JP3457199B2

JP3457199B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法

Info

Publication number: JP3457199B2
Application number: JP00501699A
Authority: JP
Inventors: 勝義山下; 正樹青木
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-01-12
Filing date: 1999-01-12
Publication date: 2003-10-14
Anticipated expiration: 2019-01-12
Also published as: JP2000203887A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特にプラ
ズマディスプレイパネルの誘電体層の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年ハイビジョンをはじめとする高品
位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大
画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに４０インチクラスの製品が開発されている（例え
ば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．
２，７頁）。

【０００３】図１１は、従来の交流型（ＡＣ型）のプラ
ズマディスプレイパネルの要部斜視図を示したものであ
る。図１１において１１１は、フロート法による硼硅酸
ナトリウム系ガラスよりなる前面ガラス基板（フロント
カバープレート）であり、この前面ガラス基板１１１上
に銀電極から成る表示電極(放電電極)１１２が存在し、
この上をコンデンサの働きをする平均粒径２μｍ〜１５
μｍのガラス粉末を用いて形成された誘電体ガラス層１
１３と酸化マグネシウム（ＭｇＯ）誘電体保護層１１４
が覆っている。１１５は背面ガラス基板（バックプレー
ト）であり、この背面ガラス基板１１５上にアドレス電
極（ＩＴＯと銀電極）１１６，誘電体ガラス層１１７が
設けられ、その上に隔壁１１８、蛍光体層１１９が設け
られており、隔壁１１８間が放電ガスを封入する放電空
間１２０となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年期待されているフ
ルスペックのハイビジョンテレビの画素レベルは、画素
数が１９２０×１１２５となり、ドットピッチも４２イ
ンチクラスで、０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの
面積は０．０７２ｍｍ²の細かさになる。同じ４２イン
チの大きさでハイビジョンテレビを作製したとき、１画
素の面積で従来のＮＴＳＣ（画素数６４０×４８０個、
ドットピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ、１セルの面
積０．５５ｍｍ²）と比較すると、１／７〜１／８の細
かさとなる。

【０００５】従って、パネルの輝度が低くなってしまう
（例えば、ディスプレイアンドイメージング１９９
７，Ｖｏｌ．６，７０頁）。また、表示電極間距離が短
くなるばかりでなく放電空間も狭くなるため、特に表示
電極上の誘電体ガラス層は、セル面積が減少するために
コンデンサとしての同一容量を確保しようとすれば、膜
厚を従来よりも薄くすることが必要となる。

【０００６】従来の方法で、誘電体層を形成するのには
主に以下説明する３つの方法がある。第１の方法は、ガ
ラス粉末の平均粒径が５〜６μｍでガラスの軟化点が５
５０℃〜６００℃のガラス粉末とエチルセロースを含有
するターピネオールや、ブチルカルビトールアセテート
を溶剤として、３本ロールを用いてペースト化し、ス
クリーン印刷法により（スクリーン印刷法に適したペー
ストの粘度である５０万〜１００万センチポイズに調整
してある。）前面板上に塗布後乾燥し、次にガラスの軟
化点付近（５５０℃〜６００℃）で焼成して誘電体層を
形成する方法である。この方法の特長は、軟化点付近の
焼成でありガラスがあまり流動しない不活性な状態であ
るため、電極であるＡｇ，ＩＴＯ，Ｃｒ−Ｃｕ等とほと
んど反応しない。したがって、電極の抵抗値が上昇した
り、ガラス中に電極成分が拡散して着色したりしないこ
と、および１回の焼成で誘電体層が形成できることであ
る。しかしながら、この方法では、ガラス粉末の平均粒
径が５μｍ〜６μｍでガラスの軟化点付近で焼成するた
めにガラスの流動性が悪く、スクリーン版のメッシュ跡
が残ったりするため表面粗さが４μｍ〜６μｍの荒い面
となり可視光が散乱し、スリガラス状となり誘電体ガラ
ス層の可視光の透過率が低下し、更に気泡やピンホール
が誘電体中に発生し、誘電体層の耐圧が低下する。

【０００７】第２の方法としては、同じくガラス粉末の
平均粒径が５μｍ〜６μｍで軟化点が４５０〜５００℃
程度の低融点鉛ガラス粉（ＰｂＯが７５％程度）を用い
て、ガラスペーストを作成後（ペースト粘度３５万〜５
０万センチポイズ）スクリーン印刷法にてペーストを塗
布し乾燥後、軟化点より約１００℃程度高い５５０〜６
００℃で焼成する方法がある。この方法の特長は、ガラ
スの焼成温度が軟化点より十分高く、従ってガラスの流
動性が良いため、表面の平坦なガラス層（表面荒さ２μ
ｍ程度）を得ることが出来ること、および１回の焼成で
誘電体層が形成できることである。

【０００８】しかしながら、この方法では、ガラスが流
動しやすく活性化されているため、Ａｇ，ＩＴＯ，Ｃｒ
−Ｃｕ−Ｃｒ等の電極と反応をおこし抵抗値が上昇した
り、誘電体層が着色したり、更に電極との反応で大きな
気泡が生じ易い。また、第３の方法は、第一の方法と第
２の方法を組み合わせる方法である（例えば特開平７−
１０５８５５号公報，特開平９−５０７６９号公報）。
すなわち、電極上にはガラスの平均粒径が５μｍ〜６μ
ｍ（粒径の分布は０．１μｍ〜１５μｍ）でガラスの軟
化点が５５０℃〜６００℃のガラス粉体を用いて、これ
を同じくペースト化した後、スクリーン印刷法にて印
刷、乾燥を行い軟化点付近で焼成する。そして、この誘
電体層上に同じく平均粒径が５μｍ〜６μｍで、ガラス
の軟化点が４５０℃〜５００℃のガラス粉末を用いて同
じくペースト化した後、スクリーン印刷法で印刷、乾燥
を行い、軟化点より１００℃高い５５０℃〜６００℃で
焼成して、誘電体層を形成する方法である。

【０００９】この方法の特長は、このような２層構造の
構成にすることで、電極とガラスの反応を抑え、併せて
ガラス表面を平坦化し可視光の透過率と絶縁耐圧性の向
上を計ることが出来る点にある。しかしこのような２層
構成では、誘電体ガラスを作成工程が繁雑になるばかり
か、高輝度化を図るのにより薄い誘電体膜を形成するの
が困難になるし、一層目の誘電体に気泡が存在し結局は
透過率があまり向上しない。

【００１０】また、以上述べた第１〜第３の方法はペー
スト（インキ）の粘度が約５０万センチポイズの比較的
流動性の少ないインキを用いてスクリーン印刷されてい
るため、スクリーン印刷後乾燥時にスクリーン版のメッ
シュ跡が印刷された誘電体の表面に残り、誘電体ガラス
の表面に凹凸が発生するという課題があった（例えば、
最新プラズマディスプレイ製造技術月間ＦＰＤインテ
リジェンス編１９９７年１２月１０５頁）。

【００１１】この課題（メッシュ跡をなくすこと）を解
決するために、スクリーン印刷法を用いず、狭い隙間か
らインキを押し出して、印刷するダイコート法（例え
ば、最新プラズマディスプレイ製造技術月間ＦＰＤイ
ンテリジェンス編１９９７年１２月１０６頁）やス
ピンコート法が提案されている。しかしながらダイコー
ト法やスピンコート法でガラスペーストを塗布しようと
思えばペーストの粘度を、例えばダイコート法であれ
ば、数十万センセポイズ以下、スピンコート法であれ
ば、数万センチポイズ以下の低粘度化を計らなければな
らなくなる。

【００１２】ところが、ガラスペースト中のガラスの平
均粒径が従来例は、５μｍ前後と大きいため、低粘度
（数十万センチポイズ以下）のペースト中ではこのよう
な粒子は、短時間で沈降してしまい、安定して誘電体ペ
ーストを塗布することが出来なかった。この問題を解決
するためにガラス粉末を用いないゾルゲル法によるＳｉ
Ｏ₂（これの具体例）やＡｌ₂Ｏ₃をスピンコート法や浸
漬法（デッピング法）によって成膜する方法が開発され
ているが十分な特性は得られていない（例えば、特開昭
６２−１９４２２５号公報）。また、これらの方法では
工程数も増加するという課題があった。

【００１３】そこで本発明は、このようなメッシュ跡や
絶縁耐圧の課題等を克服することによって、精細なセル
構造の場合にも高輝度で信頼性の高いプラズマディスプ
レイパネルを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、第１の電極が表面に配されている第１の
プレートに対して、当該第１のプレート表面にガラス材
料を焼成することによって第１の誘電体層を形成する第
１ステップと、第１のプレートと第２の電極が表面に配
された第２のプレートとを第１及び第２の電極を対向さ
せた状態でほぼ平行に配置すると共に、両プレート間に
放電空間を形成する第２ステップとを備えるプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法であって、前記第１のステ
ップでは、平均粒子径が０．１μｍ以上１．５μｍ以下
のガラス材料を、陰イオン系界面活性剤を含むバインダ
ー成分に分散させたガラスペーストを用いて、ダイコー
ト法、スプレー法、スピンコート法又はブレードコート
法により第１の誘電体層を形成することを特徴としてい
る。

【００１５】前記ガラスペーストには、次のような組成
からなり、その粘度が１００センチポイズ〜５００００
０センチポイズであるものを使用することができる。組成：（１）ガラス粉末が３５重量％〜７０重量％配合、
（２）バインダー成分が３０重量％〜６５重量％配
合、当該バインダ成分中には陰イオン系界面活性剤が
０．１重量％〜３重量％含有されている。

【００１６】前記陰イオン系界面活性剤にはは、ポリカ
ルボン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルフォン酸
ナトリウム塩、アルキルリン酸塩、高級アルコールのリ
ン酸エステル塩、ポリオキシエチレンエチレンジグリセ
リンホウ酸エステルのカルボン酸塩、ポリオキシエチレ
ンアルキル硫酸エステル塩、及びナフタレンスルフォン
酸ホルマリン縮合物からなる群から選ばれたいづれか一
種を用いることができる。

【００１７】前記第１の電極上の誘電体ガラスには、酸
化鉛（ＰｂＯ）−酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）-酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ₂）−アルカリ土類の酸化物（ＭＯ，ＭはＣａ，Ｂ
ａ，Ｍｇのうちのいづれか一種）から成る酸化鉛系ガラ
ス、又は、酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）−酸
化硅素（ＳｉＯ₂）−酸化アルミニウム(Ａｌ₂Ｏ₃）−ア
ルカリ土類の酸化物（ＭＯ，ＭはＣａ，Ｂａ，Ｍｇのう
ちのいづれか一種）から成る酸化鉛系ガラスを用いるこ
とができる。

【００１８】前記ガラスペーストは、ジェットミルで混
練調整されていることが好ましい。同様の技術は、第２
のプレートに対しても適用することができ、このように
第１及び第２のプレート双方に対して適応する方が、よ
り品質に優れたパネルを得ることができるので好まし
い。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本実施の形態に係る交流
面放電型プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」
という。）の要部斜視図、図２は、図１におけるＸ−Ｘ
線矢視断面図、図３は、図１におけるＹ−Ｙ線矢視断面
図である。なお、これらの図では便宜上セルが３つだけ
示されているが、実際には赤（Ｒ），緑（Ｇ），青
（Ｂ）の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。

【００２０】このＰＤＰは、各図（図１〜３）に示すよ
うに前面ガラス基板（フロントカバープレート）１１上
に放電電極（表示電極）１２と（図示していないが、表
示電極は、ＩＴＯやＳｎＯ₂の透明電極上にバスライン
としてＡｇあるいは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの電極が設けら
れた構成になっている。）、その上に平均粒径が０．１
μｍ〜１．５μｍのガラス粉末を用い、ダイコート法，
スプレー法，スピンコート法、あるいはブレードコート
法にて作成した誘電体ガラス層１３とが配されてなる前
面パネル１０と、背面ガラス基板（バックプレート）２
１上にアドレス電極２２と、その上に蛍光体の発光を反
射する酸化チタン（ＴｉＯ₂）入りの平均粒径が０．１
μｍ〜１．５μｍのガラス粉末を用い、同じくダイコー
ト法，スプレー法，スピンコート法あるいは、ブレード
コート法にて作成された誘電体ガラス層２３（ガラス組
成は第１電極上の誘電体と同じ）と、隔壁２４と、Ｒ，
Ｇ，Ｂ各色の蛍光体層２５とが配されてなる背面パネル
２０とを貼り合わせ、前面パネル１０と背面パネル２０
の間に形成される放電空間３０内に放電ガスが封入され
た構成となっており、以下に示すように作製される。

【００２１】前面パネル１０の作成：前面パネル１０
は、前面ガラス基板１１に放電電極（表示電極）１２を
作成し、その上を本実施の形態では、平均粒径が０．１
μｍ〜１．５μｍで軟化点（ここでの軟化点の測定は、
示差熱分析装置（ＤＴＡ）〔理学電機（株）製〕で測定
した。）が６００℃以下のガラス粉末を用いて作成され
た誘電体ガラス層１３で覆い、この表面上に保護層１４
を形成することによって作製する。

【００２２】このように軟化点が６００℃以下のガラス
粉末を用いるのは、表示電極やアドレス電極との反応を
抑制するためであり、また誘電体ガラス層を焼成すると
きの加熱処理によって、用いる前面ガラス基板及び背面
ガラス基板のたわみ防止を考慮したものである。（放電電極の作成について）放電電極１２は、以下のよ
うにして、前面ガラス基板１１に形成する。

【００２３】まず、前面ガラス基板１１上に例えば厚さ
０．１２μｍのＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズから
なる透明導体）をスパッタ法で全面に形成後フォトリソ
グラフ法あるいはレーザー加工法にて、例えば巾１５０
μｍのストライプ状電極を形成し（電極間距離としては
０．０５ｍｍ）、次に感光性の銀ペーストを全面に形成
後、同じくフォトリソグラフ法にて、例えば巾３０μｍ
のＡｇバスラインをＩＴＯ上に形成しその後、Ａｇを５
５０℃で焼成することによって第１の電極としての放電
電極１２を形成する。

【００２４】（誘電体ガラス層の作成について）誘電体
ガラス層１３は、以下のようにして前面ガラス基板１１
および放電電極１２上に形成する。先づ誘電体用ガラス
（例えば、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣａＯ系ガラ
ス、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＭｇＯ系ガラス、Ｐｂ
Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＢａＯ系ガラス、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ
₃−ＳｉＯ₂−ＭｇＯ−Ａｌ₂Ｏ₃系ガラス、ＰｂＯ−Ｂ₂
Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃系ガラス、ＰｂＯ−Ｂ
₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃系ガラス又はこれら
の混合物）をジェットミル〔例えば、（株）スギノマシ
ン製ＨＪＰ３００−０２型〕で平均粒径が０．１μｍ
〜１．５μｍまで粉砕する。次にこのガラス粉末３５重
量％〜７０重量％と、エチルセルロースが５重量％〜１
５重量％及び陰イオン系界面活性剤が０．１重量％〜
３．０重量％添加されたターピネオール，ブチルカルビ
トールアセテート、あるいはペンタンジオールから成る
バインダー成分３０重量％〜６５重量％とをジェットミ
ルによりよく混練し、印刷用ペーストを作成する。

【００２５】このように、平均粒子径が０．１μｍ〜
１．５μｍと従来よりも小さいガラス粉末を用いるとと
もに、陰イオン系界面活性剤を添加してガラスペースト
を調整することによって、ガラス粉体の分散性の向上や
沈降防止効果の向上を図ることができる。であるから、
ガラスペーストを塗布するときに、従来のようにガラス
粉末が沈降したり凝集したりすることにより、塗布が均
一に行えないといった問題は解消され、均一にペースト
を塗布することができる。

【００２６】前記陰イオン系界面活性剤としては、後述
する実施例でも用いているが例えば、ポリカルボン酸、
アルキルジフェニルエーテルジスルフォン酸ナトリウム
塩、アルキルリン酸塩、高級アルコールのリン酸エステ
ル塩、ポリオキシエチレンエチレンジグリセリンホウ酸
エステルのカルボン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル
硫酸エステル塩、及びナフタレンスルフォン酸ホルマリ
ン縮合物を用いることができる。これらは、単体でも、
複数種を混合して使用しても構わない。

【００２７】なお、このような平均粒子径のガラス粉末
を用いることは、ガラスペーストの物性のみを向上させ
るだけでなく、最終的に出来上がった誘電体層の品質の
向上をも図るのに寄与している。この詳細については後
述する。次にこのペーストを用いてガラス基板１１，電
極１２上にダイコート法、スピンコート法、スプレー
法、あるいはブレードコート法で塗布する。

【００２８】誘電体ガラス層の厚みは、薄いほどパネル
輝度の向上と放電電圧を低減するという効果が顕著にな
るので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだ
け薄く設定するのが望ましい。そこで、本実施の形態で
は、誘電体ガラス層１３の厚みを、従来の厚み略１５μ
ｍよりも薄い所定厚みに設定する。（ダイコート法による誘電体ガラス層の形成について）
まずダイコート方法について説明する。

【００２９】図４は誘電体ガラス層を形成する際に用い
るダイコーターの概略図である。先づ前面パネル４４を
テーブル４１の上におき、粘度を５０万センチポイズ以
下に調整したガラスペースト４８を、タンク４７の中に
入れポンプ４６にてダイコーターのスロットダイ４５に
インキを導びきヘッドノズル４２からペーストを吐出さ
せ、前面基板上にペースト４３をペースト粘度に応じて
ヘッドノズルと基板間の距離を調整して必要な厚みにコ
ントロールして塗布する。次に乾燥後、ガラスの軟化点
より少し高い５６０℃〜５９０℃で焼成する。

【００３０】なお、このようにガラスの軟化点付近で焼
成することにより、ガラスが溶融した際の流動性を極力
抑えて、電極素材との反応性を低減させる。（スプレー法による誘電体ガラス層の形成について）次
に、スプレー法について説明する。図５は誘電体ガラス
層を形成する際に用いるスプレーコータの概略図であ
る。先づ前面パネル５３をテーブル５１の上におき、粘
度を１万センチポイズ以下にしたガラスペースト５５を
タンク５６の中に入れ、ポンプ５７にてスプレーガン５
４にインキを導びきノズル部分５２（内径１００μｍ）
からペーストを噴出させ前面基板５３上にペースト５８
を必要な厚みにコントロールして塗布する。この塗布厚
のコントロールは、ペースト粘度、スプレー圧、塗布回
数（なお、１回の塗布により形成できる厚みは、０．１
μｍ〜５μｍである。）等を適宜変えて行う。次に乾燥
後、ガラスの軟化点より少し高い５６０℃〜５９０℃で
焼成する。

【００３１】なお、粘度がより小さくなると、ペースト
というよりもいわゆるスラリー状になるであろうが、本
明細書ではこのような低粘度のスラリーも含めペースト
と呼んでいる。（スピンコート法による誘電体ガラス層の形成につい
て）次にスピンコート法について説明する。

【００３２】図６は誘電体ガラス層を形成する際に用い
るスピンコータの概略図である。先づ前面パネル６３を
軸対称に回転できるテーブル６１の上に置き、粘度を１
万センチポイズ以下にしたガラスペースト６８をタンク
６７の中に入れ、ポンプ６６にてスビンコートガン６４
に導びき、ノズル部分６２からペースト６５を吐出させ
前面基板６３上に必要な厚みにコントロールして塗布す
る。この塗布厚のコントロールは、ペーストの粘度、テ
ーブル６１の回転数、コート回数（なお、１回の塗布に
より形成できる厚みは、０．１μｍ〜５μｍである。）
等を適宜変えることによって行う。次に乾燥後、ガラス
の軟化点より少し高い５６０℃〜５９０℃で焼成する。

【００３３】（ブレードコート法による誘電体ガラス層
の形成について）次にブレードコート法について説明す
る。図７は誘電体ガラス層を形成する際に用いるブレー
ドコータの概略図である。まず前面パネル７３をテーブ
ル７１の上におき、粘度を１万５千センチポイズ以下に
したガラスペースト７５をブレード（刃）７２のついた
タンク７４の中に入れタンク７４を同図中矢印の方向に
引いて、ブレード７２部分から一定のペーストをガラス
基板（前面パネル）７３上に吐出させ所定の膜厚にコン
トロールして塗布する。この塗布厚のコントロールは、
ペーストの粘度、ブレード部分と基板間のギャップ等を
適宜変えて行う。次に乾燥後ガラスの軟化点より少し高
い５６０℃〜５９０℃で焼成する。

【００３４】なお、上記各印刷法において、１回ごとの
ガラスペーストの塗布は、同一のペーストを用いなくと
も、別な組成のペーストを用いても構わない。（ＣＶＤ法による保護層の形成について）図８は保護層
１４を形成する際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤのいず
れも行うことができるものであって、ＣＶＤ装置本体８
５の中には、ガラス基板８７（図１における放電電極１
２及び誘電体層１３を形成した前面ガラス基板１１）を
加熱するヒータ部８６が設けられ、ＣＶＤ装置本体８５
内は排気装置８９で減圧にすることができるようになっ
ている。また、ＣＶＤ装置本体８５の中にプラズマを発
生させるための高周波電源８８が設置されている。

【００３５】Ａｒガスボンベ８１ａ，８１ｂは、キャリ
アであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
８２，８３を経由してＣＶＤ装置本体８５に供給するも
のである。気化器８２は、ＭｇＯの原料（ソース）とな
る金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボンベ８１ａ
からＡｒガスを吹き込むことによって、この金属キレー
トを蒸発させてＣＶＤ装置本体８５に送り込むことがで
きるようになっている。

【００３６】キレートの具体例としては、アセチルアセ
トンマグネシウム〔Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ ₂）₂〕，マグネシウ
ムジピバブロイルメタン〔Ｍｇ（Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂〕であ
る。酸素ボンベ８４は、反応ガスである酸素［Ｏ₂］を
ＣＶＤ装置本体８５に供給するものである。このＣＶＤ
装置を用いて熱ＣＶＤを行う場合、ヒータ部８６の上
に、誘電体層を上にしてガラス基板８７を置き、所定の
温度（２５０℃）に加熱すると共に、反応容器内を排気
装置８９で減圧にする（数十Ｔｏｒｒ程度）。

【００３７】そして、アセチルアセトンマグネシウムよ
りＭｇＯを形成する時は気化器８２をマグネシウムジピ
バブロイルメタンよりＭｇＯ保護層１４を形成する時は
気化器８３で、ソースとなるキレートを、所定の気化温
度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ８１ａ又は８１ｂか
らＡｒガスを送り込む。また、これと同時に、酸素ボン
ベ８４から酸素を流す。

【００３８】これによって、ＣＶＤ装置本体８５内に送
り込まれるキレート化合物が、酸素と反応し、ガラス基
板８７の電極上にＭｇＯ保護膜が形成される。上記構成
のＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤを行う場合も、
熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行うが、ヒータ部８６によ
るガラス基板４７の加熱温度は２５０℃程度に設定し、
排気装置８９を用いて反応容器内を１０Ｔｏｒｒ程度に
減圧し、高周波電源８８を駆動して１３．５６ＭＨｚの
高周波電界を印加することにより、ＣＶＤ装置本体８５
内にプラズマを発生させながら、金属酸化物層あるいは
ＭｇＯからなる保護層を形成する。

【００３９】このように熱ＣＶＤ法或はプラズマＣＶＤ
法によって保護層を形成すれば、緻密な保護層を形成す
ることができる。次に、誘電体ガラス層１３上にＭｇＯ
からなる保護層１４を形成する。本実施の形態では、Ｃ
ＶＤ法（熱ＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法）を用い
て、（１００）面あるいは（１１０）面配向の酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層を形成する。ＣＶＤ
法による保護層１４の形成については、金属酸化物と同
様の方法で形成する。本実施の形態では、プラズマＣＶ
Ｄ法で１．０μｍの厚みに形成している。

【００４０】背面パネル２０の作製：まず、背面ガラス
基板２１に前述したフォトレジスト法によりレジストの
凹部を形成し、この凹部に放電電極１２と同様にして第
２の電極としてのアドレス電極２２を形成し（リフトオ
フ法）、その上に前面パネル１０の場合と同様の種類の
平均粒子径（０．１μｍ〜１．５μｍ）と粒度分布を有
するガラス粉末に同じく平均粒子径が０．１μｍ〜１．
５μｍの酸化チタンＴｉＯ₂を添加した誘電体ガラス層
２３を形成する。（誘電体層の形成方法や誘電体インキ
ペーストの作成方法は、前面パネルの誘電体ガラスと同
様の方法である。誘電体層の焼成温度は、５４０℃〜５
８０℃とした。）そして、スクリーン印刷法やプラズマ溶射法によって作
成された隔壁２４を所定のピッチで固着する。そして、
隔壁２４に挟まれた各空間内に、赤色（Ｒ）蛍光体，緑
色（Ｇ）蛍光体，青色（Ｂ）蛍光体の中の１つを配設す
ることによって蛍光体層２５を形成する。各色Ｒ，Ｇ，
Ｂの蛍光体としては、一般的にＰＤＰに用いられている
蛍光体を用いることができるが、ここでは次の蛍光体を
用いる。

【００４１】赤色蛍光体：Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺ 緑色蛍光体：Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺ 以下では、上記の隔壁内に入れる蛍光体の作成方法につ
いて一例を挙げ図９を用いて述べる。

【００４２】図９は、蛍光体層２５を形成する際に用い
るインキ塗布装置９０の概略構成図である。先ずサーバ
ー９１内に平均粒径２．０μｍの赤色蛍光体であるＹ₂
Ｏ₃：Ｅｕ³⁺粉末５０重量％，エチルセルローズ１．０
重量％，溶剤（α−ターピネオール）４９重量％から成
る蛍光体混合物をサンドミルで混合攪拌し、１５センチ
ポイズ（ＣＰ）とした塗布液を入れ、ポンプ９２の圧力
で噴射装置のノズル部９３（ノズル径６０μｍ）から赤
色蛍光体形成用液体９４をストライプ形状の隔壁内に噴
射させると同時に基板を直線状に移動させて、赤色蛍光
体ライン２５を形成する。同様にして、青色（ＢａＭｇ
Ａｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺），緑色（Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ）の
ラインを形成した後５００℃で１０分間焼成し、蛍光体
層２５を形成する。

【００４３】前面パネル１０及び背面パネル２０の貼り
合わせによるＰＤＰの作製：（図２，３参照）次に、前
述のようにして作製した前面パネル１０と背面パネル２
０とを封着用ガラスを用いて貼り合わせると共に、隔壁
２４で仕切られた放電空間３０内を高真空（例えば、８
×１０^-7Ｔｏｒｒ）に排気した後、所定の組成の放電ガ
スを所定の圧力で封入することによってＰＤＰを作製す
る。

【００４４】このようにして作製されたＰＤＰは、各電
極（放電電極及びアドレス電極）が誘電体ガラス層と緻
密に結合し、誘電体ガラス層表面にメッシュ跡やガラス
粒子の粒子径に依存した比較的大きな凹凸を有さず、し
かも気泡が極めて少ない構造をなしている。＊気泡が少ない緻密な誘電体層構造となる理由について以下に、気泡の発生が誘電体ガラス層の形成に用いるガ
ラス材料の平均粒子径に依存する原因について考えてみ
る。つまり、相対的に粒子径の小さいガラス粒子が相対
的に粒子径が大きなガラス粒子よりも早く溶融するた
め、焼成処理が終了するときまでにはこのように先に溶
融したガラス成分がその流動性ゆえに凝集する。従っ
て、このようなガラス粒子の溶融速度の違いに起因し
て、いまだ、完全に溶融しない相対的に粒子径の大きな
ガラス粒子の間隙は気泡となって焼成後に残ることにな
るのである。このように平均粒子径が気泡生成の度合を
決定する要因、即ち、ガラス材料の平均粒子径と生成す
る気泡の径との間には強い相関関係がある。

【００４５】一方、本実施の形態の場合のように平均粒
子径を規定することによっても、上記したように相対的
に粒子径の小さいガラス粒子が相対的に粒子径が大きな
ガラス粒子よりも早く溶融し、焼成処理が終了するとき
までにはこのように先に溶融したガラス成分がその流動
性ゆえに凝集することになるが、溶融速度の差が小さく
なるので、上記したような気泡の発生は抑制されるので
ある。このことは、後述する詳細な実験からも裏付けら
れるところである。

【００４６】このように平均粒子径を１．５μｍ以下の
ガラス材料を用いれば、それを超えるガラス材料を用い
る場合に比べて気泡の発生は抑制できるのだが、実質上
は、発生する気泡の平均径が小さくなると共に、その数
が少なくなるのである。本実施の形態で、ガラス材料の
平均粒子径を上限１．５μｍに規定するのは、これを超
えると気泡の形成があまり抑制できなくなるからであ
る。また、ガラスの平均粒径を０．１μｍよりも細かく
すると焼成時に有機バインダーの成分が誘電体ガラス層
内に閉じ込められてしまうので好ましくない。

【００４７】また、放電電極１２及びアドレス電極２２
形成後の表面はどうしても凹凸が残るが、このように平
均粒子径が従来よりも小さいガラス材料を用いるので、
それだけ径の小さいガラス粒子が増す。そして、それが
当該凹凸に入り込み凹部も高い頻度で解消できることに
なる。上記した粒子径の違うガラス材料の溶融速度につ
いて以下に具体的なデータをもとに解説する。

【００４８】図１０は、ガラス材料の溶融速度とガラス
材料の平均粒子径との関係を示す図表であり、平均粒子
径が０.８５μｍ又は平均粒子径が３.１７μｍのガラス
材料を所定の大きさの円柱形状に加圧成形し、これを昇
温速度１０℃／minで加熱しながら高温加熱顕微鏡で４
００℃〜８８０℃の温度範囲で２０℃ごとに、写真撮影
した結果で試料の形状の変化を表している。黒塗りの図
形が円柱状の試料の側面形状を示す。この図表に示すと
おり、同じ温度であっても、用いるガラス材料の平均粒
子径が小さい方が溶融速度が大きいことがはっきりわか
る。なお、この内容については、電気化学 Vol ５
６，No１，１９８８，２３頁〜２４頁に詳しく記載され
ている。

【００４９】なお、本実施の形態では、ＰＤＰのセルサ
イズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２
の電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。また、封
入する放電ガスの組成は、従来から用いられているＮｅ
−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を５体積％以上に、封
入圧力は５００〜７６０Ｔｏｒｒに設定することで、セ
ルの発光輝度の向上を図っている。

【００５０】以上のように本実施の形態のＰＤＰは、誘
電体ガラス層における気泡の生成が従来のＰＤＰに比べ
て抑えられており、従って絶縁耐圧が向上されているの
で、例えば長期に及ぶ繰り返し使用に対して、パネル輝
度や低い放電電圧などの優れた初期性能を維持すること
ができ信頼性に優れたものである。〔実施例１〜６及び９〜１４，１７〜２２，２５〜３
０，比較例７，８，１５，１６，２３，２４，３１，３
２〕

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】

【表３】

【００５４】

【表４】

【００５５】

【表５】

【００５６】

【表６】

【００５７】

【表７】

【００５８】

【表８】

【００５９】表１〜表８に示した試料Ｎｏ．１〜６およ
び９〜１４，１７〜２２，２５〜３０のＰＤＰは、前記
実施の形態に基づいて放電電極及びアドレス電極双方上
を平均粒径が０．１〜１．５μｍで、ガラス粉末成分と
溶剤，陰イオン性界面活性剤から成るバインダー成分を
含む誘電体ガラスペーストを、ダイコート法，スプレー
法、スピンコート法、あるいはブレードコータ法で塗布
後焼成して得られる誘電体ガラス層で覆いその膜厚が１
０μｍ〜１５μｍを有するものであって、ＰＤＰのセル
サイズは、４２インチのハイビジョンテレビ用のディス
プレイに合わせて、隔壁２４の高さは０．１５ｍｍ、隔
壁２４の間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し、
放電電極１２の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定し
た。

【００６０】そして、Ｘｅの含有量が５体積％のＮｅ−
Ｘｅ系の混合ガスを封入圧６００Ｔｏｒｒに封入した。
ＭｇＯ保護層１４の形成方法については、保護層をプラ
ズマＣＶＤ法で作製した。また、プラズマＣＶＤ法にお
いてはMagnesium Acetylacetone〔Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ
₇Ｏ₂）₂〕あるいは、Magnesium Dipivaloyl Methane
〔Ｍｇ（Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂〕をソースとして用いた。

【００６１】その他の条件としては、プラズマＣＶＤ法
では、気化器の温度１２５℃、ガラス基板８７の加熱温
度は２５０℃、Ａｒガスは１Ｌ／分、酸素は２Ｌ／分で
１分間ガラス基板８７上に流し、１０Ｔｏｒｒに減圧
し、高周波電源８８から１３．５６ＭＨｚの高周波電界
３００Ｗで２０秒間印加して膜厚１．０μｍのＭｇＯ保
護層を形成した（膜形成速度１．０μｍ／分）。

【００６２】このようにして形成したＭｇＯ保護層をＸ
線解析で結晶面を調べたところ、Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₂，
Ｍｇ（Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂のいずれのソースでも全ての試料
において（１００）面に配向した結晶であった。試料Ｎ
ｏ．１〜８のＰＤＰはフロントパネル（前面パネル）の
誘電体ガラス層にＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＭｇＯ系
ガラスを使用、試料Ｎｏ．９〜１６はＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−
ＳｉＯ₂−ＣａＯ系の誘電体ガラスを使用、試料Ｎｏ．
１７〜２４は、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＢａＯ系、
試料Ｎｏ．２５〜３２は、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−
ＭｇＯ−Ａｌ₂Ｏ₃系の誘電体ガラスを用いている。

【００６３】バックパネル（背面パネル）の誘電体ガラ
ス層は、フロントパネルと同一のガラス組成にフィラー
として酸化チタン（ＴｉＯ₂）を添加した誘電体を用い
た。試料Ｎｏ１〜３，９〜１１，１７〜１９，２５〜２
７は誘電体ガラス層を形成する時にダイコート法を使用
したものであり、ガラスペーストの粘度は２０万センチ
ポイズ〜５０万センチポイズに調整した。なお、粘度測
定は、Ｅ型粘度計（東機産業（株））で１ｒｐｍの条件
で測定した。

【００６４】試料Ｎｏ４，１２，２０，２８は同じく誘
電体ガラス層を形成する時に、スプレーコート法使用し
たものであり、ガラスペーストの粘度は、５００センチ
ポイズから２万センチポイズに調整した。なお、この粘
度は、主に、ペーストに用いるバインダ成分におけるエ
チルセルロース等のバインダとそれを溶解させる溶剤の
含有量で決まり、溶剤が多いほど粘度は小さくなり、バ
インダが多いほど粘度は大きくなる。

【００６５】試料Ｎｏ５，１３，２１，２９は同じくス
ピンコート法を使用したものであり、ペーストの粘度は
１００〜３０００センチポイズに調整した。試料Ｎｏ
６，１４，２２，３０は同じくブレードコート法を使用
したものであり、ペーストの粘度は２０００〜１万セン
チポイズに調整した。なお、第２電極（アドレス電極）
上の誘電体塗布はすべてダイコート法で行なった。

【００６６】放電ガスはＮｅ−Ｘｅ（５体積％）の混合
ガスを使用した。なおＭｇＯの保護層の形成は全てプラ
ズマＣＶＤ法で行なった。（プラズマＣＶＤ法に用いる
ＭｇＯの原料ガスは、マグネシウムアセセルアセトンお
よび、マグネシウムジピバブロイルメタンの違いによっ
ては、ほとんど特性による違いはなかった。）試料Ｎｏ．７，８，１３，１５，１６，２３，２４，３
１，３２のＰＤＰは、比較例であって誘電体ガラス層を
形成する方法がスクリーン印刷法であり、又その時に使
用した前面パネル側における誘電体ガラスの粉体の平均
粒径がＮｏ７は３μｍ、Ｎｏ８平均粒径は１．５μｍ、
Ｎｏ１５は平均粒径が３μｍ、Ｎｏ１６は平均粒径が
１．５μｍ、Ｎｏ２３は平均粒径３μｍ、Ｎｏ２４は平
均粒径１．５μｍ、Ｎｏ３１は平均粒径３．０μｍ、Ｎ
ｏ３２は平均粒径１．５μｍを、又背面パネル側におけ
る誘電体ガラスの粉体の平均粒径がＮｏ７は３μｍ、Ｎ
ｏ８平均粒径は１．５μｍ、Ｎｏ１５は平均粒径が３μ
ｍ、Ｎｏ１６は平均粒径が１．５μｍ、Ｎｏ２３、Ｎｏ
２４は平均粒径１．５μｍ、Ｎｏ３１、Ｎｏ３２は平均
粒径１．５μｍを用いた結果であり、それ以外は、試料
Ｎｏ１〜６，９〜１４，１７〜２２，２５〜３０のＰＤ
Ｐと同様の設定にしてある。

【００６７】〔実験〕実験１；以上のようにして作製した試料Ｎｏ．１〜３２
のＰＤＰについて、第１電極（放電電極）及び第２電極
上の誘電体ガラスの気泡の大きさを所定の倍率（２００
０倍）に設定して電子顕微鏡で観察し、平均値により求
めた。この結果を表９〜表１２に記載した。

【００６８】

【表９】

【００６９】

【表１０】

【００７０】

【表１１】

【００７１】

【表１２】

【００７２】実験２；誘電体ガラス層の耐圧テストは、
パネルを封着する前にフロントパネルを抜き取って放電
電極をプラスとし、誘電体ガラス層上に銀ペーストを印
刷し、乾燥後それをマイナスとして、電圧を印加し絶縁
破壊がおこる電圧を耐電圧とした。パネル輝度は各試作
ＰＤＰで絶縁破壊しにくい条件である放電維持電圧１５
０Ｖ程度，周波数３０ＫＨｚ程度で放電させた時の測定
値である。前記各表に結果を併記した。

【００７３】実験３；次に、試料Ｎｏ．１〜３２のＰＤ
Ｐと同様のものを２０枚づつ作製し、これらを加速寿命
に供した。この加速寿命テストは、通常の使用条件より
もかなり過酷な条件下で行い、放電維持電圧２００Ｖ、
周波数５０ＫＨｚで４時間連続で放電した。その後、パ
ネル内の誘電体ガラス層等の破壊状況（パネルの絶縁耐
圧欠陥）を調べた。この結果も表９から表１２に併記し
た。

【００７４】考察；試料Ｎｏ．１〜６，９〜１４，１７
〜２２，２５〜３０の輝度の測定結果では（表９から表
１２参照）、従来のＰＤＰのパネル輝度が４００ｃｄ／
ｍ²程度（ＦＬＡＴ−ＰＡＮＥＬＤＩＳＰＬＡＹ１
９９７，１９８頁）であるのに比べ、優れたパネルの輝
度を示している。これより誘電体ガラス層を薄く形成
し、しかも気泡の少ないガラス層にすることにより、パ
ネル輝度を向上できることが分かる。

【００７５】また、気泡の状態の観察、誘電体の耐電圧
試験、パネルの加速寿命テストの結果から、ガラスの平
均粒径を０．１μｍ〜１．５μｍにし、しかも誘電体形
成時にダイコート法、スプレーコート法、スピンコート
法、あるいはブレードコート法によって誘電体ガラス層
を作成した試料Ｎｏ．１〜６，９〜１４，１７〜２２，
２５〜３０のＰＤＰでは、ガラスの平均粒径を１．５μ
ｍを超える値に設定したガラスを用い、しかもスクリー
ン印刷法によって誘電体ガラス層を作成した試料Ｎｏ．
７，８，１５，１６，２３，２４，３１，３２のＰＤＰ
と比べて、絶縁耐圧および表面平滑性（表１から表４の
最右欄に記載した表面粗さのデータ参照、当該表面粗さ
は中心線表面粗さにて測定。）に優れていることが明ら
かである。

【００７６】これらの結果からＡｇ電極をガラスの平均
粒径が０．１μｍ〜１．５μｍのガラス粉末を用い、陰
イオン性界面活性剤（ポリカルボン酸、アルキルジフェ
ニルエーテルジスルホン酸ナトリウム塩、アルキルリン
酸ナトリウム塩、アルキルリン酸カリウム塩、ポリオキ
シエチレンアルキル硫酸エステル塩、ポリオキシエチレ
ンジグリセンリンホウ酸エステルのカルボン酸塩、ナフ
タレンスルフォン酸ホルマリン縮合物）をバインダ中に
添加し、しかもジェットミルで分散したペーストを用い
てダイコート法，スプレーコート法，スピンコート法、
あるいはブレードコート法によって作成した誘電体層で
コートすれば誘電体ガラス層を従来よりも薄い１５μｍ
以下に形成して輝度の向上を図る場合でも、絶縁耐圧の
向上を図ることができることが分かる。

【００７７】なお、試料Ｎｏ．７，１５，２３，３１の
ＰＤＰでガラスの平均粒径を３μｍ以上で、陰イオン界
面活性剤なしでしかもスクリーン印刷法にしたものおよ
びＮｏ８，１６，２４，３２のＰＤＰでガラスの平均粒
径は１．５μｍであるが、陰イオン界面活性剤なしでし
かもスクリーン印刷法で作成した誘電体層のものは、Ａ
ｇ電極上の誘電体ガラス層の厚みが、試料Ｎｏ．１〜
６，９〜１４，１７〜２２，２５〜３０と同等若しくは
それらと比べて厚いにも関わらず絶縁破壊しやすいこと
がわかる。

【００７８】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のプラズ
マディスプレイパネルは、前記第１の電極上に平均粒径
が０．１μｍ〜１．５μｍのガラス粉末を用い、しかも
この粉末を溶剤、陰イオン界面活性剤を含むバインダー
を用いてペースト化しこのペーストをダイコート法，ス
プレーコート法，スピンコート法、あるいはブレードコ
ート法を用いて塗布し乾燥後これを焼成して誘電体ガラ
ス層を設けることにより低い放電電圧で高輝度の、又、
アドレッシング時や耐久性における信頼性が高いプラズ
マディスプレイパネルが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの要部斜視図である。

【図２】前記プラズマディスプレイパネルのＸ−Ｘ線矢
視断面図である。

【図３】前記プラズマディスプレイパネルのＹ−Ｙ線矢
視断面図である。

【図４】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるダイコート装置の概略
図である。

【図５】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるスプレーコート装置の
概略図である。

【図６】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるスピンコート装置の概
略図である。

【図７】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるブレードコート装置の
概略図である。

【図８】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図で
ある。

【図９】蛍光体層を形成する際に用いるインキ塗布装置
９０の概略構成図である。

【図１０】ガラス材料の溶融速度とガラス材料の平均粒
子径との関係を示す図表である。

【図１１】従来の交流型のプラズマディスプレイパネル
の要部斜視図である。

【符号の説明】

１０前面パネル１１前面ガラス基板１２放電電極（表示電極）１３誘電体ガラス層１４保護膜２０背面パネル２１背面ガラス基板２２アドレス電極２３誘電体ガラス層２４隔壁２５蛍光体層３０放電空間４１テーブル４２ヘッドノズル４３ペースト（塗布されたペースト）４４前面基板（パネル）４５スロットダイ４６ポンプ４７タンク４８ペースト５１テーブル５２ノズル部分５３前面基板（パネル）５４スプレーガン５５ガラスペースト５６タンク５７ポンプ５８ペースト（塗布されたペースト）６１テーブル６２ノズル部分６３前面基板６４スピンコートガン６５ペースト（塗布されたペースト）６６ポンプ６７タンク６８ガラスペースト７１テーブル７２ブレード７３前面基板（パネル）７４タンク７５ガラスペースト８０ＣＶＤ装置８１ａ，８１ｂアルゴンガスボンベ８２，８３気化器８４酸素ガスボンベ８５ＣＶＤ装置本体８６基板加熱ヒータ８７誘電体ガラス層が形成された前面ガラス基板８８高周波電源８９排気装置９０インキ塗布装置９１サーバ９２加圧ポンプ９３ヘッダ（ノズル部）９４インキ流

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＣ０３Ｃ 17/36 Ｃ０３Ｃ 17/36 Ｈ０１Ｊ 11/00 Ｈ０１Ｊ 11/00 Ｋ 11/02 11/02 ＢＨ０４Ｎ 5/66 １０１Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１Ａ // Ｂ０１Ｆ 17/06 Ｂ０１Ｆ 17/06 17/10 17/10 17/12 17/12 17/14 17/14 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 11/00 H01J 11/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の電極が表面に配されている第１の
プレートに対して、陰イオン系界面活性剤を含むバイン
ダ成分に平均粒子径０．１μｍ以上１．５μｍ以下のガ
ラス粉末を分散させてなるガラスペーストを、ダイコー
ト法、スプレー法、スピンコート法又はブレードコート
法で塗布し焼成することによって、当該第１のプレート
表面に第１の誘電体層を形成する第１ステップと、前記第１のプレートと、第２の電極が表面に配された第
２のプレートとを、第１及び第２の電極を対向させた状
態でほぼ平行に配置すると共に、両プレート間に放電空
間を形成する第２ステップとを備え、前記第１ステップで用いるガラスペーストは、（１）ガラス粉末が３５重量％〜７０重量％配合さ
れ、（２）バインダ成分が３０重量％〜６５重量％配合さ
れ、当該バインダ成分中には陰イオン系界面活性剤が
０．１重量％〜３重量％含有され、前記ガラスペーストの粘度が１００センチポイズ〜５０
００００センチポイズであることを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】前記第１ステップで用いるガラスペース
トに含まれる陰イオン系界面活性剤は、ポリカルボン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルフ
ォン酸ナトリウム塩、アルキルリン酸塩、高級アルコー
ルのリン酸エステル塩、ポリオキシエチレンジグリセリ
ンホウ酸エステルのカルボン酸塩、ポリオキシエチレン
アルキル硫酸エステル塩、及びナフタレンスルフォン酸
ホルマリン縮合物からなる群から選ばれたものであるこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。
【請求項３】前記第１ステップで用いるガラスペース
トに含まれるガラス粉末は、酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）−酸化硅素（Ｓ
ｉＯ₂）−アルカリ土類の酸化物（ＭＯ，ＭはＣａ，Ｂ
ａ，Ｍｇのうちの何れか一種）から成る酸化鉛系ガラ
ス、又は、酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）−酸
化硅素（ＳｉＯ₂）−酸化アルミニウム(Ａｌ₂Ｏ₃)-アル
カリ土類の酸化物（ＭＯ，ＭはＣａ，Ｂａ，Ｍｇのうち
の何れか一種）から成る酸化鉛系ガラスであることを特
徴とする請求項１または２記載のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法。
【請求項４】前記第２ステップは、第２の電極が表面に配されている第２のプレートに対し
て、陰イオン系界面活性剤を含むバインダ成分に平均粒
子径０．１μｍ以上１．５μｍ以下のガラス粉末を分散
させてなるガラスペーストを、ダイコート法、スプレー
法、スピンコート法又はブレードコート法で塗布し焼成
することによって、当該第２のプレート表面に第２の誘
電体層を形成するサブステップを備え、前記第１ステップで用いるガラスペーストは、（１）ガラス粉末が３５重量％〜７０重量％配合さ
れ、（２）バインダ成分が３０重量％〜６５重量％配合さ
れ、当該バインダ成分中には陰イオン系界面活性剤が
０．１重量％〜３重量％含有され、前記ガラスペーストの粘度が１００センチポイズ〜５０
００００センチポイズであることを特徴とする請求項１
〜３の何れかに記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。
【請求項５】前記サブステップで用いるガラスペース
トに含まれる陰イオン系界面活性剤は、ポリカルボン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルフ
ォン酸ナトリウム塩、アルキルリン酸塩、高級アルコー
ルのリン酸エステル塩、ポリオキシエチレンジグリセリ
ンホウ酸エステルのカルボン酸塩、ポリオキシエチレン
アルキル硫酸エステル塩、及びナフタレンスルフォン酸
ホルマリン縮合物からなる群から選ばれたものであるこ
とを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。
【請求項６】前記サブステップで用いるガラスペース
トに含まれるガラス粉末は、酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）−酸化硅素（Ｓ
ｉＯ₂）−アルカリ土類の酸化物（ＭＯ，ＭはＣａ，Ｂ
ａ，Ｍｇのうちの何れか一種）から成る酸化鉛系ガラ
ス、又は、酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）−酸
化硅素（ＳｉＯ₂）−酸化アルミニウム(Ａｌ₂Ｏ₃）-ア
ルカリ土類の酸化物（ＭＯ，ＭはＣａ，Ｂａ，Ｍｇのう
ちの何れか一種）から成る酸化鉛系ガラスであることを
特徴とする請求項４または５記載のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。
【請求項７】前記第１ステップまたは前記サブステッ
プで用いるガラスペーストは、ジェットミルで混練調整されていることを特徴とする請
求項１から６の何れかに記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。
【請求項８】前記ガラス粉末には、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ₂）が含まれることを特徴とする請求項５〜７の何れ
かに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。