JP2007165315A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマディスプレイ装置（プラズマディスプレイパネル）において、ジッタ及び放電電圧を低減させると共に輝度を高めることのできる放電セル構造を提供する。
【解決手段】横隔壁４４及び縦隔壁４５によって区画される放電セルにおいて、スキャン電極Ｙと前記サステイン電極Ｚとの間隔Ｇが９０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置され、０＜（横隔壁の下部幅４４Ｉ−上部幅４４ｈ）≦８０μｍ、１＜（横隔壁の下部幅４４Ｉ／上部幅４４ｈ）≦略１．４、０＜（縦隔壁の下部幅４５Ｉ−上部幅４５ｈ）≦５０μｍ、及び／又は、１＜（縦隔壁の下部幅４５Ｉ／上部幅４５ｈ）≦略１．８を満たすように構成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、プラズマディスプレイ装置に関し、より詳しくは、ジッタを減少させると共に輝度を高めることのできるプラズマディスプレイパネルの放電セル（隔壁）構造に関する。

プラズマディスプレイパネルは、隔壁が形成された背面基板と、これと対向する前面基板との間に放電セルが形成され、各放電セルの内部の不活性ガスが高周波電圧により放電される時に発生する真空紫外線が蛍光体を発光させることによって、映像を具現する映像表示装置である。

一般に、プラズマディスプレイパネルは、気体放電を通じて得られたプラズマから放射される真空紫外線（ＶＵＶ：Vacuum Ultra-Violet）が蛍光体を励起させることにより発生する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の可視光を利用して所定の映像を具現する。

このようなプラズマディスプレイパネルを表示パネルとして用いるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極、サステイン電極及びアドレス電極で印加された駆動電圧により放電セル内で面放電又は対向放電が発生することによって画像を具現するが、輝度と発光効率とを向上させるための１つの方法として、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）とを、所定距離以上に離隔させて開口率を確保する、いわゆるロングギャップ（Long GAP）形態で配置するものがある。

しかしながら、このようなロングギャップ形態で配置されたスキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）とが備えられ、放電セルの隔壁が閉鎖型で形成される場合、スキャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）との間で対向放電として発生するアドレス放電が難しくなり、これによって、アドレス放電の遅延が発生し、ジッタが増加するという問題がある。また、アドレス放電開始電圧とサステイン放電開始電圧とが高くなってしまうという問題がある。

その理由としては、横隔壁及び縦隔壁が閉鎖する閉鎖型構造で形成された放電セルの場合には、通常、下部幅が上部幅よりも広い隔壁によって四方を閉鎖するので、放電空間が十分に確保できないことが多いためである。

本発明は、以上のような課題に着目してなされたものであり、プラズマディスプレイ装置（プラズマディスプレイパネル）において、ジッタ及び放電電圧を低減させると共に輝度を高めることのできる放電セル構造を提供することを目的とする。

そのため、本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、前面基板に形成されるスキャン電極及びサステイン電極と、背面基板に形成されるアドレス電極とが備えられ、横隔壁及び縦隔壁によって区画される放電セルにおいて、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間隔が９０μｍ以上２００μｍ以下となるようにロングギャップ配置され、前記横隔壁の下部幅が上部幅より大きく形成され、０＜（前記横隔壁の下部幅−上部幅）≦８０μｍである条件、又は／及び、１＜（前記横隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．４である条件を満たすことを特徴とする。

より好ましくは、０＜（前記縦隔壁の下部幅−上部幅）≦５０μｍである条件、又は／及び、１＜（前記縦隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．８である条件を満たす。

ここで、前記スキャン電極及び前記サステイン電極は、これらの電極を構成する透明電極の間隔及び金属電極の間隔のうち小さい方の間隔が９０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置される。

また、本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、前記放電セルの前記隔壁が形成された領域を除外した背面基板の領域と前記スキャン電極とが重畳される領域を有効重畳領域としたときに、略０．６３≦（有効重畳領域の横長さ／放電セルの横ピッチ）＜１である第１条件、略０．２４≦（有効重畳領域の縦長さ／放電セルの縦ピッチ）＜１である第２条件、略０．１５≦（有効重畳領域の面積／放電セルの面積）＜１である第３条件の少なくとも１つを満たすことを特徴とする。

本発明によれば、プラズマディスプレイ装置において、横隔壁及び縦隔壁によって区画される放電セルの放電空間を十分に確保して、ジッタ及び放電電圧を低減できるとともに輝度を向上させることができる。

本発明は、プラズマディスプレイ装置に関するものであって、ジッタ及び放電電圧を低減させるとともに輝度を高めることができる放電セル構造を提供する。

より詳しくは、ロングギャップで配置されたスキャン電極及びサステイン電極を備えた放電セルにおける多様な隔壁構造を提示し、また、隔壁によって四方が閉鎖される閉鎖型隔壁構造を有する放電セルにおけるスキャン電極とサステイン電極との適切な間隔（範囲）を提示する。

なお、上記以外の他の目的や利点は、添付図面を参照した本発明の好ましい実施形態についての説明を通じて明らかとなるはずである。

以下、図１〜図１７を参照しつつ本発明の好ましい実施形態を説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネル（Ｐ）の構造を説明するための図である。図１に示すように、パネル（Ｐ）は前面基板（Ａ）と背面基板（Ｂ）とが一定間隔を置いて結合されて形成される。

前面基板（Ａ）にはスキャン電極１及びサステイン電極２が形成され、背面基板（Ｂ）にはアドレス電極６が形成される。スキャン電極及びサステイン電極と、アドレス電極６とは放電セル内で交差する。

スキャン電極１及びサステイン電極２は、それぞれ透明電極１ｂ、２ｂ及びバス電極１ａ、２ａからなる。透明電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されており、プラズマ放電を起こし、放電セルの内部で発生された光が外部に放出されるようにする。

また、透明電極の面抵抗を低めるために、透明電極幅の０．４〜０．５倍の範囲内で重畳される金属電極（バス電極）１ａ、２ａが備えられる。

スキャン電極１及びサステイン電極２上には誘電体層３が形成され、この誘電体層３を保護するための保護膜４も形成可能である。

アドレス電極６上にも誘電体層８が形成され、この誘電体層８上には放電セルを縦・横方向に区画する隔壁（縦隔壁、横隔壁）７と、誘電体層８及び隔壁７上に塗布されたＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体９とが形成される。

但し、以上の構造は一例に過ぎず、本発明が適用されるプラズマディスプレイパネルの構造は、図１に示されるものに限られるものではない。

例えば、スキャン電極１及びサステイン電極２が、それぞれＩＴＯからなる透明電極１ｂ、２ｂを含まず、バス電極１ａ、２ａのみで形成されるＩＴＯ−ｌｅｓｓ構造とすることもでき、また、図には示していないが、前面基板（Ａ）にブラックマトリックス（ＢＭ）が一体で形成されている一体型ＢＭ構造であることもできる。

また、スキャン電極１及びサステイン電極２が、それぞれ２以上の電極ラインを含んで構成されてもよく、それ以外の電極を更に含む構成であってもよい。

プラズマディスプレイパネルは、画像の階調を具現するために、１フレームを発光回数の異なる多数のサブフィールドに分けて駆動することになる。各サブフィールドは全画面を初期化させるための初期化期間と、走査ラインを選択して、選択された走査ラインからセルを選択するためのアドレス期間と、放電回数によって階調を具現するサステイン期間とに分けられる。

図２は、プラズマディスプレイパネルの時分割駆動を示す（駆動）波形図である。この図２を参照して説明すれば、一番目のサブフィールドの間に印加される駆動波形は、リセット期間（ＲＰ１）、アドレス期間（ＡＰ）及びサステイン期間（ＳＰ）からなり、さらに、リセット期間は、スキャン電極の電圧レベルが上昇するセットアップ期間（ＳＵ１）とスキャン電極の電圧レベルが下降するセットダウン期間（ＳＤ１）とからなる。

リセット期間（ＲＰ１）のセットアップ期間（ＳＵ１）には、全てのスキャン電極（Ｙ）に、リセット電圧（Ｖｒ１）まで徐々に上昇するセットアップ信号（ＰＲ１）が印加され、このセットアップ信号（ＰＲ１）によりセットアップ放電が生じながら内部には壁電荷が徐々に蓄積される。

また、セットダウン期間（ＳＤ１）には、正極性から負極性の電圧（−Ｖｅ）まで徐々に下降するセットダウン信号（ＮＲ）がスキャン電極に印加され、放電セル内のアドレス放電に不要な過度壁電荷が消去される。これと共に、サステイン電極（Ｚ）には正極性の電圧が印加される。

アドレス期間（ＡＰ）には、スキャンバイアス電圧（Ｖｙｂ）から負極性のスキャン電圧（−Ｖｙ）まで下降するスキャンパルス（−ＳＣＮＰ）がスキャン電極に順次印加され、これと共に、アドレス電極（Ｘ）に正極性のデータパルス（ＤＰ）が印加される。このとき、サステイン電極（Ｚ）には正極性のバイアス電圧が維持される。したがって、アドレス期間（ＡＰ）の間、スキャンパルス（−ＳＣＮＰ）及びデータパルス（ＤＰ）の電圧差によりアドレス放電が発生されて放電セルが選択される。

次に、サステイン期間（ＳＰ）には、スキャン電極（Ｙ）及びサステイン電極（Ｚ）に正極性のサステイン電圧（Ｖｓ）を有するサステインパルス（ＳＵＳＰ）が交互に印加され、これによって、サステイン放電が発生されて光が表示される。すなわち、サステイン期間（ＳＰ）の間に供給されるサステインパルス（ＳＵＳＰ）が多いほど発光量が増加するため輝度が高まることになる。

本発明は、ロングギャップ構造で配置された電極を備える放電セル及び該放電セルを備えるプラズマディスプレイ装置に適用される。

ここで、ロングギャップとは、スキャン電極（Ｙ）及びサステイン電極（Ｚ）の各々を構成する透明電極（ＩＴＯ）間の距離と金属電極間の距離の中で最も小さい距離を意味するものであって、ロングギャップ構造とは、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）との間隔が９０μｍ以上であることを意味する。また、両電極の間隔が５００μｍ以下である場合に表示素子として利用できる。

ここで、ロングギャップを２００μｍ以下とした場合に、サステイン期間において、スキャン電極（Ｙ）とアドレス電極（Ｘ）との間の対向放電が発生する可能性が殆どなく、スキャン電極（Ｙ）とサステイン電極（Ｚ）との間に面放電が主に発生されて画像表示がなされることが確認されている。このため、本実施形態においては、ロングギャップを９０μｍ以上２００μｍ以下とすることで、開口率を確保しつつ効果的に面放電が発生するようにしている。

図３は、スキャン電極とサステイン電極とがロングギャップ配置された放電セルを示している。図３に示すように、本実施形態に係る、ロングギャップ構造の電極を備える放電セルは、閉鎖型隔壁によって区画されており、この閉鎖型隔壁は、横隔壁４４と、この横隔壁４４と交差するように設けられる縦隔壁４５とを含む。

ここで、横隔壁４４及び縦隔壁４５の上部幅と下部幅とは、図中ハッチングで示す有効重畳領域（Ｌｓ）及び有効放電空間が拡張形成されるように設計される。なお、有効重畳領域（Ｌｓ）は、放電空間内に露出されるスキャン電極（Ｙ）と背面基板との重畳領域のことである。より詳しくは、有効重畳領域は、放電セルにおいて横隔壁及び縦隔壁が形成された領域を除外した残りの背面基板の領域とスキャン電極（Ｙ）とが重畳する領域を意味する。

ここで、本発明者らの実験により以下のことが確認されており、本実施形態に係る放電セルはそのような構造を有する。まず、横隔壁の上部幅と下部幅との関係については、
（１）０＜「横隔壁の下部幅−横隔壁の上部幅（２×４４Ｉ−２×４４ｈ）」≦８０μｍ（より好ましくは、０＜「横隔壁の下部幅−横隔壁の上部幅（２×４４Ｉ−２×４４ｈ）」≦６０μｍ）であること、
（２）１＜「横隔壁の下部幅／横隔壁の上部幅（４４Ｉ／４４ｈ）」≦略１．４（より好ましくは、１＜「横隔壁の下部幅／横隔壁の上部幅（４４Ｉ／４４ｈ）」≦略１．３）であること、
の少なくとも一方を満たすときに、ジッタと放電電圧とが低減され、輝度を高めることができることが確認されている。

また、縦隔壁の上部幅及び下部幅の関係については、
（３）０＜「縦隔壁の下部幅−縦隔壁の上部幅（２×４５Ｉ−２×４５ｈ）≦５０μｍ（より好ましくは、０＜「縦隔壁の下部幅−縦隔壁の上部幅（２×４５Ｉ−２×４５ｈ）」≦３０μｍ）であること、
（４）１＜「縦隔壁の下部幅／縦隔壁の上部幅（４５Ｉ／４５ｈ）」≦略１．８（より好ましくは、１「＜縦隔壁の下部幅／縦隔壁の上部幅（４５Ｉ／４５ｈ）」≦略１．５）であること、
の少なくとも一方を満たすときに、ジッタと放電電圧とが低減され、輝度を高めることができることが確認されている。

また、有効重畳領域の横長さ（Ｌｈ）と放電セルの横ピッチ（Ｐｈ）との関係については、
（５）略０．６３≦「有効重畳領域の横長さ／放電セル横ピッチ（Ｌｈ／Ｐｈ）」＜１（より好ましくは、略０．７０≦「有効重畳領域の横長さ／放電セル横ピッチ（Ｌｈ／Ｐｈ）」＜１）であること、
また、有効重畳領域の縦長さ（Ｌｖ）と放電セルの縦ピッチ（Ｐｖ）との関係については
（６）略０．２４≦「有効重畳領域の縦長さ／放電セル縦ピッチ（Ｌｖ／Ｐｖ）」＜１（より好ましくは、略０．２６≦「有効重畳領域の縦長さ／放電セル縦ピッチ（Ｌｖ／Ｐｖ）」＜１）であること、
を満たすときに、ジッタと放電電圧とが低減され、輝度を高めることができることが確認されている。

さらに、有効重畳領域の面積と放電セルの面積との関係については、
（７）略０．１５≦「有効重畳領域の面積（Ｌｓ）／放電セル面積」＜１（より好ましくは、略０．１８≦「有効重畳領域の面積（Ｌｓ）／放電セル面積」＜１）であること、
を満たすときに、ジッタと放電電圧とが低減され、輝度を高めることができることが確認されている。

図４は、４２インチＸＧＡ級のプラズマディスプレイパネルを構成する放電セルを示している。図４を参照して上記各条件を満たす隔壁の上／下部幅の関係を例示すれば、次のとおりである。なお、ここでは、４２インチＸＧＡ級パネルを構成するいずれか１つの放電セル（縦ピッチ３００μｍ、横ピッチ６８０μｍ）を例としているが、パネルサイズや解像度レベルによって数値が可変されるのは言うまでもない。

スキャン電極とサステイン電極とが９０μｍ以上の間隔（Ｇ）で離隔してロングギャップ構造で配置される放電セルにおいて、例えば、横隔壁の上部幅（２×４４ｈ）を１８０μｍ、下部幅（２×４４Ｉ）を２６０μｍとし、縦隔壁の上部幅（２×４５ｈ）を６０μｍ、下部幅（２×４５Ｉ）を１１０μｍとする（第１実施例）。この場合、横隔壁の下部幅−上部幅は８０μｍとなり、縦隔壁の下部幅−上部幅は５０μｍとなる。また、横隔壁の下部幅／上部幅は略１．４となり、縦隔壁の下部幅／上部幅は略１．８となる。

このような隔壁の上／下部幅を有する場合には、ハッチングで示す有効重畳領域の横長さ（Ｌｈ）が１９０（＝３００−１１０）μｍ、縦長さ（Ｌｖ）が１６５（＝{６８０−２６０−９０}／２）μｍとなり、有効重畳領域の面積（重畳面積１）は１９０μｍ×１６５μｍとなる。

また同様に、第２実施例として、横隔壁の上部幅（２×４４ｈ）を１８０μｍ、下部幅（２×４４Ｉ）を２４０μｍとし、縦隔壁の上部幅（２×４５ｈ）を６０μｍ、下部幅（２×４５Ｉ）を９０μｍとする。この場合、横隔壁の下部幅−上部幅は６０μｍとなり、縦隔壁の下部幅−上部幅は３０μｍとなる。また、横隔壁の下部幅／上部幅は略１．３となり、縦隔壁の下部幅／上部幅は１．５となる。

このような隔壁の上／下部幅を有する場合には、ハッチングで示す有効重畳領域の横長さ（Ｌｈ）が２１０（＝３００−９０）μｍ、縦長さ（Ｌｖ）が１７５（＝{６８０−２４０−９０}／２）μｍとなり、有効重畳領域の面積（重畳面積２）は２１０μｍ×１７５μｍとなる。

なお、図４に図示された放電セルは、横ピッチ（Ｐｈ）が３００μｍ、縦ピッチ（Ｐｖが６８０μｍである場合を例示するが、これはパネルサイズ、画像レベル、製造モデルなどにより相異する数値を有することができ、また、同一なパネルを構成する放電セルでもＲ、Ｇ、Ｂ色温度によって各放電セルのピッチが相異するように設計できるので、隔壁の上部幅（４４ｈ、４５ｈ）、下部幅（４４Ｉ、４５Ｉ）及び有効重畳領域の面積（Ｌｓ）が上記各条件を満たすように設定すればよく、各々の幅の割合、長さ（ピッチ）の割合及び有効重畳領域の面積等を、Ｒ、Ｇ、Ｂ放電セルで異なるようにすることもできる。

例えば、横隔壁及び縦隔壁の上部幅（４４ｈ、４５ｈ）、下部幅（４４Ｉ、４５Ｉ）、ピッチ（Ｐｈ、Ｐｖ）及び有効重畳領域の面積（Ｌｓ）のうち、少なくとも１つが「Ｂ」放電セルで最も大きく、「Ｇ」放電セルは「Ｒ」放電セルより等しいか又は大きくすることもできる。

一方、隔壁の上／下部幅が最適化されていない従来の４２インチＸＧＡ級パネルの放電セルでは、有効重畳領域の面積が一般的に１５０μｍ×１７０μｍ以下であるので、上記実施例に係るＰＤＰは、ジッタ及び放電電圧が低減され、輝度を向上させることができるようになる。

このような本発明の効果を図５及び図６を参照しつつ説明すれば、次の通りである。

図５に示すように、ジッタ特性は、有効重畳領域の面積が大きくなるほど向上することが分かる。従来のパネルに対して図４の上／下部幅数値を有する隔壁が形成される場合、有効重畳領域の面積（Ｌｓ）が増加してジッタレベルが１．１から０．９まで減少することが分かる。

また、図６を通じて放電電圧が減少する効果が確認できるところ、従来のパネルに対して図４の上／下部幅数値を有する隔壁が形成される場合、放電電圧が１９６Ｖから１８８Ｖまで減少し、輝度も１９２（ｃｄ／ｍ^２）から２０５（ｃｄ／ｍ^２）まで増加していることが分かる。

なお、以上では、横隔壁と縦隔壁とが交差して放電セルを区画する閉鎖型隔壁としているが、この他にも図７、図８に示すように、横隔壁又は縦隔壁にグルーブが形成されるチャンネル型隔壁としたり、図９に示すように、第１方向（縦又は横方向）の隔壁に比べて第２方向（横又は縦方向）の隔壁の高さを低く形成してガス排気路を確保する段差付き隔壁としたりしてもよい。

併せて、図１０のように、放電セルがハニカム形態で区画されるような閉鎖型隔壁とすることもでき、図１１、１２のように、縦隔壁に所定の間隔を有して突出部が形成され、この突出部の間が隣り合う放電セルとの排気路となるフィッシュボーン（Fish Bone）形態で形成することもできる。

そして、本実施形態に係るスキャン電極又はサステイン電極は、図１３のようにストライプ構造でロングギャップ（Ｇ）をなして対向配置することができるが、これに限るものではない。例えば、図１４に示すように、ストライプ形態で開口率を確保するために透明電極の一部領域が除去されてパターニングされたブランク構造で形成されたり、図１５に示すように、ストライプ形態で放電空間に向けて電極の突出部が形成されたり（突出型構造）、図１６に示すように、上記電極の突出部がＴ字形態でパターン化されたりすることもできる（Ｔ字型構造）。さらに、図１７に示すように、開口率を確保するために上記電極の突出部の内部領域が除去されてパターニングされた構造（突出型ブランク構造）で形成されることもできる。

このような多様な隔壁及び電極の実施例は、図面に示されたものに限るものではなく、スキャン電極とサステイン電極とがロングギャップ配置され、隔壁の上部幅と下部幅とが本発明で提示する数値範囲を満たし、有効重畳領域が確保されることによって、本発明の効果が期待できる。

以上、本発明を例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、上記実施形態は、本発明の技術思想を説明するためのものに過ぎず、これによって本発明の技術的範囲が限定されることはない。

プラズマディスプレイパネルの放電セル構造を示す斜視図である。 プラズマディスプレイパネルの時分割駆動を示す波形図である。 スキャン電極とサステイン電極とがロングギャップ配置された放電セルを示す図である。 閉鎖型隔壁の上／下部幅と有効重畳領域の数値を例示する図である。 プラズマディスプレイパネルのジッタ特性を示す図である。 プラズマディスプレイパネルの放電電圧を示す図である。 横隔壁にグルーブが形成されたチャンネル型隔壁によって区画された放電セルを示す図である。 横隔壁にグルーブが形成されたチャンネル型隔壁によって区画された放電セルを示す図である。 段差付き隔壁によって区画された放電セルを示す図である。 ハニカム型隔壁によって区画された放電セルを示す図である。 フィッシュボーン形態で形成された隔壁によって区画された放電セルを示す図である。 フィッシュボーン形態で形成された隔壁によって区画された放電セルを示す図である。 ストライプ構造の透明電極を示す図である。 ブランク構造の透明電極を示す図である。 突出型構造の透明電極を示す図である。 Ｔ字型構造の透明電極を示す図である。 突出型ブランク構造の透明電極を示す図である。

符号の説明

１…スキャン電極、２…サステイン電極、３，８…誘電体層、４…保護膜、６…アドレス電極、７…隔壁、４４…横隔壁、４５…縦隔壁

Claims (20)

1. 前面基板に形成されるスキャン電極及びサステイン電極と、背面基板に形成されるアドレス電極とが備えられ、横隔壁及び縦隔壁によって区画される放電セルにおいて、
   前記スキャン電極と前記サステイン電極との間隔が９０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置されるとともに、
   前記横隔壁の下部幅が上部幅よりも大きく形成され、
   ０＜（前記横隔壁の下部幅−上部幅）≦８０μｍであることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
2. １＜（前記横隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．４であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
3. 前記放電セルは、
   交差する横隔壁及び縦隔壁によって四方が区画される閉鎖型隔壁、横隔壁又は縦隔壁にグルーブ（groove）が形成されるチャンネル型隔壁、及び、横隔壁の高さが縦隔壁と相異する段差付き隔壁のうちのいずれかの隔壁によって区画されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
4. 前記スキャン電極及び前記サステイン電極の少なくとも一方は、透明電極とこの透明電極と一部領域が重畳された金属電極とを含んで構成され、
   前記スキャン電極及び前記サステイン電極を構成する透明電極の間隔及び金属電極の間隔のうちの小さい方が９０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
5. 前記金属電極は、前記透明電極の幅の０．４〜０．５倍の範囲内で重畳されることを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイ装置。
6. 前記縦隔壁の下部幅が上部幅よりも大きく形成され、
   ０＜（前記縦隔壁の下部幅−上部幅）≦５０μｍであることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
7. 前記縦隔壁の下部幅が上部幅よりも大きく形成され、
   １＜（前記縦隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．８であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
8. 前記放電セルの前記隔壁が形成された領域を除外した背面基板の領域と前記スキャン電極とが重畳される領域を有効重畳領域としたときに、
   略０．１５≦（有効重畳領域の面積／放電セルの面積）＜１であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
9. 前記放電セルの前記隔壁が形成された領域を除外した背面基板の領域と前記スキャン電極とが重畳される領域を有効重畳領域としたときに、
   略０．６３≦（有効重畳領域の横長さ／放電セルの横ピッチ）＜１であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
10. 前記放電セルの前記隔壁が形成された領域を除外した背面基板の領域と前記スキャン電極が重畳される領域を有効重畳領域としたときに、
    略０．２４≦（有効重畳領域の縦長さ／放電セルの縦ピッチ）＜１であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
11. 前面基板に形成されるスキャン電極及びサステイン電極と、背面基板に形成されるアドレス電極とが備えられ、横隔壁及び縦隔壁によって区画される放電セルにおいて、
    前記スキャン電極と前記サステイン電極との間隔が９０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置されるとともに、
    前記縦隔壁の下部幅が上部幅よりも大きく形成され、
    ０＜（前記縦隔壁の下部幅−上部幅）≦５０μｍであることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
12. １＜（前記縦隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．８であることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
13. 前記放電セルは、
    交差する横隔壁及び縦隔壁によって四方が区画される閉鎖型隔壁、横隔壁又は縦隔壁にグルーブ（groove）が形成されるチャンネル型隔壁、及び、横隔壁の高さが縦隔壁と相異する段差付き隔壁のうちのいずれかの隔壁によって区画されることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
14. 前記横隔壁の上部幅が下部幅よりも大きく形成され、
    ０＜（前記横隔壁の下部幅−上部幅）≦８０μｍであり、
    １＜（前記横隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．４であることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
15. 前記放電セルにおいて、前記隔壁が形成された領域を除外した背面基板の領域と前記スキャン電極とが重畳される領域を有効重畳領域としたときに、
    略０．１５≦（有効重畳領域面積／放電セル面積）＜１であることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
16. 前面基板に形成されるスキャン電極及びサステイン電極と、背面基板に形成されるアドレス電極とが備えられ、横隔壁及び縦隔壁によって区画される放電セルにおいて、
    前記スキャン電極と前記サステイン電極との間隔が９０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置され、
    前記放電セルの前記隔壁が形成された領域を除外した背面基板の領域と前記スキャン電極とが重畳される領域を有効重畳領域としたときに、
    略０．６３≦（有効重畳領域の横長さ／放電セルの横ピッチ）＜１である第１条件、
    略０．２４≦（有効重畳領域の縦長さ／放電セルの縦ピッチ）＜１である第２条件、
    略０．１５≦（有効重畳領域の面積／放電セルの面積）＜１である第３条件、
    の少なくとも１つを満たすことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
17. 前記横隔壁の上部幅が下部幅よりも大きく形成され、
    ０＜（前記横隔壁の下部幅−上部幅）≦８０μｍであり、
    １＜（前記横隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．４であることを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置。
18. 前記縦隔壁の下部幅が上部幅よりも大きく形成され、
    ０＜（前記縦隔壁の下部幅−上部幅）≦５０μｍであり、
    １＜（前記縦隔壁の下部幅／上部幅）≦略１．８であることを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置。
19. 前記放電セルは、
    交差する横隔壁及び縦隔壁によって四方が区画される閉鎖型隔壁、横隔壁又は縦隔壁にグルーブ（groove）が形成されるチャンネル型隔壁、及び、横隔壁の高さが縦隔壁と相異する段差付き隔壁のうちのいずれかの隔壁によって区画されることを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置。
20. 前記第１条件、第２条件及び第３条件のうちの少なくとも１つが、Ｒ、Ｇ、Ｂ放電セルで異なることを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置。