JP2006049168A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマディスプレイパネルの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、良好な膜を形成することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を実現する。
【解決手段】複数の構成部品よりなる基板保持具３０に前面基板３を保持させて蒸着室２１にて成膜を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、基板保持具３０の構成部品のうちの少なくとも一つに付着した膜を除去するとともに基板保持具３０に前面基板３を保持させた後、蒸着室２１に投入して成膜を行い、蒸着室２１内の真空度などの状態の変化を小さくする。
【選択図】図２

Description

本発明は、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置として知られるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）の基板への成膜を行う、ＰＤＰの製造方法に関するものである。

ＰＤＰは、例えば、ガラスなどの基板の表面に電極層を形成し、これを覆って誘電体層を形成し、さらにその上にＭｇＯからなる保護膜を形成する工程を経て製造される。

この保護膜を形成する方法としては、従来からＭｇＯペーストを塗布し焼成する方法や、電子ビームやイオンビームなどを用いた蒸着やスパッタが用いられているが、なかでも、成膜速度が速く比較的良質なＭｇＯ膜を形成できる電子ビーム蒸着法が広く用いられている（例えば、非特許文献１参照）。

さらに、ＭｇＯからなる保護膜を形成する際に、基板の保護膜が不要な領域をマスクし、そのマスクに付着した保護膜を除去して繰り返す使用する例が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−６３２４０号公報 ２００１ ＦＰＤテクノロジー大全、株式会社電子ジャーナル、２０００年１０月２５日、ｐ５９８−ｐ６００

ＰＤＰの基板への成膜は、基板を成膜室で安定して保持する、あるいは成膜室へ安定して搬送入する観点から、通常、基板保持具に保持した状態で行う。したがって、基板への成膜の際には、基板保持具にも同時に成膜材料が付着し膜が形成されてしまう。

ここで、基板に形成する膜の品質を安定させるためには、真空度など、成膜室内の状態を安定させることが重要である。しかしながら、上述した基板保持具は、成膜工程の度に大気中と成膜室との間を行き来するとともに、その表面に付着した成膜材料は、水をはじめとするガスをよく吸着するため、真空度など成膜室内の状態を大きく変化させる要因となる。

そこで、基板保持具が成膜室内の状態に与える影響度合いを低減するために、例えば、ガス放出源となる成膜材料が付着した基板保持具を、成膜材料が付着していない基板保持具と交換し、成膜室内において放出されるガスの量を低減することで、真空度などの成膜室内の状態の安定化を図ることが行われる。

しかしながら、成膜室内において放出されるガス量を低減して、真空度などの成膜室内の状態をよくする方向であっても、その状態変化が大きい場合には形成される膜の品質も大きく変化し、ＰＤＰの特性にばらつきが発生してしまうことがわかった。

本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、ＰＤＰの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、良好な膜を形成することができるＰＤＰの製造方法を実現することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、複数の構成部品よりなる基板保持具に基板を保持させて成膜室にて成膜を行うＰＤＰの製造方法であって、基板保持具の構成部品のうちの少なくとも一つに付着した膜を除去するとともに基板保持具に基板を保持させた後、成膜室に投入して成膜を行っている。

このような製造方法によれば、成膜室内の真空度などの状態を最適に保ち、さらに急激な状態変化を抑制することができるため、高品質で安定した膜質を実現できる。

さらに、付着した膜の除去される構成部品を、成膜室へ基板保持具を投入する毎に異ならせるとよい。この製造方法によれば、成膜室内の状態変化をより最適に抑制することができる。

さらに、複数の構成部品は、少なくとも、ダミー板と、ダミー板と基板とを保持する枠体とを有し、付着した膜の除去される構成部品がダミー板であることが望ましく、膜質を安定させることに加えさらに作業性を向上させることができる。

以上のように本発明によれば、ＰＤＰの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、安定した良好な膜を形成することができるＰＤＰの製造方法を実現することが可能である。

以下、本発明の実施の形態によるＰＤＰの製造方法について、図面を用いて説明する。

（実施の形態）
まず、ＰＤＰの構造の一例について説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図である。

ＰＤＰ１の前面板２は、例えばガラスのような透明かつ絶縁性を有する前面基板３の一主面上に形成した走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６と、その表示電極６を覆う誘電体層７と、さらにその誘電体層７を覆う、例えばＭｇＯによる保護層８とを有する構造である。走査電極４と維持電極５は、電気抵抗の低減を目的として、透明電極４ａ、５ａに金属材料からなるバス電極４ｂ、５ｂを積層した構造としている。

また背面板９は、例えばガラスのような絶縁性の背面基板１０の一主面上に形成したアドレス電極１１と、そのアドレス電極１１を覆う誘電体層１２と、誘電体層１２上のアドレス電極１１の間に相当する場所に位置する隔壁１３と、隔壁１３間の蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂとを有する構造である。

そして、前面板２と背面板９とは、隔壁１３を挟んで、表示電極６とアドレス電極１１とが直交するように対向し、画像表示領域の外の周囲を封着部材により封止した構成である。前面板２と背面板９との間に形成された放電空間１５には、例えばＨｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の放電ガスを約６６．５ｋＰａの圧力で封入している。そして、放電空間１５の表示電極６とアドレス電極１１との交差部が放電セル１６（単位発光領域）として動作する。

次に、上述したＰＤＰ１について、その製造方法を同じく図１を参照しながら説明する。

前面板２は、前面基板３上にまず、走査電極４および維持電極５をストライプ状に形成する。具体的には、前面基板３上に透明電極４ａ、５ａの材料、例えばＩＴＯなどの膜を蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングしてストライプ状の透明電極４ａ、５ａを形成する。さらにその上から、バス電極４ｂ、５ｂの材料、例えばＡｇを蒸着やスパッタ、あるいは印刷などの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングしてストライプ状のバス電極４ｂ、５ｂを形成する。以上により、ストライプ状の走査電極４および維持電極５からなる表示電極６を得ることができる。

次に、以上のようにして形成した表示電極６を誘電体層７で被覆する。誘電体層７は、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えばスクリーン印刷法などで塗布した後、焼成することによって、所定の厚み（約２０〜５０μｍ、好ましくは４０μｍ）となるように形成する。上記Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストとしては、例えば、ＰｂＯ、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、およびＣａＯと有機バインダ（例えば、α−ターピネオールにエチルセルロースを溶解したもの）との混合物が使用される。ここで、有機バインダとは樹脂を有機溶媒に溶解したものであり、エチルセルロース以外に樹脂としてアクリル樹脂、有機溶媒としてブチルカービトールなども使用することができる。さらに、こうした有機バインダに分散剤（例えば、グリセルトリオレエート）などを混入させてもよい。

次に、以上のようにして形成した誘電体層７を保護層８で被覆する。保護層８は、例えば、ＭｇＯによるものであり、蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより、所定の厚み（約０．４〜１μｍ、好ましくは約０．６μｍ）となるように形成したものである。

一方、背面板９は、まず、背面基板１０上にアドレス電極１１をストライプ状に形成する。具体的には、背面基板１０上に、アドレス電極１１の材料、例えばＡｇによる膜を、蒸着やスパッタ、あるいは印刷などの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングしてストライプ状にアドレス電極１１を形成する。

次に、以上のようにして形成したアドレス電極１１を誘電体層１２により被覆する。誘電体層１２は、例えば、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法で塗布した後、焼成することによって、所定の厚み（約１０〜５０μｍ、好ましくは約３０μｍ）となるように形成する。

次に、隔壁１３をストライプ状に形成する。隔壁１３は、誘電体層１２と同様、例えば、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後、焼成することによって形成する。ここで、隔壁１３の間隙の寸法は、例えば３２〜６５インチの場合、１３０〜３６０μｍ程度となる。

そして、隣接する隔壁１３の間の溝には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを形成する。これは、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを焼成して有機バインダを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂとして形成する。

以上のようにして作製した前面板２と背面板９とを、前面板２の表示電極６と背面板９のアドレス電極１１とが直交するように重ね合わせるとともに、周縁に封着用ガラスを介挿し、これを誘電体層７の焼成温度より低い温度で焼成して形成した気密シール層（図示せず）により封着する。そして、一旦、放電空間１５内を高真空に排気した後、例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の放電ガスを所定の圧力で封入することによってＰＤＰ１を作製する。

次に、以上述べたＰＤＰ１の製造工程における成膜工程について、保護層８のＭｇＯ薄膜の成膜プロセスを例にして図面を用いて説明する。まず、成膜装置の構成の一例について説明する。図２は、保護層８を形成するための成膜装置２０の概略構成を示す断面図である。

成膜装置２０は、ＰＤＰの前面板２の前面基板３に対し、ＭｇＯを蒸着させてＭｇＯ薄膜である保護層８を形成する真空チャンバーによって構成されている。成膜装置２０は成膜室である蒸着室２１と、前面基板３を蒸着室２１に投入する前に予備加熱するとともに、予備排気を行うための基板投入室２２と、蒸着室２１での蒸着が終了した後の前面基板３を冷却するための基板取出室２３とから構成されている。

基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３の各々は、内部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、各室毎に独立して真空排気系２４ａ、２４ｂ、２４ｃをそれぞれ備えている。

また、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３を貫いて、搬送ローラー、ワイヤー、チェーンなどで構成される搬送手段２５を配設している。また、成膜装置２０の外と基板投入室２２との間、基板投入室２２と蒸着室２１との間、蒸着室２１と基板取出室２３との間、基板取出室２３と成膜装置２０の外との間を、それぞれ開閉可能な仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄで仕切っている。そして、搬送手段２５の駆動と仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄの開閉との連動によって、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３のそれぞれの真空度の変動を最低限にしている。前面基板３を成膜装置２０外から基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３を順に通過させ、それぞれの室での所定の処理を行い、その後、成膜装置２０外に搬出する。そして以上の動作により、複数枚の前面基板３を連続的に投入することで、連続してＭｇＯ薄膜の成膜を行うことが可能である。

また、基板投入室２２、蒸着室２１の各室には、前面基板３を加熱するための加熱ランプ２７ａ、２７ｂをそれぞれ設置している。なお、装置構成としては上述した以外に、例えば、前面基板３の温度プロファイルの設定条件に応じて、基板投入室２２と蒸着室２１の間に前面基板３を加熱するための基板加熱室を一つ以上設けたり、また、蒸着室２１と基板取出室２３との間に基板冷却室を一つ以上設けてもよい。

また、蒸着室２１には、蒸着源２８ａとなるＭｇＯ粒子を入れたハース２８ｂ、電子銃２８ｃ、磁場を印加する偏向マグネット（図示せず）などを設けている。電子銃２８ｃから照射した電子ビーム２８ｄを、偏向マグネットにより発生する磁場によって偏向して蒸着源２８ａに照射し、蒸着源２８ａであるＭｇＯの蒸気流２８ｅを発生させる。そして、発生させた蒸気流２８ｅを、前面基板３の表面に堆積させてＭｇＯの保護層８を形成する。なお、この蒸気流２８ｅは、必要時以外はシャッタ２８ｆで遮断できるようになっている。

以上説明した成膜装置２０において、前面基板３を基板保持具３０に保持させた状態で、基板保持具３０を搬送手段２５に接続または接触させて成膜装置２０内を搬送させている。

次に、前面基板３へＭｇＯ膜を成膜する際の工程の流れについて以下に説明する。まず、前面基板３を保持した基板保持具３０を、基板投入室２２に投入し、真空排気系２４ａにより予備排気しながら加熱ランプ２７ａにより加熱する。ここで前面基板３は、表示電極６と誘電体層７とが形成された状態である。

基板投入室２２内が所定の真空度に到達したら、仕切壁２６ｂを開けるとともに、搬送手段２５を用いて、加熱された状態の前面基板３を基板保持具３０に保持された状態で蒸着室２１に搬送する。

蒸着室２１では、加熱ランプ２７ｂにより前面基板３を加熱してこれを一定温度に保つ。この温度は、表示電極６や誘電体層７が熱劣化することがないように、２００〜３００℃程度以下に設定される。そして、シャッタ２８ｆを閉じた状態で、電子銃２８ｃから電子ビーム２８ｄを蒸着源２８ａに照射して予備加熱することにより、ＭｇＯ粒子からの所定のガス出しを行う。その後、シャッタ２８ｆを開けると、ＭｇＯの蒸気流２８ｅが基板保持具３０に保持された前面基板３に向けて放射され、前面基板３上にＭｇＯの蒸着膜が堆積して保護層８を形成する。

この成膜工程においては、前面基板３を保持している基板保持具３０にも成膜材料が付着することとなる。そして、ＭｇＯの蒸着膜である保護層８の膜厚が所定の値（約０．４〜１μｍ、好ましくは約０．６μｍ）に達したら、シャッタ２８ｆを閉じ、仕切壁２６ｃを通じて前面基板３を基板取出室２３へ搬送する。ここで、搬送手段２５は、基板保持具３０の両端部のみに接触または接続して搬送する構造となっている。そのため、搬送手段２５によって前面基板３に蒸気流２８ｅの影部を形成することなどがない。

蒸着室２１で保護層８が形成された前面基板３は、基板取出室２３に搬送され、所定の温度以下に冷却された後、基板保持具３０から取り出される。その後、成膜装置２０外に搬送され、蒸着を完了した前面基板３を取り外した後の基板保持具３０は、基板投入室２２に戻されて新たな未成膜の前面基板３を保持した後、成膜装置２０に再投入されて繰り返し使用される。

一方、形成される保護層８の品質を安定させるためには、蒸着室２１内の状態を安定させることが重要である。しかしながら、上述したように基板保持具３０は、大気中と蒸着室２１とを行き来するとともに、その基板保持具３０表面には成膜中に成膜材料が付着する。付着した成膜材料は、水をはじめとするガスを吸着し、真空度などの蒸着室２１内の状態を大きく変化させてしまう原因となる。そこで、基板保持具３０の蒸着室２１内に対する影響度合いを低減するために次の工程がなされる場合がある。すなわち、基板取出室２３から出た後に、蒸着を完了した前面基板３を取り外して新たな未成膜の前面基板３を保持させ、再度、成膜装置２０に投入するという過程において、表面に成膜材料が付着した基板保持具３０を成膜材料が付着していない基板保持具３０と交換する工程である。したがって、成膜材料の付着のない基板保持具３０に交換して、新たな未成膜の前面基板３を保持させ、成膜装置２０に再投入するという工程である。

このことにより、蒸着室２１内におけるガス放出源である基板保持具３０表面に付着した成膜材料が除去された状態となり、放出されるガスの量が低減されるので、真空度など蒸着室２１内の状態の安定化を図ることが可能となる。

しかしながら、本発明者らの検討によれば、蒸着室２１内において放出されるガス量を低減して蒸着室２１内の真空度をよくする方向であっても、その真空度が大きく変化すると形成される膜の品質も大きく変化してしまい、ＰＤＰの特性が影響を受けてしまうことがわかった。

図３は、基板保持具３０を繰り返し使用する際に、基板保持具３０全体を一斉に交換した場合の蒸着室２１内の到達真空度の変化を示す特性図である。図３に示すように、成膜工程の初期における蒸着室２１内の到達真空度Ａ１は、成膜が繰り返されて基板保持具３０表面への成膜材料の付着量が多くなるにしたがって蒸着室２１内でのガス放出量が多くなり、矢印Ｂ１に示すように徐々に悪化し、形成される膜の品質を保つための限界の到達真空度である限界値Ｃに近づく。

この限界値Ｃを超えると形成される膜の品質の許容範囲を超えてしまい、ＰＤＰの品質に影響を与えることとなる。したがって、この限界値Ｃを超える前、すなわち蒸着室２１の到達真空度がさらに悪化する前に、表面に成膜材料が付着した基板保持具３０の全てを成膜材料が付着していない基板保持具３０に一斉に交換すると、蒸着室２１内の真空度は図３に示すような初期状態Ａ２まで急激に変化する。

すなわち、表面に成膜材料が付着している基板保持具３０全てを、成膜材料が付着していない基板保持具３０に一斉に交換すると、真空度など蒸着室２１内の状態の変化が大きくなり、そのために成膜される膜の状態も大きく変化してＰＤＰの特性もばらついてしまうという場合があった。すなわち、このような成膜方法においては、真空度などの蒸着室２１内の状態の変化が急激にならないようにすることが重要である。

次に、基板保持具３０について、図４を用いて説明する。図４（ａ）は基板保持具３０の一例の概略構成の平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図を示す。基板保持具３０は枠体よりなる第１の基板保持具３１と、第１の基板保持具３１に取り外し可能なように載置された第２の基板保持具３２とにより構成されている。さらに、第２の基板保持具３２は、枠体３３と枠体３３から取り外しが容易なように設置されたダミー板３４、３５とを有し、さらに、その中央領域にはＭｇＯ薄膜が成膜される前面基板３を複数枚載置できるように枠体３３が形成されている。

一般的に、ＰＤＰの製造方法においては、ＰＤＰの画面サイズが多岐にわたるため、同一の成膜装置で複数のサイズの基板に対して成膜が可能なように基板保持具が設計される。具体的には、図４に示す基板保持具３０において、第１の基板保持具３１は全ての基板サイズに共通して使用され、第２の基板保持具３２を基板サイズに応じて変えることで対応が可能となる。本発明の実施の形態では、第２の基板保持具３２のダミー板３４、３５の形状や配置を変えることで調整が可能なようにしている。

同一サイズの基板を大量に製造する場合には、第１の基板保持具３１とこのサイズに対応可能な第２の基板保持具３２とよりなる基板保持具３０を、最低でも図２に示す成膜装置２０内に投入される数だけ用意し、基板取出室２３から搬出された基板保持具３０を基板投入室２２に再投入して繰り返し使用している。

本発明の実施の形態では、このように基板保持具３０を第１の基板保持具３１や第２の基板保持具３２、さらには第２の基板保持具３２を枠体３３やダミー板３４、３５などの複数の構成部品で構成している。さらに、基板保持具３０を繰り返し使用する際に、基板保持具３０の膜が付着した状態となっている構成部品の、少なくとも一つに付着した膜を除去して繰り返し使用している。

すなわち、まず最初は、成膜に使用されないバージンの所定台数の基板保持具３０を使用して成膜が行われ、その際には前面基板３以外の構成部品にも膜が付着する。基板保持具３０への膜の付着状況によってはさらに数回の成膜にそのまま使用することも可能であるが、成膜回数を重ねることによって基板保持具３０に堆積した膜が成膜装置２０内で剥離脱落したり、その膜によって吸着されたガスが成膜装置２０内で放出されて蒸着室２１の真空度を確保できないといった課題が生じる。そこで、本発明は、基板保持具３０に堆積した膜の脱落防止と蒸着室２１内の真空度確保を狙い、さらに基板保持具清掃作業の作業性向上を図るものである。

すなわち、基板保持具３０を構成する複数の構成部品の少なくとも一つを成膜回数毎に順番に膜が付着していない部品と交換している。例えば、基板保持具３０が数回の成膜に使用された後、図４に示す第２の基板保持具３２のうちの膜が付着された左右のダミー板３４を全ての基板保持具３０について、膜の付着していないダミー板３４に交換して成膜する。

そして、ダミー板３４を交換した基板保持具３０を全て使用した次の工程では、ダミー板３５を膜の付着していないダミー板３５と交換して成膜する。さらに、それらの基板保持具３０が一巡した後には、第２の基板保持具３２の枠体３３などに付着している膜が除去された基板保持具３０となるように、第２の基板保持具３２を全て膜の付着していない第２の基板保持具３２と交換してもよい。

図５には、本実施の形態で述べたように、基板保持具３０の構成部品のうちの一部を交換する場合についての蒸着室２１の到達真空度の変化を示している。図５に示すように、基板保持具３０の全体を膜の付着がない基板保持具３０と構成部品と交換する場合に比べて、基板保持具３０の構成部品のうちの一部を交換することによって、蒸着室２１内の真空度などの急激な状態変化を抑制することができる。

なお、前面基板３が配置されている第２の基板保持具３２のダミー板３４、３５には、成膜中に前面基板３以外に成膜される殆どの蒸気流２８ｅが成膜される。したがって、基板保持具３０の構成部品の一部として、これらのダミー板３４、３５を膜が付着していないダミー板３４、３５と順番に交換することによって作業性が向上し、さらには付着した膜の脱離などによる品質不良を抑制することができる。

なお、ダミー板３４、３５の交換に際しては、付着した膜を除去して再使用してもよいし、ダミー板３４、３５そのものを新しくしてもよいが、本発明の実施の形態によれば、基板保持具の再使用に当たっては構成部品の一部を取り替えるだけでよいため作業性も向上するものである。

また、以上の説明においては、ＭｇＯ材料により蒸着で保護層８を形成する場合を例として説明したが、特にこれに限るものではなく、ＭｇＯ材料以外であっても、また、蒸着以外の成膜プロセスであっても、成膜において、成膜室内の状態の変化が膜の質に影響するものであれば、本発明の効果は同様に得ることが可能である。また、成膜室の状態の指標も真空度に限るものではない。

以上説明したように本発明によれば、ＰＤＰの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、良好な膜を形成することができるＰＤＰの製造方法を実現し、高品質なＰＤＰを実現するなど大画面の表示装置の製造方法などに有用である。

本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法によって製造されたＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図 同ＰＤＰの製造方法に用いる成膜装置の概略構成を示す断面図 従来のＰＤＰの製造方法において、基板保持具を繰り返し使用する際に、基板保持具全体を一斉に交換した場合の蒸着室内の到達真空度の変化を示す特性図 （ａ）本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法において用いる基板保持具の一例の概略構成を示す平面図（ｂ）同（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図 同ＰＤＰの製造方法における基板保持具の構成部品のうちの一部を交換する場合についての蒸着室内の到達真空度の変化を示す特性図

符号の説明

１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
２ 前面板
３ 前面基板
４ 走査電極
４ａ，５ａ 透明電極
４ｂ，５ｂ バス電極
５ 維持電極
６ 表示電極
７，１２ 誘電体層
８ 保護層
９ 背面板
１０ 背面基板
１１ アドレス電極
１３ 隔壁
１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ 蛍光体層
１５ 放電空間
１６ 放電セル
２０ 成膜装置
２１ 蒸着室
２２ 基板投入室
２３ 基板取出室
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ 真空排気系
２５ 搬送手段
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ 仕切壁
２７ａ，２７ｂ 加熱ランプ
２８ａ 蒸着源
２８ｂ ハース
２８ｃ 電子銃
２８ｄ 電子ビーム
２８ｅ 蒸気流
２８ｆ シャッタ
３０ 基板保持具
３１ 第１の基板保持具
３２ 第２の基板保持具
３３ 枠体
３４，３５ ダミー板

Claims (3)

1. 複数の構成部品よりなる基板保持具に基板を保持させて成膜室にて成膜を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記基板保持具の前記構成部品のうちの少なくとも一つに付着した膜を除去するとともに前記基板保持具に前記基板を保持させた後、前記成膜室に投入して成膜を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 付着した膜の除去される構成部品が、成膜室へ基板保持具を投入する毎に異なることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
3. 複数の構成部品は、少なくとも、ダミー板と、前記ダミー板と基板とを保持する枠体とを有し、付着した膜の除去される前記構成部品が前記ダミー板であることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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