KR100884533B1 - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 기판 위에 형성되는 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극에 교차하며 제2 기판 위에 형성되는 한 쌍의 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극, 상기 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 유전체층, 상기 유전체층을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 MgO 보호층, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 존재하는 방전 가스를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널; 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 구동부; 및 상기 구동부를 제어하며, 유지 기간의 유지 방전 펄스 폭을 3.5㎲이하로 하는 구동 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하며, 상기 MgO 보호층은 Mg에 대한 O의 원자비가 1.0 내지 0.98인 플라즈마 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 상기 MgO 보호층의 Mg에 대한 O의 원자비를 1.0 내지 0.98로 조절하여 플라즈마 디스플레이 방전시 어드레스 통계 지연 시간을 최소화시킴으로써 방전 안정성을 개선하고, 화면의 표시 품질을 향상시킨다.
플라즈마디스플레이패널, 플라즈마디스플레이장치, PDP, MgO, 보호층, 통계지연시간, Mg, O, 원자비, 화학양론비

Description

플라즈마 디스플레이 장치{PLASMA DISPLAY DEVICE}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 부분 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유지 기간의 구동 파형도.
도 4는 Mg 원자에 비하여 O 원자가 많이 존재하는 경우 MgO 보호층의 원자 결합 구조를 나타내는 모식도.
도 5는 Mg 원자와 O 원자가 화학양론적 비율로 존재하는 경우 MgO 보호층의 원자 결합 구조를 나타내는 모식도.
도 6은 실시예 2, 3 및 6, 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 플라즈마 디스플레이 장치의 통계 지연 시간을 나타내는 그래프.
도 7은 실시예 2, 3 및 6, 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 플라즈마 디스플레이 장치의 특정 계조에서의 블랙 노이즈(black noise) 발생을 나타내는 그래프.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 방전시 통계 지연 시간을 최소화시킴으로써, 방전 안정성을 개선하고, 화면의 표시 품질을 향상시키는 플라즈마 디스플레 장치에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 방전 셀 내에서 일어나는 기체 방전에 의한 진공 자외선으로 형광체를 여기시켜 화상을 구현하는 표시장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시장치로 각광을 받고 있다
플라즈마 디스플레이 패널은 기체 방전 시에 생기는 플라즈마로부터 나오는 빛을 이용하여 문자 또는 그래픽을 표시하는 장치로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전공간에 설치된 두 전극에 소정의 전압을 인가하여 이들 사이에서 플라즈마 방전이 일어나도록 하고, 이 플라즈마 방전 시 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성한다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 유전체층을 보호하기 위하여, 유전체층 상부에 보호층을 포함하고 있다. 상기 보호층으로는 가시광선이 잘 투과될 수 있도록 투명할 뿐만 아니라 유전체층 보호 및 2차 전자 방출 성능이 우수한 MgO를 주로 사용하고 있으며, 최근에는 다른 재료로 이루어진 보호층의 연구도 이루어지고 있다.
여기서의 MgO 보호층은 플라즈마 디스플레이 패널 동작 중의 방전 시 방전가스의 이온충격으로 인한 영향을 완화시킬 수 있는 내스퍼터링 특성을 가져 이온 충돌로부터 유전체층을 보호하고 2차 전자의 방출을 통하여 방전 전압을 낮추는 역할을 하는 투명 보호 박막으로서, 5000 내지 9000 Å 두께로 유전체층을 덮어서 형성 한다.
따라서, MgO 보호층을 구성하는 성분과 막 특성은 방전특성에 크게 영향을 미칠 수 있다. 이때 MgO 보호층 특성은 성분과 증착 시의 성막 조건에 크게 의존한다. 따라서 목적하는 막 특성 향상에 부합하도록 최적의 성분을 개발하는 것이 절실히 요구된다.
한편, 응답속도의 개선을 통한 고정세 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 안정성 향상이 중요한 문제가 되고 있다. 고정세 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서는 빠른 스캔 속도에 대응하여 어드레싱이 빠짐없이 진행되어 안정한 방전을 구현하기 위해서는 보다 빠른 응답 속도가 요구된다. 스캔 시간에 반응하는 응답 속도는 형성 지연 시간(Tf)과 통계 지연 시간(Ts)으로 구분할 수 있는데, 상기 지연 시간들의 지연 정도에 따라 전체 응답속도가 결정된다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 방전시 통계 지연 시간을 최소화시킴으로써, 방전 안정성을 개선하고, 화면의 표시 품질을 향상시킨 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 제1 기판 위에 형성되는 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극에 교차하며 제2 기판 위에 형성되는 한 쌍의 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극, 상기 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극을 덮으면서 상기 제 2 기판에 형성되는 유전체층, 상기 유전체층을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 MgO 보호층, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 존재하는 방전 가스를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널; 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 구동부; 및 상기 구동부를 제어하며, 유지 기간의 유지 방전 펄스 폭을 3.5㎲이하로 하는 구동 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하며, 상기 MgO 보호층은 Mg에 대한 O의 원자비가 1.0 내지 0.98인 플라즈마 디스플레이 장치를 제공한다.
상기 유지 방전 펄스 폭은 3.5㎲이하이고, 1 내지 3.0㎲인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 유지 기간은 9㎲이상인 것이 바람직하고, 10 내지 25㎲인 것이 더욱 바람직하다.
상기 유지 기간의 최초 유지 방전 펄스 폭은 7.5㎲ 이하인 것이 바람직하고, 2 내지 7㎲인 것이 더욱 바람직하다.
상기 방전 가스는 Ne 100부피부에 대하여 Xe를 5 내지 30의 부피부로 포함하는 것이 바람직하고, Ne 100 부피부에 대하여 He, Ar, Kr, O2, N2, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 가스를 0 내지 70 부피부로 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 제1 기판 위에 형성되는 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극에 교차하며 제2 기판 위에 형성되는 한 쌍의 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극, 상기 제 1 표시 전극 및 제2 표시 전극을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 유전체층, 상기 유전체층을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 MgO 보호층, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 존재하는 방전 가스를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널; 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 구동부; 및 상기 구동부를 제어하며, 유지 기간의 유지 방전 펄스 폭을 3.5㎲이하로 하는 구동 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하며, 상기 MgO 보호층은 Mg에 대한 O의 원자비가 1.0 내지 0.98인 플라즈마 디스플레이 장치를 제공한다.
상기 유지 방전 펄스 폭은 3.5㎲이하이고, 1 내지 3.0㎲인 것이 더욱 바람직하다. 상기 유지 방전 펄스 폭이 3.5㎲ 이하인 경우 고정세 플라즈마 디스플레이 장치에 적용시 방전 안정성이 향상되어 화면 균일도(uniformity)가 개선되어 바람직하다.
또한, 상기 유지 기간은 9㎲이상인 것이 바람직하고, 10 내지 25㎲인 것이 더욱 바람직하다. 상기 유지 기간이 9㎲ 이상인 경우 고정세 플라즈마 디스플레이 장치에 적용시 방전 안정성이 향상되어 화면 균일도가 개선되어 바람직하다.
또한, 상기 유지 기간의 최초 유지 방전 펄스 폭은 7.5㎲ 이하인 것이 바람직하고, 2 내지 7㎲인 것이 더욱 바람직하다.
상기 유지 기간의 최초 유지 방전 펄스 폭이 7.5㎲ 이하인 경우 고정세 플라즈마 디스플레이 장치에 적용시 방전 안정성이 향상되어 화면 균일도가 개선되어 바람직하다.
상기 방전 가스는 Ne 100 부피부에 대하여 Xe를 5 내지 30의 부피부로 포함 하는 것이 바람직하고, 7 내지 25 부피부로 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 방전 가스가 Ne 100 부피부에 대하여 Xe를 5 내지 30의 부피부로 포함하는 방전 가스를 채용하는 경우 방전 가스의 이온화율이 높아져 고정세 플라즈마 디스플레이 장치에 적용시 방전 개시 전압을 낮추어 소비 전력을 저감시키면서 휘도를 향상시킬 수 있어 바람직하다.
또한, 상기 방전 가스는 Ne 100 부피부에 대하여 He, Ar, Kr, O2, N2, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 가스를 0 내지 70 부피부로 더 포함하는 것이 바람직하고, 14 내지 65 부피부로 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 방전 가스가 Ne 100 부피부에 대하여 He, Ar, Kr, O2, N2, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 가스를 0 내지 70 부피부로 더 포함하는 경우, 방전 가스의 이온화율이 높아져 고정세 플라즈마 디스플레이 장치에 적용시 방전 개시 전압을 낮추어 소비 전력을 저감시키면서 휘도를 향상시킬 수 있어 바람직하다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 부분 분해 사시도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 구조는 제1 기판(3) 상에 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 어드레스 전극(13)이 형성되고 이 어드레스 전극(13)을 덮으면서 제1 기판(3)의 전면에 제1 유전체층(15)이 형성된다. 상기 제1 유전체층(15) 위로 각 어드레스 전극(13) 사이에 배치되도록 격벽(5)이 형성되며 각각의 격벽(5) 사이에 복수의 방전셀(7R, 7G, 7B)이 형성된다. 상기 방전셀(7R, 7G, 7B) 내에는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체층(8R, 8G, 8B)이 형성된다.
상기 격벽(5)은 방전 공간을 구획하는 형상이라면 어느 형태도 가능하며, 다양한 패턴의 격벽들로 형성된다. 예컨대 상기 격벽(5)은 스트라이프 등과 같은 개방형 격벽은 물론, 와플, 매트릭스, 델타 등과 같은 폐쇄형 격벽으로 될 수 있다. 또한, 폐쇄형 격벽은 방전공간의 횡단면이 사각형, 삼각형, 오각형 등의 다각형, 또는 원형, 타원형 등으로 되도록 형성될 수 있다.
그리고 제1 기판(3)에 대향하는 제2 기판(1)의 일면에는 어드레스 전극(13)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 한 쌍의 투명 전극(9a, 11a)과 버스 전극(9b, 11b)으로 구성되는 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극이 형성되고 이 표시 전극들을 덮으면서 제2 기판(1) 전체에 제2 유전체층(17)과 MgO 보호층(19)이 형성된다.
상기 MgO 보호층(19)은 Mg에 대한 O의 원자비가 1.0 내지 0.98인 것이 바람직하다. 또한, 상기 MgO 보호층은 희토류 원소, 및 희토류 원소의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가 원소를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(3) 상의 어드레스 전극(13)과 제2 기판(1) 상의 표시 전극이 교차하는 지점이 방전셀(7R, 7G, 7B)을 구성하는 부분이 된다.
상기 제1 기판(3) 및 제2 기판(1) 사이의 방전셀에는 방전 가스가 주입된다. 상기 방전 가스는 Ne 및 Xe를 포함하며, Ne 100 부피부에 대하여 Xe를 5 내지 30의 부피부로 포함하는 것이 바람직하고, 7 내지 25 부피부로 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, Ne 100 부피부에 대하여 He, Ar, Kr, O2, N2, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 가스를 0 내지 70 부피부로 더 포함하는 것이 바람직하고, 14 내지 65 부피부로 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극(A) 구동부(300), 유지 전극(제2 표시 전극, X) 구동부(400), 및 주사 전극(제1 표시 전극, Y) 구동부(500)를 포함한다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 상기 도 1에서 설명한 플라즈마 디스플레이 패널과 동일한 구성을 가진다.
상기 제어부(200)는 외부로부터 영상신호를 수신하여 어드레스 전극(A) 구동 제어 신호, 유지 전극(X) 구동 제어 신호 및 주사 전극(Y) 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다.
상기 어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 어드레스 전극(A) 구동 제어신호를 수신하여 표시하고자 하는 방전셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 어드레스 전극에 인가한다.
상기 유지 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 유지 전극(X) 구동 제어신호를 수신하여 유지 전극(X)에 구동 전압을 인가한다.
상기 주사 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 주사 전극(Y) 구동 제어신호를 수신하여 주사 전극(Y)에 구동 전압을 인가한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유지 기간의 구동 파형도이다.
도 3을 참고하면, 유지 기간(T1)에서는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 차례로 Vs 전압의 최초 유지 방전 펄스를 인가한다. 그러면, 어드레스 기간에서 어드레스 방전에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이에 벽 전압이 형성되어 있으면, 벽 전압과 Vs 전압에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에서 방전이 일어난다. 이후, 주사 전극(Y)에 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가하는 과정과 유지 전극(X)에 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가하는 과정을 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복한다.
이 때, 상기 주사 전극(Y)의 최초 유지 방전 펄스 폭(T2) 또는 유지 전극(X)의 최초 유지 방전 펄스 폭(T4)은 7.5㎲ 이하인 것이 바람직하고, 2 내지 7㎲인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 주사 전극(Y)의 유지 방전 펄스 폭(T3) 또는 유지 전극(X)의 유지 방전 펄스 폭(T5)은 3.5㎲ 이하인 것이 바람직하고, 1 내지 3.0㎲인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 유지 기간(T1)은 9㎲ 이상인 것이 바람직하고, 10 내지 25㎲인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명은 상기 구동 파형과 방전 가스를 채용한 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 안정성을 확보하고, 그에 따른 방전 특성의 향상을 위하여, MgO 보호층에서 Mg에 대한 O의 원자비를 조절한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호층은 Mg에 대한 O의 원자비가 1.0 내지 0.98이다.
산소 원자가 MgO 보호층 내에 과잉으로 존재하는 경우, 상기 MgO 보호층 내에 Mg 원자의 결함이 발생하고, 상기 MgO 원자의 결함이 수화되는 문제가 발생하게 된다. 따라서, 상기 Mg에 대한 O의 원자비가 상기 범위에 있는 경우, MgO 보호층 내에서 Mg와 O 원자가 화학양론적 비율로 존재하여 Mg 원소 결함의 발생 및 Mg 원소 결함의 수화를 제어하여 플라즈마 디스플레이 장치의 응답 속도를 개선함으로써, 방전 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 특정 계조에서 저방전이 발생하는 현상을 개선할 수 있다.
도 4는 Mg 원자에 비하여 O 원자가 많이 존재하는 경우 MgO 보호층의 원자 결합 구조를 나타내는 모식도이고, 도 5는 Mg 원자와 O 원자가 화학양론적 비율로 존재하는 경우 MgO 보호층의 원자 결합 구조를 나타내는 모식도이다.
도 4를 참고하면, MgO 보호층 내에서 Mg와 O는 입방정계를 이루며 교대로 결합되어 있다. 그런데, Mg 원자에 비하여 O 원자가 많이 존재하는 경우, Mg 원자 결함이 생기게 되고, 상기 Mg 원자 결함이 수화되는 현상이 발생하게 된다.
도 5를 참고하면, Mg 원자와 O 원자가 화학양론적 비율로 존재하여 Mg 원자 결함이 발생하지 않으며, Mg 원소 결함의 수화를 제어할 수 있다.
상술한 구조를 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 장치의 제조 방법은 당해 분야에 널리 알려진 바이고, 당해 분야에 종사하는 사람들에게는 충분히 이해될 수 있는 내용이므로, 본 명세서에서 상세한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호층의 형성 공정에 대해서만 설명한다.
상기 MgO 보호층은 플라즈마 디스플레이 장치에서 유전체층의 표면을 덮어 방전 기간 중 방전가스의 이온 충격으로부터 유전체층을 보호하는 역할을 하는 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호층은 Mg에 대한 O의 원자비가 1.0 내지 0.98인 것이 바람직하다.
이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호층은 페이스트를 이용한 후막 인쇄법을 사용할 수도 있으나 후막 인쇄법은 이온의 충격에 이한 스퍼터링에 상대적으로 약하고, 2차 전자 방출에 의한 방전 유지 전압과 방전 개시 전압의 감소를 기대하기 어려워 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD)법을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 물리 기상 증착법으로는 플라즈마 증착법을 가장 바람직하게 사용할 수 있고, 구체적으로 상기 플라즈마 증착법으로 MgO 보호층을 형성하는 방법은 전자빔 증착법, 이온 플레이팅법, 마그네트론 스퍼터링법 등을 사용할 수 있다.
MgO 보호층 증착재료는 펠렛 형태로 성형한 후, 소결한 것이 사용되고 있으며, 펠렛의 크기 및 형태에 따라 펠렛의 분해 속도가 달라서 보호층 증착 속도 등 여러 면에서 큰 차이점이 있으므로, 펠렛의 크기 및 형태를 최적화하여 제조하는 것이 바람직하다.
또한, MgO 보호층은 방전가스에 접촉되므로 보호층을 구성하는 성분과 막 특성은 방전특성에 크게 영향을 미칠 수 있다. 이때 MgO 보호층 특성은 성분과 증착 시의 성막 조건에 크게 의존한다. 따라서 목적하는 막 특성 향상에 부합하도록 최적의 성분을 사용하는 것이 좋다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(플라즈마 디스플레이 장치의 제조)
(실시예 1)
소다석회 유리로 제조된 제2 기판 위에 표시 전극을 통상의 방법으로 스트라이프 상으로 형성하였다.
이어서, 유리의 페이스트를 상기 표시 전극이 형성된 제2 기판에 코팅하고 소성하여 제2 유전체층을 형성하였다.
상기 제2 유전체층 위에 이온 플레이팅 방법을 이용하여 Mg에 대한 O의 원자비가 1인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조하였다. 상기 제조된 제2 기판을 이용하여 플라즈마 디스플레이 정치를 제조하였다.
(실시예 2)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.998인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(실시예 3)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.995인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(실시예 4)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.99인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(실시예 5)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.985인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(실시예 6)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.983인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(실시예 7)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.98인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(비교예 1)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.978인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(비교예 2)
Mg에 대한 O의 원자비가 0.976인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(비교예 3)
Mg에 대한 O의 원자비가 1.030인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(비교예 4)
Mg에 대한 O의 원자비가 1.097인 MgO 보호층을 제조하여 제2 기판을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 장치를 제조하였다.
(제조된 플라즈마 디스플레이 장치의 응답 속도 측정)
상기 실시예 1 내지 7, 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 플라즈마 디스플레이 장치의 통계 지연 시간(응답속도)을 측정하였고, 실시예 2, 3 및 6, 및 비교예 1 내지 4의 결과를 도 6에 나타내었다.
도 6을 참고하면, 실시예 2, 3 및 6의 경우 비교예 1 내지 4에 비하여 응답속도가 크게 줄어들었음을 확인할 수 있다.
실시예 1, 4, 5 및 7의 경우 상기 실시예 2, 3 및 6와 유사한 결과를 보여 주었다.
(제조된 플라즈마 디스플레이 장치의 블랙 노이즈 발생 관찰)
상기 실시예 1 내지 7, 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 플라즈마 디스플레이 장치에 대하여 각각 -5℃, 5℃, 15℃, 25℃, 40℃, 55℃, 및 70℃에서 30분간 유지하며, 특정 계조에서의 블랙 노이즈(black noise) 발생 여부를 눈으로 관찰하였다. 블랙 노이즈는 발광하도록 선택된 셀이 발광하지 않는 현상을 말하며, 상기 계조는 255개로 나누었다.
상기 실시예 2, 3 및 6, 및 비교예 1 내지 4의 플라즈마 디스플레이 장치에 대하여 관찰된 결과를 도 7에 나타내었다.
도 7을 참고하면, 실시예 2, 3 및 6의 플라즈마 디스플레이 장치의 경우 15℃, 25℃, 40℃, 55℃, 및 70℃에서는 블랙 노이즈가 관찰되지 않았으며, 저온에서 블랙 노이즈가 관찰되더라도 낮은 계조에서 관찰되었다. 반면, 비교예 1 내지 4의 플라즈마 디스플레이 장치의 경우 -5℃에서 40℃까지 블랙 노이즈가 관찰되었으며, 높은 계조에서 블랙 노이즈가 관찰되었다. 또한, 비교예 4의 플라즈마 디스플레이 장치의 경우, 고온인 70℃에서도 블랙 노이즈가 관찰되었다.
실시예 1, 4, 5 및 7의 플라즈마 디스플레이 장치의 경우, 상기 실시예 2, 3 및 6과 유사한 결과를 보여 주었다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 유지방전 펄스 폭이 3.5㎲ 이하이고, 유지방전 펄스 기간이 9㎲ 이상인 파형을 인가하고, Ne 100 부피부에 대하여 Xe를 5 내지 30의 부피부로 포함하는 방전 가스를 체용한 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서, MgO 보호층의 Mg에 대한 O의 원자비를 1.0 내지 0.98로 조절하여 플라즈마 디스플레이 장치의 방전시 통계 지연 시간을 최소화시킴으로써, 방전 안정성을 개선하고, 화면의 표시 품질을 향상시킨다.

Claims (8)

  1. 제1 기판 위에 형성되는 어드레스 전극, 상기 어드레스 전극을 덮으면서 상기 제1 기판에 형성되는 유전체층, 상기 어드레스 전극에 교차하며 제2 기판 위에 형성되는 한 쌍의 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극, 상기 제1 표시 전극 및 제2 표시 전극을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 유전체층, 상기 유전체층을 덮으면서 상기 제2 기판에 형성되는 MgO 보호층, 및 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 존재하는 방전 가스를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널;
    상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동시키는 구동부; 및
    상기 구동부를 제어하며, 유지 기간의 유지 방전 펄스 폭을 3.5㎲이하로 하는 구동 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하며,
    상기 MgO 보호층은 Mg에 대한 O의 원자비가 0.998 내지 0.98이고,
    상기 유지기간은 9 내지 25㎲인 플라즈마 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유지 방전 펄스 폭은 1 내지 3.0㎲인 것인 플라즈마 디스플레이 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유지 기간은 10 내지 25㎲인 것인 플라즈마 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유지 기간의 최초 유지 방전 펄스 폭은 2 내지 7.5㎲인 것인 플라즈마 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 유지 기간의 최초 유지 방전 펄스 폭은 2 내지 7㎲인 것인 플라즈마 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 방전 가스는 Ne 100 부피부에 대하여 Xe를 5 내지 30의 부피부로 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 방전 가스는 Ne 100 부피부에 대하여 He, Ar, Kr, O2, N2, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 가스를 0 내지 70 부피부로 더 포함하는 것인 플라즈마 디스플레이 장치.
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