JP2005005086A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板(前面基板4)上に形成した走査電極5および維持電極6を覆うように誘電体層9を形成し、この誘電体層9上に保護層10を形成したプラズマディスプレイパネルであって、保護層10は0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムである。このような構成とすることにより、プラズマディスプレイパネルの寿命を向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネル(PDP)およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
交流面放電型のPDPは、走査電極および維持電極からなる表示電極を複数形成した前面基板と、その表示電極に直交するようにアドレス電極を複数形成した背面基板とを、基板間に放電空間を形成するように対向配置して周囲を封着し、放電空間にネオンおよびキセノンなどの放電ガスを封入して構成されており、表示電極は誘電体層で覆われ、この誘電体層上には保護層が形成されている。そして、各電極に所定の電圧を印加して放電空間で放電を発生させて背面基板上に設けられた蛍光体層を発光させることにより画像表示が行われる。保護層は、一般的に、酸化マグネシウム(MgO)のような耐スパッタ性の高い物質を用いて形成されており、放電で生じるイオン衝撃から誘電体層を保護している。
【0003】
このようなPDPにおいて、MgOからなる保護層に珪素(Si)を含ませることにより、表示品質を高めることができると報告されている(例えば特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平10−334809号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、保護層の耐スパッタ性が悪いと、放電で生じるイオン衝撃により保護層の表面が変質して放電特性に悪影響を与えることがある。さらに、保護層がスパッタされるとスパッタされた保護層材料が周囲の蛍光体層に付着して輝度劣化を引き起こすことになる。このように、保護層の耐スパッタ性はPDPの寿命に大きく影響を及ぼすため、長寿命のPDPを得るためには耐スパッタ性に優れた保護層を形成することが重要となる。
【0006】
しかしながら、MgOからなる保護層中に含まれるSiの濃度が大きくなるとPDPの寿命が短くなるという課題があった。これは、保護層中のSiの濃度が大きくなると、保護層の結晶性が悪化して耐スパッタ性が低下することによるものと考えられる。
【0007】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、MgOからなる保護層にSiが含まれたPDPにおいて、保護層の耐スパッタ性を高めてPDPの寿命を向上させることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のPDPは、保護層が0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムであることを特徴とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
すなわち、本発明の請求項1に記載の発明は、基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層は0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムであることを特徴とする。
【0010】
また、本発明の請求項2に記載の発明は、基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムからなる保護層用材料を用いた成膜工程を有することを特徴とする。
【0011】
さらに、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、成膜工程が、蒸着法、スパッタリング法およびイオンプレーティング法の中から選ばれる方法を用いた工程であることを特徴とする。
【0012】
また、本発明の請求項4に記載の発明は、基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの保護層用材料であって、前記保護層用材料は0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムであることを特徴とする。
【0013】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を用いて説明する。
【0014】
図1は、交流面放電型のPDPの一部を切り欠いて示す斜視図である。このPDPは、前面パネル1と背面パネル2とを対向配置してそれらの間に放電空間3を形成し、放電空間3にネオンおよびキセノンなどからなる放電ガスを封入して構成されている。
【0015】
前面パネル1は次のような構成である。すなわち、ガラス製の基板である前面基板4上に、ストライプ状の走査電極5とストライプ状の維持電極6とからなる表示電極7を複数形成し、隣接する表示電極7の間に遮光層8を形成している。そして、表示電極7および遮光層8を覆うように誘電体層9を形成し、誘電体層9上に、0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含むMgOからなる保護層10を形成している。
【0016】
また、背面パネル2は次のような構成である。すなわち、ガラス製の基板である背面基板11上に、走査電極5および維持電極6と直交するようにストライプ状のアドレス電極12を複数形成し、アドレス電極12を覆うように電極保護層13を形成している。そして、この電極保護層13上であってアドレス電極12の間に位置するように、アドレス電極12と平行な隔壁14を設け、隔壁14の間に蛍光体層15を形成している。電極保護層13は、アドレス電極12を保護し、蛍光体層15が発生する可視光を前面パネル1側に反射する作用を有している。
【0017】
各表示電極7は1つのラインを構成し、表示電極7とアドレス電極12とが交差する部分にセルが形成される。各セルの放電空間3内で放電を発生させ、放電に伴って蛍光体層15から発生する赤、緑、青の3色の可視光が、前面パネル1を透過することにより、表示が行われる。
【0018】
図2は、図1に示すPDPに駆動回路を接続して構成した画像表示装置の概略構成を示すブロック図である。図2に示すように、PDP16のアドレス電極12にアドレス電極駆動部17が接続され、PDP16の走査電極5に走査電極駆動部18が接続され、PDP16の維持電極6に維持電極駆動部19が接続されている。
【0019】
図3は、図2に概略構成を示した画像表示装置の駆動方法を説明するための図である。一般に交流面放電型のPDPでは、1フィールドの映像を複数のサブフィールドに分割することによって階調表現を行う方式が用いられている。そして、この方式では、各セルでの放電を制御するために、1サブフィールドをセットアップ期間、アドレス期間、サステイン期間およびイレース期間からなる4つの期間によって構成する。図3は、1サブフィールド中の駆動波形を示すタイムチャートである。
【0020】
図3において、セットアップ期間では、放電を生じやすくするために、PDP内の全セルに均一に壁電荷を蓄積させる。アドレス期間では、点灯させるセルの書き込み放電を行う。サステイン期間では、アドレス期間で書き込まれたセルを点灯させ、その点灯を維持させる。イレース期間では、壁電荷を消去させることによってセルの点灯を停止させる。
【0021】
セットアップ期間では、走査電極5に初期化パルスを印加することにより、走査電極5に、アドレス電極12および維持電極6よりも高い電圧を印加し、セル内で放電を発生させる。その放電によって発生した電荷は、アドレス電極12、走査電極5および維持電極6間の電位差を打ち消すようにセルの壁面に蓄積される。その結果、走査電極5付近の保護層10表面には負の電荷が壁電荷として蓄積され、また、アドレス電極12付近の蛍光体層15表面および維持電極6付近の保護層10表面には、正の電荷が壁電荷として蓄積される。この壁電荷により、走査電極5−アドレス電極12間、走査電極5−維持電極6間には所定の値の壁電位が生じる。
【0022】
アドレス期間では、セルを点灯させる場合、走査電極5に走査パルスを印加し、アドレス電極12にデータパルスを印加することにより、走査電極5に、アドレス電極12および維持電極6に比べて低い電圧を印加する。すなわち、走査電極5−アドレス電極12間に、壁電位と同方向に電圧を印加するとともに、走査電極5−維持電極6間にも壁電位と同方向に電圧を印加することにより、書き込み放電を発生させる。その結果、蛍光体層15表面と維持電極6付近の保護層10表面には負の電荷が蓄積され、走査電極5付近の保護層10表面には正の電荷が壁電荷として蓄積される。これにより維持電極6−走査電極5間には、所定の値の壁電位が生じる。
【0023】
サステイン期間では、まず走査電極5に維持パルスを印加することにより、維持電極6に比べて高い電圧を走査電極5に印加する。すなわち、維持電極6−走査電極5間に、壁電位と同方向に電圧を印加することにより維持放電を生じさせる。その結果、セル点灯を開始させることができる。続いて、維持電極6−走査電極5間の極性が交互に入れ替わるように維持パルスを印加することで、断続的にパルス発光させることができる。
【0024】
イレース期間では、幅の狭い消去パルスを維持電極6に印加することで不完全な放電が発生し、壁電荷が消滅するため、消去が行われる。
【0025】
本発明によるPDPは、保護層10の構成に特徴があり、次にその内容について、具体例を用いて説明する。
【0026】
まず、上述したような保護層10を形成する際の真空蒸着法に用いる装置は、一般に仕込み室、加熱室、蒸着室、冷却室から構成され、基板はこの順に搬送され、MgOからなる保護層が蒸着により形成される。このとき、本実施の形態では、所定濃度のSiを含むMgO蒸着源(保護層用材料)を用い、酸素雰囲気中でピアス式電子ビームガンを加熱源として加熱することで所望の膜を形成する成膜工程により保護層10を形成する。ここで、成膜時における電子ビーム電流量、酸素分圧量、基板温度等は、成膜後の保護層の組成には大きな影響を及ぼさないため任意設定でよい。以下に成膜時の条件設定の一例を示す。
【0027】
到達真空度:5.0×10−4Pa以下
蒸着時基板温度:200℃以上
蒸着時圧力:3.0×10−2Pa〜8.0×10−2Pa
なお、上記の真空蒸着法に限らず、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いて保護層を形成することが可能であり、この場合にもターゲット材料、および原材料の成分制御を行い、その材料を用いて成膜すればよい。
【0028】
次に、本実施の形態による保護層を形成してPDPを構成することによって得られる効果について述べる。
【0029】
まず、保護層用材料として、含有するSiの濃度が0.1重量ppm〜10000重量ppmの範囲にある複数種類のMgO蒸着源を用意した。そして、各種のMgO蒸着源をそれぞれ用いて保護層を形成し、この保護層を有するPDPの寿命試験を行い、寿命を測定した。このときの結果を図4に示す。
【0030】
図4では、含有するSiの濃度が500重量ppmのMgO蒸着源を用いて保護層を形成したPDPを従来例として、この従来例のPDPの寿命を1としたときの、それぞれのPDPの寿命を相対値で示している。図4からわかるように、Si濃度が20重量ppm以下のとき、従来例のPDPに比べて寿命が向上しており、Si濃度を20重量ppm以下とすることで保護層表面の結晶性が良化して耐スパッタ性が向上しているものと考えられる。また、図4の横軸に示すSi濃度は保護層用材料に含まれるSiの濃度であるが、図4に示したSi濃度の保護層用材料を用いて蒸着した保護層中には、ほぼ同値のSi濃度が確認できている。
【0031】
また、保護層中に含まれるSiの濃度が0.1重量ppmよりも小さいPDPでは、保護層中のSi濃度が0.1重量ppm以上のPDPに比べて駆動電圧がかなり高くなり駆動しにくくなることから、MgOからなる保護層中に含まれるSiの濃度範囲を0.1重量ppm〜20重量ppmとすることにより、駆動が容易であり寿命が向上したPDPを得ることができる。
【0032】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、MgOからなる保護層にSiが含まれたPDPにおいて、保護層中のSiの濃度範囲を0.1重量ppm〜20重量ppmとすることにより、耐スパッタ性に優れた保護層を得ることができ、PDPの寿命を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイパネルの一部を示す斜視図
【図2】同プラズマディスプレイパネルを用いた画像表示装置の一例を示すブロック図
【図3】同プラズマディスプレイパネルの駆動波形を示すタイムチャート
【図4】MgO蒸着源中のSi濃度に対するプラズマディスプレイパネルの寿命を示す図
【符号の説明】
1 前面パネル
2 背面パネル
4 前面基板
5 走査電極
6 維持電極
9 誘電体層
10 保護層
Claims (4)
- 基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層は0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
- 基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムからなる保護層用材料を用いた成膜工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 成膜工程が、蒸着法、スパッタリング法およびイオンプレーティング法の中から選ばれる方法を用いた工程であることを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 基板上に形成した走査電極および維持電極を覆うように誘電体層を形成し、前記誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルの保護層用材料であって、前記保護層用材料は0.1重量ppm〜20重量ppmの濃度範囲の珪素を含む酸化マグネシウムであることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの保護層用材料。
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JP2003166177A JP2005005086A (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
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JP2007048734A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10158826A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-16 | Mitsubishi Materials Corp | MgOターゲット及びその製造方法 |
JPH10291854A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
JPH10297956A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
JP2003027221A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材およびその製造方法 |
JP2004134407A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイパネルの保護膜及びその製造方法 |
-
2003
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10158826A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-16 | Mitsubishi Materials Corp | MgOターゲット及びその製造方法 |
JPH10291854A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
JPH10297956A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶MgO蒸着材及びその製造方法 |
JP2003027221A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材およびその製造方法 |
JP2004134407A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイパネルの保護膜及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007048734A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
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