KR100560458B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 임의의 간격을 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판 위에 형성되는 복수의 어드레스 전극들; 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판 전면에 형성되는 제1 유전층; 상기 제1 유전층과 소정의 높이로 제공되며, 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되어 소정 간격으로 구획된 방전 공간을 형성하는 복수의 격벽들; 상기 방전 공간내에 형성되는 형광층; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 직교상태로 배치되는 복수의 방전 유지 전극들; 상기 방전 유지 전극들을 덮으면서 상기 제2 기판 전면에 형성되는 제2 유전층; 및 상기 제2 유전층을 덮어서 형성되고, 표면거칠기(Rms)가 60 내지 250 Å인 MgO 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 MgO 보호막 형성시 특정범위로 표면거칠기를 조절하여 내스퍼터 성능이 우수하고 전자방출 특성을 향상시켜 표시품질의 향상을 도모할 수 있다.
플라즈마, 디스플레이, 보호막, 표면거칠기, 전자방출

Description

플라즈마 디스플레이 패널 {PLASMA DISPLAY PANEL}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상부기판의 사시도이다.
도 2 내지 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막 표면을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막과 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서의 MgO 보호막에 대한 내스퍼터 성능을 비교하여 나타낸 것이다.
도 6은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 부분 분해 사시도이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표면거칠기를 제어하여 비표면적을 증가시킴으로써 전자방출성능을 향상시킬 수 있는 MgO 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; plasma display panel, 이하 'PDP'라 한다)은 방전 셀 내에서 일어나는 기체 방전에 의한 진공 자외선으로 형광 체를 여기시켜 화상을 구현하는 표시장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시장치로 각광을 받고 있다
플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 기체 방전 시에 생기는 플라즈마로부터 나오는 빛을 이용하여 문자 또는 그래픽을 표시하는 장치로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전공간에 설치된 두 전극에 소정의 전압을 인가하여 이들 사이에서 플라즈마 방전이 일어나도록 하고, 이 플라즈마 방전 시 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성한다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이는 크게 교류형(AC type), 직류형(DC type) 및 혼합형(Hybrid type)으로 나누어지며, 이중에서 교류형이 가장 널리 사용되고 있다. 도 6은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 분해 사시도이다. 도 6을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 하부기판(111), 하부기판(111) 위에 형성된 복수의 어드레스 전극(115), 이 어드레스 전극(115)이 형성된 하부기판(111) 위에 형성된 제1 유전층(119), 이 제1 유전층(119) 상부에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 크로스 토크(cross talk)를 방지하는 복수의 격벽(123)과 격벽(123) 표면에 형성된 형광층(125)을 포함한다. 복수의 방전유지전극(117)은 하부기판(111) 상에 형성된 복수의 어드레스 전극(115)과 소정 간격으로 이격되어 직교하도록 상부기판(113) 하부에 형성된다. 그리고 제2 유전층(121) 및 보호막(127)이 순차적으로 방전유지전극(117)을 덮고 있다. 특히, 보호막(127)으로는 가시광선이 잘 투과될 수 있도록 투명할 뿐만 아니라 유전층 보호 및 2차 전자 방출 성능이 우수한 MgO를 주로 사용하고 있으며, 최근에는 다른 재료로 이루어진 보호막의 연구도 이루어지고 있다.
여기서의 MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 동작 중의 방전 시 방전가스의 이온충격으로 인한 영향을 완화시킬 수 있는 내스퍼터링 특성을 가져 이온 충돌로부터 유전층을 보호하고 2차 전자의 방출을 통하여 방전 전압을 낮추는 역할을 하는 투명 보호 박막으로서, 6000∼8000 Å 두께로 유전층을 덮어서 형성한다. MgO 보호막은 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법) 및 졸-겔(sol-gel)법 등을 사용하여 형성하고 있으며, 최근에는 이온 플레이팅(ion plating) 방식이 개발되어 사용되고 있다.
여기서, 전자빔 증착법은 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 MgO 증착 재료에 충돌시켜 증착 재료를 가열 및 증발시킴으로써 MgO 보호막을 형성하는 방법이다. 스퍼터링법의 경우, 전자빔 증착법에 비하여 보호막이 치밀하며 결정배향에 유리한 특성을 지닌다는 이점이 있지만, 제조 공정시의 단가가 높은 문제점이 있다. 졸-겔법의 경우, 액상으로 MgO 보호막을 제조한다.
상기한 다양한 MgO 보호막의 형성 방식에 대한 대안으로 이온 플레이팅법이 최근 시도되고 있는데, 이온 플레이팅법에서는 증발되는 입자를 이온화하여 성막시킨다. 이온 플레이팅법은 MgO 보호막의 밀착성과 결정성에 대해서 스퍼터링법과 비슷한 특성을 가지지만, 증착을 8nm/s의 고속으로 행할 수 있다는 이점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 MgO 보호막의 표면거칠기를 특정범위로 조절함으로써 전자방출특성을 향상시키고, 방전 개시전압과 방전 유기전압을 낮추는 효과가 있으며, 내스퍼터 성능이 우수하여 표시품질을 개선할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 보호막인 MgO 박막 형성시 표면 거칠기 제어로 점등되어야 할 각 셀들이 점등하지 않는 등의 특정 셀에 있어서 방전불능 상태를 제어하고 표시품질을 개선하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
임의의 간격을 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
상기 제1 기판 위에 형성되는 복수의 어드레스 전극들;
상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판 전면에 형성되는 제1 유전층;
상기 제1 유전층과 소정의 높이로 제공되며, 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되어 소정 간격으로 구획된 방전 공간을 형성하는 복수의 격벽들;
상기 방전 공간내에 형성되는 형광층;
상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 직교상태로 배치되는 복수의 방전 유지 전극들;
상기 방전 유지 전극들을 덮으면서 상기 제2 기판 전면에 형성되는 제2 유전층; 및
상기 제2 유전층을 덮어서 형성되고, 표면거칠기(Rms)가 60 내지 250 Å인 MgO 보호막
을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 PDP 보호막 형성시 가열 증착방식에 의한 주상 결정구조를 가진 막의 표면거칠기를 특정 범위로 제어함에 따라 표시품위를 향상시킬 수 있는 MgO 보호막에 관한 것이다.
표면거칠기가 증가되면 비표면적이 증가하게 되어 전자방출성능이 향상된다. 또한, 플라즈마 디스플레이 표시장치의 표시품위와 안정성을 향상시키기 위해, 높은 전자방출성을 가지는 내 스퍼터성능이 우수한 보호막을 적용하는 것이 주목받고 있다.
따라서, 본 발명은 특정 표면거칠기 범위에서 종래의 내스퍼터 성능을 유지하면서 전자방출성능을 향상시킬 수 있는 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 종래와 표면거칠기를 다르게 제조한 MgO 보호막에서의 방전특성을 어드레스(address) 방전지연특성으로 비교한 결과, 표면거칠기(Rms)가 60 ∼ 250 Å의 범위에서 높은 전자방출성을 가지면서 내 스퍼터 성능이 향상되는 것을 확인하였다. 특히, 본 발명에 따르면 보호막의 표면거칠기(Rms)가 150 ∼ 200 Å 사이에서 가장 뛰어난 특성을 가진다.
이렇게, 본 발명은 주상 결정구조를 가진 전자방출성의 얇은 막을 형성 시 상기 범위내로 표면거칠기를 조절하고 종래에 비해 표면거칠기가 증가됨에 따라 비표면적이 증가하게 되어 전자방출성능이 향상되고, 방전 개시전압과 방전 유지전압을 낮추는 효과를 기대할 수 있다. 이때, 표면거칠기가 과도하게 증가된 경우 국부적인 전류집중을 야기하는 부작용이 있으며, 그에 따른 국부적인 막손실을 유도하여 특정부위에서의 스퍼터링 증가에 의한 수명저하를 야기하게 된다.
상기 MgO 보호막은 가열 증착방식에 의한 전자방출특성을 갖는 얇은 막으로서, 본 발명에서 MgO 보호막을 형성하는 방법은 전자빔 증착(EB), 이온 플레이팅(ion plating), 스퍼터, 이온빔지원퇴적법(ion beam assisted deposition, IBAD), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 중에서 선택된 가열증착법을 사용할 수 있으나, 바람직하게는 이온 플레이팅(Ion Plating) 방법을 사용한다.
특히, 본 발명에서 표면거칠기를 제어하는 방법은 그 온도, 반송속도, 가스분압 등의 조건을 특정하여 상기한 범위로 조절한다. 본 발명은 상기 표면거칠기를 제어할 때 그 온도는 200 내지 350 ℃, 바람직하게는 250 내지 300 ℃로 조절한다. 또한, 상기 반송속도는 상기한 MgO 보호막 형성방법에 의해 조건이 달라질 수 있으며, 그 조건이 특별히 한정되지는 않는다. 상기 표면거칠기 제어시 가스분압은, 바람직하게 수소분압은 8×10-7 내지 3×10-6 torr, 보다 바람직하게는 1×10-6 내지 2×10-6 torr 범위로 조절하는 것이 바람직하다.
상기에서 얻어진 본 발명의 MgO 보호막의 두께는 500nm 내지 9000nm이다. 또한, 본 발명의 전자방출성의 얇은 막으로 형성된 MgO 보호막의 투과율은 90% 이 상이고, 640nm에서 1.45 ∼ 1.74의 굴절률을 가진다.
또한, 본 발명의 MgO 보호막은 혼정막(a grown film with mixed crystalline orientation)이다.
상기 보호막의 표면 그레인 크기(Grain size)는 70 내지 350 nm이다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 상기 보호막을 갖는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 페널의 바람직한 일실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 상기한 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판 부분만을 따로 떼어 도시하여 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 상부기판(13) 상에 복수의 방전유지 전극(17), 제2 유전층(21), 및 본 발명의 60 내지 250 Å의 표면거칠기(Rms)를 갖는 보호막(27)이 차례로 형성되어 있다. 도 1에서는 편의상 이해를 돕기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상부기판을 180도 뒤집어 도시한다.
도 1에는 도시하지 않았지만, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 상부기판과는 별도로 상부 기판(13)에 대응하는 하부 기판에는 상기 방전유지 전극들(17)과 수직으로 교차하는 복수의 또 다른 전극을 형성하고, 그 위에 유전층을 덮은 다음 격벽을 형성한 후, 격벽 사이에 형광체층을 도포하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 하부기판을 제조한다.
즉, 다시 설명하면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 임의의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판(이하, 제1 기판 및 제 2 기판을 편의상 각각 "하부기판" 및 "상부 기판"이라 함)을 포함한다.
또한, 상기 하부 기판 위의 대향면에는 서로 교차하도록 배열되는 복수의 어드레스 전극들이 형성된다. 또한, 상기 하부기판 전면에는 복수의 어드레스 기판들을 각각 덮으면서 제1 유전층이 형성되어 있다. 상기 제1 유전층위에는 상기 제1 유전층과 소정의 높이로 제공되며, 하부기판과 상부기판의 사이 공간에 배치되어 소정 간격으로 구획된 방전 공간을 형성하는 복수의 격벽들이 형성되고, 상기 방전 공간내인 유전층 상부와 격벽 측면에는 형광층이 형성되어 있다.(도면에는 도시하지 않음)
또한, 상기 하부 기판판에 대향하는 상부기판의 일면에는 상기 어드레스 전극들과 서로 직교상태로 배치되는 복수의 방전 유지 전극들이 형성되고, 상기 방전유지 전극들을 덮으면서 상기 상부기판의 전면에는 제2 유전층이 형성되어 있다. 그리고, 상기 제2 유전층 위에는 그 위를 덮으면서 표면거칠기가 60 내지 250 Å Rms인 본 발명의 MgO 보호막이 형성되어 있다.
이와 같이 제조한 플라즈마 디스플레이 패널 상부기판 및 하부기판의 가장자리를 프릿으로 도포하여 양 기판을 봉착하고, Ne 나 Xe 등의 방전가스를 주입함으로써 플라즈마 디스플레이 패널을 제조한다.
이와 같이 제조한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 전극들로부터 구동 전압을 인가받아 이들 전극들 사이에 어드레스 방전을 일으켜서 유전층에 벽전하를 형성하고, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들에서 상부기판에 형성한 한 쌍의 전극에 교반적으로 공급되는 교류 신호에 의하여 이들 전극들간에 서스테인 방전을 일으킨다. 이에 따라 방전셀을 형성하는 방전 공간에 충진된 방전 가스가 여기되고 천이되면서 자외선을 발생시키고, 자외선에 의한 형광체의 여기로 가시광선을 발생시키면서 화상을 구현하게 된다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는 보호막 형성 영역 안쪽에 복수의 전극이 서로 교차하여 픽셀을 이루고 이들이 모여서 표시영역을 형성하며, 그 주변부에는 비표시영역을 형성한다. 기판(13) 상에 형성된 복수의 전극(17)은 FPC(flexible printed circuit, 연성회로기판)(미도시)와 연결될 수 있도록 그 단자부가 유전층(21)의 좌우로 인출되어 있다.
상술한 구조를 갖는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 당해 분야에 널리 알려진 바이고, 당해 분야에 종사하는 사람들에게는 충분히 이해될 수 있는 내용이므로, 본 명세서에서 상세한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 본 발명의 주요특징인 MgO 보호막의 형성 공정에 대해서만 하기에서 상세히 설명한다.
상기 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널에서 유전체층의 표면을 덮어 방전기간 중 방전가스의 이온충격으로부터 유전체층을 보호하는 역할을 한다.
상술한 바와 같은 보호막은 기본재료로서 내스퍼터링 특성과 큰 2차전자 방출계수를 가진 MgO를 사용한다.
MgO 재료는 단결정 또는 소결체 형태의 것을 사용할 수 있으나, MgO 단결정 재료의 경우, 증착을 위한 용융시 냉각 속도에 의한 고용 한계의 차이로 인하여 특정 도펀트(dopant)의 정량제어가 어려운 문제점이 있어서, 바람직하게는 소결체 MgO 재료 제조시에 특정 도펀트를 정량적으로 첨가한 MgO 소결체 재료를 사용하여 이온 플레이팅 방식으로 MgO 보호막을 제조할 수 있다.
MgO 보호막 증착재료는 펠렛 형태로 성형한 후, 소결한 것이 사용되고 있으며, 펠렛의 크기 및 형태에 따라 펠렛의 분해 속도가 달라서 보호막 증착 속도 등 여러 면에서 큰 차이점이 있으므로, 펠렛의 크기 및 형태를 최적화하여 제조하는 것이 바람직하다.
또한, MgO 보호막은 방전가스에 접촉되므로 보호막을 구성하는 성분과 막 특성은 방전특성에 크게 영향을 미칠 수 있다. 이때 MgO 보호막 특성은 성분과 증착 시의 성막 조건에 크게 의존한다. 따라서 목적하는 막 특성 향상에 부합하도록 최적의 성분을 사용하는 것이 좋다.
이때, 본 발명은 상기한 것처럼, MgO 보호막은 표면거칠기기 60 내지 250 Å Rms가 되도록 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법) 등의 가열증착법 사용하여 형성할 수 있으며, 가장 바람직하게는 이온 플레이팅(ion plating) 방법이 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
소다석회 유리로 제조된 상부 기판 위에 인듐 틴 옥사이드 도전체 재료를 이용하여 방전 유지 전극을 통상의 방법으로 스트라이프 상으로 형성하였다.
이어서, 납계 유리의 페이스트를 상기 방전 유지 전극이 형성된 상부 기판의 전면에 걸쳐 코팅하고 소성하여 제2 유전층을 형성하였다.
이후, 상기 제2 유전층위에 이온 플레이팅 방법을 이용하여 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 표면거칠기(Rms)가 185 Å인 MgO 보호막을 형성하였다. 표면거칠기는 온도, 반송속도 및 가스분압 등을 제어하여 조절하였고, 측정방법은 AFM으로 분석하였다.
(실시예 2)
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 MgO 보호막의 표면거칠기(Rms)는 186Å 가 되도록 하였다.
(실시예 3)
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하되, 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 MgO 보호막의 표면거칠기(Rms)는 88Å 가 되도록 하였다.
(비교예 1)
일반적인 증착방식에 의해 표면거칠기의 제어가 없이 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 MgO 보호막의 두께는 600nm이고, 표면거칠기(Rms)는 20 Å 인 MgO 보호막을 형성하였다. 이는 일반적인 증착방식에 의한 것으로서 방전지연시간의 증가에 의해 고정세 PDP의 표시품위를 저하시켰다.
(비교예 2)
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 MgO 보호막의 두께는 700nm이고, 표면거칠기(Rms)는 300 Å 인 MgO 보호막을 형성하였다. 이는 과도하게 제어된 상태이며, 이때의 표시품위도 방전지연시간의 증가로 PDP의 표시품위를 저하시키는 동일한 현상이 관찰되었다.
구 분 표면거칠기(Rms)
실시예 1 185 Å
실시예 2 186 Å
실시예 3 88 Å
비교예 1 20 Å
비교예 2 300 Å
(실험예)
상기 실시예 1 내지 3에 따라 제조한 MgO 보호막의 SEM(scanning electron microscope, 주사전자현미경) 사진을 측정하였고, 그 결과는 도 2 내지 4에 나타내었다.
또한, 상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1, 2의 보호막에 대한 전자방출특성(방전특성비교자료) 및 내스퍼터 성능을 통상의 방법으로 측정하여, 그 결과를 도 5에 나타내었다.
도 5의 결과에서 보면, 본 발명의 실시예 1, 2의 경우 MgO 보호막 형성시 표면거칠기가 제어되어 비교예 1, 2에 비하여 이차 전자 방출 특성이 우수함을 알 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 MgO 보호막 형성시 특정범위로 표면거칠기를 조절하여 내스퍼터 성능이 우수하고 전자방출 특성을 향상시켜 표시품질의 향상을 도모할 수 있다.

Claims (8)

  1. 임의의 간격을 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 위에 형성되는 복수의 어드레스 전극들;
    상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1 기판 전면에 형성되는 제1 유전층;
    상기 제1 유전층과 소정의 높이로 제공되며, 제1 기판과 제2 기판의 사이 공간에 배치되어 소정 간격으로 구획된 방전 공간을 형성하는 복수의 격벽들;
    상기 방전 공간내에 형성되는 형광층;
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 직교상태로 배치되는 복수의 방전 유지 전극들;
    상기 방전 유지 전극들을 덮으면서 상기 제2 기판 전면에 형성되는 제2 유전층; 및
    상기 제2 유전층을 덮어서 형성되고, 표면거칠기가 60 내지 250 Å Rms인 MgO 보호막
    을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 MgO 보호막의 투과율이 90% 이상이고, 640nm에서의 굴절율이 1.45 내지 1.74인 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 MgO 보호막의 표면 그레인 크기가 70 내지 350 nm인 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 MgO 보호막의 두께가 500 내지 9000 nm인 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 MgO 보호막이 전자빔 증착(EB), 이온 플레이팅(ion plating), 스퍼터, 이온빔지원퇴적법(ion beam assisted deposition, IBAD), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 중에서 선택된 가열증착법으로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 MgO 보호막의 표면거칠기는 200 내지 350 ℃의 온도범위에서 조절되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 MgO 보호막의 표면거칠기는 가스분압 8×10-7 내지 3×10-6 torr의 범위에서 조절되는 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 가스분압은 수소가스분압인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
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