JP2002358891A - プラズマディスプレイ装置の製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイ装置の製造方法

Info

Publication number
JP2002358891A
JP2002358891A JP2001165051A JP2001165051A JP2002358891A JP 2002358891 A JP2002358891 A JP 2002358891A JP 2001165051 A JP2001165051 A JP 2001165051A JP 2001165051 A JP2001165051 A JP 2001165051A JP 2002358891 A JP2002358891 A JP 2002358891A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing
gas
discharge space
plasma display
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001165051A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Date
健二 伊達
Nobuo Yasuhira
宣夫 安平
Akihiro Yamaguchi
明広 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001165051A priority Critical patent/JP2002358891A/ja
Publication of JP2002358891A publication Critical patent/JP2002358891A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 PDP膜全面においてMgO膜表面を滑らか
にし、放電特性の良好なPDPを提供する。PDP装置
の製造工程で多大な時間と電力を必要としていたパネル
エージング工程をなくし、製造時間の短縮をはかる。 【解決手段】 プラズマディスプレイ装置の製造方法に
おいて、前記封着の後、放電空間内をエッチングするこ
とによりエージングを行う。また、組み立てに先立ち表
面側パネルの製造工程で表面の平滑化処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する分野】本発明は、プラズマディスプレイ
装置の製造方法に係り、特に、大画面で、薄型かつ軽量
のディスプレイ装置であるプラズマディスプレイ装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、プラズマディスプレイ装置は、視
認性に優れた薄型表示パネルとして注目されており、高
精細化および大画面化が進められている。
【0003】このプラズマディスプレイ装置は、駆動方
式で大別すると、AC型とDC型とがあり、また放電形
式で大別すると面放電型と対向放電型の2種類がある
が、高精細化、大画面かおよび製造の簡便性から、現状
では、AC型で面放電型のプラズマディスプレイ(PD
P)装置が主流を占めるようになってきている。
【0004】このカラーPDPは以下のようにして製造
される。まず、ガラス基板上に電極や隔壁などを形成
し、各種の凸部を有してなる前面板パネルと背面板パネ
ルとを製造し、両パネルを対向配置させた後、周囲をシ
ールして、その内部に不活性ガスを封入し、個別に分断
し、チップ管を形成する。そして、最後に各チップ管に
それぞれ信号制御回路やシャーシを組み立ててカラーP
DPを完成する。
【0005】ところで、通常、前面板パネルは透明基板
表面に表示電極4を形成した後、誘電体層6で被覆し、
その表面を酸化マグネシウム(MgO)からなる保護膜
7で被覆している。しかしながら、この保護膜は放電空
間に露呈しており、二次電子の放出媒体となる重要な役
割を果たすものであり、わずかな表面の凹凸が表示特性
を劣化させる大きな問題となることが多い。また、Mg
O膜表面の膜本来の表面状態として、三角柱あるいは三
角錐などの柱状の突起がガラス面に垂直に密集して形成
されていることが多い。
【0006】そこでこのような状況を考慮して、従来は
PDPの管内に不活性ガスを封入し、パネルエージング
工程と称して、両電極間に電圧を印加し、スパッタリン
グを行うことにより、前記三角柱あるいは三角推などの
突起を除去し、平らで滑らかな表面を形成するための工
程が導入されている。
【0007】これにより、MgO膜の二次電子放出係数
や不純物ガス吸着量が向上し、特性の安定化をもたらす
ことが可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなPDP装置のパネルエージング工程は、表面板の誘
電体層の膜厚のばらつき、背面板の蛍光体の膜厚のばら
つき、RGB各セルの放電空間の容積の違い、RGB蛍
光体材料の差などさまざまな要因によって放電にばらつ
きが生じてしまうという問題があった。
【0009】つまり、MgO表面のスパッタ効果に差が
生じることが多く、表面状態が粗い部分と滑らかな部分
とに別れてしまう。このため、現状のパネルエージング
工程では均一な特性を得るのは非常に困難となってい
る。
【0010】また、封入後、信号制御回路などを実装
し、PDPを完成したのち、エージング処理を行う必要
があり、個別に長時間の通電をしなければならないた
め、生産作業性が悪いという問題あった。また、実際に
電極間に放電を生起せしめ、しかも長時間にわたって通
電しなければならないため、寿命を縮めるという結果を
招くことがあった。
【0011】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、上記問題を解決し、PDP全面においてMgO膜表
面を滑らかにし、放電特性の良好なPDPを提供するこ
とを目的とする。
【0012】また本発明は、PDP装置の製造工程で多
大な時間と電力を必要としていたパネルエージング工程
をなくし、製造時間の短縮をはかることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1では、電極群を具備してなり、少なく
とも前面側が透明な一対の基板を用意する工程と、前記
1対の基板を、放電空間を形成するように対向配置する
と共に前記放電空間を複数に仕切るための隔壁を配置
し、両基板間を封着してガスを封入して封止する封止工
程とを含み、前記複数に仕切られた放電空間内に設けら
れた蛍光体層を発光せしめるようにしたプラズマディス
プレイ装置の製造方法において、前記封着の後、放電空
間内をエッチングするエッチング工程を含むことを特徴
とする。
【0014】かかる構成によれば、PDP装置の組み立
て後に電圧を印加してパネルエージングを行う必要がな
くなり、長時間にわたる通電工程が不要となる。このた
め生産性が大幅に向上する。
【0015】また、従来のエージング工程で行ったよう
なスパッタリング工程ではなく、エッチングによるもの
であるため、表面板の誘電体層の膜厚のばらつき、背面
板の蛍光体の膜厚のばらつき、RGB各セルの放電空間
の容積の違い、RGB蛍光体材料の差などさまざまな物
理的要因による、処理のばらつきを抑制し、面内均一な
MgO表面を得ることが可能となる。このため面内均一
な放電特性を持ったPDP装置を得ることが可能とな
る。
【0016】また、両基板を封着しチップ管に分割する
前に一括してエッチングガスあるいはエッチング液を封
入するのみで平滑化処理を行うことができるため、従来
のように各端子に電源を接続し、長時間にわたる通電を
行うという作業が不要となり、生産性が向上する。
【0017】また、処理時間が大幅に短縮されるため、
製造時間の短縮化をはかることができ、生産性が向上す
る。
【0018】さらにまた、実際に電極間に放電を生起せ
しめ、しかも長時間にわたって通電しなければならなか
った従来の方法にくらべ、エージングに要する通電時間
によって寿命を縮めるという不都合が低減される。
【0019】望ましくは、前記エッチング工程は、前記
封着後、前記放電空間内に反応性ガスを導入する工程で
あることを特徴とする。
【0020】かかる構成によれば、上記効果に加え、反
応性ガスを導入するのみで、均一なエッチングを行うこ
とができ、電極群などにダメージを与えることなく、エ
ージングを行うことが可能となる。なお、この反応性ガ
スとしては、蛍光体を劣化させることのないものであっ
て、管内に残留して発光に悪影響を与えるようなことの
無い物を選択する必要がある。
【0021】また、望ましくは、前記エッチング工程
は、前記封着後、前記放電空間内に還元性ガスを導入す
るとともに所定の温度に加熱する工程であることを特徴
とする。
【0022】かかる構成によれば、短時間で信頼性の高
いPDP装置を得ることが可能となる。また不活性ガス
を注入して所望の温度に加熱することによっても突起を
エッチングすることは可能である。
【0023】また、本発明の第2では、電極を1対の基
板を対向して封着するに先立ち、電極形成後基板の状態
で、表面を平滑化するようにしたことを特徴とするもの
である。
【0024】すなわち、電極群を具備してなり、少なく
とも前面側が透明な、一対の基板を用意する工程と、前
記1対の基板のうちの少なくとも一方の表面を平滑化す
る平滑化工程と、前記1対の基板を、放電空間を形成す
るように対向配置すると共に前記放電空間を複数に仕切
るための隔壁を配置し、両基板間を封止する封止工程と
を含み、前記複数に仕切られた放電空間内に設けられた
蛍光体層を発光せしめるようにしたことを特徴とする。
【0025】かかる構成によれば、平板の状態で表面処
理を行うことができるため、極めて作業性がよく、かつ
生産性も大幅に向上する。
【0026】また、平板状での処理であるため、物理的
処理でも化学的処理でも極めて作業性よく均一に行うこ
とが容易に可能となる。
【0027】望ましくは、前記平滑化工程は、エッチン
グ工程であることを特徴とする。
【0028】かかる構成によれば、上記効果に加え、極
めて作業性よく、信頼性の高いPDPを得ることが可能
となる。
【0029】また望ましくは、前記平滑化工程は、前記
プラズマディスプレイ装置内に封入されるガスと同一の
ガスを用いたガス雰囲気中でスパッタリングを行う工程
であることを特徴とする。
【0030】かかる構成によれば、上記効果に加え、P
DP装置の電極には通電することなく、従来のパネルエ
ージング時に用いられる封入ガスでスパッタリングを行
っているため、電極の寿命を低下させることなく、同様
の処理効果を得ることが可能となる。
【0031】望ましくは、前記平滑化工程は、表面研磨
工程であることを特徴とする。
【0032】かかる構成によれば、MgO膜などの保護
膜表面の突起を削り、隙間をなくし滑らかな状態にする
ことができる。したがって、物理的処理のみで極めて容
易に平滑な表面を得ることができるため、電極群にダメ
ージを与える機会をより低減することが可能となる。
【0033】このように本発明によれば、組み立て完了
後に電極間に通電し、電極群間での放電を生起せしめる
従来のパネルエージング工程を不要とし、封着後の封着
管の内部エッチングあるいは封着に先立ち平板状態での
表面エッチングあるいは表面研磨により基板表面の平滑
化をおこなうことにより、従来のパネルエージング工程
にくらべ、極めて作業性よくより均一で信頼性の高いエ
ージングを行うことができるものである。
【0034】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。 実施形態1 本発明の第1の実施形態について説明する。図1は本発
明の方法で形成されるPDPの一部破断説明図、図2は
図1のA−A断面図、図3は図1のB−B断面図、図4
および図5は本発明の第1の実施形態のPDPの製造工
程を示す図である。
【0035】この製造方法では、PDP完成後に通電す
ることによるエージング工程に代えて、内部空間をエッ
チングするようにした物である。すなわちこの方法で
は、透明基板1表面に電極群を具備し、前面側パネルを
構成する表面側の基板を形成するとともに、背面側パネ
ルとしてのガラス製透明基板8表面にも所望の電極群お
よび隔壁を形成し、これらの基板間に放電空間が形成さ
れるように対向配置し、封着したのち、この放電空間内
に水素ガスを導入し、300から500℃程度で30分
間加熱することにより、内部の放電空間をエッチングす
るようにしたことを特徴とする。
【0036】すなわち、図4(a)に示すように通常の
方法により、前面パネルを構成する透明基板1表面に、
スパッタリング法により酸化インジウム錫(ITO)薄
膜を形成し、これをパターニングすることにより、スト
ライプ状の透明電極2aを形成するとともに、厚膜印刷
により、この透明電極2a上に細いストライプパターン
からなる銀製の母線2bおよび、この透明電極2a間に
ストライプパターンからなる銀製のバス電極を形成す
る。そしてさらに遮光層パターン5および誘電体層6を
形成した後、この透明基板の表面全体をMgO膜からな
る保護膜7で被覆する。この時保護膜表面にはMgOの
突起Sが形成されている。
【0037】また、図4(b)に示すように通常の方法
により、背面パネルを構成する透明基板8表面に、スパ
ッタリング法によりクロム薄膜を形成しパターニングす
ることにより前記表示電極とは直交する方向に伸長する
ストライプ状のデータ電極10を形成する。そしてこの
上層に絶縁体層9を形成するとともに、このデータ電極
と平行にストライプ状に起立せしめられた隔壁11を形
成する。そしてさらにこの隔壁間の側面および絶縁体層
9の表面に蛍光体層12を塗布する。この蛍光体層12
は順次赤色、緑色および青色の繰り返しとなるように一
色づつ順次配置されている。13は放電セルを示す。
【0038】このようにして形成された前面側パネルを
構成する透明基板1と背面パネルを構成する透明基板8
とを、図4(c)に示すように通常の方法により、表示
電極4とデータ電極10とが直交するように、微小な放
電空間を挟んで対向するように配置し、ガス注入口(図
示せず)を開口した状態で封着する。
【0039】そして、この注入口を介して、水素ガスを
供給し、300から500℃で30分加熱することによ
り、内部の放電空間をエッチングし、図4(d)に示す
ように、前面側パネルの保護膜7の突起Sも除去され平
滑な放電空間を得ることができる。この後、塩素ガスを
アルゴンなどの不活性ガスからなる封入ガスと置換しガ
ス注入口を封止する。
【0040】この後、図5(a)に示すように、通常の
方法で、ダイシングを行い、複数のチップ管に分割す
る。
【0041】そして最後に端子電極および信号制御回路
を具備したFPC(可撓性プリント配線基板)に接続
し、図5(b)に示すように、PDP装置が完成する。
【0042】かかる構成によれば、水素ガスなどのガス
を導入するのみで、均一なエッチングを行うことがで
き、電極群などにダメージを与えることなく、エージン
グを行うことが可能となる。
【0043】さらに、PDP装置の組み立て後に電圧を
印加してパネルエージングを行う必要がなくなり、長時
間にわたる通電工程が不要となることから、生産性が大
幅に向上する。
【0044】また、エッチングによる平滑化処理である
ため、表面板の誘電体層の膜厚のばらつき、背面板の蛍
光体の膜厚のばらつき、RGB各セルの放電空間の容積
の違い、RGB蛍光体材料の差などさまざまな物理的要
因による、処理のばらつきを抑制し、面内均一なMgO
表面を得ることが可能となる。このため面内均一な放電
特性を持ったPDP装置を得ることが可能となる。
【0045】また、両基板を封着しチップ管に分割する
前に一括してエッチングガスあるいはエッチング液を封
入するのみで平滑化処理を行うことができるため、従来
のように各チップ管の電極に電源を接続し、長時間にわ
たる通電を行うという作業が不要となり、生産性が向上
する。また、処理時間も大幅に短縮されるため、製造時
間の短縮化をはかることができ、生産性が向上する。
【0046】なお前記第1の実施形態では、水素ガスを
用いてエッチングを行ったため、この後、水素ガスをア
ルゴンなどの不活性ガスからなる封入ガスと置換する工
程が必要であったが、この変形例として、Ne,Xe,
Arなどの封入ガスを封入した後、所望の温度で加熱す
ることにより、同様に放電空間内の平滑化を行うことも
可能である。 実施形態2 次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
【0047】図6は本発明の第2の実施形態のPDPの
製造工程を示す図である。
【0048】ここでは、電極を1対の基板を対向して封
着するに先立ち、電極形成後基板の状態で、表面を平滑
化するようにしたことを特徴とする。
【0049】すなわち、前記第1の実施形態と同様、図
6(a)に示すように通常の方法により、前面パネルを
構成する透明基板1表面に、スパッタリング法により酸
化インジウム錫(ITO)薄膜を形成し、これをパター
ニングすることにより、ストライプ状の透明電極2aを
形成するとともに、厚膜印刷により、この透明電極2a
上に細いストライプパターンからなる銀製の母線2bお
よび、この透明電極2a間にストライプパターンからな
る銀製のバス電極を形成する。そしてさらに遮光層パタ
ーン5および誘電体層6を形成した後、この透明基板の
表面全体をMgO膜からなる保護膜7で被覆する。この
時保護膜表面にはMgOの突起Sが形成されている。
【0050】次いで、図6(b)に示すように、エッチ
ング装置にこの透明基板を装着し、塩素ガスを供給し、
300〜500℃で30分加熱することにより、前面側
パネルを構成する透明基板1表面をエッチングし、保護
膜7の突起Sを除去し平滑な表面を得る。
【0051】そしてまた、図6(c)に示すように通常
の方法により、背面パネルを構成する透明基板8表面
に、スパッタリング法によりクロム薄膜を形成しパター
ニングすることにより前記表示電極とは直交する方向に
伸長するストライプ状のデータ電極10を形成する。そ
してこの上層に絶縁体層9を形成するとともに、このデ
ータ電極と平行にストライプ状に起立せしめられた隔壁
11を形成する。そしてさらにこの隔壁間の側面11a
および絶縁体層9の表面に蛍光体層12を塗布する。こ
の蛍光体層12は順次赤色、緑色および青色の繰り返し
となるように一色づつ順次配置されている。
【0052】このようにして表面を平滑化処理された前
面側パネルを構成する透明基板1と背面パネルを構成す
る透明基板8とを、図6(c)に示すように通常の方法
により、表示電極4とデータ電極10とが直交するよう
に、微小な放電空間を挟んで対向するように配置し、ガ
ス注入口(図示せず)から、Xe、Arなどのガスを封
入し、封止する。
【0053】後は前記第1の実施形態と同様であり、図
5(a)に示したように、常の方法で、ダイシングを行
い、複数のチップ管に分割する。
【0054】そして最後に、図5(b)に示したよう
に、端子電極および信号制御回路を具備したFPC(可
撓性プリント配線基板)に接続しPDP装置が完成す
る。
【0055】かかる構成によれば、平板状での処理であ
るため、極めて作業性よく均一に行うことが容易に可能
となる。
【0056】かかる構成によれば、上記効果に加え、極
めて作業性よく、信頼性の高いPDPを得ることが可能
となる。
【0057】さらに、前記第1の実施形態の方法と同
様、PDP装置の組み立て後に電圧を印加してパネルエ
ージングを行う必要がなくなり、長時間にわたる通電工
程が不要となることから、生産性が大幅に向上する。
【0058】また、平板状でのエッチングによる平滑化
処理であるため、均一な処理が容易に可能となり、表面
板の誘電体層の膜厚のばらつき、背面板の蛍光体の膜厚
のばらつき、RGB各セルの放電空間の容積の違い、R
GB蛍光体材料の差などさまざまな物理的要因による、
処理のばらつきを抑制し、面内均一なMgO表面を得る
ことが可能となる。このため面内均一な放電特性を持っ
たPDP装置を得ることが可能となる。
【0059】また、前記第1の実施形態の方法と同様両
基板を封着しチップ管に分割する前に一括してエッチン
グガスあるいはエッチング液を封入するのみで平滑化処
理を行うことができるため、従来のように各端子に電源
を接続し、長時間にわたる通電を行うという作業が不要
となり、生産性が向上する。また、処理時間も大幅に短
縮されるため、製造時間の短縮化をはかることができ、
生産性が向上する。 実施形態3 なお、前記実施形態では、エッチングによる表面処理を
行ったが、図7に第3の実施形態を示すように、Ne,
Xe,Ar,Heなど実際のパネルに封入されるガスと
同様のガスを用いてスパッタリングを行うようにしても
よい。
【0060】すなわち、この方法ではチャンバー21内
に、陰極22および陽極23を配設し、陰極22上に表
面側パネルを構成するための透明基板すなわち、図6
(a)に示したような透明基板1を設置し、Ne,X
e,Ar,Heなどの不活性ガスを注入し、前記陽極お
よび陰極間に電圧を印加しスパッタリングを行う。これ
により、封入されたガスの原子が前記陽極および陰極間
で加速され、MgOからなる保護膜7が全面にわたって
滑らかになる。
【0061】また、この方法ではPDP装置の電極には
通電することなく、従来のパネルエージング時に用いら
れる封入ガスでスパッタリングを行っているため、電極
の寿命を低下させることなく、同様の処理効果を得るこ
とが可能となる。
【0062】また、平板状であるため、多数の基板を一
括処理することも可能であり、生産性の向上を図ること
が可能となる。 実施形態4 次に本発明の第4の実施形態について説明する。
【0063】この方法では、前記実施形態の、エッチン
グやスパッタリングによる表面処理に代えて、表面研磨
により平滑化処理を行うものである。すなわち、図8に
第4の実施形態を示すように、研磨台30上に表面側パ
ネルを構成するための透明基板すなわち、図6(a)に
示したような透明基板1を設置し、研磨手段31により
表面研磨を行い、MgOからなる保護膜7を平滑化する
もので、この方法によれば全面にわたって滑らかな表面
を得ることができる。
【0064】この方法ではスパッタリングやエッチング
に比べて深く削れるため、あらかじめMgO膜を厚く形
成する必要がある。しかしながらこの方法では、MgO
膜などの保護膜表面の突起を物理的に削ることにより、
隙間をなくし滑らかな状態にすることができる。このよ
うに本実施形態の方法では、物理的処理のみで極めて容
易に平滑な表面を得ることができるため、電極群にダメ
ージを与える機会をより低減することが可能となる。
【0065】また、平板状であるため、多数の基板を一
括処理することも可能であり、生産性の向上を図ること
が可能となる。
【0066】なお前記実施形態では、テープ式研磨装置
を用いたが、パッド式研磨装置を用いるようにしてもよ
い。
【0067】さらにまた、表面研磨後、軽くエッチング
あるいはスパッタリングをするようにしても、より良好
な表面状態を得ることが可能となる。
【0068】また、前記第2乃至第4の実施形態では、
表面側パネルのみを平滑化処理するようにしたが、背面
側パネルをも平滑化処理するようにしてもよい。
【0069】また前記実施形態ではMgO膜を保護膜と
して用いたものについて説明したが、MgO膜に限定さ
れることなく、適宜変更可能である。
【0070】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、組み立て後のパネルエージング工程でMgO膜をス
パッタリングする必要がなくなり、生産性の向上を図る
ことができると共に、放電特性の面内ばらつきを低減す
ることができ、信頼性の高いプラズマディスプレイパネ
ルを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の方法で形成されるプラズマ
ディスプレイを示す説明図
【図2】図1のプラズマディスプレイのA−A断面図
【図3】図1のプラズマディスプレイのB−B断面図
【図4】本発明の第1の実施形態のプラズマディスプレ
イ装置の製造工程図
【図5】本発明の第1の実施形態のプラズマディスプレ
イ装置の製造工程図
【図6】本発明の第2の実施形態のプラズマディスプレ
イ装置の製造工程
【図7】本発明の第3の実施形態で用いられる表面処理
装置を示す図
【図8】本発明の第4の実施形態で用いられる表面処理
装置を示す図
【符号の説明】
1 透明基板 2a 透明電極 2b 母線 2 走査電極 3 維持電極 4 表示電極 5 遮光層 6 誘電体層 7 保護膜(MgO膜) 8 透明基板(背面板) 9 絶縁体層 10 データ電極 11 隔壁 12 蛍光体層 13 放電セル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 明広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5C012 AA09 VV01 VV04 5C027 AA05 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GE09 JA24

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電極群を具備してなり、少なくとも前面側
    が透明な一対の基板を用意する工程と、 前記1対の基板を、放電空間を形成するように対向配置
    すると共に前記放電空間を複数に仕切るための隔壁を配
    置し、両基板間を封着し、ガスを封入して封止する封止
    工程とを含み、 前記複数に仕切られた放電空間内に設けられた蛍光体層
    を発光せしめるようにしたプラズマディスプレイ装置の
    製造方法において、 前記封着の後、放電空間内をエッチングするエッチング
    工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置
    の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記エッチング工程は、前記封着後、前
    記放電空間内にガスを導入する工程であることを特徴と
    する請求項1に記載のプラズマディスプレイ装置の製造
    方法。
  3. 【請求項3】 前記エッチング工程は、前記封着後、前
    記放電空間内に還元性ガスを導入するとともに所定の温
    度に加熱する工程であることを特徴とする請求項1に記
    載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
  4. 【請求項4】電極群を具備してなり、少なくとも前面側
    が透明な、一対の基板を用意する工程と、 前記基板のうちの少なくとも一方の表面を平滑化する平
    滑化工程と、 前記1対の基板を、放電空間を形成するように対向配置
    すると共に前記放電空間を複数に仕切るための隔壁を配
    置し、両基板間を封着し、ガスを封入する封止工程とを
    含み、 前記複数に仕切られた放電空間内に設けられた蛍光体層
    を発光せしめるようにしたプラズマディスプレイを形成
    することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造
    方法。
  5. 【請求項5】 前記平滑化工程は、エッチング工程であ
    ることを特徴とする請求項4に記載のプラズマディスプ
    レイ装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記平滑化工程は、前記プラズマディス
    プレイ内に封入されるガスと同一のガスを用いたガス雰
    囲気中でスパッタリングを行う工程であることを特徴と
    する請求項4に記載のプラズマディスプレイ装置の製造
    方法。
  7. 【請求項7】 前記平滑化工程は、表面研磨工程である
    ことを特徴とする請求項4に記載のプラズマディスプレ
    イ装置の製造方法。
JP2001165051A 2001-05-31 2001-05-31 プラズマディスプレイ装置の製造方法 Pending JP2002358891A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001165051A JP2002358891A (ja) 2001-05-31 2001-05-31 プラズマディスプレイ装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001165051A JP2002358891A (ja) 2001-05-31 2001-05-31 プラズマディスプレイ装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002358891A true JP2002358891A (ja) 2002-12-13

Family

ID=19007775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001165051A Pending JP2002358891A (ja) 2001-05-31 2001-05-31 プラズマディスプレイ装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002358891A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004075235A1 (ja) * 2003-02-19 2004-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネルのエージング方法
WO2004075236A1 (ja) * 2003-02-19 2004-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネルおよびそのエージング方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004075235A1 (ja) * 2003-02-19 2004-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネルのエージング方法
WO2004075236A1 (ja) * 2003-02-19 2004-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネルおよびそのエージング方法
US7270585B2 (en) 2003-02-19 2007-09-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel and its aging method
US7303456B2 (en) 2003-02-19 2007-12-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel and method of aging the same
US7338337B2 (en) 2003-02-19 2008-03-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Aging method of plasma display panel
CN100429736C (zh) * 2003-02-19 2008-10-29 松下电器产业株式会社 等离子体显示板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100724057B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
US20090096375A1 (en) Plasma Display Panel and Method for Manufacturing Same
JPH1196921A (ja) プラズマディスプレイパネル
JPH06260092A (ja) プラズマディスプレイ装置
US20040145317A1 (en) Display panel and method for manufacturing the same
JP2001052622A (ja) 平面型プラズマ放電表示装置
JP3582946B2 (ja) プラズマディスプレイパネル及び保護膜の形成方法
JP2002358891A (ja) プラズマディスプレイ装置の製造方法
US6744201B2 (en) Plasma information display element and method for producing the same
US20030214237A1 (en) Method of fabricating plasma display panel
KR20010029871A (ko) 평면형 표시장치
JP4085223B2 (ja) プラズマ表示装置
JPH0935642A (ja) カラープラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR20000004328A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 전면기판
KR100414055B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 상판 구조 및 그 제조방법
JPH10241576A (ja) カラープラズマディスプレイパネル
JPH1092302A (ja) 薄膜電極の製造方法
KR20030064052A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 불순물 제거방법
JP2003317625A (ja) プラズマディスプレイパネルのエージング方法
JP2003308783A (ja) プラズマディスプレイパネル
KR100442234B1 (ko) 플라즈마디스플레이패널및그방전방법
JPH08293260A (ja) プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP2003187702A (ja) プラズマディスプレイ装置の製造方法
JP2003288842A (ja) プラズマディスプレイ装置の製造方法
KR100484874B1 (ko) 플라즈마디스플레이패널의제조방법