KR20080013587A - 보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 - Google Patents

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KR20080013587A
KR20080013587A KR1020060075286A KR20060075286A KR20080013587A KR 20080013587 A KR20080013587 A KR 20080013587A KR 1020060075286 A KR1020060075286 A KR 1020060075286A KR 20060075286 A KR20060075286 A KR 20060075286A KR 20080013587 A KR20080013587 A KR 20080013587A
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김보현
박민수
박덕해
류병길
김영성
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 산화마그네슘만 또는 다른 혼합물로 형성된 보호막은 이차전자 방출계수를 어느 정도 높일 수 있으나 그에 한계가 있었고, 또한 PDP의 높은 구동전압과 낮은 효율 등의 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 이차전자 방출 특성과 구동 효율이 높은 보호막으로서, 결정질 산화마그네슘(MgO)이 포함된 제 1 층 및 제 2 보호막으로서 상기 제 1 층 상에 형성되고, 비정질 MgO이 포함된 제 2 층을 포함하여 형성되는 보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
PDP, 이차전자, MgO, 비정질

Description

보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법{PROTECTION LAYER, MANUFACTURING METHOD USING IT AND MANUFACTURING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 개략 사시도이다.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 상부 기판 110 : 하부 기판
102 : 스캔 전극쌍 103 : 서스테인 전극쌍
270 : 상부 기판 275 : 상부 기판 유전체
280 : 제 1 보호막 280' : 제 2 보호막
290 : 유지 전극쌍 290a : 투명 전극
290b : 버스 전극
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 상부 기판(100) 및 배면을 이루는 후 면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 하부 기판(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
상부 기판(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호막(105)이 형성된다.
하부 기판(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 하부 기판(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 구조를 갖는 종래 PDP는 크게 유리기판 제조 공정, 상부 기판 제조 공정, 하부 기판 제조 공정, 조립 공정을 거쳐 형성된다. 특히, PDP 제조 공정 중 패널의 제조 공정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 상부 기판(100)의 제조 공정은 상부 기판(100)에 스캔 전극(102)과 서 스테인 전극(103)이 형성되는 제조 공정과 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)의 방전전류를 제한하며, 전극쌍 간을 절연시켜주는 상부 유전체층이 형성되는 제조 공정, 유전체층 상면에 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(Mgo)을 증착한 보호막이 형성되는 제조 공정을 거치게 된다.
또한, 하부 기판(110)의 제조 공정은 하부 기판(110)에 어드레스 전극(113)이 형성되는 제조 공정과 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층이 형성되는 제조 공정, 유전체층 상면에 방전셀을 구획하는 격벽(112)이 형성되는 제조 공정, 격벽(112)에 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 형광체층이 형성되는 제조 공정을 거치게 된다.
도 2는 전술한 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판(100) 제조 방법을 도시한 것이다. 도시된 바와 같이, 상부 기판(100)인 유리를 가공하는 단계와, 그 상부 기판(100) 상에 방전 유지 전극(102, 103)을 형성하는 단계와, 상기 방전유지 전극(102, 103) 상에 상부 유전체층(104)을 형성하는 단계와, 상기 상부 유전체층(104) 상에 실링(sealing)을 하고, 산화마그네슘(MgO) 보호막(105)을 형성하는 단계로 이루어진다.
상기 방전유지 전극(102, 103)은 상부 기판(100) 상에 투명전극인 두 전극(102a, 103a)을 형성하는 단계와, 상기 형성된 두 전극(102a, 103a)의 일부분 상에 보조 전극인 버스전극(102b, 103b)을 형성하는 단계로 이루어진다.
이러한 단계로 이루어진 상부 기판(100)에서의 제조 방법을 설명하면, 상부 기판(100) 상에 투명 전극(102a, 103a)을 스퍼터링(sputtering)이나 진공증착 등의 방법을 이용하여 형성하고, 그 투명전극 상에 Cr/Cu/Cr로 이루어진 버스전극(102b, 103b)을 스퍼터링 방식에 의해 형성한다.
상기 투명 전극(102a, 103a)과 버스전극(102b, 103b)으로 형성된 방전유지 전극(102, 103) 상에 스크린 인쇄법을 이용하여 상부 유전체층(104)을 형성하고, 그 상부 유전체층(104) 상에 실링을 한다.
그 다음 상기 상부 유전체층(105) 표면에 보호막(105)을 형성하는데, 이 보호막(105)은 통상 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지고, 이 산화마그네슘은 E-beam 또는 액상 산화마그네슘을 도포 또는 코팅하여 약 500㎚ 정도로 증착한다.
하지만, 전술한 종래 E-beam 또는 산화마그네슘(MgO)만으로 형성된 보호막(105)은 이차전자 방출계수를 어느 정도 높일 수 있으나 그에 한계가 있고, 또한 PDP의 높은 구동전압과 낮은 효율 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 이상과 같은 문제를 해결하기 위해 이차전자 방출 특성을 높여 방출 전압을 낮추고, 방전을 제어하여 효율을 높일 수 있는 보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명은 표시 특성을 향상시킬 수 있는 보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예에 따른 보호막은 결정질 산화마그네슘(MgO)이 포함된 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 형성되고, 비정질 MgO이 포함된 제 2 층을 포함하여 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제 1 층은 두께가 700㎚이다. 또한 상기 제 2 층의 두께는 100㎚이고, 상기 결정질 MgO의 입자가 상기 제 1 층의 전면에 불규칙적으로 도포되어 형성된다.
이때, 상기 비정질 MgO는 입자의 지름이 10~30㎛이다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 보호막의 제조 방법은 결정질 MgO이 포함된 제 1 보호막을 형성하는 단계 및 상기 제 1 보호막 상에 비정질 MgO이 포함된 제 2 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제 1 보호막의 두께를 700㎚로 하고, 상기 제 2 보호막의 두께를 100㎚로 형성한다.
또한, 상기 제 1 보호막과 상기 제 2 보호막은 증착 조건을 다르게 하여 형성하고, 상기 제 1 보호막의 증착 온도보다 상기 제 2 보호막의 증착 온도를 낮게 하거나 또는 상기 제 1 보호막의 증착 속도보다 상기 제 2 보호막의 증착 속도를 빠르게 하여 형성한다.
상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는 상기 제 1 보호막 상에 증착 속도를 증가시켜 MgO을 증착하는 단계 및 상기 제 1 보호막을 급속 냉각하여 비정질 MgO이 포함된 제 2 보호막을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 증착 속도는 200㎚/min 이상으로 하여 증착하고, 상기 MgO의 증착은 전자빔 증착법, 이온 플레이팅법(Ion plating), 화학기상 증착법(CVD), 스 퍼터링법(sputtering) 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용한다.
이때, 제 2 보호막은 상기 증착 속도의 증가와 급속 냉각에 의해 결정질 MgO 원자가 불규칙 결정인 비정질 MgO을 얻을 수 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 상부 기판 상에 투명 전극과 상부 유전체층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 상부 유전체층 상에 결정질 MgO이 포함된 제 1 보호막을 형성하는 단계, 상기 제 1 보호막 상에 비정질 MgO이 포함된 제 2 보호막을 형성하는 단계, 어드레스 전극이 형성되어 있는 하부 기판과 상기 상부 기판을 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제 2 보호막은 상기 제 1 보호막 상의 전면에 비정질 MgO이 군집 형태로 불규칙적으로 형성되고, 상기 하부 기판과 상부 기판의 합착은 상기 하부 기판 상에 실링(sealing)재를 도포하여 상기 상부 기판과 합착한다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막은 2 층 구조를 가지며, 상부 기판(270) 상의 전극들(290a, 290b)과 이 전극들을 보호하는 유전체층(275) 상에 형성되고 결정질 산화마그네슘(MgO)을 포함하는 제 1 층(280)과 상기 제 1 층(280) 상에 형성되고 비정질 MgO이 포함된 제 2 층(280')을 포함하여 형성된다.
여기서, 상기 제 2 층(280')은 상기 제 1 층의 전면에 상기 비정질 MgO이 포함된 입자가 불규칙적으로 도포되어 형성되고, 상기 비정질 MgO은 결정질 MgO의 증착 속도를 증가시켜 증착한 후 급속 냉각을 시켜 결정질 MgO의 Mg와 O의 원자가 규칙적인 자리를 찾아 결정질을 형성할 수 없게 하여 비정질 MgO 층을 형성하게 한다.
상기 제 1 층(280)의 두께는 700㎚로 하고, 제 2 층(280')의 두께는 100㎚로 하여 형성하고, 비정질 MgO 입자의 지름은 10~30㎛이다.
상기 제 1 층(280) 상의 전면에, 비정질 MgO이 포함된 입자가 일종의 군집 형태로 불규칙적으로 형성되므로, 전체적으로 보호막의 표면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형상을 이루게 된다. 따라서, 가스 방전시에 자외선 이온이 보호막에 충돌하는 표면적이 증가하여 이차전자의 방출량이 증가하고, 방전개시전압을 낮출 수 있으므로, 결과적으로 방전효율을 높이고 지터(jitter)를 감소시킨다.
이와 같이 결정질 MgO이 포함된 제 1 층(280)과, 비정질 MgO이 포함된 제 2 층(280')으로 이루어지는 보호막의 이차전자 방출계수에 대한 일예를 표 1에 나타내었다.
Figure 112006057035415-PAT00001
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 보호막의 제조 방법을 나타낸 개략 블록도로서, 결정질 MgO이 포함된 제 1 보호막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 보호막 상에 비정질 MgO이 포함된 제 2 보호막을 형성하는 단계로 크게 나눌 수 있다. 이때, 상기 제 1 보호막의 두께를 700㎚로 형성하고, 상기 제 2 보호막의 두께를 100㎚로 형성한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 먼저, 결정질의 MgO을 포함하는 제 1 보호막을 형성한다(S410). 여기서, 제 1 보호막은 MgO 파우더, 용매, 분산제를 혼합한 액상의 형태로 도포, 소성 및 건조하여 형성할 수 있고, 화학기상 증착법(CVD), 이온 플레이팅법(Ion-plating), 전자빔 증착법, 스퍼터링법(sputtering) 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 두께는 전술한 바와 같이 700㎚로 하여 형성한다.
다음, 상기 형성된 제 1 보호막 상에 MgO을 전술한 방법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 이용하여 증착하는 데, 상기 제 1 보호막과 상기 제 2 보호막은 증착 조건을 다르게 하여 형성한다. 본 발명의 실시예에서는 상기 제 1 보호막의 증착 속도보다 상기 제 2 보호막의 증착 속도를 빠르게 하기 위해, 증착 속도를 200㎚/min의 속도로 하여 고속 증착시킨다(S420).
다음, 상기 제 1 보호막의 증착 온도보다 상기 제 2 보호막의 증착 온도를 낮게 하기 위해, 상기 제 1 보호막 상에 증착된 MgO을 액체 질소, 냉각수 등을 사용하여 급속 냉각시킨다(S430).
그러면, 상기 증착된 MgO의 Mg와 O 원자가 제자리를 찾아 규칙적으로 결정질을 형성할 수 있는 확률이 감소하므로 비정질 MgO가 형성된 제 2 보호막을 얻을 수 있다(S440).
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 제조 방법을 나타낸 개략 블록도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 먼저, 유리(glass)를 가공하여 상부 기판을 준비하고(S510), 그 상부 기판 상에 투명 전극(ITO)과 두 전극을 형성하고, 그 두 전극의 일부분 상에 보조 전극인 버스 전극을 순차적으로 증착하여 방전 유지 전극을 형성한다(S520).
다음, 상기 형성된 전극들 상에 상부 유전체층을 형성하고(S530), 상기 유전체층 상에 결정질 MgO를 포함하는 제 1 보호막을 형성한다(S540). 여기서, 가장 많이 사용되는 재료가 MgO이지만, 산화지르코늄(ZrO), 산화하프늄(HfO), 산화세슘(CeO2), 산화토륨(ThO2) 또는 산화 란타넘(La2O3) 등도 사용할 수 있다. MgO는 보통 전자빔 증착법이나 화학기상 증착법, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
다음, 상기 제 1 보호막 상에 비정질 MgO이 포함되는 제 2 보호막을 형성한다(S550). 상기 제 2 보호막은 제 1 보호막의 전면에, MgO을 고속 증착 후 냉각시켜 상기 제 1 보호막 상의 전면에 비정질 MgO이 포함된 입자가 군집 형태로 불규칙하게 형성되게 한다. 증착방법은 전술한 바와 마찬가지로, 전자빔 증착법이나 화학기상 증착법, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하고, 전술한 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성된 비정질 MgO 입자가 제 2 보호막 역할을 하여, 플라즈마 디스플레이 방전 중 Xe 등의 방전 가스에 의해 생기는 147nm 파장의 VUV(vacuum ultraviolet)를 250nm 파장의 UV로 방출하여 결과적으로 휘도를 향상시키게 된다.
다음, 어드레스 전극이 형성되어 있는 하부 기판과 하부 기판 상에 실링(sealing)재를 도포하고 상기 상부 기판과 합착하여(S560), 플라즈마 디스플레이 패널을 완성한다.
한편, 본 발명에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의 내려진 용어들로써 이는 당분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명을 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가지 자에 의해 변형이 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.
상기에서 설명한 본 발명에 따른 보호막, 이를 이용한 보호막 제조 방법 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.
플라즈마 디스플레이 패널의 구동시에 보호막에서의 이차전자 방출 특성이 향상된다는 효과가 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 이차전자 방출 특성이 향상되어, 방전 개시전압을 감소시키기고, 휘도와 방전효율이 높아 전력 소모와 지터(jiter)가 작아진다는 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 결정질 산화마그네슘(MgO)이 포함된 제 1 층; 및
    상기 제 1 층 상에 형성되고, 비정질 MgO이 포함된 제 2 층;을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 보호막.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 층은,
    두께가 700㎚인 것을 특징으로 하는 보호막.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 층은,
    두께가 100㎚인 것을 특징으로 하는 보호막.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 층은,
    상기 결정질 MgO의 입자가 상기 제 1 층의 전면에 불규칙적으로 도포되어 형성된 것을 특징으로 하는 보호막.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 MgO는,
    입자의 지름이 10~30㎛인 것을 특징으로 하는 보호막.
  6. 결정질 MgO이 포함된 제 1 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 보호막 상에 비정질 MgO이 포함된 제 2 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,
    두께를 700㎚로 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    두께를 100㎚로 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 보호막의 제조 방법은,
    상기 제 1 보호막과 상기 제 2 보호막은 증착 조건을 다르게 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 보호막의 제조 방법은,
    상기 제 1 보호막의 증착 온도보다 상기 제 2 보호막의 증착 온도를 낮게 하거나 또는 상기 제 1 보호막의 증착 속도보다 상기 제 2 보호막의 증착 속도를 빠르게 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는,
    상기 제 1 보호막 상에 증착 속도를 증가시켜 MgO을 증착하는 단계; 및
    상기 제 1 보호막을 급속 냉각하여 비정질 MgO이 포함된 제 2 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 증착 속도는,
    200㎚/min 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 MgO의 증착은,
    전자빔 증착법, 이온 플레이팅법(Ion plating), 화학기상 증착법(CVD), 스퍼터링법(sputtering) 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 제 2 보호막은,
    상기 증착 속도의 증가와 급속 냉각에 의해 결정질 MgO 원자가 불규칙 결정을 이루는 것을 특징으로 하는 보호막의 제조 방법.
  15. 상부 기판 상에 투명 전극과 상부 유전체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 상부 유전체층 상에 결정질 MgO이 포함된 제 1 보호막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 보호막 상에 비정질 MgO이 포함된 제 2 보호막을 형성하는 단계; 및
    어드레스 전극이 형성되어 있는 하부 기판과 상기 상부 기판을 합착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    상기 제 1 보호막 상의 전면에 비정질 MgO이 군집 형태로 불규칙적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  17. 제 13 항에 있어서, 상기 하부 기판과 상부 기판의 합착은,
    상기 하부 기판 상에 실링(sealing)재를 도포하여 상기 상부 기판과 합착하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
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