JP2000306515A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】階調再現性及び駆動の安定性を確保しつつ表示
色の色温度の最適化を図ることを目的とする。 【解決手段】一対の主電極の間の放電で発光する複数の
セルが縦横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の
異なる第１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面
を有したプラズマディスプレイパネルにおいて、第１の
セルについて、主電極の有効面積、誘電体層の厚さ、誘
電体の比誘電率、及び遮光面積のうちの少なくとも１つ
を第２のセルと異なるようにする。
色の色温度の最適化を図ることを目的とする。 【解決手段】一対の主電極の間の放電で発光する複数の
セルが縦横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の
異なる第１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面
を有したプラズマディスプレイパネルにおいて、第１の
セルについて、主電極の有効面積、誘電体層の厚さ、誘
電体の比誘電率、及び遮光面積のうちの少なくとも１つ
を第２のセルと異なるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー表示の可能
なプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関する。
なプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関する。
【０００２】ＰＤＰは、カラー表示の実用化を機に大画
面のテレビジョン表示手段として普及しつつある。ＰＤ
Ｐにおける画質に関する課題の１つに再現可能な色範囲
の拡大がある。
面のテレビジョン表示手段として普及しつつある。ＰＤ
Ｐにおける画質に関する課題の１つに再現可能な色範囲
の拡大がある。
【０００３】
【従来の技術】カラー表示デバイスとして、３電極面放
電構造のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マ
トリクス表示のライン（行）毎に点灯維持のための一対
の主電極が平行に配列され、列毎に１本ずつアドレス電
極が配列されたものである。セル間の放電干渉を防止す
る隔壁はストライプ状に設けられている。面放電構造に
おいては、主電極対を配置した基板と対向する他方の基
板上にカラー表示のための蛍光体層を配置することによ
って、放電時のイオン衝撃による蛍光体層の劣化を軽減
し、長寿命化を図ることができる。蛍光体層を背面側の
基板上に配置した“反射型”は、前面側の基板上に配置
した“透過型”よりも発光効率に優れる。
電構造のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マ
トリクス表示のライン（行）毎に点灯維持のための一対
の主電極が平行に配列され、列毎に１本ずつアドレス電
極が配列されたものである。セル間の放電干渉を防止す
る隔壁はストライプ状に設けられている。面放電構造に
おいては、主電極対を配置した基板と対向する他方の基
板上にカラー表示のための蛍光体層を配置することによ
って、放電時のイオン衝撃による蛍光体層の劣化を軽減
し、長寿命化を図ることができる。蛍光体層を背面側の
基板上に配置した“反射型”は、前面側の基板上に配置
した“透過型”よりも発光効率に優れる。
【０００４】一般に、放電ガスとしてネオン（Ｎｅ）に
微量（４〜５％）のキセノン（Ｘｅ）を混合したペニン
グガスが用いられている。主電極間で放電が起こると、
放電ガスが紫外線を放ち、その紫外線で蛍光体が励起さ
れて発光する。個々の画素には発光色がＲ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）の計３個のセルが対応づけられてお
り、３色の発光量の比率で表示色が決まる。各セルの発
光量は単位時間当たりの放電回数に依存する。
微量（４〜５％）のキセノン（Ｘｅ）を混合したペニン
グガスが用いられている。主電極間で放電が起こると、
放電ガスが紫外線を放ち、その紫外線で蛍光体が励起さ
れて発光する。個々の画素には発光色がＲ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青）の計３個のセルが対応づけられてお
り、３色の発光量の比率で表示色が決まる。各セルの発
光量は単位時間当たりの放電回数に依存する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＰＤＰは、他の
ディスプレイ（特にＣＲＴ）と比較して白色表示の色温
度が低いという問題があった。その原因としては、赤及
び緑の蛍光体に比べて青の蛍光体の輝度が低いこと、及
び放電ガスのネオンが橙色で発光することが挙げられ
る。
ディスプレイ（特にＣＲＴ）と比較して白色表示の色温
度が低いという問題があった。その原因としては、赤及
び緑の蛍光体に比べて青の蛍光体の輝度が低いこと、及
び放電ガスのネオンが橙色で発光することが挙げられ
る。
【０００６】Ｒ，Ｇ，Ｂの各セルに同じ数（可変範囲内
の最大数）の電圧パルスを印加して白色表示を行おうと
した場合、所望の色度値を得るには、Ｒ，Ｇ，Ｂのセル
の発光強度の相対比（バランス）を最適値に調整する必
要がある。
の最大数）の電圧パルスを印加して白色表示を行おうと
した場合、所望の色度値を得るには、Ｒ，Ｇ，Ｂのセル
の発光強度の相対比（バランス）を最適値に調整する必
要がある。
【０００７】発光強度の調整方法としては、蛍光体材料
の変換効率、及び蛍光体層の厚さ・形状を選定する方法
がある。しかし、これには次の問題がある。 １）材料の変換効率の調整は容易でない。
の変換効率、及び蛍光体層の厚さ・形状を選定する方法
がある。しかし、これには次の問題がある。 １）材料の変換効率の調整は容易でない。
【０００８】２）蛍光体の厚さ・形状は放電に影響を与
えない範囲内でしか調整できない。 ３）蛍光体の厚さ及び形状の制御は再現性に劣る。 また、電圧パルスの印加回数、すなわち放電回数を色毎
に選定して所望色度値の白色表示を行う場合には、最も
輝度の低い色の印加回数を最大にして他の色をそれより
減らすことになるので、発光量の可変範囲が狭まって階
調再現性が損なわれる。
えない範囲内でしか調整できない。 ３）蛍光体の厚さ及び形状の制御は再現性に劣る。 また、電圧パルスの印加回数、すなわち放電回数を色毎
に選定して所望色度値の白色表示を行う場合には、最も
輝度の低い色の印加回数を最大にして他の色をそれより
減らすことになるので、発光量の可変範囲が狭まって階
調再現性が損なわれる。
【０００９】さらに、色毎に蛍光体層の面積を選定する
方法もある。この方法では、セルの大きさが色によって
異なるので、駆動の電圧マージンが狭まって安定した駆
動が困難となる。すなわち、画素のサイズを固定とする
と、セルサイズに大小がある場合には、３色のセルサイ
ズが等しい場合のセルサイズと比べて、少なくとも１色
のセルのサイズが小さくなる。放電開始電圧はセルサイ
ズの縮小により上昇するので、電圧マージンが狭まる。
方法もある。この方法では、セルの大きさが色によって
異なるので、駆動の電圧マージンが狭まって安定した駆
動が困難となる。すなわち、画素のサイズを固定とする
と、セルサイズに大小がある場合には、３色のセルサイ
ズが等しい場合のセルサイズと比べて、少なくとも１色
のセルのサイズが小さくなる。放電開始電圧はセルサイ
ズの縮小により上昇するので、電圧マージンが狭まる。
【００１０】本発明は、階調再現性及び駆動の安定性を
確保しつつ表示色の色温度の最適化を図ることを目的と
している。
確保しつつ表示色の色温度の最適化を図ることを目的と
している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明のＰＤＰ
は、一対の主電極の間の放電で発光する複数のセルが縦
横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異なる第
１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有した
プラズマディスプレイパネルであって、前記第１のセル
における主電極の有効面積が、少なくとも前記第２のセ
ルの主電極の有効面積と異なるものである。
は、一対の主電極の間の放電で発光する複数のセルが縦
横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異なる第
１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有した
プラズマディスプレイパネルであって、前記第１のセル
における主電極の有効面積が、少なくとも前記第２のセ
ルの主電極の有効面積と異なるものである。
【００１２】請求項２の発明のＰＤＰは、誘電体層で被
覆された一対の主電極の間の放電で発光する複数のセル
が縦横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異な
る第１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有
したプラズマディスプレイパネルであって、前記第１の
セルにおける誘電体層の厚さが、少なくとも前記第２の
セルの誘電体層の厚さと異なるものである。
覆された一対の主電極の間の放電で発光する複数のセル
が縦横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異な
る第１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有
したプラズマディスプレイパネルであって、前記第１の
セルにおける誘電体層の厚さが、少なくとも前記第２の
セルの誘電体層の厚さと異なるものである。
【００１３】請求項３の発明のＰＤＰは、誘電体層で被
覆された一対の主電極の間の放電で発光する複数のセル
が縦横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異な
る第１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有
したプラズマディスプレイパネルであって、前記第１の
セルにおける誘電体層の比誘電率が、少なくとも前記第
２のセルの誘電体層の比誘電率と異なるものである。
覆された一対の主電極の間の放電で発光する複数のセル
が縦横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異な
る第１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有
したプラズマディスプレイパネルであって、前記第１の
セルにおける誘電体層の比誘電率が、少なくとも前記第
２のセルの誘電体層の比誘電率と異なるものである。
【００１４】請求項４の発明のＰＤＰは、同一方向に延
びる一対の主電極の間の放電で発光する複数のセルが縦
横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異なる第
１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有した
プラズマディスプレイパネルであって、前記主電極は行
毎に１対ずつ配列され、隣接した行どうしの境界毎にコ
ントラストを高めるための暗色層が配置されており、前
記第１のセルにおける前記暗色層の面積が、少なくとも
前記第２のセルにおける前記暗色層の面積と異なるもの
である。第１又は第２のセルにおいて暗色層の面積が零
の場合を含む。
びる一対の主電極の間の放電で発光する複数のセルが縦
横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の異なる第
１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面を有した
プラズマディスプレイパネルであって、前記主電極は行
毎に１対ずつ配列され、隣接した行どうしの境界毎にコ
ントラストを高めるための暗色層が配置されており、前
記第１のセルにおける前記暗色層の面積が、少なくとも
前記第２のセルにおける前記暗色層の面積と異なるもの
である。第１又は第２のセルにおいて暗色層の面積が零
の場合を含む。
【００１５】請求項５の発明のＰＤＰにおいて、前記主
電極は透明導電膜とそれに重なる帯状の金属膜とからな
り、前記第１のセルにおける前記金属膜の面積が、少な
くとも前記第２のセルにおける前記金属膜の面積と異な
る。
電極は透明導電膜とそれに重なる帯状の金属膜とからな
り、前記第１のセルにおける前記金属膜の面積が、少な
くとも前記第２のセルにおける前記金属膜の面積と異な
る。
【００１６】請求項６の発明のＰＤＰにおいて、前記主
電極は透明導電膜とそれに重なる帯状の金属膜とからな
り、前記第１のセルにおける前記金属膜及び前記透明導
電膜の位置関係が、少なくとも前記第２のセルにおける
前記金属膜及び前記透明導電膜の位置関係と異なる。
電極は透明導電膜とそれに重なる帯状の金属膜とからな
り、前記第１のセルにおける前記金属膜及び前記透明導
電膜の位置関係が、少なくとも前記第２のセルにおける
前記金属膜及び前記透明導電膜の位置関係と異なる。
【００１７】請求項７の発明のＰＤＰにおいては、少な
くとも前記第１のセルに開口率を他のセルの開口率と異
なる値にする遮光体が設けられている。請求項８の発明
のＰＤＰにおいては、前記主電極は透明導電膜とそれに
重なる帯状の金属膜とからなり、行毎に１対ずつ配列さ
れており、隣接した行どうしの境界毎にコントラストを
高めるための暗色層が配置され、 前記第１のセルにお
ける前記金属膜の面積が、少なくとも前記第２のセルに
おける前記金属膜の面積と異なるとともに、前記第１の
セルにおける前記暗色層の面積が、少なくとも前記第２
のセルにおける前記暗色層の面積と異なる。
くとも前記第１のセルに開口率を他のセルの開口率と異
なる値にする遮光体が設けられている。請求項８の発明
のＰＤＰにおいては、前記主電極は透明導電膜とそれに
重なる帯状の金属膜とからなり、行毎に１対ずつ配列さ
れており、隣接した行どうしの境界毎にコントラストを
高めるための暗色層が配置され、 前記第１のセルにお
ける前記金属膜の面積が、少なくとも前記第２のセルに
おける前記金属膜の面積と異なるとともに、前記第１の
セルにおける前記暗色層の面積が、少なくとも前記第２
のセルにおける前記暗色層の面積と異なる。
【００１８】請求項９の発明のＰＤＰにおいては、背面
側基板に前記第１、第２及び第３のセルを区画する隔壁
が設けられ、前記第１、第２及び第３のセルのそれぞれ
における前記隔壁の上面から５μｍ以上離れた範囲内の
遮光構造の選定によって、発光色毎に遮光量が設定され
ている。
側基板に前記第１、第２及び第３のセルを区画する隔壁
が設けられ、前記第１、第２及び第３のセルのそれぞれ
における前記隔壁の上面から５μｍ以上離れた範囲内の
遮光構造の選定によって、発光色毎に遮光量が設定され
ている。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るＰＤＰの基本
構造を示す図である。図示のＰＤＰ１は面放電構造のＡ
Ｃ型カラーＰＤＰであり、一対の基板構体１０，２０か
らなる。画面ＥＳを構成する各セルにおいて、一対の帯
状の主電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差する。主電
極Ｘ，Ｙは、前面側の基板構体１０の基材であるガラス
基板１１の内面に配列されており、それぞれが透明導電
膜４１と導電性を確保するための金属膜（バス電極）４
２とからなる。金属膜４２は例えばクロム−銅−クロム
の３層構造からなり、透明導電膜４１の列方向の中央部
に積層されている。主電極Ｘ，Ｙを被覆するように厚さ
３０〜５０μｍ程度の誘電体層１７が設けられ、誘電体
層１７の表面には保護膜１８としてマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）が被着されている。
構造を示す図である。図示のＰＤＰ１は面放電構造のＡ
Ｃ型カラーＰＤＰであり、一対の基板構体１０，２０か
らなる。画面ＥＳを構成する各セルにおいて、一対の帯
状の主電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差する。主電
極Ｘ，Ｙは、前面側の基板構体１０の基材であるガラス
基板１１の内面に配列されており、それぞれが透明導電
膜４１と導電性を確保するための金属膜（バス電極）４
２とからなる。金属膜４２は例えばクロム−銅−クロム
の３層構造からなり、透明導電膜４１の列方向の中央部
に積層されている。主電極Ｘ，Ｙを被覆するように厚さ
３０〜５０μｍ程度の誘電体層１７が設けられ、誘電体
層１７の表面には保護膜１８としてマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）が被着されている。
【００２０】アドレス電極Ａは、背面側の基板構体２０
の基材であるガラス基板２１の内面に配列されており、
誘電体層２４によって被覆されている。誘電体層２４の
上には、高さ１００〜２００μｍ（例えば１５０μｍ）
の隔壁２９がアドレス電極Ａの配列間隙に１つずつ設け
られている。これらの隔壁２９によって放電空間３０が
行方向（画面の水平方向）に列毎に区画され、且つ放電
空間３０の間隙寸法が規定されている。そして、アドレ
ス電極Ａの上方及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内
面を被覆するように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，Ｂの
３色の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられてい
る。放電空間３０には主成分のネオンにキセノンを混合
した放電ガスが充填されており、蛍光体層２８Ｒ，２８
Ｇ，２８Ｂは放電時にキセノンが放つ紫外線によって部
分的に励起されて発光する。表示の１ピクセル（画素）
は行方向に並ぶ３個のサブピクセル（単位発光領域）で
構成される。各サブピクセル内の構造体がセル（表示素
子）Ｃである。隔壁２９の配置パターンがストライプパ
ターンであることから、放電空間３０のうちの各列に対
応した部分（列空間）は全ての行に跨がって連続してい
る。これにより、十分に気泡の少ない均質な蛍光体層２
８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂを量産性に優れたスクリーン印刷
法によって形成することができる。なお、行とは、列方
向の同一位置のセルの集合である。
の基材であるガラス基板２１の内面に配列されており、
誘電体層２４によって被覆されている。誘電体層２４の
上には、高さ１００〜２００μｍ（例えば１５０μｍ）
の隔壁２９がアドレス電極Ａの配列間隙に１つずつ設け
られている。これらの隔壁２９によって放電空間３０が
行方向（画面の水平方向）に列毎に区画され、且つ放電
空間３０の間隙寸法が規定されている。そして、アドレ
ス電極Ａの上方及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内
面を被覆するように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，Ｂの
３色の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられてい
る。放電空間３０には主成分のネオンにキセノンを混合
した放電ガスが充填されており、蛍光体層２８Ｒ，２８
Ｇ，２８Ｂは放電時にキセノンが放つ紫外線によって部
分的に励起されて発光する。表示の１ピクセル（画素）
は行方向に並ぶ３個のサブピクセル（単位発光領域）で
構成される。各サブピクセル内の構造体がセル（表示素
子）Ｃである。隔壁２９の配置パターンがストライプパ
ターンであることから、放電空間３０のうちの各列に対
応した部分（列空間）は全ての行に跨がって連続してい
る。これにより、十分に気泡の少ない均質な蛍光体層２
８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂを量産性に優れたスクリーン印刷
法によって形成することができる。なお、行とは、列方
向の同一位置のセルの集合である。
【００２１】以下では、Ｂ（青）の蛍光体層２８Ｂの発
光強度を相対的に強める構成例を説明するが、強める色
は青に限定されるものではなく、Ｒ（赤）又はＧ（緑）
であっても同様の効果が得られる。また、複数の色を強
めてもよく、強める度合いを変えることも可能である。
なお、以下の各図において主電極及びセルについては構
成の差異に係わらず同一の符号を付してある。
光強度を相対的に強める構成例を説明するが、強める色
は青に限定されるものではなく、Ｒ（赤）又はＧ（緑）
であっても同様の効果が得られる。また、複数の色を強
めてもよく、強める度合いを変えることも可能である。
なお、以下の各図において主電極及びセルについては構
成の差異に係わらず同一の符号を付してある。
【００２２】図２は主電極形状を示す平面図である。主
電極Ｘ，Ｙは上述のように透明導電膜４１と金属膜４２
とからなる。画面の範囲内において金属膜４２は完全に
透明導電膜４１と重なるので、透明導電膜４１の平面視
形状がそのまま主電極Ｘ，Ｙの形状となる。このような
主電極Ｘ，Ｙは実質的に等ピッチで配列され、配列の両
端を除く主電極Ｘ，Ｙは奇数行及び偶数行の表示に兼用
される。両端の主電極Ｘ，Ｙは奇数行又は偶数行の表示
に用いられる。隔壁２９と金属膜４２とで区画される四
角形の領域の構造体がセルＣであり、各セルＣにおける
主電極どうしの間隙が面放電ギャップとなる。
電極Ｘ，Ｙは上述のように透明導電膜４１と金属膜４２
とからなる。画面の範囲内において金属膜４２は完全に
透明導電膜４１と重なるので、透明導電膜４１の平面視
形状がそのまま主電極Ｘ，Ｙの形状となる。このような
主電極Ｘ，Ｙは実質的に等ピッチで配列され、配列の両
端を除く主電極Ｘ，Ｙは奇数行及び偶数行の表示に兼用
される。両端の主電極Ｘ，Ｙは奇数行又は偶数行の表示
に用いられる。隔壁２９と金属膜４２とで区画される四
角形の領域の構造体がセルＣであり、各セルＣにおける
主電極どうしの間隙が面放電ギャップとなる。
【００２３】図２の例においては、主電極Ｘ，Ｙの幅
（つまり透明導電膜４１の幅）が一定ではなく、発光色
がＢのセルＣにおける電極間隙ｄ２が他のセルにおける
電極間隙ｄ１より小さくなるように部分的に太くなって
いる。これにより、発光色がＢのセルＣでは、点灯維持
に係わる主電極の有効面積が他のセルＣより大きくな
り、電流密度の大きい放電が生じて発光強度が高まる。
主電極Ｘ，Ｙの形成にはフォトリソグラフィを用いるの
で、高精度のパターニングが可能である。
（つまり透明導電膜４１の幅）が一定ではなく、発光色
がＢのセルＣにおける電極間隙ｄ２が他のセルにおける
電極間隙ｄ１より小さくなるように部分的に太くなって
いる。これにより、発光色がＢのセルＣでは、点灯維持
に係わる主電極の有効面積が他のセルＣより大きくな
り、電流密度の大きい放電が生じて発光強度が高まる。
主電極Ｘ，Ｙの形成にはフォトリソグラフィを用いるの
で、高精度のパターニングが可能である。
【００２４】図３〜図８は主電極形状の変形例を示す平
面図である。図３（ａ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２とセル毎に独立した平面視四角形の透
明導電膜４３，４４とからなる。発光色がＢのセルＣに
ついて、その透明導電膜４４の行方向の寸法を他の２色
の透明導電膜４３より長くすることにより、主電極の有
効面積が増大されている。
面図である。図３（ａ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２とセル毎に独立した平面視四角形の透
明導電膜４３，４４とからなる。発光色がＢのセルＣに
ついて、その透明導電膜４４の行方向の寸法を他の２色
の透明導電膜４３より長くすることにより、主電極の有
効面積が増大されている。
【００２５】図３（ｂ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２と列方向に長い短冊状の透明導電膜４
５とからなる。発光色がＢのセルＣについて、透明導電
膜４５の配置数を他の２色よりも多くすることにより、
主電極の有効面積が増大されている。
帯状の金属膜４２と列方向に長い短冊状の透明導電膜４
５とからなる。発光色がＢのセルＣについて、透明導電
膜４５の配置数を他の２色よりも多くすることにより、
主電極の有効面積が増大されている。
【００２６】図３（ｃ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２と列方向に長い短冊状の透明導電膜４
５，４６とからなる。発光色がＢのセルＣについて、他
の２色の透明導電膜４５と比べて幅の大きい透明導電膜
４６を配置することにより、主電極の有効面積が増大さ
れている。
帯状の金属膜４２と列方向に長い短冊状の透明導電膜４
５，４６とからなる。発光色がＢのセルＣについて、他
の２色の透明導電膜４５と比べて幅の大きい透明導電膜
４６を配置することにより、主電極の有効面積が増大さ
れている。
【００２７】図４（ａ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２と梯子状の透明導電膜４７とからな
る。透明導電膜４７は行方向に平行に延びる２本の帯状
部４７Ａと、各列において列方向に延びて帯状部４７Ａ
を連結する帯状部４７Ｂａ，４７Ｂｂとで構成される。
発光色がＢのセルＣについて、それに対応した帯状部４
７Ｂｂの幅を他の２色のセルＣに対応した帯状部４７Ｂ
ａよりも大きくすることにより、主電極の有効面積が増
大されている。
帯状の金属膜４２と梯子状の透明導電膜４７とからな
る。透明導電膜４７は行方向に平行に延びる２本の帯状
部４７Ａと、各列において列方向に延びて帯状部４７Ａ
を連結する帯状部４７Ｂａ，４７Ｂｂとで構成される。
発光色がＢのセルＣについて、それに対応した帯状部４
７Ｂｂの幅を他の２色のセルＣに対応した帯状部４７Ｂ
ａよりも大きくすることにより、主電極の有効面積が増
大されている。
【００２８】図４（ｂ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２と梯子状の透明導電膜４８とからな
る。透明導電膜４８は行方向に平行に延びる２本の帯状
部４８Ａと、各列において列方向に延びて帯状部４８Ａ
を連結する帯状部４８Ｂとで構成される。発光色がＢの
セルＣについて、帯状部４８Ａを部分的に太くすること
により、主電極の有効面積が増大されている。
帯状の金属膜４２と梯子状の透明導電膜４８とからな
る。透明導電膜４８は行方向に平行に延びる２本の帯状
部４８Ａと、各列において列方向に延びて帯状部４８Ａ
を連結する帯状部４８Ｂとで構成される。発光色がＢの
セルＣについて、帯状部４８Ａを部分的に太くすること
により、主電極の有効面積が増大されている。
【００２９】図４（ｃ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２と穴５０を有した帯状の透明導電膜４
９とからなる。発光色がＲ，ＧのセルＣに穴５０を配置
することにより、相対的に発光色がＢのセルＣについ主
電極の有効面積が増大されている。
帯状の金属膜４２と穴５０を有した帯状の透明導電膜４
９とからなる。発光色がＲ，ＧのセルＣに穴５０を配置
することにより、相対的に発光色がＢのセルＣについ主
電極の有効面積が増大されている。
【００３０】図５（ａ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２と略Ｉ字状の透明導電膜５２，５３と
からなる。主電極Ｘ，Ｙは２行に跨がるので、透明導電
膜５２，５３における１個のセルに対応する部分は略Ｔ
字状である。発光色がＢのセルＣについて、それに対応
した透明導電膜５３の列方向に延びる部分５３Ｂを他の
セルＣに対応した透明導電膜５２の列方向に延びる部分
５２Ｂより太くすることにより、主電極の有効面積が増
大されている。
帯状の金属膜４２と略Ｉ字状の透明導電膜５２，５３と
からなる。主電極Ｘ，Ｙは２行に跨がるので、透明導電
膜５２，５３における１個のセルに対応する部分は略Ｔ
字状である。発光色がＢのセルＣについて、それに対応
した透明導電膜５３の列方向に延びる部分５３Ｂを他の
セルＣに対応した透明導電膜５２の列方向に延びる部分
５２Ｂより太くすることにより、主電極の有効面積が増
大されている。
【００３１】図５（ｂ）の例において、主電極Ｘ，Ｙは
帯状の金属膜４２と略Ｉ字状の透明導電膜５４，５５と
からなる。主電極Ｘ，Ｙは２行に跨がるので、透明導電
膜５４，５５における１個のセルに対応する部分は略Ｔ
字状である。発光色がＢのセルＣについて、それに対応
した透明導電膜５４の行方向に延びる部分５５Ａを他の
セルＣに対応した透明導電膜５４の行方向に延びる部分
５４Ａより太くすることにより、主電極の有効面積が増
大されている。
帯状の金属膜４２と略Ｉ字状の透明導電膜５４，５５と
からなる。主電極Ｘ，Ｙは２行に跨がるので、透明導電
膜５４，５５における１個のセルに対応する部分は略Ｔ
字状である。発光色がＢのセルＣについて、それに対応
した透明導電膜５４の行方向に延びる部分５５Ａを他の
セルＣに対応した透明導電膜５４の行方向に延びる部分
５４Ａより太くすることにより、主電極の有効面積が増
大されている。
【００３２】なお、必ずしも主電極Ｘ，Ｙの双方につい
て電極面積の増大を図る必要はなく、主電極Ｘ又は主電
極Ｙについて部分的に電極面積の増大を図るようにして
もよい。このことは図２〜図５のいずれの例にも当ては
まる。図４（ａ），（ｂ）及び図５のように、主電極
Ｘ，Ｙを列方向の一部を切り欠いた形状とすることによ
り、面放電を面放電ギャップの付近に局所化することが
でき、解像度を高めることができる。また、図３及び図
５のように、主電極Ｘ，Ｙを主電極間隙が行方向に沿っ
て周期的に面放電ギャップｄ１より広くなる形状とする
ことにより、行方向の全長にわたって主電極間隙が一定
である場合と比べて電極間の静電容量が小さくなり、そ
れによって駆動特性が向上する。加えて、電極面積が小
さくなって放電電流が減少するので、駆動回路に対する
電流容量の要求が緩和される。放電電流の減少による輝
度の低下は、駆動周波数を高めることにより補うことが
できる。
て電極面積の増大を図る必要はなく、主電極Ｘ又は主電
極Ｙについて部分的に電極面積の増大を図るようにして
もよい。このことは図２〜図５のいずれの例にも当ては
まる。図４（ａ），（ｂ）及び図５のように、主電極
Ｘ，Ｙを列方向の一部を切り欠いた形状とすることによ
り、面放電を面放電ギャップの付近に局所化することが
でき、解像度を高めることができる。また、図３及び図
５のように、主電極Ｘ，Ｙを主電極間隙が行方向に沿っ
て周期的に面放電ギャップｄ１より広くなる形状とする
ことにより、行方向の全長にわたって主電極間隙が一定
である場合と比べて電極間の静電容量が小さくなり、そ
れによって駆動特性が向上する。加えて、電極面積が小
さくなって放電電流が減少するので、駆動回路に対する
電流容量の要求が緩和される。放電電流の減少による輝
度の低下は、駆動周波数を高めることにより補うことが
できる。
【００３３】以上の各例の主電極配列はテレビジョンな
どのインタレース形式の表示に適した等ピッチ配列であ
ったが、本発明の適用はこれに限定されない。次に、行
毎に主電極Ｘ，Ｙを一対ずつ配列する電極構成に適用し
た例を説明する。
どのインタレース形式の表示に適した等ピッチ配列であ
ったが、本発明の適用はこれに限定されない。次に、行
毎に主電極Ｘ，Ｙを一対ずつ配列する電極構成に適用し
た例を説明する。
【００３４】等ピッチ配列の場合、通常は全ての行のセ
ル構成を均等化するために、金属膜４２が透明導電膜４
１の幅方向の中央に配置される。これに対して、行毎に
一対の主電極Ｘ，Ｙを配列する場合は、金属膜４２を面
放電ギャップ側又はその反対側に寄せて配置することが
ある。
ル構成を均等化するために、金属膜４２が透明導電膜４
１の幅方向の中央に配置される。これに対して、行毎に
一対の主電極Ｘ，Ｙを配列する場合は、金属膜４２を面
放電ギャップ側又はその反対側に寄せて配置することが
ある。
【００３５】図６の例においては、図２の例と同様に面
放電ギャップを狭めるように透明導電膜４２を部分的に
太くすることにより、発光色がＢのセルＣについて主電
極の有効面積が増大されている。
放電ギャップを狭めるように透明導電膜４２を部分的に
太くすることにより、発光色がＢのセルＣについて主電
極の有効面積が増大されている。
【００３６】図７の例においては、主電極Ｘを構成する
金属膜４２が面放電ギャップ側に寄せて配置されてい
る。そして、この主電極Ｘにおける透明導電膜４１を面
放電ギャップと反対側へ張り出すように部分的に太くす
ることにより、発光色がＢのセルＣについ主電極の有効
面積が増大されている。
金属膜４２が面放電ギャップ側に寄せて配置されてい
る。そして、この主電極Ｘにおける透明導電膜４１を面
放電ギャップと反対側へ張り出すように部分的に太くす
ることにより、発光色がＢのセルＣについ主電極の有効
面積が増大されている。
【００３７】図８の例においては、主電極Ｘ，Ｙのそれ
ぞれの金属膜４２が面放電ギャップ側に寄せて配置され
ている。そして、これら主電極Ｘ，Ｙにおける透明導電
膜４１を面放電ギャップと反対側へ張り出すように部分
的に太くすることにより、発光色がＢのセルＣについ主
電極の有効面積が増大されている。なお、図２〜図５の
実施例における透明導電膜の形状は図６〜図８の実施例
においても適用可能である。
ぞれの金属膜４２が面放電ギャップ側に寄せて配置され
ている。そして、これら主電極Ｘ，Ｙにおける透明導電
膜４１を面放電ギャップと反対側へ張り出すように部分
的に太くすることにより、発光色がＢのセルＣについ主
電極の有効面積が増大されている。なお、図２〜図５の
実施例における透明導電膜の形状は図６〜図８の実施例
においても適用可能である。
【００３８】図９は本発明に係る第２のＰＤＰの要部の
構成を示す平面図である。ＰＤＰ２も図１のＰＤＰ１と
同様の反射型であり、主電極Ｘ，Ｙは透明導電膜６１と
金属膜６２とからなる。主電極Ｘ，Ｙの配列形式は図６
〜図８と同様の不等ピッチ形式であり、行間の電極間隙
（逆スリットと呼称される）は放電の干渉を防止するた
めに面放電ギャップより十分に大きい値に選定されてい
る。透明導電膜６１及び金属膜６２はともに均一幅の帯
状であって、全てのセルＣの主電極Ｘ，Ｙの有効面積は
均等である。
構成を示す平面図である。ＰＤＰ２も図１のＰＤＰ１と
同様の反射型であり、主電極Ｘ，Ｙは透明導電膜６１と
金属膜６２とからなる。主電極Ｘ，Ｙの配列形式は図６
〜図８と同様の不等ピッチ形式であり、行間の電極間隙
（逆スリットと呼称される）は放電の干渉を防止するた
めに面放電ギャップより十分に大きい値に選定されてい
る。透明導電膜６１及び金属膜６２はともに均一幅の帯
状であって、全てのセルＣの主電極Ｘ，Ｙの有効面積は
均等である。
【００３９】ＰＤＰ２においては、コントラストを高め
る目的で、塗料を前面側のガラス基板１１（図１参照）
の外面に塗ったり、着色ガラス層をガラス基板１１の内
面側に形成したりすることによって逆スリットに帯状の
暗色層６５が配置され、いわゆるブラックストライプが
形成され、背面側のガラス基板２１上の蛍光体層２８の
白っぽい色が当該逆スリットを通して見えないようにし
ている。この暗色層６５の幅は発光色がＢの列において
部分的に細くなっている。これにより、発光色がＢのセ
ルＣにおいて、暗色層６５による遮光が低減され、他の
セルＣよりも輝度が増大する。
る目的で、塗料を前面側のガラス基板１１（図１参照）
の外面に塗ったり、着色ガラス層をガラス基板１１の内
面側に形成したりすることによって逆スリットに帯状の
暗色層６５が配置され、いわゆるブラックストライプが
形成され、背面側のガラス基板２１上の蛍光体層２８の
白っぽい色が当該逆スリットを通して見えないようにし
ている。この暗色層６５の幅は発光色がＢの列において
部分的に細くなっている。これにより、発光色がＢのセ
ルＣにおいて、暗色層６５による遮光が低減され、他の
セルＣよりも輝度が増大する。
【００４０】図１０は本発明に係る第３のＰＤＰの要部
の断面図である。本例のＰＤＰ３も面放電形式の反射型
である。前面側のガラス基板４１１の内面には主電極
Ｘ，Ｙ（Ｘのみ図示）及び誘電体層４１７が設けられて
いる。背面側のガラス基板４２１上にはアドレス電極Ａ
及び隔壁２９が配列され、隔壁間に蛍光体層４２８Ｒ，
４２８Ｇ，４２８Ｂが形成されている。ＰＤＰ３では、
誘電体層４１７のうちの発光色がＢのセルに対応する部
分が他の色のセルと比べて薄い。これにより、発光色が
Ｂのセルにおいて電界強度が増大して強い放電が生じ、
輝度が高まる。
の断面図である。本例のＰＤＰ３も面放電形式の反射型
である。前面側のガラス基板４１１の内面には主電極
Ｘ，Ｙ（Ｘのみ図示）及び誘電体層４１７が設けられて
いる。背面側のガラス基板４２１上にはアドレス電極Ａ
及び隔壁２９が配列され、隔壁間に蛍光体層４２８Ｒ，
４２８Ｇ，４２８Ｂが形成されている。ＰＤＰ３では、
誘電体層４１７のうちの発光色がＢのセルに対応する部
分が他の色のセルと比べて薄い。これにより、発光色が
Ｂのセルにおいて電界強度が増大して強い放電が生じ、
輝度が高まる。
【００４１】図１１は本発明に係る第４のＰＤＰの要部
の断面図である。同図において図１０と対応する構成要
素には同一の符号を付してある。本例のＰＤＰ４におい
ても、前面側のガラス基板４１１の内面には主電極Ｘ，
Ｙ（Ｘのみ図示）及び誘電体層４１９が設けられてい
る。背面側のガラス基板４２１上にはアドレス電極Ａ及
び隔壁２９が配列され、隔壁間に蛍光体層４２８Ｒ，４
２８Ｇ，４２８Ｂが形成されている。ＰＤＰ４では、誘
電体層４１９のうちの発光色がＢのセルに対応する部分
に他の部分より比誘電率の大きい層４１９ａが埋め込ま
れている。これにより、発光色がＢのセルにおいて放電
電流が増大して強い放電が生じ、輝度が高まる。誘電体
層４１９は、例えば層４１９ａの材料をパターン印刷
し、その後に他の部分の材料をベタ印刷して焼成するこ
とにより形成することができる。
の断面図である。同図において図１０と対応する構成要
素には同一の符号を付してある。本例のＰＤＰ４におい
ても、前面側のガラス基板４１１の内面には主電極Ｘ，
Ｙ（Ｘのみ図示）及び誘電体層４１９が設けられてい
る。背面側のガラス基板４２１上にはアドレス電極Ａ及
び隔壁２９が配列され、隔壁間に蛍光体層４２８Ｒ，４
２８Ｇ，４２８Ｂが形成されている。ＰＤＰ４では、誘
電体層４１９のうちの発光色がＢのセルに対応する部分
に他の部分より比誘電率の大きい層４１９ａが埋め込ま
れている。これにより、発光色がＢのセルにおいて放電
電流が増大して強い放電が生じ、輝度が高まる。誘電体
層４１９は、例えば層４１９ａの材料をパターン印刷
し、その後に他の部分の材料をベタ印刷して焼成するこ
とにより形成することができる。
【００４２】図１２は誘電体層の変形例を示す断面図で
ある。図１２のＰＤＰ４ｂにおいて、発光色がＲ，Ｇの
セルには第１の誘電体層４１９Ｂが設けられ、発光色が
Ｂのセルには第２の誘電体層４１９Ｂａが設けられてい
る。誘電体層４１９Ｂａの比誘電率は誘電体層４１９Ｂ
よりも大きい。誘電体層４１９Ｂ，４１９Ｂａはそれぞ
れの材料をパターン印刷して焼成することにより形成す
ることができる。
ある。図１２のＰＤＰ４ｂにおいて、発光色がＲ，Ｇの
セルには第１の誘電体層４１９Ｂが設けられ、発光色が
Ｂのセルには第２の誘電体層４１９Ｂａが設けられてい
る。誘電体層４１９Ｂａの比誘電率は誘電体層４１９Ｂ
よりも大きい。誘電体層４１９Ｂ，４１９Ｂａはそれぞ
れの材料をパターン印刷して焼成することにより形成す
ることができる。
【００４３】なお、発光強度の相対比の調整手段とし
て、蛍光体層と主電極との距離を色によって変えるも
の、隔壁２９及び背面側の誘電体層２４などを着色し、
その着色の色又は度合いを変えるものがある。上述の各
例においてこのような手段を併用してもよい。
て、蛍光体層と主電極との距離を色によって変えるも
の、隔壁２９及び背面側の誘電体層２４などを着色し、
その着色の色又は度合いを変えるものがある。上述の各
例においてこのような手段を併用してもよい。
【００４４】図１３は本発明に係る第５のＰＤＰの要部
の断面図である。ＰＤＰ５は面放電のための主電極Ｘ，
Ｙが図１と同様に等ピッチ配列された反射型である。主
電極Ｘ，Ｙのそれぞれは、一定幅の透明導電膜４１ｂと
その幅方向の中央に重ねられた金属膜４２ｂとからな
る。ＰＤＰ５では、発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に金属膜４
２ｂの幅を意図的に変更することによって、セルＣの可
視光利用効率が調整されている。輝度比を上げたいセル
（色温度を向上させたい場合はＢのセル）の幅をその他
の部分と比較して細くし、逆に輝度比を上げたくないセ
ル（Ｒのセル）の幅を太くすることによって、バス導体
のライン抵抗を変化させることなく輝度比を調整するこ
とができる。各セルにおける金属膜４２ｂの値が主電極
Ｘと主電極Ｙとで異なってもまったく問題はない。放電
の制御で重要である放電開始電圧は主に透明導電膜４１
ｂによって決定されていることから、放電制御にも何ら
支障はない。例えば、透明導電膜４１ｂの幅Ｗｔ＝２７
５μｍ、隔壁２９の配列ピッチＲｐ＝３６０μｍ、Ｒの
セルの金属膜４２ｂの幅Ｗｂ１＝１４０μｍ、Ｒのセル
の金属膜４２ｂの幅Ｗｂ２＝１００μｍ、Ｂのセルの金
属膜４２ｂの幅Ｗｂ３＝６０μｍにすることにより、開
ロ率を高めたＢのセルは輝度が１１％増大し、逆に開口
率を低下させたＲセルの輝度は２０％低下する。また、
この例のように行方向に並ぶセルどうしの構造に差異が
ある場合には、前面基板と背面基板との間の位置ずれが
発生すると、希望する特性が得られなくなる可能性があ
る。この問題の対策として、金属膜４２ｂの幅が増大し
又は減少する部位と隔壁２９の上面中央との距離ｐを、
５μｍ以上で配列ピッチＲｐの１／３以下の範囲内の値
に選定しておくことにより、現実的な位置あわせ精度で
所定の性能を得ることが可能となる。
の断面図である。ＰＤＰ５は面放電のための主電極Ｘ，
Ｙが図１と同様に等ピッチ配列された反射型である。主
電極Ｘ，Ｙのそれぞれは、一定幅の透明導電膜４１ｂと
その幅方向の中央に重ねられた金属膜４２ｂとからな
る。ＰＤＰ５では、発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に金属膜４
２ｂの幅を意図的に変更することによって、セルＣの可
視光利用効率が調整されている。輝度比を上げたいセル
（色温度を向上させたい場合はＢのセル）の幅をその他
の部分と比較して細くし、逆に輝度比を上げたくないセ
ル（Ｒのセル）の幅を太くすることによって、バス導体
のライン抵抗を変化させることなく輝度比を調整するこ
とができる。各セルにおける金属膜４２ｂの値が主電極
Ｘと主電極Ｙとで異なってもまったく問題はない。放電
の制御で重要である放電開始電圧は主に透明導電膜４１
ｂによって決定されていることから、放電制御にも何ら
支障はない。例えば、透明導電膜４１ｂの幅Ｗｔ＝２７
５μｍ、隔壁２９の配列ピッチＲｐ＝３６０μｍ、Ｒの
セルの金属膜４２ｂの幅Ｗｂ１＝１４０μｍ、Ｒのセル
の金属膜４２ｂの幅Ｗｂ２＝１００μｍ、Ｂのセルの金
属膜４２ｂの幅Ｗｂ３＝６０μｍにすることにより、開
ロ率を高めたＢのセルは輝度が１１％増大し、逆に開口
率を低下させたＲセルの輝度は２０％低下する。また、
この例のように行方向に並ぶセルどうしの構造に差異が
ある場合には、前面基板と背面基板との間の位置ずれが
発生すると、希望する特性が得られなくなる可能性があ
る。この問題の対策として、金属膜４２ｂの幅が増大し
又は減少する部位と隔壁２９の上面中央との距離ｐを、
５μｍ以上で配列ピッチＲｐの１／３以下の範囲内の値
に選定しておくことにより、現実的な位置あわせ精度で
所定の性能を得ることが可能となる。
【００４５】図１４は本発明に係る第６のＰＤＰの要部
の断面図である。ＰＤＰ６においては、透明導電膜４１
ｂ上での金属膜４２ｃの位置を選定することにより、Ｒ
ＧＢの輝度比が調整されている。この構成でも図１３と
同様に放電開始電圧に対する問題は発生しない。
の断面図である。ＰＤＰ６においては、透明導電膜４１
ｂ上での金属膜４２ｃの位置を選定することにより、Ｒ
ＧＢの輝度比が調整されている。この構成でも図１３と
同様に放電開始電圧に対する問題は発生しない。
【００４６】図１５は本発明に係る第７のＰＤＰの要部
の断面図である。ＰＤＰ７は、面放電のための主電極
Ｘ，Ｙが不等ピッチ配列された反射型であり、図９と同
様に逆スリットを遮光する暗色層６５ｂを有している。
ＰＤＰ７では、発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に金属膜６２ｂ
の幅及び暗色層６５ｂの幅を意図的に変更することによ
って、セルＣの可視光利用効率が調整されている。暗色
層６５ｂの幅を３５０μｍから１７５μｍに縮小するこ
とで、１１％程度の輝度増加が可能である。電気的な機
能を有しない暗色層６５ｂの幅設定による輝度比の調整
は、金属膜による調整と比べて設計の自由度が大きい。
の断面図である。ＰＤＰ７は、面放電のための主電極
Ｘ，Ｙが不等ピッチ配列された反射型であり、図９と同
様に逆スリットを遮光する暗色層６５ｂを有している。
ＰＤＰ７では、発光色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎に金属膜６２ｂ
の幅及び暗色層６５ｂの幅を意図的に変更することによ
って、セルＣの可視光利用効率が調整されている。暗色
層６５ｂの幅を３５０μｍから１７５μｍに縮小するこ
とで、１１％程度の輝度増加が可能である。電気的な機
能を有しない暗色層６５ｂの幅設定による輝度比の調整
は、金属膜による調整と比べて設計の自由度が大きい。
【００４７】図１６は本発明に係る第８のＰＤＰの要部
の断面図である。ＰＤＰ８においては、透明導電膜６１
上での金属膜６２ｃの位置を選定することにより、ＲＧ
Ｂの輝度比が調整されている。この構成でも図１３と同
様に放電開始電圧に対する問題は発生しない。この図１
６の例及び上述の図１５の例において、主電極Ｘと主電
極Ｙとで電極形状を非対称にしてもよい。
の断面図である。ＰＤＰ８においては、透明導電膜６１
上での金属膜６２ｃの位置を選定することにより、ＲＧ
Ｂの輝度比が調整されている。この構成でも図１３と同
様に放電開始電圧に対する問題は発生しない。この図１
６の例及び上述の図１５の例において、主電極Ｘと主電
極Ｙとで電極形状を非対称にしてもよい。
【００４８】図１７は本発明に係る第９のＰＤＰの要部
の平面図である。図１７（ａ）のＰＤＰ９ａにおいて
は、逆スリットの暗色層６５ｄとは別に、Ｒ及びＧのセ
ルＣに開口率を調整するための遮光膜７１，７２が暗色
層６５ｄに寄せて配置されている。図１７（ｂ）のＰＤ
Ｐ９ｂにおいては、遮光膜７３，７４が面放電ギャップ
の領域内に配置されている。遮光膜７１〜７４による輝
度比の調整では、遮光面積の選定が任意であるので、調
整範囲が広いという利点がある。
の平面図である。図１７（ａ）のＰＤＰ９ａにおいて
は、逆スリットの暗色層６５ｄとは別に、Ｒ及びＧのセ
ルＣに開口率を調整するための遮光膜７１，７２が暗色
層６５ｄに寄せて配置されている。図１７（ｂ）のＰＤ
Ｐ９ｂにおいては、遮光膜７３，７４が面放電ギャップ
の領域内に配置されている。遮光膜７１〜７４による輝
度比の調整では、遮光面積の選定が任意であるので、調
整範囲が広いという利点がある。
【００４９】上述の実施形態によれば、精度の高いフォ
トリソプロセスで形成する主電極Ｘ，Ｙの形状、比較的
に制御が容易な誘電体層の厚さ又は比誘電率で各色の放
電強度又は可視光の利用率を個別に設定することが可能
となるため、発光強度の調整が再現性よく高精度に行う
ことができる。その結果、ＰＤＰの弱点である青の発光
輝度を確実に高めることが可能となり、色再現範囲が拡
がるとともに白色表示の色温度を上げることが可能とな
る。
トリソプロセスで形成する主電極Ｘ，Ｙの形状、比較的
に制御が容易な誘電体層の厚さ又は比誘電率で各色の放
電強度又は可視光の利用率を個別に設定することが可能
となるため、発光強度の調整が再現性よく高精度に行う
ことができる。その結果、ＰＤＰの弱点である青の発光
輝度を確実に高めることが可能となり、色再現範囲が拡
がるとともに白色表示の色温度を上げることが可能とな
る。
【００５０】本発明は反射型面放電形式に限らず、透過
型面放電形式及び対向放電形式のＰＤＰにも適用可能で
ある。
型面放電形式及び対向放電形式のＰＤＰにも適用可能で
ある。
【００５１】
【発明の効果】請求項１乃至請求項９の発明によれば、
階調再現性及び駆動の安定性を確保しつつ表示色の色温
度の最適化を図ることができる。
階調再現性及び駆動の安定性を確保しつつ表示色の色温
度の最適化を図ることができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの基本構造を示す図であ
る。
る。
【図２】主電極形状を示す平面図である。
【図３】主電極形状の変形例を示す平面図である。
【図４】主電極形状の変形例を示す平面図である。
【図５】主電極形状の変形例を示す平面図である。
【図６】主電極形状の変形例を示す平面図である。
【図７】主電極形状の変形例を示す平面図である。
【図８】主電極形状の変形例を示す平面図である。
【図９】本発明に係る第２のＰＤＰの要部の構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図１０】本発明に係る第３のＰＤＰの要部の断面図で
ある。
ある。
【図１１】本発明に係る第４のＰＤＰの要部の断面図で
ある。
ある。
【図１２】誘電体層の変形例を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る第５のＰＤＰの要部の平面図で
ある。
ある。
【図１４】本発明に係る第６のＰＤＰの要部の平面図で
ある。
ある。
【図１５】本発明に係る第７のＰＤＰの要部の平面図で
ある。
ある。
【図１６】本発明に係る第８のＰＤＰの要部の平面図で
ある。
ある。
【図１７】本発明に係る第９のＰＤＰの要部の平面図で
ある。
ある。
１，２，３，４，４ｂ ＰＤＰ（プラズマディスプレイ
パネル） ５，６，７，８，９ａ，９ｂ ＰＤＰ（プラズマディス
プレイパネル） Ｘ，Ｙ 主電極 ２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ 蛍光体層 ４２８，４２８Ｇ，４２８Ｂ 蛍光体層 ４１７ 誘電体層 ６５，６５ｄ 暗色層 ７１〜７４ 遮光膜（遮光体）
パネル） ５，６，７，８，９ａ，９ｂ ＰＤＰ（プラズマディス
プレイパネル） Ｘ，Ｙ 主電極 ２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ 蛍光体層 ４２８，４２８Ｇ，４２８Ｂ 蛍光体層 ４１７ 誘電体層 ６５，６５ｄ 暗色層 ７１〜７４ 遮光膜（遮光体）
フロントページの続き (72)発明者 小坂 忠義 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 高木 一樹 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 椎崎 貴史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 平川 仁 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 片山 貴志 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC02 GC05 GD01 GD07
Claims (9)
- 【請求項１】一対の主電極の間の放電で発光する複数の
セルが縦横に並び、マトリクス表示の各画素に発光色の
異なる第１、第２及び第３のセルが対応する構成の画面
を有したプラズマディスプレイパネルであって、 前記第１のセルにおける主電極の有効面積が、少なくと
も前記第２のセルの主電極の有効面積と異なることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】誘電体層で被覆された一対の主電極の間の
放電で発光する複数のセルが縦横に並び、マトリクス表
示の各画素に発光色の異なる第１、第２及び第３のセル
が対応する構成の画面を有したプラズマディスプレイパ
ネルであって、 前記第１のセルにおける誘電体層の厚さが、少なくとも
前記第２のセルの誘電体層の厚さと異なることを特徴と
するプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】誘電体層で被覆された一対の主電極の間の
放電で発光する複数のセルが縦横に並び、マトリクス表
示の各画素に発光色の異なる第１、第２及び第３のセル
が対応する構成の画面を有したプラズマディスプレイパ
ネルであって、 前記第１のセルにおける誘電体層の比誘電率が、少なく
とも前記第２のセルの誘電体層の比誘電率と異なること
を特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】同一方向に延びる一対の主電極の間の放電
で発光する複数のセルが縦横に並び、マトリクス表示の
各画素に発光色の異なる第１、第２及び第３のセルが対
応する構成の画面を有したプラズマディスプレイパネル
であって、 前記主電極は行毎に１対ずつ配列され、隣接した行どう
しの境界毎にコントラストを高めるための暗色層が配置
されており、 前記第１のセルにおける前記暗色層の面積が、少なくと
も前記第２のセルにおける前記暗色層の面積と異なるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】同一方向に延びる一対の主電極の間の放電
で発光する複数のセルが縦横に並び、マトリクス表示の
各画素に発光色の異なる第１、第２及び第３のセルが対
応する構成の画面を有したプラズマディスプレイパネル
であって、 前記主電極は透明導電膜とそれに重なる帯状の金属膜と
からなり、 前記第１のセルにおける前記金属膜の面積が、少なくと
も前記第２のセルにおける前記金属膜の面積と異なるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】同一方向に延びる一対の主電極の間の放電
で発光する複数のセルが縦横に並び、マトリクス表示の
各画素に発光色の異なる第１、第２及び第３のセルが対
応する構成の画面を有したプラズマディスプレイパネル
であって、 前記主電極は透明導電膜とそれに重なる帯状の金属膜と
からなり、 前記第１のセルにおける前記金属膜及び前記透明導電膜
の位置関係が、少なくとも前記第２のセルにおける前記
金属膜及び前記透明導電膜の位置関係と異なることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項７】同一方向に延びる一対の主電極の間の放電
で発光する複数のセルが縦横に並び、マトリクス表示の
各画素に発光色の異なる第１、第２及び第３のセルが対
応する構成の画面を有したプラズマディスプレイパネル
であって、 少なくとも前記第１のセルに開口率を他のセルの開口率
と異なる値にする遮光体が設けられたことを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項８】同一方向に延びる一対の主電極の間の放電
で発光する複数のセルが縦横に並び、マトリクス表示の
各画素に発光色の異なる第１、第２及び第３のセルが対
応する構成の画面を有したプラズマディスプレイパネル
であって、 前記主電極は透明導電膜とそれに重なる帯状の金属膜と
からなり、行毎に１対ずつ配列されており、 隣接した行どうしの境界毎にコントラストを高めるため
の暗色層が配置され、 前記第１のセルにおける前記金属膜の面積が、少なくと
も前記第２のセルにおける前記金属膜の面積と異なると
ともに、前記第１のセルにおける前記暗色層の面積が、
少なくとも前記第２のセルにおける前記暗色層の面積と
異なることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項９】背面側基板に前記第１、第２及び第３のセ
ルを区画する隔壁が設けられ、 前記第１、第２及び第３のセルのそれぞれにおける前記
隔壁の上面から５μｍ以上離れた範囲内の遮光構造の選
定によって、発光色毎に遮光量が設定された請求項５乃
至請求項８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパ
ネル。
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| JP11-40837 | 1999-02-19 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100222A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| KR100402745B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2003-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시장치 |
| KR20040042641A (ko) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | 현대 프라즈마 주식회사 | 색온도 개선을 위한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100520834B1 (ko) * | 2003-10-21 | 2005-10-12 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| WO2006019031A1 (ja) * | 2004-08-17 | 2006-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| KR100670276B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100692042B1 (ko) | 2004-12-27 | 2007-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2007165315A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイ装置 |
| KR100741084B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7302157B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
| WO2008001428A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Hitachi Plasma Display Limited | Écran à plasma |
| JP2009238677A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの駆動方法、及びプラズマディスプレイ装置 |
| KR100927716B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2009-11-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2009283432A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
| KR100947958B1 (ko) | 2003-09-23 | 2010-03-15 | 오리온피디피주식회사 | 멀티 플라즈마 디스플레이 장치 |
| US7719500B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
| US7830586B2 (en) | 1999-10-05 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Transparent thin films |
| US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
| USRE42119E1 (en) | 2002-02-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectrochemical systems device and method for fabricating same |
| US7893919B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
| US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US7936497B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
| US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
| US8097174B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-01-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
| US8229253B2 (en) | 2005-08-19 | 2012-07-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device configured to minimize stress-related deformation and methods for fabricating same |
| US8638491B2 (en) | 2004-09-27 | 2014-01-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| US8964280B2 (en) | 2006-06-30 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
| US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8970939B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-03-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US9001412B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-04-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US9086564B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-07-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| US9110289B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-08-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device for modulating light with multiple electrodes |
| US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3589892B2 (ja) | 1999-03-18 | 2004-11-17 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP3625719B2 (ja) | 1999-12-07 | 2005-03-02 | 富士通株式会社 | ガス放電表示装置 |
| JP4527862B2 (ja) | 2000-09-04 | 2010-08-18 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| CN1316536C (zh) * | 2001-11-15 | 2007-05-16 | Lg电子株式会社 | 等离子显示板 |
| EP1387386B1 (en) * | 2002-03-06 | 2010-10-06 | Panasonic Corporation | Plasma display device |
| JP4076367B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-04-16 | 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル、プラズマ表示装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
| CN100547714C (zh) * | 2003-06-05 | 2009-10-07 | 松下电器产业株式会社 | 等离子显示屏 |
| JP2005026011A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| US20050093445A1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-05-05 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel |
| US20050264233A1 (en) * | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Kyu-Hang Lee | Plasma display panel (PDP) |
| JP2006059693A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
| KR20060031560A (ko) * | 2004-10-08 | 2006-04-12 | 엘지전자 주식회사 | 스캔 전극과 서스테인 전극을 포함하는 플라즈마디스플레이 패널 |
| KR20060033244A (ko) * | 2004-10-14 | 2006-04-19 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| EP1684324B1 (en) * | 2005-01-20 | 2011-01-19 | LG Electronics Inc. | Plasma display panel |
| JP2006202669A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイ装置 |
| KR100736585B1 (ko) | 2005-05-11 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100751332B1 (ko) * | 2005-05-16 | 2007-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100637230B1 (ko) | 2005-08-18 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100762250B1 (ko) | 2006-05-30 | 2007-10-01 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
| US7471442B2 (en) | 2006-06-15 | 2008-12-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures |
| KR20080017204A (ko) * | 2006-08-21 | 2008-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100787466B1 (ko) * | 2007-01-17 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 단일격벽 및 이중격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이패널 |
| KR20080069863A (ko) * | 2007-01-24 | 2008-07-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7916378B2 (en) | 2007-03-08 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing a light absorbing mask in an interferometric modulator display |
| US7847999B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
| US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
| US7969638B2 (en) | 2008-04-10 | 2011-06-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having thin black mask and method of fabricating the same |
| US7791783B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-09-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0644452B2 (ja) * | 1984-07-13 | 1994-06-08 | 奥野製薬工業株式会社 | 表示装置 |
| JPH05258672A (ja) | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP3455267B2 (ja) * | 1994-02-14 | 2003-10-14 | パイオニア株式会社 | カラープラズマディスプレイ |
| JP3443167B2 (ja) | 1994-02-23 | 2003-09-02 | パイオニア株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US5818168A (en) | 1994-09-07 | 1998-10-06 | Hitachi, Ltd. | Gas discharge display panel having communicable main and auxiliary discharge spaces and manufacturing method therefor |
| JPH08190869A (ja) | 1994-11-08 | 1996-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP3224486B2 (ja) * | 1995-03-15 | 2001-10-29 | パイオニア株式会社 | 面放電型プラズマディスプレイパネル |
| JPH08304807A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Sony Corp | プラズマアドレス表示パネル |
| JP3163563B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| JP3145279B2 (ja) * | 1995-08-28 | 2001-03-12 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| US6088011A (en) | 1995-09-21 | 2000-07-11 | Orion Electric Co., Ltd. | Color plasma display panel |
| JP3547267B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2004-07-28 | パイオニア株式会社 | 面放電型プラズマディスプレイパネル |
| US6008582A (en) | 1997-01-27 | 1999-12-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Plasma display device with auxiliary partition walls, corrugated, tiered and pigmented walls |
| JPH10208645A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JPH10228870A (ja) | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Hitachi Ltd | 平面形画像表示装置 |
| JPH10241577A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | プラズマデスプレイパネル及びこれを用いた表示装置 |
| JPH10247458A (ja) | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気体放電型表示装置およびその製造方法 |
| JPH10269949A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP3721710B2 (ja) | 1997-05-08 | 2005-11-30 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその階調表示方法 |
| JPH10308179A (ja) | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその階調表示方法 |
| JP3659446B2 (ja) | 1997-06-16 | 2005-06-15 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP3063693B2 (ja) | 1997-08-12 | 2000-07-12 | 日本電気株式会社 | カラープラズマディスプレイパネル |
| US6232717B1 (en) * | 1997-11-17 | 2001-05-15 | Nec Corporation | AC type color plasma display panel |
| JP3410024B2 (ja) | 1998-06-18 | 2003-05-26 | 富士通株式会社 | ガス放電表示装置 |
| JP3329285B2 (ja) | 1998-10-16 | 2002-09-30 | 日本電気株式会社 | カラープラズマディスプレイパネル |
| JP3230511B2 (ja) | 1999-02-04 | 2001-11-19 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイ装置 |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP18460999A patent/JP3864204B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-05 KR KR1019990048837A patent/KR100690510B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-17 TW TW088120053A patent/TW432421B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-13 US US09/460,459 patent/US7071621B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-14 DE DE69921085T patent/DE69921085T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-14 EP EP99310058A patent/EP1030340B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| US9110289B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-08-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device for modulating light with multiple electrodes |
| US7830586B2 (en) | 1999-10-05 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Transparent thin films |
| KR100402745B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2003-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시장치 |
| JP2003100222A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| USRE42119E1 (en) | 2002-02-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectrochemical systems device and method for fabricating same |
| KR20040042641A (ko) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | 현대 프라즈마 주식회사 | 색온도 개선을 위한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100947958B1 (ko) | 2003-09-23 | 2010-03-15 | 오리온피디피주식회사 | 멀티 플라즈마 디스플레이 장치 |
| KR100520834B1 (ko) * | 2003-10-21 | 2005-10-12 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| JP4755100B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2011-08-24 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US7956540B2 (en) | 2004-08-17 | 2011-06-07 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| WO2006019031A1 (ja) * | 2004-08-17 | 2006-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| US7719500B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
| US9097885B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US8970939B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-03-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
| US7302157B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
| US7787173B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-08-31 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
| US7936497B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
| US9086564B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-07-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| CN1755493B (zh) * | 2004-09-27 | 2011-01-12 | 高通Mems科技公司 | 用于干涉式调制中的多级亮度的系统及方法 |
| US9001412B2 (en) | 2004-09-27 | 2015-04-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US8638491B2 (en) | 2004-09-27 | 2014-01-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
| US7893919B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
| KR100692042B1 (ko) | 2004-12-27 | 2007-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100670276B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US8229253B2 (en) | 2005-08-19 | 2012-07-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device configured to minimize stress-related deformation and methods for fabricating same |
| KR100741084B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2007165315A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイ装置 |
| US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US8971675B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-03-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US7876047B2 (en) | 2006-03-29 | 2011-01-25 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel having electrodes covered by a dielectric layer having varying permittivites |
| KR100927716B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2009-11-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
| WO2008001428A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Hitachi Plasma Display Limited | Écran à plasma |
| US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
| US8964280B2 (en) | 2006-06-30 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
| US8097174B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-01-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
| JP2009238677A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの駆動方法、及びプラズマディスプレイ装置 |
| US8193709B2 (en) | 2008-05-22 | 2012-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel |
| JP2009283432A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1030340A2 (en) | 2000-08-23 |
| EP1030340B1 (en) | 2004-10-13 |
| TW432421B (en) | 2001-05-01 |
| JP3864204B2 (ja) | 2006-12-27 |
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| DE69921085D1 (de) | 2004-11-18 |
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| US7071621B1 (en) | 2006-07-04 |
| KR20000057000A (ko) | 2000-09-15 |
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