JP2000169956A - スパッタリング用ＭｇＯターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ＭｇＯターゲット及びその製造方法Info
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- JP2000169956A JP2000169956A JP10344139A JP34413998A JP2000169956A JP 2000169956 A JP2000169956 A JP 2000169956A JP 10344139 A JP10344139 A JP 10344139A JP 34413998 A JP34413998 A JP 34413998A JP 2000169956 A JP2000169956 A JP 2000169956A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭｇＯ膜を大規模かつ均一に成膜するため
に、均一微細結晶かつ機械的特性に優れ、スパッタ時の
ノジュール、パーティクルを減らすことができ、同時に
割れや欠けなどの少ないＭｇＯスパッタリングターゲッ
トの開発。 【解決手段】 平均結晶粒径１０μｍ以下、焼結体密度
３．０ｇ／ｃｍ3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以
上、ターゲット表面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下
であることを特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリングタ
ーゲット。純度９９．９％以上、粒径１μｍ以下のＭｇ
Ｏ微粉末を純水もしくは有機溶剤に分散混合し、混合溶
液にバインダーを加え、スプレードライにより造粒粉を
調製し、５００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2の荷重の下で成
型し、そして該成型体を１５００〜１７００℃の温度で
０．５ｈｒ以上保持して焼成し、得られた焼結体をター
ゲット表面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下に表面仕
上げする。
に、均一微細結晶かつ機械的特性に優れ、スパッタ時の
ノジュール、パーティクルを減らすことができ、同時に
割れや欠けなどの少ないＭｇＯスパッタリングターゲッ
トの開発。 【解決手段】 平均結晶粒径１０μｍ以下、焼結体密度
３．０ｇ／ｃｍ3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以
上、ターゲット表面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下
であることを特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリングタ
ーゲット。純度９９．９％以上、粒径１μｍ以下のＭｇ
Ｏ微粉末を純水もしくは有機溶剤に分散混合し、混合溶
液にバインダーを加え、スプレードライにより造粒粉を
調製し、５００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2の荷重の下で成
型し、そして該成型体を１５００〜１７００℃の温度で
０．５ｈｒ以上保持して焼成し、得られた焼結体をター
ゲット表面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下に表面仕
上げする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ・ディス
プレイ・パネル（ＰＤＰ）の保護膜を形成する際に用い
られるＭｇＯスパッタリングターゲット及びその製造方
法に関するものであり、特にはＭｇＯ膜を大規模かつ均
一に成膜するために、均一微細結晶かつ機械的特性に優
れ、スパッタ時のノジュール、パーティクルを減らすこ
とができ、同時に割れや欠けなどの少ないＭｇＯスパッ
タリングターゲット及びその製造方法に関するものであ
る。
プレイ・パネル（ＰＤＰ）の保護膜を形成する際に用い
られるＭｇＯスパッタリングターゲット及びその製造方
法に関するものであり、特にはＭｇＯ膜を大規模かつ均
一に成膜するために、均一微細結晶かつ機械的特性に優
れ、スパッタ時のノジュール、パーティクルを減らすこ
とができ、同時に割れや欠けなどの少ないＭｇＯスパッ
タリングターゲット及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、ハイビジョン用大型壁掛けテレビ
ジョン等の実用化に向けプラズマディスプレイパネルの
開発が急速に進んでいる。プラズマディスプレイパネル
は金属電極が誘電体材料で覆われているac型と放電空間
に金属電極が露出しているdc型とに分類される。ａc型
では、イオン衝撃のスパッタリングにより誘電体層表面
が変質して、放電開始電圧が高くなる問題を解決するた
めに保護層が形成された構造となっており、ａｃ型プラ
ズマディスプレイパネルの保護層材料は一般に２次電子
放出比が高く、耐スパッタ性に優れたＭｇＯが用いられ
ている。
ジョン等の実用化に向けプラズマディスプレイパネルの
開発が急速に進んでいる。プラズマディスプレイパネル
は金属電極が誘電体材料で覆われているac型と放電空間
に金属電極が露出しているdc型とに分類される。ａc型
では、イオン衝撃のスパッタリングにより誘電体層表面
が変質して、放電開始電圧が高くなる問題を解決するた
めに保護層が形成された構造となっており、ａｃ型プラ
ズマディスプレイパネルの保護層材料は一般に２次電子
放出比が高く、耐スパッタ性に優れたＭｇＯが用いられ
ている。
【０００３】この保護層ＭｇＯ膜は、真空蒸着法によっ
て形成されているが、製造工程の簡略化や大画面化を容
易にするためにスパッタリング法を用いたＭｇＯ膜形成
について検討する必要が出てきた。ところが、これまで
スパッタリング用ＭｇＯターゲットの特性について具体
的な検討のなされているものは少なく、例えば、下記の
特許公開公報が見られる。
て形成されているが、製造工程の簡略化や大画面化を容
易にするためにスパッタリング法を用いたＭｇＯ膜形成
について検討する必要が出てきた。ところが、これまで
スパッタリング用ＭｇＯターゲットの特性について具体
的な検討のなされているものは少なく、例えば、下記の
特許公開公報が見られる。
【０００４】特開平１０−１３０８２７号 これは、ＭｇＯ純度９９．９％以上、相対密度９９％以
上のＭｇＯ焼結体よりなるＭｇＯターゲットであって、
平均粒径が６０μｍ以下で、結晶粒内に平均粒径２μｍ
以下の丸みを帯びた気孔が存在している微構造を有し、
スパッタ成膜速度１０００Å／ｍｉｎ以上に対応可能な
ＭｇＯターゲットを記載する。これは、高純度ＭｇＯ粉
末に平均粒径１００nm以下のＭｇＯ微粉末を添加混合し
て成形し、成形体を一次焼結及び二次焼結する方法を基
礎としている。 特開平１０−１３０８２８号 これは、相対密度９９％以上のＭｇＯ焼結体よりなり、
Ａｒ雰囲気或いはＡｒ−Ｏ２混合雰囲気中でのスパッタ
成膜において５００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度が得られ
ることを特徴とするＭｇＯターゲットを記載し、平均粒
径０．１〜２μｍの高純度ＭｇＯ粉末を３ｔ／ｃｍ2 以
上の圧力でＣIＰ成形し、得られた成形体を焼結するこ
とにより得られる。 特開平１０−１５８８２６号 ＭｇＯ純度９９．９％以上、相対密度９９．０％以上の
ＭｇＯ焼結体よりなるＭｇＯターゲットであって、スパ
ッタ成膜速度６００Å／ｍｉｎ以上に対応可能なＭｇＯ
ターゲツトが記載され、高純度ＭｇＯ粉末に電融ＭｇＯ
粉末と平均粒径１００nm以下のＭｇＯ微粉末を添加混合
して成形し、成形体を一次焼結及び二次焼結する方法を
基礎としている。これらは、総じて、良好な配向性、結
晶性及び膜特性を有するＭｇＯ膜をスパッタ法により高
い成膜速度で成膜できることを記載するものとというこ
とができる。
上のＭｇＯ焼結体よりなるＭｇＯターゲットであって、
平均粒径が６０μｍ以下で、結晶粒内に平均粒径２μｍ
以下の丸みを帯びた気孔が存在している微構造を有し、
スパッタ成膜速度１０００Å／ｍｉｎ以上に対応可能な
ＭｇＯターゲットを記載する。これは、高純度ＭｇＯ粉
末に平均粒径１００nm以下のＭｇＯ微粉末を添加混合し
て成形し、成形体を一次焼結及び二次焼結する方法を基
礎としている。 特開平１０−１３０８２８号 これは、相対密度９９％以上のＭｇＯ焼結体よりなり、
Ａｒ雰囲気或いはＡｒ−Ｏ２混合雰囲気中でのスパッタ
成膜において５００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度が得られ
ることを特徴とするＭｇＯターゲットを記載し、平均粒
径０．１〜２μｍの高純度ＭｇＯ粉末を３ｔ／ｃｍ2 以
上の圧力でＣIＰ成形し、得られた成形体を焼結するこ
とにより得られる。 特開平１０−１５８８２６号 ＭｇＯ純度９９．９％以上、相対密度９９．０％以上の
ＭｇＯ焼結体よりなるＭｇＯターゲットであって、スパ
ッタ成膜速度６００Å／ｍｉｎ以上に対応可能なＭｇＯ
ターゲツトが記載され、高純度ＭｇＯ粉末に電融ＭｇＯ
粉末と平均粒径１００nm以下のＭｇＯ微粉末を添加混合
して成形し、成形体を一次焼結及び二次焼結する方法を
基礎としている。これらは、総じて、良好な配向性、結
晶性及び膜特性を有するＭｇＯ膜をスパッタ法により高
い成膜速度で成膜できることを記載するものとというこ
とができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭｇＯ
膜を大規模かつ均一に成膜するためにＭｇＯターゲット
をスパッタリング法により形成するに当たっては、この
他にも幾つかの問題がある。ＭｇＯターゲットは均一微
細結晶かつ機械的特性に優れ、スパッタ時のノジュー
ル、パーティクルを減らすことが必要である。また、同
時に割れや欠けなどの少ないターゲットを得ることも必
要である。特に、従来のＭｇＯ焼結体をスパッタリング
用ターゲットとして用いると、成膜された薄膜上にパー
ティクル（ターゲットから放出される粒子のクラスター
化したもの）と呼ばれる欠陥が多数発生し、歩留まりが
大幅に低下する。また、焼結体をターゲット寸法に機械
加工する際、密度の低い焼結体或いは結晶粒径の大きな
焼結体は機械的強度が弱いため、歩留まり低下、不純物
による汚染等の問題があった。
膜を大規模かつ均一に成膜するためにＭｇＯターゲット
をスパッタリング法により形成するに当たっては、この
他にも幾つかの問題がある。ＭｇＯターゲットは均一微
細結晶かつ機械的特性に優れ、スパッタ時のノジュー
ル、パーティクルを減らすことが必要である。また、同
時に割れや欠けなどの少ないターゲットを得ることも必
要である。特に、従来のＭｇＯ焼結体をスパッタリング
用ターゲットとして用いると、成膜された薄膜上にパー
ティクル（ターゲットから放出される粒子のクラスター
化したもの）と呼ばれる欠陥が多数発生し、歩留まりが
大幅に低下する。また、焼結体をターゲット寸法に機械
加工する際、密度の低い焼結体或いは結晶粒径の大きな
焼結体は機械的強度が弱いため、歩留まり低下、不純物
による汚染等の問題があった。
【０００６】従って、本発明の課題は、ＭｇＯ膜を大規
模かつ均一に成膜するために、均一微細結晶かつ機械的
特性に優れ、スパッタ時のノジュール、パーティクルを
減らすことができ、同時に割れや欠けなどの少ないＭｇ
Ｏスパッタリングターゲットを開発することである。
模かつ均一に成膜するために、均一微細結晶かつ機械的
特性に優れ、スパッタ時のノジュール、パーティクルを
減らすことができ、同時に割れや欠けなどの少ないＭｇ
Ｏスパッタリングターゲットを開発することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、平均結晶粒
径、焼結体密度、抗折力、ターゲット表面の中心線平均
粗さをコントロールすることにより、上記課題を満足す
るターゲットの開発に成功した。かくして、本発明は、
平均結晶粒径１０μｍ以下、焼結体密度３．０ｇ／ｃｍ
3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、ターゲット表
面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下であることを特徴
とする焼結体ＭｇＯスパッタリングターゲット、好まし
くは平均結晶粒径５μｍ以下、焼結体密度３．３ｇ／ｃ
ｍ3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、ターゲット
表面の中心線平均粗さＲａ：０．５μｍ以下であること
を特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリングターゲットを
提供するものである。本発明は更に、純度９９．９％以
上、粒径１μｍ以下のＭｇＯ微粉末を純水もしくは有機
溶剤に分散混合し、混合溶液にバインダーを加え、スプ
レードライにより造粒粉を調製し、５００〜１０００ｋ
ｇ／ｃｍ2の荷重の下で成型し、そして該成型体を１５
００〜１７００℃の温度で０．５ｈｒ以上保持して焼成
し、得られた焼結体をターゲット表面の中心線平均粗さ
Ｒａ：１μｍ以下に表面仕上げすることを特徴とする焼
結体ＭｇＯスパッタリングターゲットの製造方法をも提
供する。
径、焼結体密度、抗折力、ターゲット表面の中心線平均
粗さをコントロールすることにより、上記課題を満足す
るターゲットの開発に成功した。かくして、本発明は、
平均結晶粒径１０μｍ以下、焼結体密度３．０ｇ／ｃｍ
3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、ターゲット表
面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下であることを特徴
とする焼結体ＭｇＯスパッタリングターゲット、好まし
くは平均結晶粒径５μｍ以下、焼結体密度３．３ｇ／ｃ
ｍ3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以上、ターゲット
表面の中心線平均粗さＲａ：０．５μｍ以下であること
を特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリングターゲットを
提供するものである。本発明は更に、純度９９．９％以
上、粒径１μｍ以下のＭｇＯ微粉末を純水もしくは有機
溶剤に分散混合し、混合溶液にバインダーを加え、スプ
レードライにより造粒粉を調製し、５００〜１０００ｋ
ｇ／ｃｍ2の荷重の下で成型し、そして該成型体を１５
００〜１７００℃の温度で０．５ｈｒ以上保持して焼成
し、得られた焼結体をターゲット表面の中心線平均粗さ
Ｒａ：１μｍ以下に表面仕上げすることを特徴とする焼
結体ＭｇＯスパッタリングターゲットの製造方法をも提
供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明においては、純度９９．９
％以上、粒径１μｍ以下のＭｇＯターゲット微粉末が純
水もしくはエタノールのような有機溶剤に分散混合され
る。この混合溶液にバインダーを加え、スプレードライ
法その他の乾燥方法により造粒粉が調製される。この造
粒粉が金型に充填され、５００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2
の荷重をかけて成型される。上記の成型体は１５００〜
１７００℃の温度で０．５ｈｒ以上保持し、焼成され
る。得られた焼結体は、平面研削、研磨等の方法により
スパッタリング用ターゲット材の形状に機械加工され
る。
％以上、粒径１μｍ以下のＭｇＯターゲット微粉末が純
水もしくはエタノールのような有機溶剤に分散混合され
る。この混合溶液にバインダーを加え、スプレードライ
法その他の乾燥方法により造粒粉が調製される。この造
粒粉が金型に充填され、５００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2
の荷重をかけて成型される。上記の成型体は１５００〜
１７００℃の温度で０．５ｈｒ以上保持し、焼成され
る。得られた焼結体は、平面研削、研磨等の方法により
スパッタリング用ターゲット材の形状に機械加工され
る。
【０００９】こうして、平均結晶粒径１０μｍ以下、好
ましくは、５μｍ以下、焼結体密度３．０ｇ／ｃｍ3以
上、好ましくは３．３ｇ／ｃｍ3以上、抗折力１００ｋ
ｇｆ／ｍｍ2以上、ターゲット表面の中心線平均粗さＲ
ａ：１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下であるる焼
結体ＭｇＯスパッタリングターゲットが得られる。
ましくは、５μｍ以下、焼結体密度３．０ｇ／ｃｍ3以
上、好ましくは３．３ｇ／ｃｍ3以上、抗折力１００ｋ
ｇｆ／ｍｍ2以上、ターゲット表面の中心線平均粗さＲ
ａ：１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下であるる焼
結体ＭｇＯスパッタリングターゲットが得られる。
【００１０】焼結結晶粒径が微細になればノジュールや
パーティクルの低減の効果がある。表面粗さについても
同じことがいえる。これは、結晶粒が大きかったり、表
面が粗い場合には、それだけ表面に再付着されやすくな
り、これがノジュールの原因になると考えられるからで
ある。高密度化することにより薄膜の均一性が良くなる
と同時に、バルク抵抗値が低くなり効率良くスパッタが
行えるようになる。抗折力が高いと、ターゲットの強度
が向上し、スパッタ中の変形に耐えることができる。こ
うした理由で、上述した数値限定を設定した。
パーティクルの低減の効果がある。表面粗さについても
同じことがいえる。これは、結晶粒が大きかったり、表
面が粗い場合には、それだけ表面に再付着されやすくな
り、これがノジュールの原因になると考えられるからで
ある。高密度化することにより薄膜の均一性が良くなる
と同時に、バルク抵抗値が低くなり効率良くスパッタが
行えるようになる。抗折力が高いと、ターゲットの強度
が向上し、スパッタ中の変形に耐えることができる。こ
うした理由で、上述した数値限定を設定した。
【００１１】焼成方法には、ホットプレス法やこれとＨ
ＩＰを併用する方法、及び常圧焼結法とＨＩＰを併用す
る方法がある。二段階で行うことを妨げない。
ＩＰを併用する方法、及び常圧焼結法とＨＩＰを併用す
る方法がある。二段階で行うことを妨げない。
【００１２】
【実施例】ＭｇＯターゲットの作製は下記の方法で行っ
た。純度９９．９％以上、粒径１μｍ以下のＭｇＯター
ゲット微粉末を純水もしくは有機溶剤に分散混合した。
この混合溶液に１０〜２００ｃｃ／ｋｇのバインダーを
加え、スプレードライ法により造粒粉を作製した。この
造粒粉を１６２ｍｍ×３８５ｍｍサイズの金型に充填
し、５００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2の加重をかけて成型
を行った。上記の方法で作製した成型体を１５００〜１
７００℃の温度で０．５ｈｒ以上保持し、焼成した。
た。純度９９．９％以上、粒径１μｍ以下のＭｇＯター
ゲット微粉末を純水もしくは有機溶剤に分散混合した。
この混合溶液に１０〜２００ｃｃ／ｋｇのバインダーを
加え、スプレードライ法により造粒粉を作製した。この
造粒粉を１６２ｍｍ×３８５ｍｍサイズの金型に充填
し、５００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2の加重をかけて成型
を行った。上記の方法で作製した成型体を１５００〜１
７００℃の温度で０．５ｈｒ以上保持し、焼成した。
【００１３】これにより得られたＭｇＯ焼結体の密度測
定、粒径測定、抗折試験、表面粗さ測定を行った。その
結果を表１に示す。なお、密度測定はアルキメデス法、
粒径測定は交差法による平均値（補正係数なし）、抗折
試験はＪＩＳ三点曲げ法により測定した。この結果から
成型体密度が高いと焼結体密度の大きい焼結体が得ら
れ、かつ平面研削で表面粗さを小さくすると高強度な焼
結体となることがわかる。
定、粒径測定、抗折試験、表面粗さ測定を行った。その
結果を表１に示す。なお、密度測定はアルキメデス法、
粒径測定は交差法による平均値（補正係数なし）、抗折
試験はＪＩＳ三点曲げ法により測定した。この結果から
成型体密度が高いと焼結体密度の大きい焼結体が得ら
れ、かつ平面研削で表面粗さを小さくすると高強度な焼
結体となることがわかる。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【発明の効果】均一微細結晶かつ機械的特性に優れ、ス
パッタ時のノジュール、パーティクルを減らすことがで
き、同時に割れや欠けなどの少ないＭｇＯスパッタリン
グターゲットを得ることができる。
パッタ時のノジュール、パーティクルを減らすことがで
き、同時に割れや欠けなどの少ないＭｇＯスパッタリン
グターゲットを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G030 AA07 BA14 CA07 GA11 GA12 GA17 GA20 GA27 4K029 BA43 DC05 DC09 5C094 AA42 AA43 AA46 AA55 BA31 DA14 FB02 FB20 GB10 JA08 JA20 5G435 AA17 BB06 FF00 HH14 KK05
Claims (3)
- 【請求項１】 平均結晶粒径１０μｍ以下、焼結体密度
３．０ｇ／ｃｍ3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以
上、ターゲット表面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下
であることを特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項２】 平均結晶粒径５μｍ以下、焼結体密度
３．３ｇ／ｃｍ3以上、抗折力１００ｋｇｆ／ｍｍ2以
上、ターゲット表面の中心線平均粗さＲａ：０．５μｍ
以下であることを特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリン
グターゲット。 - 【請求項３】 純度９９．９％以上、粒径１μｍ以下の
ＭｇＯ微粉末を純水もしくは有機溶剤に分散混合し、混
合溶液にバインダーを加え、スプレードライにより造粒
粉を調製し、５００〜１０００ｋｇ／ｃｍ2の荷重の下
で成型し、そして該成型体を１５００〜１７００℃の温
度で０．５ｈｒ以上保持して焼成し、得られた焼結体を
ターゲット表面の中心線平均粗さＲａ：１μｍ以下に表
面仕上げすることを特徴とする焼結体ＭｇＯスパッタリ
ングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344139A JP2000169956A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | スパッタリング用ＭｇＯターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344139A JP2000169956A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | スパッタリング用ＭｇＯターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000169956A true JP2000169956A (ja) | 2000-06-20 |
Family
ID=18366952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10344139A Pending JP2000169956A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | スパッタリング用ＭｇＯターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000169956A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004084018A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材の製造方法 |
| JP2004084017A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末 |
| JP2004084016A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材 |
| JP2005330589A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-12-02 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材の製造方法 |
| CN1322534C (zh) * | 2003-10-21 | 2007-06-20 | 三星Sdi株式会社 | 等离子体显示板的保护层用氧化镁球粒和等离子体显示板 |
| KR100814855B1 (ko) | 2007-02-21 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널 |
| KR100839423B1 (ko) * | 2007-02-21 | 2008-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 산화 마그네슘 소결체, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널 |
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| CN112805403A (zh) * | 2018-10-10 | 2021-05-14 | 捷客斯金属株式会社 | 氧化镁溅射靶 |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP10344139A patent/JP2000169956A/ja active Pending
Cited By (26)
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