理することにより多結晶体１１の表面にフッ化物層
１２を形成することが好ましい。この場合の多結晶体１
１の大気中での焼成温度は２５０〜５５０℃、好ましく
は３５０〜４５０℃であり、焼成時間は０．１〜２４時
間、好ましくは０．２〜１時間である。上記範囲の温度
及び時間で焼成することにより多結晶体１１が活性化さ
れる。このような処理を施すことにより、多結晶体１１
の表面にＦＰＤに有害なＭｇＯ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3
等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）が生成されても、
多結晶体１１を大気中で焼成することにより多結晶体１
１が活性化され、多結晶体１１の表面のＭｇＯ等の炭酸
塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（ＯＨ）2等）がＣ
Ｏ2及びＨ2Ｏとして除去される。この状態で多結晶体１
１の表面にフッ化物層１２を形成することにより、多結
晶体１１の表面がフッ化物層１２により保護され、Ｍｇ
Ｏ等の炭酸塩（ＭｇＣＯ3等）や水酸化物（Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）2等）の生成を防止或いは抑制することができる。
【００２１】このように製造されたＦＰＤの保護膜用蒸
着材１０では、多結晶体１１の表面がフッ化物層１２に
より被覆されるため、この蒸着材１０が大気中に長時間
曝されても、多結晶体１１が大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏ
ガスと殆ど反応しない。この結果、真空成膜容器内部に
この蒸着材１０を設置した後行われる脱ガス排気処理を
従来より短縮することが可能になり、ＦＰＤの製造コス
トを低減できる。また、この蒸着材１０では多結晶体１
１の表面が変質しないことから、電子ビーム蒸着法、イ
オンプレーティング法等により保護膜をＦＰＤに成膜す
る際に、Ｈ2Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純
物ガスを発生させることなく蒸着材１０が蒸発するの
で、高速安定性膜が可能となり、かつ膜の緻密性は向上
する。また上記蒸着材１０を用いて成膜した基板をＰＤ
Ｐに組み込んだとき、放電時の耐スパッタ性を向上でき
る。従って、上記保護膜はＡＣ型ＰＤＰの保護膜の成膜
に好適であり、また高機能セラミック材料の保護膜など
にも適用できる。
着材１０では、多結晶体１１の表面がフッ化物層１２に
より被覆されるため、この蒸着材１０が大気中に長時間
曝されても、多結晶体１１が大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏ
ガスと殆ど反応しない。この結果、真空成膜容器内部に
この蒸着材１０を設置した後行われる脱ガス排気処理を
従来より短縮することが可能になり、ＦＰＤの製造コス
トを低減できる。また、この蒸着材１０では多結晶体１
１の表面が変質しないことから、電子ビーム蒸着法、イ
オンプレーティング法等により保護膜をＦＰＤに成膜す
る際に、Ｈ2Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純
物ガスを発生させることなく蒸着材１０が蒸発するの
で、高速安定性膜が可能となり、かつ膜の緻密性は向上
する。また上記蒸着材１０を用いて成膜した基板をＰＤ
Ｐに組み込んだとき、放電時の耐スパッタ性を向上でき
る。従って、上記保護膜はＡＣ型ＰＤＰの保護膜の成膜
に好適であり、また高機能セラミック材料の保護膜など
にも適用できる。
【００２２】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。ここでは、多結晶体を用いた例を示すが、単
結晶体でも同様であり、発明内容を限定するものではな
い。 ＜比較例１〜２９＞表３及び表４の材料欄に示すＭｇ
Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物
若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希
土類酸化物の複合酸化物のいずれかの粉末を準備した。
この粉末にバインダとしてのポリビニールブチラールと
分散剤としてのエタノールを添加し、撹拌ミルで１時間
湿式混合し、濃度が５０％の混合スラリーに調製した。
この混合スラリーをスプレードライヤで噴霧乾燥して造
粒することにより造粒粉末を得た。この造粒粉末を金型
（内径が６ｍｍで深さが３ｍｍの金型）に充填し、メカ
ニカルプレスで成形して成形体を作製した。この成形体
を大気雰囲気中、１６５０℃に昇温し、焼結炉（広築社
製）で３時間焼結することにより直径が約５ｍｍの多結
晶体１１を得た。これらの多結晶体１１単体から成り、
フッ化物層１２を有しない蒸着材を比較例１〜２９とし
た。
説明する。ここでは、多結晶体を用いた例を示すが、単
結晶体でも同様であり、発明内容を限定するものではな
い。 ＜比較例１〜２９＞表３及び表４の材料欄に示すＭｇ
Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化物
若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び希
土類酸化物の複合酸化物のいずれかの粉末を準備した。
この粉末にバインダとしてのポリビニールブチラールと
分散剤としてのエタノールを添加し、撹拌ミルで１時間
湿式混合し、濃度が５０％の混合スラリーに調製した。
この混合スラリーをスプレードライヤで噴霧乾燥して造
粒することにより造粒粉末を得た。この造粒粉末を金型
（内径が６ｍｍで深さが３ｍｍの金型）に充填し、メカ
ニカルプレスで成形して成形体を作製した。この成形体
を大気雰囲気中、１６５０℃に昇温し、焼結炉（広築社
製）で３時間焼結することにより直径が約５ｍｍの多結
晶体１１を得た。これらの多結晶体１１単体から成り、
フッ化物層１２を有しない蒸着材を比較例１〜２９とし
た。
【００２３】＜実施例１〜２９＞比較例１〜２９と同一
の手順により比較例１〜２９と同一の複数種類の多結晶
体１１を得た。これら複数種類の多結晶体１１を、圧力
が３５ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度２５℃）に１
０分間保持してそれぞれの多結晶体１１の表面を改質
し、多結晶体１１の表面にフッ化物層１２をそれぞれ形
成した。このように多結晶体１１の表面がフッ化物層１
２で覆われた蒸着材１０を実施例１〜２９とした。この
実施例１〜２９におけるそれぞれの多結晶体１１の材料
を表１及び表２に示す。
の手順により比較例１〜２９と同一の複数種類の多結晶
体１１を得た。これら複数種類の多結晶体１１を、圧力
が３５ＴｏｒｒのＨＦガス雰囲気中（温度２５℃）に１
０分間保持してそれぞれの多結晶体１１の表面を改質
し、多結晶体１１の表面にフッ化物層１２をそれぞれ形
成した。このように多結晶体１１の表面がフッ化物層１
２で覆われた蒸着材１０を実施例１〜２９とした。この
実施例１〜２９におけるそれぞれの多結晶体１１の材料
を表１及び表２に示す。
【００２４】＜比較試験１＞比較例１〜２９及び実施例
１〜２９におけるそれぞれの蒸着材１０が得られた時点
でその重量を測定し、その後７日間大気中に放置し、７
日後の重量を再び測定し、重量の増加率（％）を計算し
た。この結果を表１〜表４に示す。 ＜比較試験２＞次に、７日間大気中に放置された比較例
１〜２９及び実施例１〜２９におけるそれぞれの蒸着材
１０を用い、電子ビーム蒸着法によりガラス基板２１に
成膜した。なお、保護膜２４の成膜条件は、真空成膜容
器内部に蒸着材１０を設置した後に蒸着材を加熱しなが
ら脱ガス排気処理を１０分間実施し、その後加速電圧が
１５ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2Ｐａ、蒸着距離が６０
０ｍｍの条件で成膜した。これらガラス基板２０上の膜
の成膜速度及び相対密度を以下の方法で測定した。即
ち、成膜速度（Å／sec）は得られた膜の断面を高分解
能ＳＥＭにより観察して、膜厚（Å）を求め、成膜時間
（sec）で除して算出した。相対密度（％）は、材料の
真密度（ｇ／ｃｍ3）との比より算出した。蒸着材が２
成分の単純な混合物で構成される場合（例えばＭｇＯ＋
ＣａＯ）、Ａ成分とＢ成分の存在比を求め、Ａ成分（真
密度αｇ／ｃｍ3）がＸ、Ｂ成分（真密度βｇ／ｃｍ3）
が（１−Ｘ）の場合膜の真密度を｛Ｘα＋（１−Ｘ）
β｝（ｇ／ｃｍ3）として算出した。これらの結果を表
１〜表４に示す。
１〜２９におけるそれぞれの蒸着材１０が得られた時点
でその重量を測定し、その後７日間大気中に放置し、７
日後の重量を再び測定し、重量の増加率（％）を計算し
た。この結果を表１〜表４に示す。 ＜比較試験２＞次に、７日間大気中に放置された比較例
１〜２９及び実施例１〜２９におけるそれぞれの蒸着材
１０を用い、電子ビーム蒸着法によりガラス基板２１に
成膜した。なお、保護膜２４の成膜条件は、真空成膜容
器内部に蒸着材１０を設置した後に蒸着材を加熱しなが
ら脱ガス排気処理を１０分間実施し、その後加速電圧が
１５ｋＶ、蒸着圧力が１×１０-2Ｐａ、蒸着距離が６０
０ｍｍの条件で成膜した。これらガラス基板２０上の膜
の成膜速度及び相対密度を以下の方法で測定した。即
ち、成膜速度（Å／sec）は得られた膜の断面を高分解
能ＳＥＭにより観察して、膜厚（Å）を求め、成膜時間
（sec）で除して算出した。相対密度（％）は、材料の
真密度（ｇ／ｃｍ3）との比より算出した。蒸着材が２
成分の単純な混合物で構成される場合（例えばＭｇＯ＋
ＣａＯ）、Ａ成分とＢ成分の存在比を求め、Ａ成分（真
密度αｇ／ｃｍ3）がＸ、Ｂ成分（真密度βｇ／ｃｍ3）
が（１−Ｘ）の場合膜の真密度を｛Ｘα＋（１−Ｘ）
β｝（ｇ／ｃｍ3）として算出した。これらの結果を表
１〜表４に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】
【表４】
【００２９】表１〜表４から明らかなように、比較例１
〜２９に比較してその比較例１〜２９に対応する実施例
１〜２９の重量増加率は著しく低いことが判る。蒸着材
の重量は、多結晶体が大気中にのＣＯ2やＨ2Ｏと反応し
て変質することにより増加するため、重量増加率が高い
比較例１〜２９における蒸着材の表面はかなり変質した
ものと解される。一方、実施例１〜２９における蒸着材
の重量増加率は著しく低いので、その多結晶体の変質の
程度が比較例１〜２９に比較して低いことが判る。これ
は多結晶体の表面をフッ化物層で覆ったことに起因する
ものと考えられる。また、実施例１〜２９の成膜速度は
比較例１〜２９に比較して高く、かつ相対密度も高いこ
とが判る。これは、保護膜２４の成膜に際に、実施例１
〜２９の蒸着材１０は比較例１〜２９の蒸着材に比較し
て不純物ガスの発生が少ないことに起因していると考え
られる。これにより本発明の蒸着材を用いて保護膜が形
成されたＦＰＤでは、膜の耐スパッタ性が高くなり、そ
の寿命が向上することが判る。
〜２９に比較してその比較例１〜２９に対応する実施例
１〜２９の重量増加率は著しく低いことが判る。蒸着材
の重量は、多結晶体が大気中にのＣＯ2やＨ2Ｏと反応し
て変質することにより増加するため、重量増加率が高い
比較例１〜２９における蒸着材の表面はかなり変質した
ものと解される。一方、実施例１〜２９における蒸着材
の重量増加率は著しく低いので、その多結晶体の変質の
程度が比較例１〜２９に比較して低いことが判る。これ
は多結晶体の表面をフッ化物層で覆ったことに起因する
ものと考えられる。また、実施例１〜２９の成膜速度は
比較例１〜２９に比較して高く、かつ相対密度も高いこ
とが判る。これは、保護膜２４の成膜に際に、実施例１
〜２９の蒸着材１０は比較例１〜２９の蒸着材に比較し
て不純物ガスの発生が少ないことに起因していると考え
られる。これにより本発明の蒸着材を用いて保護膜が形
成されたＦＰＤでは、膜の耐スパッタ性が高くなり、そ
の寿命が向上することが判る。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、多
結晶体の表面をフッ化物層で覆ったので、大気中に長時
間曝されても多結晶体が大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガス
と反応することはない。この結果、真空成膜容器内部に
この蒸着材を設置した後の蒸着材からの有害物質の発生
は従来より抑制され、この有害物質を除去するために従
来から行われている脱ガス排気処理を短縮又は脱ガス処
理工程を省くことが可能になり、ＦＰＤの製造コストを
低減できる。また、電子ビーム蒸着法、イオンプレーテ
ィング法等により保護膜をＦＰＤに成膜する際に、Ｈ2
Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスを発生
させることなく蒸着材か蒸発するので、高速安定性膜が
可能となり、かつ膜の緻密性は向上し、特性が安定した
均一な成膜が可能になる。更に上記蒸着材を用いてＦＰ
Ｄを製造すれば、ＦＰＤの製造工数を大幅に低減できる
ので、安価にＦＰＤを製造できる。
結晶体の表面をフッ化物層で覆ったので、大気中に長時
間曝されても多結晶体が大気中のＣＯ2ガスやＨ2Ｏガス
と反応することはない。この結果、真空成膜容器内部に
この蒸着材を設置した後の蒸着材からの有害物質の発生
は従来より抑制され、この有害物質を除去するために従
来から行われている脱ガス排気処理を短縮又は脱ガス処
理工程を省くことが可能になり、ＦＰＤの製造コストを
低減できる。また、電子ビーム蒸着法、イオンプレーテ
ィング法等により保護膜をＦＰＤに成膜する際に、Ｈ2
Ｏ，Ｈ2，Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2，Ｎ2等の不純物ガスを発生
させることなく蒸着材か蒸発するので、高速安定性膜が
可能となり、かつ膜の緻密性は向上し、特性が安定した
均一な成膜が可能になる。更に上記蒸着材を用いてＦＰ
Ｄを製造すれば、ＦＰＤの製造工数を大幅に低減できる
ので、安価にＦＰＤを製造できる。
【図１】本発明の蒸着材の断面図。
【図２】メカニカルプレス法により多結晶体を成形する
工程図。
工程図。
１０ 蒸着材 １１ 多結晶体 １２ フッ化物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 11/02 Ｂ 11/02 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ Ｆターム(参考） 4G030 AA05 AA07 AA08 AA09 AA10 AA11 AA58 BA01 GA32 GA35 4K029 BA43 CA01 CA03 DB21 GA00 5C027 AA07 5C040 FA01 FA09 GE07 GE08 JA07 KA04 KB01 KB08 KB19 MA23 MA26
Claims (6)
- 【請求項１】 表面がフッ化物層(12)で覆われた多結晶
体(11)，焼結体又は単結晶体により形成されたＦＰＤの
保護膜用蒸着材。 - 【請求項２】 多結晶体(11)，焼結体又は単結晶体が、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸
化物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及
び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成され
た請求項１記載のＦＰＤの保護膜用蒸着材。 - 【請求項３】 フッ化物層(12)がガス状フッ素化剤とＭ
ｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アルカリ土類複合酸化
物若しくは希土類酸化物，又はアルカリ土類酸化物及び
希土類酸化物の複合酸化物のいずれかとの反応によって
得られた請求項２記載のＦＰＤの保護膜用蒸着材。 - 【請求項４】 ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，アル
カリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物，又はアルカ
リ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれか
の多結晶体(11)，焼結体又は単結晶体を形成する工程
と、 前記多結晶体(11)，焼結体又は単結晶体をガス状フッ素
化剤にて表面処理することにより前記多結晶体(11)，焼
結体又は単結晶体の表面にフッ化物層(12)を形成する工
程とを含むＦＰＤの保護膜用蒸着材の製造方法。 - 【請求項５】 ガス状フッ素化剤がフッ素ガス、フッ化
水素ガス、ＢＦ3、ＳｂＦ5又はＳＦ4のいずれかである
請求項４記載のＦＰＤの保護膜用蒸着材の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし３いずれか記載の蒸着材
又は請求項４若しくは請求項５に記載された方法により
得られた蒸着材(10)を用いて保護膜が形成されたＦＰ
Ｄ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001163910A JP4419343B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-05-31 | Ｆｐｄの保護膜用蒸着材及びその製造方法 |
| TW090117269A TW592840B (en) | 2000-07-12 | 2001-07-11 | Protective film for FPD, vapor deposited material for production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film |
| US09/901,908 US6828588B2 (en) | 2000-07-12 | 2001-07-11 | Protective film for FPD, vapor deposition material for protective film and its production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film |
| KR1020010041733A KR20020006479A (ko) | 2000-07-12 | 2001-07-11 | 에프피디용 보호막, 보호막용 증착재 및 그 제조방법,에프피디, 그리고 에프피디용 보호막의 제조장치 |
| US10/642,618 US6965125B2 (en) | 2000-07-12 | 2003-08-19 | Protective film for FPD, vapor deposition material for protective film and its production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-16910 | 2001-01-25 | ||
| JP2001016910 | 2001-01-25 | ||
| JP2001163910A JP4419343B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-05-31 | Ｆｐｄの保護膜用蒸着材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002294432A true JP2002294432A (ja) | 2002-10-09 |
| JP4419343B2 JP4419343B2 (ja) | 2010-02-24 |
Family
ID=26608286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001163910A Expired - Fee Related JP4419343B2 (ja) | 2000-07-12 | 2001-05-31 | Ｆｐｄの保護膜用蒸着材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4419343B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049121A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Ulvac, Inc. | プラズマディスプレイパネル用保護膜及びその保護膜の製造方法、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| KR100603354B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pdp 보호막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 pdp 보호막, 보호막의 제조방법, 및 이를 채용한 pdp |
| KR100647604B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조한 플라즈마디스플레이 패널의 보호막 |
| JP2007100173A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Ulvac Japan Ltd | 蒸発材料及びその製造方法並びにその保管方法 |
| WO2009044456A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに放電安定化粉体 |
| WO2010008020A1 (ja) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | 宇部マテリアルズ株式会社 | ストロンチウム・カルシウム複合酸化物膜製造用の蒸着材 |
| JP2011146194A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Ube Material Industries Ltd | ストロンチウムとカルシウムとを含む酸化物膜製造用の蒸着材 |
-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001163910A patent/JP4419343B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100603354B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pdp 보호막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 pdp 보호막, 보호막의 제조방법, 및 이를 채용한 pdp |
| KR100647604B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조한 플라즈마디스플레이 패널의 보호막 |
| WO2006049121A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Ulvac, Inc. | プラズマディスプレイパネル用保護膜及びその保護膜の製造方法、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US7626337B2 (en) | 2004-11-05 | 2009-12-01 | Ulvac, Inc. | Protective film for plasma display panel and method for manufacturing this protective film, and plasma display panel and method for manufacturing thereof |
| JP2007100173A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Ulvac Japan Ltd | 蒸発材料及びその製造方法並びにその保管方法 |
| WO2009044456A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Hitachi, Ltd. | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、並びに放電安定化粉体 |
| JP4945641B2 (ja) * | 2007-10-02 | 2012-06-06 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US8207672B2 (en) | 2007-10-02 | 2012-06-26 | Hitachi, Ltd | Plasma display panel having a discharge stabilizer powder and method of manufacturing the same |
| WO2010008020A1 (ja) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | 宇部マテリアルズ株式会社 | ストロンチウム・カルシウム複合酸化物膜製造用の蒸着材 |
| JP5543348B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2014-07-09 | 宇部マテリアルズ株式会社 | ストロンチウム・カルシウム複合酸化物膜製造用の蒸着材 |
| KR101609010B1 (ko) * | 2008-07-15 | 2016-04-04 | 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 | 스트론튬·칼슘 복합 산화물막 제조용 증착재 |
| JP2011146194A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Ube Material Industries Ltd | ストロンチウムとカルシウムとを含む酸化物膜製造用の蒸着材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4419343B2 (ja) | 2010-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6965125B2 (en) | Protective film for FPD, vapor deposition material for protective film and its production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film | |
| JP3941289B2 (ja) | Ｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜及びその製造方法並びにこれを用いたｐｄｐ又はｐａｌｃ | |
| JP3893793B2 (ja) | ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法 | |
| JP4419343B2 (ja) | Ｆｐｄの保護膜用蒸着材及びその製造方法 | |
| JP3470633B2 (ja) | ＭｇＯを主成分とする蒸着材及びその製造方法 | |
| JP3331584B2 (ja) | 多結晶ＭｇＯ蒸着材 | |
| JP3991504B2 (ja) | Ｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜の製造方法及びそのｐｄｐ又はｐａｌｃ用保護膜並びにこれを用いたｐｄｐ又はｐａｌｃ | |
| JP4575035B2 (ja) | 単結晶酸化マグネシウム焼結体及びその製造方法並びにプラズマディスプレイパネル用保護膜 | |
| JP4147988B2 (ja) | Ｆｐｄの保護膜用蒸着材およびその製造方法 | |
| JPH07196365A (ja) | Ｉｔｏ焼結体ならびにｉｔｏ透明電導膜およびその膜の形成方法 | |
| JP3359268B2 (ja) | 真空成膜用ペレット、ＭｇＯ焼結体の製造方法およびＭｇＯ薄膜の真空成膜方法 | |
| JP5320761B2 (ja) | 酸化亜鉛系焼結体タブレットおよびその製造方法 | |
| JP4075647B2 (ja) | Ｆｐｄ用保護膜の製造方法 | |
| KR0141194B1 (ko) | 스퍼터링용 타아게트의 제조방법 | |
| US6649270B2 (en) | SiC jig for use in heat treatment | |
| JP4991096B2 (ja) | ＭｇＯ蒸着材 | |
| JP2006069811A (ja) | 単結晶酸化マグネシウム焼結体及びプラズマディスプレイパネル用保護膜 | |
| JPH11335824A (ja) | ＭｇＯを主成分とするタ−ゲット材料およびその製造方法 | |
| JP2009256195A (ja) | Ｓｒ−Ｃａ−Ｏ焼結体 | |
| JP2789285B2 (ja) | 高密度酸化インジウムスズ焼結体の製造方法 | |
| JP2007100173A (ja) | 蒸発材料及びその製造方法並びにその保管方法 | |
| JP2006022374A (ja) | 単結晶酸化マグネシウム焼結体及びその製造方法並びにプラズマディスプレイパネル用保護膜 | |
| JP5417720B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を用いて蒸着膜を形成する方法 | |
| KR101080439B1 (ko) | ＰＤＰ보호막용 ＭｇＯ계 나노분말의 제조방법 | |
| JP2014097920A (ja) | 酸化亜鉛系粉末および酸化亜鉛系焼結体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081215 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091110 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091123 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131211 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |