JPH11354035A

JPH11354035A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11354035A
Application number: JP10157295A
Authority: JP
Inventors: Masaki Aoki; 正樹青木; Yasuhisa Ishikura; 靖久石倉; Katsuyoshi Yamashita; 勝義山下; Shinya Fujiwara; 伸也藤原; Yasuyuki Akata; 靖幸赤田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-06-05
Filing date: 1998-06-05
Publication date: 1999-12-24

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの高輝度高信頼
性化を図ることを目的とする。【解決手段】ガラス基板上に形成されてきた表示電極
やアドレス電極の表面に、平均粒径が０．１μｍ〜１．
５μｍで、最大粒径が平均粒径の３倍以内でかつ最小粒
径が平均粒径の０．２倍以内のガラス粉末を用い、しか
もこの粉末を溶剤，可塑剤，分散剤を含むバインダーで
ペースト化しこのペーストをダイコート法，スプレー
法，スピンコート法または、ブレードコート法を用い
て、塗布し、乾燥後、これを焼成して誘電体ガラス層１
３を設けることによって、誘電体ガラス層１３を薄く形
成しても絶縁耐圧を確保し、加えて放電電圧の上昇を抑
え、かつ、高輝度のプラズマディスプレイパネルを得る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特に誘電
体層の改良及び誘電体ガラス層の材料の改良がなされた
プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハイビジョンをはじめとする高品
位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大
画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに４０インチクラスの製品が開発されている（例え
ば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．２
７ページ）。

【０００３】図６は、従来の交流型（ＡＣ型）のプラズ
マディスプレイパネルの要部斜視図を示したものであ
る。図６において、５１は、フロート法による硼硅酸ナ
トリウム系ガラスよりなる前面ガラス基板（フロントカ
バープレート）であり、この前面ガラス基板５１上に銀
電極から成る表示電極５２が存在し、この上をコンデン
サの働きをする平均粒径２μｍ〜１５μｍのガラス粉末
を用いて形成された誘電体ガラス層５３と酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）誘電体保護層５４が覆っている。５５は
背面ガラス基板（バックプレート）であり、この背面ガ
ラス基板５５上にアドレス電極（ＩＴＯと銀電極）５
６，誘電体ガラス層５７が設けられ、その上に隔壁５
８、蛍光体層５９が設けられており、隔壁５８間が放電
ガスを封入する放電空間６０となっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年期待されているフ
ルスペックのハイビジョンテレビの画素レベルは、画素
数が１９２０×１１２５となり、ドットピッチも４２イ
ンチクラスで、０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの
面積は０．０７２ｍｍ²の細かさになる。

【０００５】同じ４２インチの大きさでハイビジョンテ
レビを作製したとき、１画素の面積で従来のＮＴＳＣ
（画素数６４０×４８０個、ドットピッチ０．４３ｍｍ
×１．２９ｍｍ、１セルの面積０．５５ｍｍ²）と比較
すると、１／７〜１／８の細かさとなる。従って、パネ
ルの輝度が低くなってしまう（例えば、ディスプレイア
ンドイメージング１９９７，Ｖｏｌ．６，ｐｐ．７
０）。

【０００６】又、第１の放電電極（表示電極）間距離が
短くなるばかりでなく放電空間も狭くなるため、特に第
１電極上の誘電体ガラス層は、セル面積が減少するため
にコンデンサとしての同一容量を確保しようとすれば、
膜厚を従来よりも薄くすることが必要となる。

【０００７】従来の方法で、誘電体層を形成するのには
３つの方法がある。第１の方法は、ガラス粉末の平均粒
径が５〜６μｍでガラスの軟化点が５５０℃〜６００℃
のガラス粉末とエチルセロースを５重量％〜１５重量％
含有するターピネオールや、ブチルカルビトールアセテ
ートを溶剤として、３本ロールを用いてペースト化し、
スクリーン印刷法により（スクリーン印刷法に適したペ
ーストの粘度である５０万〜１００万センチポイズに調
整してある。）前面板上に塗布後乾燥し、次にガラスの
軟化点付近（５５０℃〜６００℃）で焼成して誘電体層
を形成する方法である。

【０００８】この方法の特長は、軟化点付近の焼成であ
るため、ガラスがあまり流動しない不活性な状態である
ため、（ガラスの粘度が１０7ポアズ）電極であるＡ
ｇ，ＩＴＯ，Ｃｒ−Ｃｕ等とほとんど反応しない。した
がって、電極の抵抗値が上昇したり、ガラス中に電極成
分が拡散して着色したりしないこと、および１回の焼成
で誘電体層が形成できることである。

【０００９】しかしながらこの方法の問題点は、ガラス
粉末の平均粒径が５μｍ〜６μｍでガラスの軟化点付近
で焼成するためにガラスの流動性が悪く、スクリーン版
のメッシュ目が残ったりするため、表面が４μｍ〜６μ
ｍの荒い面となり、可視光が散乱し、スリガラス状とな
り、誘電体ガラス層の可視光の透過率が低下すること及
び、気泡やピンホールが誘電体中に発生し、誘電体層の
耐圧が低下することである。

【００１０】第２の方法は、同じくガラス粉末の平均粒
径が５μｍ〜６μｍで軟化点が４５０〜５００℃程度の
低融点鉛ガラス粉（ＰｂＯが７５％程度）を用いて、ガ
ラスペーストを作成後（ペースト粘度３５万〜５０万セ
ンチポイズ）スクリーン印刷法にて、ペーストを塗布し
乾燥後軟化点より、約１００℃程度高い５５０〜６００
℃で焼成する方法がある。この方法の特長はガラスの焼
成温度が軟化点より十分高いため、ガラスの流動性が良
いため、スクリーン版のメッシュ目があっても表面の平
坦なガラス層（表面荒さ２μｍ程度）を得ることが出来
ること、および１回の焼成で誘電体層が形成できること
である。

【００１１】しかしながらこの方法の問題点は、ガラス
が流動しやすく活性化されているため、Ａｇ，ＩＴＯ，
Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の電極と反応をおこし抵抗値が上昇
したり、誘電体層が着色したりすることおよび、電極と
の反応で大きな気泡が生じ易いということである。

【００１２】又、第３の方法は、第一の方法と第２の方
法を組み合わせる方法である（例えば特開平７−１０５
８５５号公報，特開平９−５０７６９号公報）。すなわ
ち電極上にはガラスの平均粒径が５μｍ〜６μｍ（粒径
の分布は０．１μｍ〜１５μｍ）でガラスの軟化点が５
５０℃〜６００℃のガラス粉体を用いて、これを同じく
ペースト化した後、スクリーン印刷法にて印刷，乾燥を
行い軟化点付近で焼成後、この誘電体層上に同じく平均
粒径が５μｍ〜６μｍで、ガラスの軟化点が４５０℃〜
５００℃のガラス粉末を用いて同じくペースト化した
後、スクリーン印刷法で印刷，乾燥を行い、軟化点より
１００℃高い５５０℃〜６００℃で焼成して、誘電体層
を形成する方法である。

【００１３】この方法の特長はこのような２層構造の構
成にすることで、電極とガラスの反応をおさえ、あわせ
てガラス表面を平坦化し、可視光の透過率と絶縁耐圧性
の向上を計ることが出来る。

【００１４】しかしこのような２層構成では、誘電体ガ
ラスを作成工程が繁雑になるばかりか１５μｍ以下の薄
い誘電体膜を形成するのが困難になるし、一層目の誘電
体に気泡が存在し透過率があまり向上しない。又誘電体
が薄い場合は、表示電極およびアドレス電極それぞれが
前面・背面ガラス基板上に作製されていた（図６の５
２，５６）従来のプラズマディスプレイパネルにおいて
は、通常、誘電体ガラス層側には電極がその厚み相当突
入しているので、誘電体ガラス層の電極周辺で電界が局
所的に大きくなりやすく、例えば、表示電極とアドレス
電極間に信号を送る時（アドレス放電をおこす時）など
に、絶縁破壊を惹起されやすいという絶縁耐圧の点で課
題があった。

【００１５】又、以上述べた第１〜第３の方法は、ペー
スト（インキ）の粘度が約５０万センチポイズの比較的
流動性の少ないインキを用いてスクリーン印刷されてい
るため、スクリーン印刷後乾燥時にスクリーン版のメッ
シュ目（メッシュ跡）が印刷された誘電体の表面にのこ
り、誘電体ガラスの表面に凹凸が発生するという課題が
あった（例えば最新プラズマディスプレイ製造技術月
間ＦＰＤインテリジェンス編１９９７年１２月ＰＰ
１０５）。

【００１６】この課題（メッシュ目をなくすこと）を解
決するために、スクリーン印刷法を用いず狭い隙間から
インキをおし出して、印刷するダイコート法（例えば、
最新プラズマディスプレイ製造技術月間ＦＰＤインテ
リジェンス編１９９７年１２月ＰＰ１０６）やスピ
ンコート法が提案されている。

【００１７】しかしながらダイコート法やスピンコート
法でガラスペーストを塗布しようと思えばペーストの粘
度を、例えばダイコート法であれば、４０万センセポイ
ズ以下、スピンコート法であれば、１万センチポイズ以
下の低粘度化を計らなければならなくなる。しかし、ガ
ラスペースト中のガラスの平均粒径が従来例は、３μｍ
〜５μｍと大きいため、低粘度（４０万センチポイズ以
下）のペースト中ではこのような粒子は、短時間で沈降
してしまい、安定して誘電体ペーストを塗布することが
出来なかった。

【００１８】この問題を解決するために、ガラス粉末を
用いないゾルゲル法によるＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃をスピン
コート法や浸漬法（デッピング法）によって５００〜１
００００Å形成する方法が開発されているが十分な特性
は得られていない（例えば、特開昭６２−１９４２２５
号公報）。又、工程も増加するという課題があった。

【００１９】そこで本発明は、このようなメッシュ目や
絶縁耐圧の課題等を克服することによって、精細なセル
構造の場合にも高輝度で信頼性の高いプラズマディスプ
レイパネルを提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１のプラズマディスプレイパネルは、第
１の電極及び誘電体ガラス層が形成されたフロントカバ
ープレートと、第２の電極及び蛍光体層が形成されたバ
ックプレートとを有し、前記第１の電極と前記第２の電
極とが所定の距離離間して対向するよう前記フロントカ
バープレートと前記バックプレートとを配置するととも
に、前記フロントカバープレートと前記バックプレート
との間に隔壁を設置し、前記フロントカバープレート、
前記バックプレート及び前記隔壁により形成された空間
に放電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディスプ
レイパネルであって、前記第１電極上の誘電体ガラス層
が平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍでその最大粒径が平
均粒径の３倍以内でかつその最小粒径が平均粒径の０．
２倍以上であるガラス粉体成分と樹脂を含む溶剤，可塑
剤，分散剤から成るバインダー成分で構成されたペース
トをダイコート法，スプレー法，スピンコート法また
は、ブレードコート法にて第１電極上に塗布し、乾燥後
５６０℃〜５９０℃で焼成して得られることを特徴とす
る。

【００２１】本発明の第２のプラズマディスプレイパネ
ルは、第１の電極及び誘電体ガラス層が形成されたフロ
ントカバープレートと、第２の電極及び誘電体層，蛍光
体層が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の
電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向する
よう前記フロントカバープレートと前記バックプレート
とを配置するとともに、前記フロントカバープレートと
前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロン
トカバープレート、前記バックプレート及び前記隔壁に
より形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成
るプラズマディスプレイパネルであって、前記第２電極
上の誘電体層が、平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍでそ
の最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつその最小粒径
が平均粒径の０．２倍以上であるガラス粉体および平均
粒径が０．１μｍ〜０．５μｍから成る酸化チタン（Ｔ
iＯ₂）粉体とを含む固形成分と樹脂成分を含む溶剤，可
塑剤，分散剤から成る成分で構成されたペーストを、ダ
イコート法，スプレー法，スピンコート法または、ブレ
ードコート法にて第２電極上に塗布し、乾燥後５５０℃
〜５９０℃で焼成して得られることを特徴とする。

【００２２】また、ガラス粉体成分は、酸化ビスマス系
（Ｂｉ₂Ｏ₃系），酸化亜鉛系（ＺｎＯ系），酸化鉛系
（ＰｂＯ系），酸化リン系（Ｐ₂Ｏ₅系）のうちのいづれ
か一種であることを特徴とする。

【００２３】また、溶剤成分は、ターピネオール，ブチ
ルカービトールアセテート，ペンタンジオールのうちの
いづれか１種又は、２種であることを特徴とする。

【００２４】また、樹脂成分は、アクリル樹脂エチルセ
ルロース、またはエチレンオキサイドであることを特徴
とする。

【００２５】また、第１電極、第２電極が、銀（Ａｇ）
電極またはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒであることを特徴とする。

【００２６】また、ガラスペースト中の分散剤が、グリ
セロールモノオレート，ソルビタンセスキオレート，ホ
モゲノールのうちのいづれか一種であることを特徴とす
る。

【００２７】また、ガラスペーストの粘度が、１００セ
ンチポイズ〜５０００００センチポイズであることを特
徴とする。

【００２８】本発明の第１のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍで、
その最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつその最小粒
径が平均粒径の０．２倍以上であるガラス粉体成分と樹
脂を含む溶剤，可塑剤，分散剤から成るバインダー成分
で構成されたペーストをダイコート法，スプレー法，ス
ピンコート法または、ブレードコート法のいずれかにて
フロントカバープレートの第１電極上に塗布し、乾燥後
焼成する工程を少なくとも含むことを特徴とする。

【００２９】本発明の第２のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍで、
その最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつその最小粒
径が平均粒径の０．２倍以上であるガラス粉体及び平均
粒径が０．１μｍ〜０．５μｍから成る酸化チタン（Ｔ
iＯ₂）粉体とを含む固形成分と樹脂成分を含む溶剤，可
塑剤，分散剤から成る成分で構成されたペーストを、ダ
イコート法，スプレー法，スピンコート法またはブレー
ドコート法のいずれかにてバックプレートの第２電極上
に塗布し、乾燥後焼成する工程を少なくとも含むことを
特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明は、第１の電極と当該第１
の電極を覆う誘電体ガラス層とを配したフロントカバー
プレートと、第２の電極と誘電体層，蛍光体層とを配し
たバックプレートとが対向してなるプラズマディスプレ
イパネルにおいて、前記第１または第２の電極上にガラ
ス粉体の平均粒径を０．１μｍ〜１．５μｍと細かく
し、しかもその最大粒径が平均粒径の３倍以内でかつそ
の最小粒径が０．２倍以上でガラスの軟化点が５５０℃
以上のガラス粉体を用い、ガラスペースト、中に可塑剤
や分散剤を含有させ、その粘度を５０万センチポイズ以
下にして、ダイコート法，スプレー法，スピンコート法
またはブレードコート法により、誘電体ガラス層を形成
することで電極との反応なしに誘電体ガラスの表面荒れ
（表面の凹凸）が少なく、気泡やピンホールのない誘電
体ガラス層が一種類のガラスで形成出来る。

【００３１】又、このような平均粒径の細かいガラス粉
体（平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍで、粒度分布のそ
ろったガラス粉体）及び可塑剤や分散剤を使用すること
で、ペーストの粘度を４０万センチポイズ以下に下げて
も、ガラス粒子が沈降せず均一な分散状態となっている
ため、可視光の透過率が向上し、しかも誘電体ガラス層
を１５μｍ以下にしても絶縁耐圧が良好で、高い輝度，
効率のパネルが得られる。

【００３２】すなわち、ガラス粉末の粒径を細かくし粒
度分布をそろえることおよび可塑剤や分散剤を使用する
ことでガラス粒子の焼結性が高められ、表面が平滑（表
面荒さ１μｍ以下）でガラス内に内在する気泡が０．２
μｍ以下で均一に分布した状態が得られるため、１５μ
ｍ以下の誘電体ガラス層を形成しても、絶縁破壊されに
くい信頼性の高い誘電体層が薄く形成できる。したがっ
て放電電圧を低くすると同時に、誘電体の絶縁耐圧の向
上を図ることができる。

【００３３】又、誘電体層を薄くすることによってパネ
ルの輝度の向上も図ることが出来る。

【００３４】ただし、あまりガラスの平均粒径を細かく
すると（平均粒径０．１μｍ以下にすると）焼成時に有
機バインダーの成分が誘電体ガラス層内に閉じ込められ
てしまうので好ましくない。

【００３５】はじめに、本発明について概説する。まず
図６において、表示電極５２の面積をＳ，表示電極上の
誘電体ガラス層の厚みをｄ，誘電体ガラス層の誘電率を
ε，誘電体ガラス層上の電荷をＱとすると表示電極５２
とアドレス電極５６との間の静電容量Ｃは、下記式１で
表される。（式１）Ｃ＝εＳ／ｄ又、表示電極５２とアドレス電極５６との間に印加され
る電圧をＶ，表示電極５２上の誘電体ガラス層上にたま
る電荷量Ｑとすると、ＶとＱとの間には下記式２の関係
がある。（式２）Ｖ＝ｄＱ／εＳ（ただし、放電空間は、放電中はプラズマ状態なので導
電体となる。）上記式１，式２においてｄを小さくするとコンデンサー
としての静電容量Ｃが大きくなり、又アドレス時や表示
時の放電電圧Ｖが低下することになる。

【００３６】つまり、誘電体ガラス層の厚さを薄くする
ことにより、同じ電圧を印加しても電荷がたくさん溜ま
るので、高容量化と放電電圧の低減を図ることができ
る。

【００３７】しかし、単に誘電体ガラス層の膜厚を薄く
すると絶縁耐圧が低減し、アドレスパルスや表示パルス
を印加する時に誘電体層が絶縁破壊され易くなってしま
う。

【００３８】そこで発明者らは、誘電体層に使用されて
いるガラス粉体の平均粒径を０．１μｍ〜１．５μｍと
細かくし、しかもその最大粒径が平均粒径の３倍以内
で、かつ、その最小粒径が平均粒径の０．２倍以上で平
均粒径をこえないガラス粉体を使用することによって、
従来のＮＴＳＣ並以下の放電電圧とセルの静電容量を確
保しつつ、一層の薄い誘電体層で絶縁耐圧の向上および
可視光の透過率の向上を図った。

【００３９】図１は、本実施の形態に係る交流面放電型
プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」という）
の要部斜視図、図２は、図１におけるＸ−Ｘ線矢視断面
図、図３は、図１におけるＹ−Ｙ線矢視断面図である。
なお、これらの図では便宜上セルが３つだけ示されてい
るが、実際には赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色を
発光するセルが多数配列されてＰＤＰが構成されてい
る。

【００４０】このＰＤＰは、図１〜図３に示すように、
前面ガラス基板（フロントカバープレート）１１に放電
電極（表示電極）１２があり、（表示電極は図示してい
ないが、ＩＴＯやＳｎＯ₂の透明電極上にバスラインと
してＡｇまたは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの電極が設けられた
構成になっている。）その上に平均粒径が０．１μｍ〜
１．５μｍで最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつ最
小粒径が平均粒径の０．２倍以上のガラス粉末を用い、
ダイコート法，スプレー法，スピンコート法、またはブ
レードコート法にて作成した誘電体ガラス層１３が配さ
れてなる前面パネル１０と、背面ガラス基板（バックプ
レート）２１にアドレス電極２２があり、その上に蛍光
体の発光を反射する酸化チタン（ＴiＯ₂）入りの平均粒
径が０．１μｍ〜１．５μｍで最大粒径が平均粒径の３
倍以内でかつ最小粒径が平均粒径の０．２倍以上のガラ
ス粉末を用い、同じくダイコート法，スプレー法，スピ
ンコート法または、ブレードコート法にて作成された誘
電体ガラス層２３（ガラス組成は第１電極上の誘電体と
同じ），隔壁２４，Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の蛍光体層２５が配
されてなる背面パネル２０とを張り合わせ、前面パネル
１０と背面パネル２０の間に形成される放電空間３０内
に放電ガスが封入された構成となっており、以下に示す
ように作製される。

【００４１】前面パネル１０の作成：前面パネル１０
は、前面ガラス基板１１に放電電極（表示電極）１２を
作成し、その上を本実施の形態では、平均粒径が０．１
μｍ〜１．５μｍで最大粒径が平均粒径の３倍以内でか
つ、最小粒径が平均粒径の０．２倍以上で軟化点が６０
０℃以下のガラス粉末を用いて作成された誘電体ガラス
層１３で覆い、この表面上に保護層１４を形成すること
によって作製する。

【００４２】（放電電極の作成について）放電電極１２
は、以下のようにして、前面ガラス基板１１に形成す
る。図４を用いながら説明する。

【００４３】まず、前面ガラス基板１１上に厚さ０．１
２μｍのＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズからなる透
明導体）をスパッタ法で全面に形成後、フォトリソグラ
フ法またはレーザー加工法にて、巾１５０μｍのストラ
イプ状電極を形成する（電極間距離は０．０５ｍｍ）。

【００４４】次に、感光性の銀ペーストを全面に形成
後、同じくフォトリソグラフ法にて、巾３０μｍのＡｇ
バスラインをＩＴＯ上に形成し、その後、Ａｇを５５０
℃で焼成することによって第１の電極としての放電電極
１２を形成する。

【００４５】（誘電体ガラス層の作成について）誘電体
ガラス層１３は、以下のようにして前面ガラス基板１１
および放電電極１２上に形成する。

【００４６】先づ、誘電体用ガラス（例えば、ＰｂＯ−
Ｂ₂Ｏ₃−ＳiＯ₂−ＣａＯ系ガラス）をジェットミル〔例
えば、（株）スギノマシン製ＨＪＰ３００−０２型〕
で平均粒径が０．１μｍ〜１．５μｍまで粉砕し、粉砕
されたガラスの最大粒径が各平均粒径の３倍以内に、最
小粒径が平均粒径の０．２倍以上になるように粉砕条件
を設定する。

【００４７】次に、このガラス粉末３５重量％〜７０重
量％とエチルセルロース，エチレンオキサイド樹脂、ま
たはアクリル樹脂を１重量％〜２０重量％を含むターピ
ネオール，ブチルカルビトールアセテート、またはペン
タンジオールから成るバインダー成分３０重量％〜６５
重量％を、三本ロールまたはホモナイザーでよく混練
し、ダイコート用，スプレー用、またはインクジェット
用ペーストを作成する。又、バインダー中には可塑剤、
例えばフタル酸ジオクチル，フタル酸ジブチル，グリセ
ン等や分散剤，グリセロールモノオレート，ソルビタン
セスキオレート，ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーショ
ン社製品名）等をバインダー成分に対して０．１〜１０
重量％添加して、ガラス粉体の沈降防止効果を向上させ
ている。

【００４８】次にこのペーストを用いてガラス基板１
１，電極１２上にダイコート法，スピンコート法，スプ
レー法または、ブレードコート法で塗布する。

【００４９】先づダイコート方法について説明する。（ダイコート法による誘電体ガラス層の形成について）
図８は、誘電体ガラス層を形成する際に用いるダイコー
ターの概略図である。先づ、前面パネル８４をテーブル
８１の上におき、粘度を３０万センチポイズ以下にした
ガラスペースト８８を、タンク８７の中に入れ、ポンプ
８６にてダイコーターのスロットダイ８５にインキを導
びき、ヘッドノズル８２からペーストを吐出させ、前面
基板上にペースト８３をペースト粘度やヘッドノズルと
基板間の距離を変えて必要な厚みにコントロールする。
次に乾燥後、ガラスの軟化点より少し高い５６０℃〜５
９０℃で焼成する。

【００５０】次に、スプレー法について説明する。（スプレー法による誘電体ガラス層の形成について）図
９は、誘電体ガラス層を形成する際に用いるスプレーコ
ータの概略図である。先づ、前面パネル９３をテーブル
９１の上におき、粘度を１００００ポイズ以下にした、
ガラスペースト９５をタンク９６の中に入れ、ポンプ９
７にてスプレーガン９４にインキを導びき、ノズル部分
９２（内径１００μｍ）からペーストを噴出させ、前面
基板９３上にペースト９８をペースト粘度やスプレー
圧，塗布回数を変えて必要な厚みにコントロールする。
次に乾燥後、ガラスの軟化点より少し高い５６０℃〜５
９０℃で焼成する。

【００５１】次にスピンコート法について説明する。（スピンコート法による誘電体ガラス層の形成につい
て）図１０は、誘電体ガラス層を形成する際に用いるス
ピンコータの概略図である。先づ、前面パネル１０３を
軸対称に回転できるテーブル１０１の上におき、粘度を
１０，０００ポイズ以下にしたガラスペースト１０８を
タンク１０７の中に入れ、ポンプ１０６にてスビンコー
トガン１０４に導びき、ノズル部分１０２からペースト
を吐出させ、前面基板１０３上にペースト１０８コーダ
ーの回転数や、コート回数を変えて必要な厚みにコント
ロールする。次に乾燥後、ガラスの軟化点より少し高い
５６０℃〜５９０℃で焼成する。

【００５２】次にブレードコート法について説明する。（ブレードコート法による誘電体ガラス層の形成につい
て）図１１は誘電体ガラス層を形成する際に用いるブレ
ードコータの概略図である。先づ、前面パネル１１３を
テーブル１１１の上におき、粘度を１５０００ポイズ以
下にしたガラスペースト１１５をブレード（刃）１１２
のついたタンク１１４の中に入れ、タンク１１４を矢印
の方向に引いて、ブレード１１２部分から一定のペース
トをガラス基板（前面パネル）１１３に吐出させ、ブレ
ード部分と基板間のギャップを変えて膜厚をコントロー
ルし、次に乾燥後ガラスの軟化点より少し高い５６０℃
〜５９０℃で焼成する。

【００５３】（ＣＶＤ法による保護層の形成について）
図５は保護層１４を形成する際に用いるＣＶＤ装置の概
略図である。このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤおよびプラズ
マＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、Ｃ
ＶＤ装置本体４５の中には、ガラス基板４７（図１にお
ける放電電極１２及または誘電体層１３を形成した前面
ガラス基板１１）を加熱するヒータ部４６が設けられ、
ＣＶＤ装置本体４５内は排気装置４９で減圧にすること
ができるようになっている。また、ＣＶＤ装置本体４５
の中にプラズマを発生させるための高周波電源４８が設
置されている。

【００５４】Ａｒガスボンベ４１ａ，４１ｂは、キャリ
アであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
４２，４３を経由してＣＶＤ装置本体４５に供給するも
のである。気化器４２は、ＭｇＯの原料（ソース）とな
る金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボンベ４１ａ
からＡｒガスを吹き込むことにより、この金属キレート
を蒸発させてＣＶＤ装置本体４５に送り込むことができ
るようになっている。

【００５５】キレートの具体例としては、アセチルアセ
トンマグネシウム〔Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ ₂）₂〕，マグネシウ
ムジピバブロイルメタン〔Ｍｇ（Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂〕であ
る。

【００５６】酸素ボンベ４４は、反応ガスである酸素
［Ｏ₂］をＣＶＤ装置本体４５に供給するものである。

【００５７】（１）このＣＶＤ装置を用いて熱ＣＶＤを
行う場合、ヒータ部４６の上に、誘電体層を上にしてガ
ラス基板４７を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱す
ると共に、反応容器内を排気装置４９で減圧にする（数
十Ｔｏｒｒ程度）。

【００５８】そして、アセチルアセトンマグネシウムよ
りＭｇＯを形成する時は気化器４２をマグネシウムジピ
バブロイルメタンよりＭｇＯ保護層１４を形成する時は
気化器４３で、ソースとなるキレートを、所定の気化温
度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ４１ａ又は４１ｂか
らＡｒガスを送り込む。また、これと同時に、酸素ボン
ベ４４から酸素を流す。

【００５９】これによって、ＣＶＤ装置本体４５内に送
り込まれるキレート化合物が、酸素と反応し、ガラス基
板４７の電極上にＭｇＯ保護膜が形成される。

【００６０】上記構成のＣＶＤ装置を用いてプラズマＣ
ＶＤを行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行う
が、ヒータ部４６によるガラス基板４７の加熱温度は２
５０℃程度に設定し、排気装置４９を用いて反応容器内
を１０Ｔｏｒｒ程度に減圧し、高周波電源４８を駆動し
１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、
ＣＶＤ装置本体４５内にプラズマを発生させながら、金
属酸化物層またはＭｇＯからなる保護層を形成する。

【００６１】このように熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶ
Ｄ法によって保護層を形成すれば、緻密な保護層を形成
することができる。

【００６２】誘電体ガラス層の厚みは、薄いほどパネル
輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著にな
るので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだ
け薄く設定するのが望ましい。

【００６３】従って、本実施の形態では、誘電体ガラス
層１３の厚みを、従来の厚み略１５μｍよりも薄い所定
厚みに設定する。

【００６４】次に、誘電体ガラス層１３上にＭｇＯから
なる保護層１４を形成する。本実施の形態では、ＣＶＤ
法（熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法）を用いて、
（１００）面または（１１０）面配向の酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）からなる保護層を形成する。ＣＶＤ法によ
る保護層１４の形成については、金属酸化物と同様の方
法で形成する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で
１．０μｍの厚みに形成している。

【００６５】背面パネル２０の作製：まず、背面ガラス
基板２１に前述したフォトレジスト法によりレジストの
凹部を形成し、この凹部に放電電極１２と同様にして第
２の電極としてのアドレス電極２２を形成し（リフトオ
フ法）、その上に前面パネル１０の場合と同様の種類の
平均粒子径（０．１μｍ〜１．５μｍ）と粒度分布を有
するガラス粉末に同じく平均粒子径が０．１μｍ〜０．
５μｍの酸化チタンＴiＯ₂を添加した白色誘電体ガラス
層２３を形成する。白色誘電体層の形成方法や印刷用イ
ンキペーストの作成方法は、前面パネルの誘電体ガラス
と同様の方法である。白色誘電体層の焼成温度は、５４
０℃〜５８０℃とした。

【００６６】そして、スクリーン印刷法やプラズマ溶射
法によって作成された隔壁２４を所定のピッチで固着す
る。そして、隔壁２４に挟まれた各空間内に、赤色
（Ｒ）蛍光体，緑色（Ｇ）蛍光体，青色（Ｂ）蛍光体の
中の１つを配設することによって蛍光体層２５を形成す
る。

【００６７】各色Ｒ，Ｇ，Ｂの蛍光体としては、一般的
にＰＤＰに用いられている蛍光体を用いることができる
が、ここでは次の蛍光体を用いる。「赤色蛍光体」：Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺ 「緑色蛍光体」：Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ「青色蛍光体」：ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺ 以下では、上記隔壁内に入れる蛍光体の作成方法につい
て図７を用いて述べる。先ずサーバー７１内に平均粒径
２．０μｍの赤色蛍光体であるＹ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺粉末５０
重量％，エチルセルローズ１．０重量％，溶剤（α−タ
ーピネオール）４９重量％から成る蛍光体混合物をサン
ドミルで混合撹はんし、１５センチポイズ（ＣＰ）とし
た塗布液を入れ、ポンプ７２の圧力で噴射装置のノズル
部７３（ノズル径６０μｍ）から赤色蛍光体形成用液体
をストライプ形状の隔壁内に噴射させると同時に基板を
直線状に移動させて、赤色蛍光体ライン２５を形成す
る。

【００６８】同様にして、赤色（ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：
Ｅｕ²⁺），緑色（Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ）のラインを形成
後、５００℃で１０分間焼成し、蛍光体層２５を形成す
る。

【００６９】前面パネル１０及び背面パネル２０の張り
合わせによるＰＤＰの作製：次に、図２，図３に示すよ
うに、前述のようにして作製した前面パネル１０と背面
パネル２０とを封着用ガラスを用いて張り合わせると共
に、隔壁２４で仕切られた放電空間３０内を高真空（８
×１０^-7Ｔｏｒｒ）に排気した後、所定の組成の放電ガ
スを所定の圧力で封入することによってＰＤＰを作製す
る。

【００７０】このようにして作製されたＰＤＰは、各電
極（表示電極及びアドレス電極）が誘電体ガラス層と緻
密に結合し、気泡が極めて少ない構造をなしている。

【００７１】なお、本実施形態では、ＰＤＰのセルサイ
ズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合す
るよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２の
電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。

【００７２】また、封入する放電ガスの組成は、従来か
ら用いられているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量
を５体積％以上に、封入圧力は５００〜７６０Ｔｏｒｒ
に設定することで、セルの発光輝度の向上を図ってい
る。

【００７３】以上のように本実施の形態のＰＤＰは、放
電電圧の低減を図れるので、動作時にパネル各構成部位
に掛かる負荷が低減される。しかも絶縁耐圧が向上され
ているので、例えば長期に及ぶ繰り返し使用に対して、
高いパネル輝度や低い放電電圧等の優れた初期性能を維
持することができ信頼性に優れたものである。

【００７４】なお、本実施の形態においては、背面パネ
ル２０側の誘電体ガラス層２３よりも、前面パネル１０
側の誘電体ガラス層１３の方が、輝度及び放電電圧に与
える影響が大きいので、前面パネル１０側の誘電体ガラ
ス層をより薄くすれば、輝度向上効果及び放電電圧低減
の効果を得ることができる。

【００７５】

【実施例】〔実施例１〜６及び９〜１２，１５〜２０，
２３〜２８，３１〜３４，比較例７，８，１３，１４，
２１，２２，２９，３０，３５，３６〕

【００７６】

【表１】

【００７７】

【表２】

【００７８】

【表３】

【００７９】

【表４】

【００８０】

【表５】

【００８１】

【表６】

【００８２】

【表７】

【００８３】

【表８】

【００８４】

【表９】

【００８５】

【表１０】

【００８６】

【表１１】

【００８７】

【表１２】

【００８８】

【表１３】

【００８９】

【表１４】

【００９０】

【表１５】

【００９１】（表１）〜（表１５）に示した試料Ｎｏ．
１〜６および９〜１２，１５〜２０，２３〜２８，３１
〜３４のＰＤＰは、前記実施の形態に基づいて放電電極
とアドレス電極双方上を平均粒径が０．１〜１．５μｍ
で、最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつその最小粒
径が平均粒径の０．２倍以上のガラス粉末成分と溶剤，
可塑剤，分散剤から成るバインダー成分を含む誘電体ガ
ラスペーストを、ダイコート法，スプレー法，スピンコ
ート法、またはブレードコータ法で塗布後焼成して得ら
れる誘電体ガラス層でおおい、その膜厚が１０μｍ〜１
５μｍを有するものであって、ＰＤＰのセルサイズは、
４２インチのハイビジョンテレビ用のディスプレイに合
わせて、隔壁２４の高さは０．１５ｍｍ、隔壁２４の間
隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し、放電電極１
２の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。

【００９２】そして、Ｘｅの含有量が５体積％のＮｅ−
Ｘｅ系の混合ガスを封入圧６００Ｔｏｒｒに封入した。
ＭｇＯ保護層１４の形成方法については、保護層をプラ
ズマＣＶＤ法で作製した。

【００９３】また、プラズマＣＶＤ法においては、Ｍag
nesium Ａcetylacetone〔Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₂〕また
は、Ｍagnesium Ｄipivaloyl Ｍethane〔Ｍｇ(Ｃ₁₁Ｈ₁₉
Ｏ₂)₂〕をソースとして用いた。

【００９４】その他の条件としては、プラズマＣＶＤ法
では、気化器の温度１２５℃、ガラス基板４７の加熱温
度は２５０℃、Ａｒガスは１Ｌ／分、酸素は２Ｌ／分で
１分間ガラス基板４７上に流し、１０Ｔｏｒｒに減圧
し、高周波電源４８から１３．５６ＭＨｚの高周波電界
３００Ｗで２０秒間印加して膜厚１．０μｍのＭｇＯ保
護層を形成した（膜形成速度１．０μｍ／分）。

【００９５】このようにして形成したＭｇＯ保護層を、
Ｘ線解析で結晶面を調べたところ、Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ
₇Ｏ₂）₂，Ｍｇ（Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂のいずれのソースでも
全ての試料において（１００）面に配向した結晶であっ
た。

【００９６】試料Ｎｏ．１〜８のＰＤＰは、フロントパ
ネルの誘電体ガラス層に、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−
ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃ガラスを使用したもので、試料Ｎｏ.
９〜１４は、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳiＯ₂−Ｃａ
Ｏ系の誘電体ガラスを使用したもので、試料Ｎｏ．１５
〜２２は、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳiＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ
系を、試料Ｎｏ．２３〜３０は、Ｐ₂Ｏ₅−ＺｎＯ−Ａｌ
₂Ｏ₃−ＣａＯ系を、試料Ｎｏ.３１〜３６は、Ｎｂ₂Ｏ₃
−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣａＯ系の誘電体ガラス
を用いている。背面パネルの誘電体ガラス層は、前面パ
ネルと同一のガラス組成に酸化チタン（ＴｉＯ₂）を添
加した誘電体を用いた。

【００９７】又、試料Ｎｏ１〜３，９〜１０，１５〜１
７，２３〜２５，３１〜３２は誘電体ガラス層を形成す
る時にダイコート法を使用したものであり、ガラスペー
ストの粘度は２０万センチポイズ〜５０万センチポイズ
に調整した。

【００９８】試料Ｎｏ４，１２，１９，２７，２８，３
４は、同じく誘電体ガラス層を形成する時にスプレーコ
ート法使用したものであり、ガラスペーストの粘度は、
５００センチポイズから２万センチポイズに調整した。

【００９９】試料Ｎｏ５，１１，１８，２６は、同じく
スピンコート法を使用したものであり、ペーストの粘度
は１００〜３０００センチポイズに調整した。

【０１００】試料Ｎｏ６，２０は、同じくブレードコー
ト法を使用したものであり、ペーストの粘度は２０００
〜１万センチポイズに調整した。

【０１０１】なお、第２電極（背面パネル上の電極）上
の誘電体塗布はすべてダイコート法で行なった。

【０１０２】放電ガスはＮｅ−Ｘｅ（５体積％）の混合
ガスを使用した。なお、ＭｇＯの保護層の形成は全てプ
ラズマＣＶＤ法で行なった。プラズマＣＶＤ法に用いる
ＭｇＯの原料ガスは、マグネシウムアセセルアセトンお
よび、マグネシウムジピバブロイルメタンの違いによっ
ては、ほとんど特性による違いはなかった。

【０１０３】試料Ｎｏ．７，８，１３，１４，２１，２
２，２９，３０，３５，３６のＰＤＰは、比較例であっ
て、誘電体ガラス層を形成する方法がスクリーン印刷法
であり、又その時に使用した誘電体ガラスの粉体の平均
粒径がＮｏ７は３μｍで最大粒径が６μｍ，最小粒径が
０．２μｍ（平均粒径の０．０７倍）、Ｎｏ８平均粒径
は１．５μｍで最大粒径が６μｍ（平均粒径の４倍），
最小粒径が０．１５μｍ、Ｎｏ１３は平均粒径が３μｍ
で最大粒径は９μｍ，最小粒径が０．２μｍ、Ｎｏ１４
は平均粒径が１．５μｍで最大粒径が６．０μｍ（平均
粒径の４倍），最小粒径が０．１５μｍ、Ｎｏ２１は平
均粒径３μｍ，最大粒径が６μｍ，最小粒径が０．２μ
ｍ、Ｎｏ２２は平均粒径１．５μｍ，最大粒径が６．０
μｍ（平均粒径の４倍），最小粒径が０．１５μｍ、Ｎ
ｏ２９は平均粒径３．０μｍ，最大粒径が６μｍ，最小
粒径が０．０５μｍ（平均粒径の０．０１７倍）、Ｎｏ
３０は平均粒径１．５μｍ，最大粒径が６μｍ，最小粒
径が０．１５μｍ、Ｎｏ３５は平均粒径３．０μｍ，最
大粒径が９μｍ，最小粒径が０．２μｍ、Ｎｏ３６は平
均粒径１．５μｍ，最大粒径が６．０μｍ（平均粒径の
４倍），最小粒径が０．２μｍを用いた結果であり、そ
れ以外は、試料Ｎｏ１〜６，９〜１２，１５〜２０，２
３〜２８，３１〜３４のＰＤＰと同様の設定にしてあ
る。

【０１０４】〔実験〕（表１１）〜（表１５）実験１；以上のようにして作製した試料Ｎｏ．１〜３６
のＰＤＰについて、第１電極上の誘電体ガラスの気泡の
大きさは電子顕微鏡で観察して、平均値で求めた。

【０１０５】実験２；誘電体ガラス層の耐圧テストは、
パネルを封着する前にフロントパネルを抜き取って放電
電極をプラスとし、誘電体ガラス層上に銀ペーストを印
刷し、乾燥後それをマイナスとして、電圧を印加し絶縁
破壊がおこる電圧を耐電圧とした。パネル輝度は各試作
ＰＤＰで絶縁破壊しにくい条件である放電維持電圧１５
０Ｖ程度，周波数３０ＫＨｚ程度で放電させた時の測定
値である。前記表１１から表１５に結果を併記した。

【０１０６】実験３；次に、試料Ｎｏ．１〜３６のＰＤ
Ｐと同様のものを２０枚づつ作製し、これらを加速寿命
に供した。

【０１０７】この加速寿命テストは、通常の使用条件よ
りもかなり過酷な条件下で行い、放電維持電圧２００
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間連続で放電した。その
後、パネル内の誘電体ガラス層等の破壊状況（パネルの
絶縁耐圧欠陥）を調べた。この結果も表１１〜表１５に
併記した。

【０１０８】考察；試料Ｎｏ．１〜６，９〜１２，１５
〜２０，２３〜２８，３１〜３４の輝度の測定結果では
（表１１〜表１５）、従来のＰＤＰのパネル輝度が４０
０ｃｄ／ｍ²程度（ＦＬＡＴ−ＰＡＮＥＬＤＩＳＰＬ
ＡＹ１９９７，ＰＰ１９８）であるのに比べ、優れた
パネルの輝度を示している。

【０１０９】これより誘電体ガラス層を薄く形成し、し
かも気泡の少ないガラス層にすることにより、パネル輝
度を向上できることが分かる。

【０１１０】又、気泡の状態の観察，誘電体の耐電圧試
験，パネルの加速寿命テストの結果から、ガラスの平均
粒径を０．１μｍ〜１．５μｍにし最大粒径が平均粒径
の３倍以内でかつ最小粒径が平均粒径の０．２倍以上の
ガラスを用い、しかも誘電体形成時にダイコート法，ス
ピンコート法またはブレードコート法によって誘電体ガ
ラス層を作成した試料Ｎｏ．１〜６，９〜１２，１５〜
２０，２３〜２８，３１〜３４のＰＤＰでは、ガラスの
平均粒径を１．５μｍ以上にしたガラス、または１．５
μｍ以下でも最大粒径が平均粒径の３倍をこえるものを
用い、しかもスクリーン印刷法によって誘電体ガラス層
を作成した試料Ｎｏ．８，１４，２２，３０，３６のＰ
ＤＰと比べて、絶縁耐圧および表面平滑性に優れている
ことが明らかである。

【０１１１】これらの結果からＡｇ電極をガラスの平均
粒径が０．１μｍ〜１．５μｍにし最大粒径が平均粒径
の３倍以内で、かつ最小粒径が平均粒径の０．２倍以上
のガラス粉末を用い、しかもダイコート法，スプレー
法，スピンコート法、またはブレード法によって作成し
た誘電体層でコートすれば、誘電体ガラス層を従来より
も薄い１５μｍ以下に形成して輝度の向上を図る場合で
も、絶縁耐圧の向上を図ることができることが分かる。

【０１１２】なお、試料Ｎｏ．７，１３，２１，２９，
３５のＰＤＰで、ガラスの平均粒径を３μｍ以上で、し
かもスクリーン印刷法にしたもの、およびＮｏ８，１
４，２２，３０，３４のＰＤＰで、ガラスの平均粒径は
１．５μｍであるが、最大粒径が６μｍ（平均粒径の４
倍）で最小粒径が平均粒径の０．２倍以下で、しかもス
クリーン印刷法で作成した誘電体層のものは、Ａｇ電極
上の誘電体ガラス層の厚みが、試料Ｎｏ．１〜６，９〜
１２，１５〜２０，２３〜２８，３１〜３４と比べて厚
いにも関わらず、絶縁破壊しやすいことがわかる。

【０１１３】

【発明の効果】以上のように、本発明のプラズマディス
プレイパネルによると、第１の電極と当該第１の電極を
覆う誘電体ガラス層とを配したフロントカバープレート
と、第２の電極と蛍光体層とを配したバックプレートと
が対向してなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第１の電極上に平均粒径が０．１μｍ〜１．５μｍ
でその最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつその最小
粒径が平均粒径の０．２倍以上のガラス粉末を用い、し
かもこの粉末を溶剤，可塑剤，分散剤を含むバインダー
でペースト化しこのペーストをダイコート法，スプレー
法，スピンコート法、またはブレードコート法を用いて
塗布し、乾燥後これを焼成して誘電体ガラス層を設ける
ことにより、低い放電電圧で高輝度の、又、アドレッシ
ングや耐久性における信頼性が高いプラズマディスプレ
イパネルが得られる。

【０１１４】また、前記バックプレートが、第２の電極
を覆う第２の誘電体ガラス層を配してなるものである場
合に、前記第２の電極上に平均粒径が０．１μｍ〜１．
５μｍでその最大粒径が平均粒径の３倍以内でかつその
最小粒径が平均粒径の０．２倍以上のガラス粉末を用い
た誘電体ガラス中にＴiＯ₂を添加することにより、真空
紫外光により発光した可視光が効率良く反射され更に、
信頼性と輝度の向上を図ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの要部斜視図

【図２】前記プラズマディスプレイパネルのＸ−Ｘ線矢
視断面図

【図３】前記プラズマディスプレイパネルのＹ−Ｙ線矢
視断面図

【図４】前面ガラス基板への電極の形成方法を示す模式
図

【図５】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図

【図６】従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの
要部斜視図

【図７】蛍光体層１８を形成する際に用いるインキ塗布
装置７０の概略構成図

【図８】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるダイコート装置の概略
図

【図９】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるスプレーコート装置の
概略図

【図１０】本発明の実施の形態におけるプラズマディス
プレイパネルを製造する際に用いるスピンコート装置の
概略図

【図１１】本発明の実施の形態におけるプラズマディス
プレイパネルを製造する際に用いるブレードコート装置
の概略図

【符号の説明】

１０前面パネル１１前面ガラス基板１２放電電極（表示電極）１３誘電体ガラス層１４保護膜２０背面パネル２１背面ガラス基板２２アドレス電極２３誘電体ガラス層２４隔壁２５蛍光体層３０放電空間４０ＣＶＤ装置４１ａ，４１ｂアルゴンガスボンベ４２，４３気化器４４酸素ガスボンベ４５ＣＶＤ装置本体４６基板加熱ヒータ４７誘電体ガラス層が形成された前面ガラス基板４８高周波電源４９排気装置７０インキ塗布装置７１サーバ７２加圧ポンプ７３ヘッダ（ノズル部）７４インキ流８１テーブル８２ヘッドノズル８３ペースト（塗布されたペースト）８４前面基板（パネル）８５スロットダイ８６ポンプ８７タンク８８ペースト９１テーブル９２ノズル部分９３前面基板（パネル）９４スプレーガン９５ガラスペースト９６タンク９７ポンプ９８ペースト（塗布されたペースト）１０１テーブル１０２ノズル部分１０３前面基板（パネル）１０４スピンコートガン１０５ペースト（塗布されたペースト）１０６ポンプ１０７タンク１０８ガラスペースト１１１テーブル１１２ブレード１１３前面基板（パネル）１１４タンク１１５ガラスペースト

フロントページの続き (72)発明者藤原伸也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者赤田靖幸大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成され
たフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体層
が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電極
と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよう
前記フロントカバープレートと前記バックプレートとを
配置するとともに、前記フロントカバープレートと前記
バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロントカ
バープレート、前記バックプレート及び前記隔壁により
形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプ
ラズマディスプレイパネルであって、前記第１電極上の誘電体ガラス層が平均粒径０．１μｍ
〜１．５μｍでその最大粒径が平均粒径の３倍以内でか
つその最小粒径が平均粒径の０．２倍以上であるガラス
粉体成分と樹脂を含む溶剤，可塑剤，分散剤から成るバ
インダー成分で構成されたペーストをダイコート法，ス
プレー法，スピンコート法または、ブレードコート法に
て第１電極上に塗布し、乾燥後５６０℃〜５９０℃で焼
成して得られることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル。
【請求項２】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成され
たフロントカバープレートと、第２の電極及び誘電体
層，蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前
記第１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して
対向するよう前記フロントカバープレートと前記バック
プレートとを配置するとともに、前記フロントカバープ
レートと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前
記フロントカバープレート、前記バックプレート及び前
記隔壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封
入して成るプラズマディスプレイパネルであって、前記第２電極上の誘電体層が平均粒径０．１μｍ〜１．
５μｍでその最大粒径が平均粒径の３倍以内でかつその
最小粒径が平均粒径の０．２倍以上であるガラス粉体お
よび平均粒径が０．１μｍ〜０．５μｍから成る酸化チ
タン（ＴｉＯ2）粉体とを含む固形成分と樹脂成分を含
む溶剤，可塑剤，分散剤から成る成分で構成されたペー
ストを、ダイコート法，スプレー法，スピンコート法ま
たは、ブレードコート法にて第２電極上に塗布し、乾燥
後５５０℃〜５９０℃で焼成して得られることを特徴と
するプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】ガラス粉体成分が、酸化ビスマス系（Ｂｉ
₂Ｏ₃系），酸化亜鉛系（ＺｎＯ系），酸化鉛系（ＰｂＯ
系），酸化リン系（Ｐ₂Ｏ₅系）のうちのいづれか一種で
あることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ
ディスプレイパネル。
【請求項４】溶剤成分が、ターピネオール，ブチルカー
ビトールアセテート，ペンタンジオールのうちのいづれ
か１種又は、２種であることを特徴とする請求項１また
は２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】樹脂成分が、アクリル樹脂エチルセルロー
ス、またはエチレンオキサイドであることを特徴とする
請求項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】第１電極、第２電極が、銀（Ａｇ）電極ま
たはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒであることを特徴とする請求項１
または２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】ガラスペースト中の分散剤が、グリセロー
ルモノオレート，ソルビタンセスキオレート，ホモゲノ
ールのうちのいづれか一種であることを特徴とする請求
項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】ガラスペーストの粘度が、１００センチポ
イズ〜５０００００センチポイズであることを特徴とす
る請求項１または２記載のプラズマディスプレイパネ
ル。
【請求項９】平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍで、その
最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつその最小粒径が
平均粒径の０．２倍以上であるガラス粉体成分と樹脂を
含む溶剤，可塑剤，分散剤から成るバインダー成分で構
成されたペーストをダイコート法，スプレー法，スピン
コート法または、ブレードコート法のいずれかにてフロ
ントカバープレートの第１電極上に塗布し、乾燥後焼成
する工程を少なくとも含むことを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍで、そ
の最大粒径が平均粒径の３倍以内で、かつその最小粒径
が平均粒径の０．２倍以上であるガラス粉体および平均
粒径が０．１μｍ〜０．５μｍから成る酸化チタン（Ｔ
iＯ₂）粉体とを含む固形成分と樹脂成分を含む溶剤，可
塑剤，分散剤から成る成分で構成されたペーストを、ダ
イコート法，スプレー法，スピンコート法またはブレー
ドコート法のいずれかにてバックプレートの第２電極上
に塗布し、乾燥後焼成する工程を少なくとも含むことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。