KR20060061171A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR20060061171A
KR20060061171A KR1020040100074A KR20040100074A KR20060061171A KR 20060061171 A KR20060061171 A KR 20060061171A KR 1020040100074 A KR1020040100074 A KR 1020040100074A KR 20040100074 A KR20040100074 A KR 20040100074A KR 20060061171 A KR20060061171 A KR 20060061171A
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Abstract

본 발명은 방전셀 내에 도포된 형광물질의 발광특성에 따라 각 R, G, B 방전셀 내의 유전체층의 구조를 변경하여 색온도 보정을 하지 않아도 순수한 화이트를 구현하도록 하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로써, 색온도 보정 과정에서 발생되는 계조의 저하를 방지하여 구동마진을 높이는 효과가 있다.
이러한 목적을 이루기 위한 본 발명은 스캔 전극과 서스테인 전극이 형성되고, 스캔 전극과 서스테인 전극 상부에는 상부 유전체층이 형성된 전면기판과, 스캔전극과 서스테인 전극에 교차되어 배열된 어드레스 전극이 형성된 후면기판과, 후면기판에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀을 각각 구획하도록 형성된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 다른 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 다른 것을 특징으로 한다.
플라즈마 디스플레이 패널, 색온도 보정, 화이트 발란스, 형광체, 발광특성, 차등유전체

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 구조를 나타낸 도.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서의 방전을 설명하기 위한 도.
도 5는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 차등유전체의 구조를 나타낸 도.
도 6은 도 5의 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서의 방전을 설명하기 위한 도.
도 7은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 발광특성을 설명하기 위한 도.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.
도 11은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 발광특성을 설명하기 위한 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 전면 기판 101 : 전면 글라스
102 : 스캔 전극 103 : 서스테인 전극
104 : 상부 유전체층 105 : 보호층
110 : 후면 기판 111 : 후면 글라스
112 : 격벽 113 : 어드레스 전극
114 : 형광체층 115 : 하부 유전체층
a : 투명 전극 b : 버스 전극
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 방전셀내의 유전체층의 구조를 개선하여 순수한 화이트를 구현하고, 구동마진을 높이도록 하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기 후면기판 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면기판(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면기판(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면기판(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면기판(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽 (112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면기판(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 구조의 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법은 다음 도 2와 같다.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조(Gray Level) 표현 방법은, 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누어 구동되고, 각 서브필드는 다시 방전을 균일하게 일으키기 위한 리셋기간, 방전셀을 선택하기 위한 어드레스기간 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간으로 나뉘어 진다. 예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 프레임기간(16.7ms)은 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋기간, 어드레스기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다. 각 서브필드의 리셋기간 및 어드레스기간은 각 서브필드마다 동일하다. 방전셀을 선택하기 위한 어드레스방전은 어드레스 전극과 스캔 전극인 투명전극 사이의 전압차에 의해 일어난다. 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에 서 서스테인 기간이 달라지게 되므로 각 서브필드의 서스테인 기간 즉, 서스테인 방전 횟수를 조절하여 화상의 계조를 표현하게 된다.
이러한 방법으로 화상의 계조를 구현하는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 구조를 살펴보면 다음 도 3과 같다.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 구조를 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널은 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내에서 상부 유전체층(104)이 평탄하게 형성된다. 이러한 상부 유전체층(104)은 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)을 전기적으로 절연시킨다. 이러한 평탄한 상부 유전체층(104) 상부에 전술한 상부 유전체층(104)을 보호하기 위한 보호층(105)이 형성되는데, 이러한 보호층(105) 또한 전술한 상부 유전체층(104) 상부에 형성되기 때문에 기본적으로 상부 유전체층(104)의 형상을 따른다. 즉, 보호층(105)도 전술한 상부 유전체층(104)과 같이 평탄하게 형성된다.
이러한 구조의 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서의 방전을 살펴보면 다음 도 4와 같다.
도 4는 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서의 방전을 설명하기 위한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)에 소정의 펄스를 인가하면 보호층(105)의 상부에 벽전하(Wall Charge)들이 쌓이게 되고, 이러한 벽전하들에 의해 방전이 발생하게 된다.
그러나 이러한 구조의 종래 플라즈마 디스플레이 패널은 평탄한 보호층(105)의 상부에 벽전하들이 쌓이게 되므로 방전 개시 전압(Firing Voltage)이 상대적으로 높다. 또한, 음의 벽전하들과 양의 벽전하들이 대부분 쌓여 있는 보호층(105) 상의 각각의 지점이 상대적으로 멀리 떨어져 있기 때문에 전술한 방전 개시 전압을 더욱 상승시키는 요인이 된다.
이러한 상대적으로 높은 방전 개시 전압을 낮추기 위해 종래에는 상부 유전체층(104)에 전면 글라스(101)방향으로 함몰된 함몰부를 형성하였다. 이렇게 상부 유전체층(104)에 함몰부를 형성한 구조를 차등유전체 구조라 한다. 이러한 차등 유전체 구조를 살펴보면 다음 도 5와 같다.
도 5는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 차등유전체의 구조를 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 차등유전체의 구조는 R, G, B 방전셀(50, 51, 52)의 각 상부 유전체층(104)에 전면 글라스(101) 방향으로 함몰된 함몰부(50)가 형성된다. 여기서 함몰부(50)는 수직방향으로 소정 깊이(H)와 수평방향으로의 소정 폭(W)을 갖는다.
이러한 차등유전체 구조의 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서의 방전을 살펴보면 다음 도 6과 같다.
도 6은 도 5의 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서의 방전을 설명하기 위한 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 도 5의 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전 극(102)과 서스테인 전극(103)에 소정의 펄스를 인가하면 보호층(105)의 상부에 벽전하들이 쌓이게 되고, 이러한 벽전하들에 의해 방전이 발생하게 되는데, 이 때, 소정의 전하량을 갖는 전하들은 돌출된 부분으로 더욱 모이는 성질로 인해 전술한 벽전하들이 함몰부(50) 부근으로 모이게 된다. 이에 따라, 함몰부(50)의 양단간의 전위차가 증가하고 결국, 도 4의 평탄한 상부 유전체층(104)에 비해 상대적으로 작은 크기의 전압으로도 방전이 발생하게 된다.
한편, 전술한 R, G, B 방전셀(60, 61, 62)에 도포된 각 R, G, B 형광체는 각각 다른 방전 특성을 갖는다. 이에 따라, 동일한 크기의 방전이 각 R, G, B 방전셀(60, 61, 62) 내에서 발생하더라도 각각의 R, G, B 방전셀(60, 61, 62)이 각각 발생시키는 R, G, B 광의 크기, 즉 계조는 서로 다르게 된다. 결국 R, G, B 광의 균형이 맞지 않아 완전한 화이트(Full White)를 구현하기가 어렵게 된다. 이러한 R, G, B 방전셀(60, 61, 62)의 발광특성을 살펴보면 다음 도 7과 같다.
도 7은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 발광특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, R, G, B 방전셀(70, 71, 72)의 발광특성은 각각의 R, G, B 방전셀(70, 71, 72))에 동일한 구동신호, 예컨대 방전횟수(n)가 동일한 신호가 인가되는 경우에 R, G, B 방전셀(70, 71, 72)은 각각 다른 계조의 빛을 방출한다. 이는 R, G, B 방전셀(70, 71, 72) 내에 도포된 R, G, B 형광물질의 발광특성에 의해 발생되는 것이다. 이에 따라 순수한 화이트를 구현하기 위해서는 화이트 밸런스(White balance), 즉, 색온도 보정이 요구된다.
이러한 색온도 보정을 위해 종래 플라즈마 디스플레이 패널에서는 형광물질의 발광특성에 따라 R, G, B 방전셀(70, 71, 72)의 전극에 각각 다른 구동파형을 인가하여 순수한 화이트를 구현하고자 하였다. 예를 들면, NTSC(National Television System Committee)방식에서는 Y = 0.3R + 0.6G + 0.1B 의 비율로 영상신호를 처리하여 색온도를 보정한다. 즉, R, G, B 형광체의 발광효율이 G - R - B의 순서로서 동일한 크기의 구동신호, 예컨대 방전횟수(n)가 동일한 신호에서 G 형광체가 도포된 G 방전셀(71)이 상대적으로 가장 높은 계조의 빛을 발광하고, 그 다음 R 형광체가 도포된 R 방전셀(70)이 두 번째 높은 계조의 빛을 발광하고, 마지막으로 B 형광체가 도포된 B 방전셀(72)이 상대적으로 가장 낮은 계조의 빛을 발광하기 때문에, 순수한 화이트를 구현하기 위해 B 방전셀(72)에 가장 큰 크기의 구동신호를 인가하고, R 방전셀(70)에는 B 방전셀(72)에 인가한 구동신호보다 소정비율만큼 작은 구동신호을 인가하고, G 방전셀(71)에는 R 방전셀(70)에 인가한 구동신호보다 소정비율만큼 작은 구동신호를 인가한다. 이에 따라, 각각의 R, G, B 방전셀(70, 71, 72)이 동일한 계조의 R, G, B 빛을 발광하여 오차범위 내에서 순수한 화이트를 구현한다.
그러나 이러한 색온도 보정 방법은 R, G, B의 형광물질의 발광특성에 따른 비율을 맞추기 위해 입력된 영상신호를 레벨링하여 처리하는 과정에서 계조가 저하되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 입력된 영상신호를 R, G, B 형광 체의 발광특성에 따라 레벨링하여 비율을 조정하지 않아도 순수한 화이트를 구현할 수 있도록 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동마진의 저하를 감소시키는데 있다.
이러한 목적을 이루기 위한 본 발명은 스캔 전극과 서스테인 전극이 형성되고, 스캔 전극과 서스테인 전극 상부에는 상부 유전체층이 형성된 전면기판과, 스캔전극과 서스테인 전극에 교차되어 배열된 어드레스 전극이 형성된 후면기판과, 후면기판에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀을 각각 구획하도록 형성된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 다른 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 함몰부의 수평방향으로의 폭은 각각 서로 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 크고, 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 적색(R) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 큰 것을 특징으로 한다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 함몰부의 수평방향으로의 폭 과는 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 적색(R) 방전셀 또는 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 작은 것을 특징으로 한다.
적색(R) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 적색(R) 방전셀 또는 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 큰 것을 특징으로 한다.
이러한 함몰부의 형상은 계단형인 것을 특징으로 한다. 또한, 이러한 함몰부의 형상은 테이퍼(Taper)형상 이거나 또는 아치(Arch)형인 것도 가능하다.
또한 이러한 목적을 이루기 위한 본 발명은, 스캔 전극과 서스테인 전극이 형성되고, 스캔 전극과 서스테인 전극 상부에는 상부 유전체층이 형성된 전면기판과, 스캔전극과 서스테인 전극에 교차되어 배열된 어드레스 전극이 형성된 후면기판과, 후면기판에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀을 각각 구획하도록 형성된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 다른 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 함몰부의 수직방향으 로의 깊이는 각각 서로 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작고, 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 적색(R) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작은 것을 특징으로 한다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 함몰부의 수직방향으로의 깊이와는 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 적색(R) 방전셀 또는 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 큰 것을 특징으로 한다.
적색(R) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 적색(R) 방전셀 또는 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작은 것을 특징으로 한다.
이러한 함몰부의 형상은 계단형인 것을 특징으로 한다. 또한, 이러한 함몰부의 형상은 테이퍼(Taper)형상 이거나 또는 아치(Arch)형인 것도 가능하다.
또한 이러한 목적을 이루기 위한 본 발명은, 스캔 전극과 서스테인 전극이 형성되고, 스캔 전극과 서스테인 전극 상부에는 상부 유전체층이 형성된 전면기판 과, 스캔전극과 서스테인 전극에 교차되어 배열된 어드레스 전극이 형성된 후면기판과, 후면기판에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀을 각각 구획하도록 형성된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 다른 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 다르고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 다른 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 각각 서로 다르고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 함몰부의 수평방향으로의 폭은 각각 서로 다른 것을 특징으로 한다.
적색(R) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작고, 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 적색(R) 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작고, 적색(R) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 청색(B) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 크고, 녹색(G) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 적색(R) 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 큰 것을 특징으로 한다.
적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 함몰부의 수직방향으로의 깊이와는 다르고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 함몰부의 수평방향으로의 폭과는 다른 것을 특징으로 한다.
이러한 함몰부의 형상은 계단형인 것을 특징으로 한다. 또한, 이러한 함몰부의 형상은 테이퍼(Taper)형상 이거나 또는 아치(Arch)형인 것도 가능하다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 실시예를 상세히 설명한다.
<제 1 실시예>
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀(80, 81, 82)내에서의 전극구조는 표시면인 전면 글라스(101)에 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된다.
위와 같은 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비되어 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 유전체층(104)에 의해 덮혀진다.
또한, 각 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀(80, 81, 82) 내의 투명전극(a)들 사이에는 방전시 각 R, G, B 의 빛을 발광하는 형광물질이 도포되어 있으며, R, G, B 의 빛을 발광하는 형광물질은 각각 형광체 특성이 다르다.
위와 같이 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널에서, 전술한 유전체층(104)은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부(A)를 포함한다. 이러한 함몰부(A)는 도 6과 같이, 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내에서 방전 개시 전압(Vf)을 저감시키기 위해 형성된다. 이러한 함몰부(A)는 소정의 깊이와 폭을 갖는다. 이때, R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 다른 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과 다르다.
먼저 도 8a 를 살펴보면, R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 각 방전셀 내에서 함몰부의 수평방향으로의 폭(W)은 각각 서로 다르다.
예컨대, R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR)은 B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB) 보다 크고, G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)은 상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG) 보다 크다.
이렇게 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 조절하는 이유는, 함몰부의 폭을 조절하면 방전 개시 전압(Vf)을 조절함으로써, 발광량을 조절할 수 있기 때문이다.
예를 들면, R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 중 어느 하나의 방전셀 내에서 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 고정한 상태에서, 함몰부의 수평방향으로의 폭의 길이를 감소시키면 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)에 소정의 펄스를 인가됨에따라, 보호층(도시하지 않음)의 상부에 벽전하들이 쌓이 게 되고, 이러한 벽전하들에 의해 방전이 발생하게 되는데, 이때, 소정의 전하량을 갖는 전하들은 돌출된 부분으로 더욱 모이는 성질로 인해 전술한 벽전하들이 함몰부 부근으로 모이게 된다. 이에 따라, 함몰부의 양단간의 전위차가 증가하고, 상대적으로 작은 크기의 전압으로도 방전이 발생하게 된다. 이에 따라 동일한 구동신호에 의한 발광량이 증가된다. 이와는 반대로 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 중 어느 하나의 방전셀 내에서 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 고정한 상태에서, 함몰부의 수평방향으로의 폭의 길이를 증가시키면 함몰부의 양단간의 전위차가 감소하여 동일한 구동신호에 의한 발광량이 감소한다.
결국, 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 중 어느 하나의 방전셀 내에서의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 고정한 상태에서 함몰부의 수평방향으로의 폭을 조절하면 방전셀의 발광량을 조절할 수 있다.
이와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 유전체층의 구조를 각 R, G, B 방전셀 내의 R, G, B형광체의 발광특성에 따라 조절하고, 이에 따라 각 R, G, B 방전셀에 동일한 구동신호가 인가되어도 순수한 화이트를 구현할 수 있다.
이러한 전극구조에서 순수한 화이트를 구현하기 위한 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내의 각 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR, WG, WB)은 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내에 도포되어 있는 R, G ,B 형광물질의 발광특성에 의해 결정된다.
또한, R, G, B 방전셀(80, 81, 82)중 두개의 방전셀의 함몰부(A)의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 함몰부(A)의 수평방향으로 의 폭과는 다른 것은 도 8b에 도시되어 있다.
도 8b를 살펴보면, R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 과 B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)은 서로 같고, G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)은 R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 또는 B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB) 보다 크게 형성된다.
따라서, R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 또는 B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)에 비하여 상대적으로 높은 계조의 빛을 발광하는 G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)을 크게 형성함으로써, 함몰부의 양단간의 전위차가 감소하고, G 방전셀(81)의 방전 개시 전압을 상대적으로 높여 동일한 구동신호에 의한 발광량이 상대적으로 적게 된다.
또한, R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 과 B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)을 G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)보다 작게 함으로써, 함몰부의 양단간의 전위차가 증가되고, 벽전하가 상대적으로 많이 생성되어 동일한 구동신호에 의한 발광량이 증가한다.
이에 따라 B방전셀(80)과 R방전셀(82)에 인가되는 구동신호만을 B, R형광체의 발광특성에 따라 레벨링(Leveling)하여 인가하여 순수한 화이트를 구현할 수 있다.
또 다른, R, G, B 방전셀(80, 81, 82)중 두개의 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과는 다른 실시예는 도 8c에 도시되어 있다.
도 8c에 도시된 바와 같이, R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR)과 G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)은 서로 같고, B 방전셀(82)의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)은 R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 또는 G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)보다 작다.
이때, B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)에 비하여 상대적으로 높은 계조의 빛을 발광하는 R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 또는 G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)을 B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)에 비하여 크게 형성함으로써, 함몰부의 양단간의 전위차가 감소하고, 벽전하가 상대적으로 적게 생성되어 동일한 구동신호에 의한 발광량이 감소한다.
또한, B 방전셀(82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)을 R 방전셀(80)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR)과 G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)보다 작게 함으로써, 함몰부의 양단간의 전위차가 증가하고, 벽전하가 상대적으로 많이 생성되어 동일한 구동신호에 의한 발광량이 증가한다.
이에 따라 G방전셀(81)과 R방전셀(82)에 인가되는 구동신호만을 G, R형광체 의 발광특성에 따라 레벨링(Leveling)하여 인가하여 순수한 화이트를 구현할 수 있다.
여기서, 각각의 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 조절하여 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 발광량을 조절하는 이유를 살펴보면, 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82)에서 발생되는 광은 R, G ,B 형광물질의 발광특성에 의해, 방전횟수(n)가 동일한 신호에서 G 형광물질이 도포된 G 방전셀(81)이 상대적으로 가장 높은 계조의 빛을 발광하고, 그 다음 R 형광물질이 도포된 R 방전셀(80)이 두 번째 높은 계조의 빛을 발광하고, 마지막으로 B 형광물질이 도포된 B 방전셀(82)이 상대적으로 가장 낮은 계조의 빛을 발광하기 때문이다. 따라서 순수한 화이트를 구현하기 위해 R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 고정하고, R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 조절하는 것이다.
이러한, R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 함몰부는 도 8d와 같은 형상을 갖는다.
도 8d는 도 8a의 R 방전셀(80)의 함몰부(A)를 예로 들어 나타낸 것으로, R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 함몰부의 형상은 모두 같다. 예컨대, 각각의 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내에서 함몰부의 형상은 (a)테이퍼(Taper)형상으로 이루어진다. 여기서 테이퍼 형상은 그 폭이 상부로 갈수록 선형적으로 감소하는 형상이다. 이때 함몰부의 폭(WR)은 상부 유전체층(104)의 수평면에서 전술한 함몰부의 양단간 의 이격된 거리로서 결정된다.
이와는 다르게, 전술한 각각의 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내에서 함몰부의 형상은 (b)아치(Arch)형상으로 이루어진다. 여기서, 아치형상은 그 폭이 상부로 갈수록 감소하는 감소량이 점점 증가한다. 이때 함몰부의 폭(WR)은 상부 유전체층(104)의 수평면에서 전술한 함몰부의 양단간의 이격된 거리로서 결정된다.
이와는 다르게, 전술한 각각의 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내에서 함몰부의 형상은 (c)계단(Step)형상으로 이루어진다. 여기서, 계단형상은 그 폭이 단계적으로 감소하는 형상이다. 이때 함몰부의 폭(WR)은 상부 유전체층(104)의 수평면에서 전술한 함몰부의 양단간의 이격된 거리로서 결정된다.
여기서는 함몰부의 형상을 전술한 바와 같이, 테이퍼형, 아치형 또는 계단형 중 어느 하나의 형상으로 도시하고 설명하였지만, 반드시 이러한 형상으로 국한되는 것은 아님을 밝혀둔다.
전술한 도 8a 내지 도 8d에서는 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 고정하고, R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 조절함으로써, 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 발광량을 조절하였다.
이와는 다르게 R, G, B 방전셀(80, 81, 82)의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 고정하고, 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 조절하여 각 R, G, B 형광체의 특성에 따른 방전셀의 발광량 조절이 가능한데, 이 러한 각 R, G, B 방전셀(80, 81, 82) 내의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 조절하여 발광량을 조절하는 것을 살펴보면 다음 제 2실시예와 같다.
<제 2 실시예>
도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀(90, 91, 92)내에서의 전극구조는 표시면인 전면 글라스(101)에 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된다.
위와 같은 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비되어 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 유전체층(104)에 의해 덮혀진다.
또한, 각 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀(90, 91, 92) 내의 투명전극(a)들 사이에는 방전시 각 R, G, B 의 빛을 발광하는 형광물질이 도포되어 있으며, R, G, B 의 빛을 발광하는 형광물질은 각각 형광체 특성이 다르다.
위와 같이 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널에서, 전술한 유전체층(104)은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부(A)를 포함한다. 이러한 함몰부(A)는 도 6과 같이, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내에서 방전 개시 전압(Vf)을 저감시키기 위해 형성된다. 이러한 함몰부(A)는 소정의 깊이와 폭을 갖는다. 이때, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92)중 적어도 어느 하나의 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 다른 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 다르다.
먼저 9a에 도시된 바와 같이, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 각각 서로 다르다.
예컨대, R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)는 B 방전셀(92)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB) 보다 작고, G 방전셀(91)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)는 R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 보다 작다.
이렇게 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 조절하는 이유는, 함몰부의 깊이를 조절하면 방전 개시 전압(Vf)을 조절함으로써, 발광량을 조절할 수 있기 때문이다.
예를 들면, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 고정한 상태에서, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 크게하고, 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)에 소정의 펄스를 인가하면 보호층(도시하지 않음)의 상부에 벽전하들이 쌓이게 되고, 이러한 벽전하들에 의해 방전이 발생하게 되는데, 이때, 소정의 전하량을 갖는 전하들은 돌출된 부분으로 더욱 모이는 성질로 인해 전술한 벽전하들이 함몰부 부근으로 모이게 된다.
이에 따라, 함몰부의 양단간의 전위차가 증가하고, 상대적으로 작은 크기의 전압으로도 방전이 발생하게 된다. 이에 따라 동일한 구동신호에 의한 발광량이 증가된다. 이와는 반대로 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 중 어느 하나의 방전셀 내에서 함몰부의 수평방향으로의 폭을 고정한 상태에서, 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 작게하면 함몰부의 양단간의 전위차가 감소하여 동일한 구동신호에 의한 발광량이 감소한다.
결국, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 중 어느 하나의 방전셀 내에서의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 고정한 상태에서 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 조절하면 방전셀의 발광량을 조절할 수 있다.
이러한 전극구조에서 순수한 화이트를 구현하기 위한 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 각 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR, HG, HB)은 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내에 도포되어 있는 R, G ,B 형광물질의 발광특성에 의해 결정된다.
이에 따라 B방전셀(90), G방전셀(91), R방전셀(92)에 인가되는 구동신호를 동일하게 하여도 순수한 화이트를 구현할 수 있다.
또한, R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 중 두개의 방전셀의 함몰부(A)의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 함몰부(A)의 수직방향으로의 깊이(H)와 다른 것의 실시예는 도 9b에 되시되어 있다.
도 9b를 살펴보면, R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)와 B 방전셀(92)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)는 서로 같고, G 방전셀(91)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)는 R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 또는 B 방전셀(92)의 함몰부의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB) 보다 작게 형성한다.
따라서, R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 또는 B 방전셀(92)의 함몰부의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)에 비하여 상대적으로 높은 계조의 빛을 발광하는 G 방전셀(91)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)를 작게 형성함으로써, 함몰부의 양단간의 전위차가 감소하고, G 방전셀(91)의 방전 개시 전압을 상대적으로 높여 동일한 구동신호에 의한 발광량이 상대적으로 적게 된다.
또한, R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 와 B 방전셀(92)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)를 G 방전셀(91)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)보다 크게 함으로써, 함몰부의 양단간의 전위차가 증가되고, 벽전하가 상대적으로 많이 생성되어 동일한 구동신호에 의한 발광량이 증가한다.
이에 따라 B방전셀(90)과 R방전셀(92)에 인가되는 구동신호만을 B, R형광체의 발광특성에 따라 레벨링(Leveling)하여 인가하여 순수한 화이트를 구현할 수 있다.
도 9b의 경우와는 다르게, R, G, B 방전셀(90, 91, 92)중 다른 두 개의 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와는 다른 예가 도 9c에 도시되어 있다.
도 9c에 도시된 바와 같이, R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이 (HR)와 G 방전셀(91)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)는 서로 같고, B 방전셀(92)의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)는 R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG) 또는 G 방전셀(81)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG) 보다 크다.
이때, B 방전셀(92)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)에 비하여 상대적으로 높은 계조의 빛을 발광하는 R 방전셀(80)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 와 G 방전셀(91)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)를 작게 형성함으로써하여, 함몰부의 양단간의 전위차가 감소하고, 벽전하가 상대적으로 적게 생성되어 동일한 구동신호에 의한 발광량이 감소한다.
또한, B 방전셀(92)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)를 R 방전셀(90)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)와 G 방전셀(81)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)보다 크게 함으로써, 함몰부의 양단간의 전위차가 증가하고, 벽전하가 상대적으로 많이 생성되어 동일한 구동신호에 의한 발광량이 증가한다.
이에 따라 G방전셀(91)과 R방전셀(92)에 인가되는 구동신호만을 B, R형광체의 발광특성에 따라 레벨링(Leveling)하여 인가하여 순수한 화이트를 구현할 수 있다.
여기서, 각각의 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 조절하여 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92)의 발광량을 조절하는 이유를 살펴보면, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92)에서 발생되는 광은 R, G ,B 형광물질의 발광특성에 의해, 방전횟수(n)가 동일한 신호에서 G 형광물질이 도포된 G 방전셀(91)이 상대적으로 가장 높은 계조의 빛을 발광하고, 그 다음 R 형광물질이 도포된 R 방전셀(90)이 두 번째 높은 계조의 빛을 발광하고, 마지막으로 B 형광물질이 도포된 B 방전셀(92)이 상대적으로 가장 낮은 계조의 빛을 발광하기 때문이다. 따라서 순수한 화이트를 구현하기 위해 R, G, B 방전셀(90, 91, 92)의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 고정하고, R, G, B 방전셀(90, 91, 92)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 조절하는 것이다.
이러한, R, G, B 방전셀(90, 91, 92)의 함몰부는 도 9d와 같은 형상을 갖는다.
도 9d는 도 9a의 R 방전셀(90)의 함몰부(A)를 예로 들어 나타낸 것으로, R, G, B 방전셀(90, 91, 92)의 함몰부의 형상은 모두 같다. 예컨대, 각각의 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내에서 함몰부의 형상은 (a)테이퍼(Taper)형상으로 이루어진다. 여기서 테이퍼 형상은 그 폭이 상부로 갈수록 선형적으로 감소하는 형상이다. 이때 함몰부의 깊이(HR)는 상부 유전체층(104)의 수평면에서 전술한 함몰부의 양단간의 이격된 거리로서 결정된다.
이와는 다르게, 전술한 각각의 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내에서 함몰부의 형상은 (b)아치(Arch)형상으로 이루어진다. 여기서, 아치형상은 그 폭이 상부로 갈수록 감소하는 감소량이 점점 증가한다. 이때 함몰부의 깊이(HR)는 상부 유전체층(104)의 수직면에서 전술한 함몰부의 양단간의 이격된 거리로서 결정된다.
이와는 다르게, 전술한 각각의 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내에서 함몰부의 형상은 (c)계단(Step)형상으로 이루어진다. 여기서, 계단형상은 그 폭이 단계적으로 감소하는 형상이다. 이때 함몰부의 깊이(HR)는 상부 유전체층(104)의 수평면에서 전술한 함몰부의 양단간의 이격된 거리로서 결정된다.
여기서는 함몰부의 형상을 전술한 바와 같이, 테이퍼형, 아치형 또는 계단형 중 어느 하나의 형상으로 도시하고 설명하였지만, 반드시 이러한 형상으로 국한되는 것은 아님을 밝혀둔다.
전술한 도 9a 내지 도 9d에서는 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 함몰부의 수평방향으로의 폭을 고정하고, R, G, B 방전셀(90, 91, 92)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이를 조절함으로써, 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 발광량을 조절하였다.
이와는 다르게 R, G, B 방전셀(90, 91, 92)의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 수직방향으로의 깊이를 모두 조절하여 각 R, G, B 형광체의 특성에 따른 방전셀의 발광량을 조절이 가능한데, 이러한 각 R, G, B 방전셀(90, 91, 92) 내의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 수직방향으로의 깊이를 모두 조절하는 것을 살펴보면 다음 제 3실시예와 같다.
<제 3 실시예>
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제 3 실시예에 따른 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고, R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 다른 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과 다르고, R, G, B 방전셀(200, 201, 202)의 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 다른 방전셀의 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 다르다.
먼저 10a에 도시된 바와 같이, 각 R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 내의 함몰부의 수평방향으로의 폭은 각각 서로 다르고, 수직방향으로의 깊이도 각각 서로 다르다.
예컨대, R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR)은 B 방전셀(202)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB) 보다 크고, G 방전셀(81)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)은 R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 보다 크다.
또한, R 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)는 B 방전셀(202)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB) 보다 작고, G 방전셀(201)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)는 R 방전셀(80)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 보다 작다.
이렇게 각 R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 내의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 깊이를 조절하는 이유는, 함몰부의 폭과 깊이를 조절하면 방전 개시 전압(Vf)을 조절함으로써, 발광량을 조절할 수 있기 때문이다. 이와 같은 발광량의 조절은 이전의 제 1 실시예와 제 2 실시예에서 상세히 설명되었기 때문에 중복되는 설명은 생략한다. 즉, 각 R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 어느 하나의 방전셀 내에서의 함몰부의 수평방향으로의 폭과 수직방향으로의 깊이를 조절하면 방전셀의 발광량을 조절할 수 있다.
이러한 전극구조에서 순수한 화이트를 구현하기 위한 각 R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 내의 각 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR, WG, WB)과 수직방향으로의 깊이( HR, HG, HB)는 R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 내에 도포되어 있는 R, G ,B 형광물질의 발광특성에 의해 결정된다.
또한, R, G, B 방전셀(200, 201, 202)중 두개의 방전셀의 함몰부(A)의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 함몰부(A)의 수평방향으로의 폭과는 다르게 설정하고, 이 때 R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 방전셀의 함몰부(A)의 수직방향으로의 깊이는 각각 서로 다르게 형성한다.
예컨대, 도 10b에 도시된 바와 같이, R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 과 G 방전셀(201)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)은 서로 같고, B 방전셀(202)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)은 R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방 향으로의 폭(WR) 또는 G 방전셀(201)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG) 보다 작게 형성된다. 또한, R 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)는 B 방전셀(202)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)보다 작고, G 방전셀(201)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)는 R 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)보다 작게 형성한다.
따라서, R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 상대적으로 높은 계조의 빛을 발광하는 R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR)과 G 방전셀(201)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)을 같게 형성하고 이를, 상대적으로 가장 낮은 계조의 빛을 발광하는 B 방전셀(202)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)보다 크게 형성하고, R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 상대적으로 가장 높은 계조의 빛을 발광하는 G 방전셀(201)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)를 R 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB) 보다 작게 형성하고, 가장 낮은 계조의 빛을 발광하는 B 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)를 R 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR)보다 크게 형성함으로써 방전 개시 전압(Vf)을 조절하여, 발광량을 조절할 수 있다.
이와는 다르게, R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 두개의 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 상기 함 몰부의 수직방향으로의 깊이와는 다르고, R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 각각 다르게 형성한다.
예컨데, 도 10c에 도시된 바와 같이, R 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 와 G 방전셀(201)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)는 서로 같고, B 방전셀(202)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB)는 R 방전셀(80)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 또는 G 방전셀(201)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG) 보다 작게 형성한다.
또한, R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR)은 B 방전셀(202)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)보다 크고, G 방전셀(201)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)는 R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR)보다 크게 형성한다.
따라서, R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 상대적으로 높은 계조의 빛을 발광하는 R 방전셀(200)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HR) 와 G 방전셀(201)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HG)를 같게 형성하고 이를, 상대적으로 가장 낮은 계조의 빛을 발광하는 B 방전셀(202)의 함몰부의 수직방향으로의 깊이(HB) 보다 작게 형성하고, R, G, B 방전셀(200, 201, 202) 중 상대적으로 가장 높은 계조의 빛을 발광하는 G 방전셀(201)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WG)을 R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 보다 크게 형성하고, 가장 낮은 계조의 빛을 발광하는 B 방전셀(202)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WB)을 R 방전셀(200)의 함몰부의 수평방향으로의 폭(WR) 보다 작게 형성함으로써 방전 개시 전압(Vf)을 조절하여, 발광량을 조절할 수 있다.
또한, 이러한, R, G, B 방전셀(200, 201, 202)의 함몰부(A)는 도 8d와 도 9d와 같은 형상을 갖는다. 이에 대한 설명은 앞의 제 1 실시예와 제 2 실시예에서 상세히 설명되었음으로 중복되는 설명은 생략한다.
이러한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 발광특성을 살펴보면 다음 도 11과 같다.
도 11은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 발광특성을 설명하기 위한 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 R, G, B 방전셀의 발광특성은 동일한 구동신호, 예컨대 동일한 방전횟수(n)의 구동신호가 인가되는 경우에 R, G, B 방전셀은 오차범위 내에서 동일한 계조의 빛을 방출한다. 이는 R, G, B 방전셀 내에 유전체의 구조가 R, G, B 형광물질의 발광특성에 따라 변경되었기 때문이다. 이에 따라 화이트 밸런스(White balance), 즉, 색온도 보정을 하지 않아도 순수한 화이트를 구현할 수 있다.
이상에서 보는 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적 인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 방전셀 내에 도포된 형광물질의 발광특성에 따라 각 R, G, B 방전셀 내의 유전체층의 구조를 변경하여 색온도 보정을 하지 않아도 순수한 화이트를 구현하도록 하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로써, 색온도 보정 과정에서 발생되는 계조의 저하를 방지하여 구동마진을 높이는 효과가 있다.

Claims (25)

  1. 스캔 전극과 서스테인 전극이 형성되고, 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극 상부에는 상부 유전체층이 형성된 전면기판과, 상기 스캔전극과 상기 서스테인 전극에 교차되어 배열된 어드레스 전극이 형성된 후면기판과, 상기 후면기판에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀을 각각 구획하도록 형성된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 다른 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 각각 서로 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 크고, 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과는 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 상기 적색(R) 방전셀 또는 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 상기 적색(R) 방전셀 또는 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플 레이 패널.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 계단형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 테이퍼(Taper)형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 아치(Arch)형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 스캔 전극과 서스테인 전극이 형성되고, 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극 상부에는 상부 유전체층이 형성된 전면기판과, 상기 스캔전극과 상기 서스테인 전극에 교차되어 배열된 어드레스 전극이 형성된 후면기판과, 상기 후면기판에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀을 각각 구획하도록 형성된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 다른 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 각각 서로 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작고, 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와는 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 상기 적색(R) 방전셀 또는 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 상기 적색(R) 방전셀 또는 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  16. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 계단형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  17. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 테이퍼(Taper)형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스 플레이 패널.
  18. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 아치(Arch)형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  19. 스캔 전극과 서스테인 전극이 형성되고, 상기 스캔 전극과 상기 서스테인 전극 상부에는 상부 유전체층이 형성된 전면기판과, 상기 스캔전극과 상기 서스테인 전극에 교차되어 배열된 어드레스 전극이 형성된 후면기판과, 상기 후면기판에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀을 각각 구획하도록 형성된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 상부 유전체층은 방전셀의 외부방향으로 함몰된 함몰부를 포함하고,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 다른 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와 다르고,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 적어도 어느 하나의 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 다른 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 각각 서로 다르고,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀의 각 방전셀 내에서 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 각각 서로 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작고, 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이 보다 작고,
    상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 상기 청색(B) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 크고, 상기 녹색(G) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 상기 적색(R) 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이는 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 상기 함몰부의 수직방향으로의 깊이와는 다르고,
    상기 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 방전셀 중 두개의 방전셀의 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭은 서로 같고, 나머지 하나의 방전셀의 내에서 상기 함몰부의 수평방향으로의 폭과는 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  23. 제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 계단형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  24. 제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 테이퍼(Taper)형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  25. 제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 함몰부의 형상은 아치(Arch)형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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