WO2002102733A1

WO2002102733A1 - Procede de production d'un substrat en verre a electrode metallique

Info

Publication number: WO2002102733A1
Application number: PCT/JP2002/005797
Authority: WO
Inventors: Satoshi Fujimine; Koichi Shibuya; Tsuneo Manabe
Original assignee: Asahi Glass Company, Limited
Priority date: 2001-06-15
Filing date: 2002-06-11
Publication date: 2002-12-27
Also published as: JP2003002692A

Description

明細書金属電極付きガラス基板の製造方法柃術分野

本発明は、プラズマディスプレイパネル（PDP) の前面基板等に使用される、銀電極等の金属電極付きガラス基板の造方法に関する。背景技術

PDPの前面板（表示面）に使用されるガラス基板の表面には通常、 I TO ( スズがドープされた酸化インジウム）等の透明電極が線状に多数形成され、それらの上に線状銀電極が形成される。該線状銀電極は、低融点ガラス粉末を主成分として含有する無機物粉末層を焼成して得られる誘電体層によって被覆される。該被覆は線状銀電極間の電気絶縁のために、また、 PDPのプラズマ放電を安定化させるために行われるものであるが、線状銀電極の配線部分については前記被覆は行われず、線状銀電極が露出している。

前記低融点ガラスとして、従来、 PbO— B₂〇₃— S i〇₂系、 PbO— B₂0 ₃— ZnO系、 B i ₂0₃— B₂0₃系等の B₂0₃含有低融点ガラスが使用されており、その B₂0₃含有量は 40モル％未満であった。そのメカニズムは不明であるが、 B₂0₃含有量が約 40モル％以上である低融点ガラスを使用すると前記誘電体層による線状銀電極間の電気絶縁性が低下することがあり、その結果、 PDP の信頼性が低下するおそれがあつたからである。

近年 PDPの消費電力を少なくするために、前記誘電体層の比誘電率 εを低下させることが望まれており、該誘電体層の主成分である低融点ガラスについては、その εを 11以下とすることが望まれている。なお、 Β₂0₃含有量が 40モル %未満である従来の Β₂〇₃含有低融点ガラスの εは典型的には 12〜15である

Β₂0₃含有低融点ガラスの εを低下させるためには Β₂0₃含有量の増大が有効であることが知られているが、一方、 B ₂ 0₃含有量を約 4 0モル％以上にすると前述のように P D Pの信頼性が低下するおそれがあつた。

本発明は、 εが 1 1以下である誘電体層によって線状銀電極を被覆しても、 Ρ D Pの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付きガラス基板の製造方法の提供を目的とする。発明の開示

本発明は、アル力リ金属酸化物を 1モル％以上含有するガラス基板上に 2以上の金属電極を形成し、該 2以上の金属電極の各一部を被覆するように、低融点ガラス粉末を質量百分率表示で 5 0 %以上含有する無機物粉末層を 2層以上積層し、焼成して金属電極付きガラス基板を製造する方法であって、金属電極から最も離れている最上層の無機物粉末層に含有されている低融点ガラス粉末の B ₂ 0₃含有量が 4 0モル％未満であり、該最上層の無機物粉末層を焼成して得られる焼成体の厚さを 3 x m以上とするべく該最上層の無機物粉末層の厚さが決められていることを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方法を提供する。

本発明者は、 B ₂ 0₃を 4 0モル％以上含有する低融点ガラスの粉末を用いて線状銀電極を被覆した場合に起るとされている前記線状銀電極間の電気絶縁性低下が、次のようなメカニズムにより生じるとの考察に基づき、本発明に至った。

( 1 ) B ₂ 0₃を 4 0モル％以上含有する低融点ガラス粉末を主成分とする無機物粉末層を焼成して線状銀電極を被覆する際に、低融点ガラスからホウ酸が揮散する。

( 2 ) 該揮散したホウ酸は線状銀電極間のガラス基板表面に付着する。

( 3 ) 一方、ガラス基板中のアルカリ金属は空気中に存在する水分の影響でガラス基板から溶出し、前記付着したホウ酸と反応してアルカリ金属ホウ酸塩を生成する。

( 4 ) 隣合う線状銀電極間に直流電圧を印加すると、前記アルカリ金属ホウ酸塩中に線状銀電極から銀が溶出し枝状の銀溶出体（以下銀樹という。）が生成する。 ( 5 ) 隣合う線状銀電極から生成した銀樹が接触することにより該隣合う線状銀電極間の電気絶縁性が低下する。

次に、上記メカニズムを想到するに至った経緯を説明する。

表 1の B ₂ 0₃から K₂ 0までの欄にモル％表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、該混合された原料を白金ルツボに入れて 1 2 0 O t:で 6 0分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを流し出し、冷却後アルミナ製ボ一ルミルを用いて粉砕しガラス粉末とした（例 A〜G) 。

例 A〜Gのガラス粉末の軟化点（単位：）およびホウ酸揮散量（単位： ii g / c m³ ) を以下のようにして測定した。結果を表 1に示す。

軟化点：昇温速度 1 0で/分の条件で示差熱分析（D TA) を行って測定したホウ酸揮散量：ガラス粉末を、直径 1 2 mm、高さ 5 mmの円柱状に成形し、これを内径 3 0 mm、高さ 8 mmのアルミナ製円筒状容器内に入れた。次に、該容器上部をアルミナ板で塞いで容器内部を密閉状態として、表 1の焼成温度の欄に示す温度（単位：）に 3 0分間保持して焼成した。冷却後、前記アルミナ板の容器内部側の面に付着したホウ酸の質量を誘導結合プラズマ（I C P ) 発光分光法によって測定した。結果は、前記焼成によって得られたガラスの質量と、ァルキメデス法によって別に測定したガラスの密度とから求めた前記ガラスの体積によって前記付着したホウ酸の B₂〇₃換算質量を除したもので表示する。

次に、各ガラス粉末 1 0 0 gを、 α—テルビネオールにェチルセル口一スを質量百分率表示で 1 5 %溶解させたビヒクル 2 5 gと混練しガラスペーストとした得られたガラスペーストを、図 2に示すような銀電極付きガラス基板に塗布し、 1 2 O ^Gで 1 0分間乾燥後、前記焼成温度の欄に示す温度に 3 0分間保持して焼成した。この焼成によって得られた焼成体（誘電体層）の厚さは 2 2〜2 5 mであつ 7こ。

図 2において、 1はガラス基板、 2は銀電極であり、図 2の点線で示す部分にガラスペース卜を塗布した。ガラス基板 1は、厚さが 2. 8mm、大きさが 4 c mX 4 c mであるガラス板である。そのモル％表示の組成は、 S i 0₂ 66. 5 %、 A l₂〇₃ 4. 7 % 、 Na₂0 4. 8%、 K₂〇 4. 4%, MgO 3. 4%> Ca〇 6. 2 % 、 S r O 4. 7%、 B aO 3. 6%、 Z r〇₂ 1. 7%、であり、また、ガラス転移点 T_Gは 626 、 50〜350 における平均線膨張係数ひは 83 X 10— ⁷/ である。

銀電極 2は、厚さが 5 zm、幅が 0. 5 mmの線状電極からなる櫛形状のもの 2個が対向するように形成されている。隣合う線状電極の中心線間距離は 2 mm である。

また、図 2の点線で示す部分の大きさは 1 cmX3 cmである。

次に、焼成された各ガラス基板を、対向する櫛形状電極間に 140Vの直流電圧を印加した状態で、温度が 85で、湿度が 80%に保持された恒温恒湿槽内に

2時間置いた後、取り出した。

前記取り出したガラス基板の誘電体層には、各線状電極から隣合う線状電極に向って伸びる枝状のものが多数認められた。該枝状のものを前記銀樹と考え、その長さ（単位： mm) を測定した。結果を表 1の銀樹の欄に示す。

以上のことから、次のように考察した。

(a) ホウ酸揮散量が 6 gZcm³以下であれば銀樹の長さが 0. 1 mm未満であり前記線状銀電極間の絶縁性低下は起りにくい。

(b) 例 G、 Hの B₂0₃含有量とホウ酸揮散量のデータを用いてホウ酸揮散量が 6 a g/cm³となる B₂〇₃含有量を求めると 39モル％であった。すなわち、ガラス粉末の B₂0₃含有量が 39モル％以下であれば前記線状銀電極間の絶縁性低下は起りにくい。逆に、該 B₂0₃含有量が 40モル％以上では前記線状銀電極間の絶縁性低下が起るおそれがある。これは、 B₂0₃含有量が 40モル％未満である低融点ガラスを使用すると誘電体層による線状銀電極間の電気絶縁性低下が起りにくい、という従来の経験を裏付けるものである。図面の簡単な説明

図 1は本発明の金属電極付きガラス基板の製造方法を説明する図である。図 2 は銀樹の長さの測定方法を説明する図である。

符号の 1はガラス基板、 2は金属電極、 3 aは無機物粉末層、 3 bは無機物粉末層（最上層）である。発明をま施するためのの开 - 本発明でいう低融点ガラス粉末とは軟化点が 6 5 0 以下であるガラスの粉末である。その軟化点は典型的には 5 2 0〜6 2 0でである。また、該軟化点をガラス基板の Τ_ΰから減じた値は 3 以下であることが好ましい。

低融点ガラス粉末の αからガラス基板のひを減じた値は一 1 5 X 1 0— ⁷ノ〜 + 5 X 1 0— ⁷ Zt:であることが好ましい。

低融点ガラス粉末、特に後述する最上層の無機物粉末層以外の無機物粉末層が含有する低融点ガラス粉末の £は、 P D Pの消費電力を低減させるために 1 1以下であることが好ましく、より好ましくは 1 0以下、特に好ましくは 9以下である。

低融点ガラス粉末は、後述する焼成時等において金属電極、透明電極等と反応しないものであることが好ましい。

P D Pの前面板に使用される金属電極付きガラス基板の製造に本発明を適用する場合について図 1を用いて説明する。なお、本発明はこれに限定されない。図 1において、 1はガラス基板であり、 2はガラス基板 1に 2以上形成されている線状の金属電極であり、 3 a、 3 bはいずれも低融点ガラス粉末を質量百分率表示で 5 0 %以上含有する無機物粉末層である。（a ) は平面図であり、（b ) は（a ) において金属電極 2が無機物粉末層 3 a、 3 bによって被覆されている部分の断面図である。なお、図 1では、ガラス基板 1と金厲電極 2の間に通常形成される I T O等の透明電極は省略されている。

ガラス基板 1はアルカリ金属酸化物（以下 R₂〇という）を 1モル％以上含有するガラスからなり、通常、 T_Gは 5 5 0〜6 2 0 、ひは 8 0 X 1 0— ⁷〜9 0 X 10 ⁷ / 、厚さは 1〜 3mmである。前記ガラスとして、通常、 S i 0₂系ガラス、たとえばソーダライムシリカガラス等の S i 0₂ -A 1₂〇₃— R₂〇一 R ' 0系ガラス（R' Oはアルカリ土類金属酸化物）が用いられる。

ガラス基板 1上には、まず I TO等の透明電極が、たとえば次のようにして形成される。すなわち、スパッタリング法、真空蒸着法等によってガラス基板 1の表面全面に成膜後、感光性レジストを塗布し、マスクを通して露光し、現像してレジストパターンを形成する。次に、レジストのない部分をエッチングして線状にパ夕一ニング後レジストを除去して線状の透明電極がガラス基板 1上に形成される。典型的には、該線状透明電極の厚さは 0. 1〜0. 3 ζπι、幅は 50〜2 00 m, 隣合う線状の透明電極の中心線間距離は 100〜400 /^mである。ガラス基板 1の上に形成された前記透明電極の上に、線状の金属電極 2が形成される。金属電極 2は通常、金属粉末と感光性樹脂等からなる感光性金属ペース卜を印刷し、フォトマスクを介して露光し、現像した後、焼成して形成される。典型的には、該線状の金属電極 2の厚さは 4〜10 /m、幅は 30〜150 m 、隣合う線状の金属電極 2の中心線間距離間隔は 100〜400

である。なお、金属電極 2の形状は線状に限定されない。

金属電極 2は、金、銀、銅、アルミニウム等の金属またはこれらの合金からなる。通常は、金属電極付きガラス基板または PDPの製造に際して行われる各種焼成または熱処理において安定であり、また導電性が高く比較的安価である銀が好んで使用される。金属電極 2は、質量百分率表示で 50%以上の銀を含有することが好ましく、典型的には銀のみからなる。

次に、金属電極 2の各一部（図 1 (a) において点線で示されている部分）の上に、それらを被覆するように、低融点ガラス粉末を質量百分率表示で 50%以上含有する無機物粉末層 3 aを形成する。無機物粉末層 3 aを焼成して得られる焼成体の厚さは典型的には 20〜40 jLimである。

なお、前記各一部以外の金属電極 2の各部分（図 1 (b) において実線で示されている部分）は配線のために露出されるべき部分、すなわち、無機物粉末層 3 aおよび後述する無機物粉末層 3 bのいずれによっても被覆されない部分である 8

。前記配線のために露出されるべき部分の長さは典型的には 2〜 3 cmである。無機物粉末層 3 aが含有する低融点ガラス粉末の B₂0₃含有量は 40モル％以上であることが好ましい。 40モル％未満では前記焼成体の εが大きくなるおそれがある。より好ましくは 45モル％以上である。また、 Β₂0₃含有量は好ましくは 70モル％以下である。 70モル％超では耐水性が低下するおそれがある。より好ましくは 60モル％以下である。

前記 Β₂0₃含有量が 40モル％以上である低融点ガラス粉末は、酸化物基準のモル％表示で本質的に、

Β₂0₃ 40 70%,

S i 0₂ 0 60%、

P bO 0 50%、

B i₂〇₃ 0 25%、

Z ηθ 0 30%、

A 1₂0₃ 0 20%、

MgO+CaO+S rO+BaO 0 30%、

L i ₂ O + N a₂0 + K₂ O 0 30%,

からなることが好ましい。

以下各成分についてモル％表示を用いて説明する。

B₂〇₃はガラスの軟化点を下げ、ガラスを安定化し、かつ εを下げる成分であり、必須である。 40%未満では εが高くなる、または軟化点が高くなる。 70 %超では耐水性が低くなる。

S i 0₂は必須ではないがガラスを安定化させる成分であり 60%まで含有してもよい。 60%超では軟化点が高くなる。

PbO、 B i₂〇₃、および Z n〇はいずれも必須ではないが、ガラスの軟化点を下げるためにそれぞれ 50 %まで、 25%まで、および 30 %まで含有してもよい。また、これらの含有量の合計 13〇+ 81₂〇₃ + 211〇は10〜50%であることが好ましい。 10%未満では軟化点が高くなる。 50%超では εが高くなる。 JP02/05797

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A 1₂0₃は必須ではないがガラスを安定化させる成分であり 20%まで含有してもよい。 20%超では軟化点が高くなる。

MgO、 C aO、 S r 0および B a Oはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化させるために合計で 30%まで含有してよい。 30%超ではガラス化が困難になる。

L i₂0、 Na₂0および K₂0はいずれも必須ではないが、ガラスの軟化点を下げるために合計で 30%まで含有してよい。 30%超では αが大きくなりすぎる、または電気絶縁性が低下するおそれがある。

前記好ましい低融点ガラス粉末は本質的にこれらの成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有してもよい。

無機物粉末層 3 aは、低融点ガラス粉末を必須成分として含有し、その質量百分率表示の含有量は 50%以上である。

無機物粉末層 3 aは前記低融点ガラス粉末以外の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。たとえば、本発明を PDPの背面板に使用される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合には、そのような成分として白色耐熱顔料、黒色耐熱顔料、セラミックスフイラ一等が挙げられる。また、後述するガラスべ一スト、グリーンシート等にする場合は樹脂、溶剤等が添加され混合される。

前記金属電極 2の各一部の上に、それらを被覆するように無機物粉末層 3 aを形成する方法としては、たとえば次のようにガラスペーストとして塗布する方法力挙げられる。すなわち、低融点ガラス粉末をェチルセルロース等の樹脂、および、 α—テルピネオール、プチルカルビトールァセテ一卜等の溶剤と混練してガラスペーストとし、スクリーン印刷、ブレードコート等により塗布する。ガラスペーストの質量百分率表示組成は、典型的には、低融点ガラス粉末 60〜80% 、樹脂 1〜： 10%、溶剤 10〜30%、である。

無機物粉末層 3 aの上に、低融点ガラス粉末を質量百分率表示で 50%以上含有する無機物粉末層 3 bが積層される。無機物粉末層 3 bは金属電極 2から最も離れている最上層の無機物粉末層である。無機物粉末層 3 aの上に無機物粉末層 3 bを形成する方法としては、たとえば前記ガラスペーストとして塗布する方法が挙げられる。

無機物粉末層 3 bの厚さは、無機物粉末層 3 bを焼成して得られる焼成体の厚さが 3 /im以上となるように決められる。該厚さが 3 m未満では前記ホウ酸揮散量が多くなりすぎるおそれがある。好ましくは 5 以上である。また、前記厚さは典型的には 15 m以下である。

無機物粉末層 3 b力含有する低融点ガラス粉末において B₂0₃は必須成分ではないが、ガラスを安定化し、また軟化点を下げるために 40モル％未満の範囲で含有してもよい。 40モル％以上では、後述する焼成時において前記ホウ酸揮散量が多くなりすぎ、隣合う金属電極 2間の電気絶縁性が低下するおそれがある。無機物粉末層 3 bが含有し、 B₂0₃含有量が 40モル％未満である低融点ガラス粉末は、下記酸化物基準のモル％表示で、

B₂〇₃ 0〜40%未満、

S i 0₂ 0〜60 %、

Pb〇 0〜50%、

B i ₂0₃ 0〜25 %、

A 120₃ 0〜20 %、

Z ηθ 0〜30 %、

MgO+CaO+S rO+BaO 0〜30%、

L i₂0 + Na₂〇 + K₂0 0〜30%、

から本質的になり、 P bO + B i ₂〇₃ + Z ηθが 30〜75%であることが好ましい。以下各成分についてモル％表示を用いて説明する。

B₂〇₃は必須ではないが、ガラスの軟化点を下げ、ガラスを安定化するために 40%未満の範囲で含有してもよい。 40%以上では前記ホウ酸揮散量が多くなる。好ましくは 35%以下、より好ましくは 30%以下である。

Pb〇、 B i₂〇₃および Zn〇はいずれもガラスの軟化点を下げる成分でありいずれか 1種以上を含有しなければならない。？1?〇+ 8 0₃ + 2110が30 %未満では軟化点が高くなる。 75%超ではガラスが不安定になる。

なお、 PbO、 B i₂〇₃、 Z n〇の含有量はそれぞれ 50 %以下、 25 %以下、 30%以下である。

MgO、 Ca〇、 S r〇および B a〇はいずれも必須ではないが、ガラスを安定化するために合計で 30%まで含有してよい。 30%超ではガラス化が困難になる。

L i₂〇、 Na₂0および K₂〇はいずれも必須ではないが、ガラスの軟化点を下げるために合計で 30%まで含有してよい。 30 %超では αが大きくなりすぎる、または電気絶縁性が低下するおそれがある。

前記好ましい低融点ガラス粉末は本質的にこれら成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有してもよい。

次に、前記 2以上の金属電極 2の各一部を被覆するように無機物粉末層 3 a、 3 bが積層されたガラス基板 1を加熱して、前記無機物粉末層 3 a、 3 bを焼成する。該焼成を行う温度はガラス基板 1の T_eより低い温度とされ、典型的には 540〜620でであり、その温度に保持される時間は典型的には 30〜60分間である。なお、無機物粉末層 3 a、 3 bには樹脂（バインダ）等が添加されてもよいが、該樹脂を充分分解させるために、前記焼成を行う温度に昇温する前に、典型的には 350〜400 に約 30分間保持することが好ましい。

無機物粉末層 3 aおよび無機物粉末層 3 bからなる積層無機物粉末層を焼成して得られる誘電体層の厚さは典型的には 20〜50 rn, より典型的には 20〜 25 である。

また、該誘電体層の εは 11以下であることが好ましい。 1 1超では PDPの消費電力が大きくなるおそれがある。より好ましくは 10. 5以下である。図 1においては金属電極の上に積層する無機物粉末層は 2層であつたが、積層する無機物粉末層は 3層以上であってもよい。この場合、最上層の無機物粉末層以外の無機物粉末層については前記無機物粉末層 3 aに関する説明が該当する。ただし、最上層の無機物粉末層以外の無機物粉末層を焼成して得られる焼成体の厚さの合計は、典型的には 1 5〜3 0 mである。

また、無機物粉末層を積層する方法として、先にガラスペーストとして塗布する方法を例示したが、この他にたとえばグリーンシートとして貼り付ける方法が挙げられる。

たとえば 2層の無機物粉末層 A、 Bを、無機物粉末層 Bを最上層の無機物粉末層とするべく積層する場合、無機物粉末層 Bを構成すべき低融点ガラス粉末 B等の無機物粉末を、アクリル等の樹脂、ジブチルフ夕レート、ジメチルフタレート等の可塑剤およびトルエン、プロピレンダリコールモノブチルエーテル等の溶剤と混合してスラリー Bを作製し、該スラリー Bをポリエチレンテレフタレ一卜（ P E T) 等の支持フィルムにダイコート等の方法で塗布し、乾燥して溶剤を除去する。

次に、無機物粉末層 Aを構成すべき低融点ガラス粉末 A等の無機物粉末を用いて、スラリー Bを作製したのと同様にしてスラリー Aを作製し、前記支持フィルム上に塗布、乾燥されたスラリー Bの上に塗布し、乾燥し、溶剤を除去する。次に、スラリー A、 Bが塗布された前記支持フィルムを、金属電極が形成されたガラス基板の所望の部分に貼り付け、その後支持フィルムは剥がされ積層無機物粉末層が前記ガラス基板上に形成される。

グリーンシートの質量百分率表示での組成は、典型的には、低融点ガラス粉末 6 0〜8 0 %、樹脂 1 9〜3 9 %、可塑剤 1〜4 %、であり、前記支持フィルムとしては通常は離型剤などで表面処理されたものが用いられる。

以上では、本発明を P D Pの前面板に使用される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合を例にして説明したが、隔壁、蛍光体等が形成される P D P背面板用金属電極付きガラス基板の製造等にも本発明を適用できる。

実施例

表 2および表 3の B₂ 0₃から C u Oまでの欄にモル％表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、該混合された原料を白金ルツボに入れて 1 2 0 0 で 6 0分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを流し出し、冷却して塊状のガラスとし、その一部をアルミナ製ボールミルを用いて粉砕しガラス粉末とした（例 1—1〜例 8 ) 。得られたガラス粉末の軟化点（単位：で）およびひ ( 単位： 1 0 ⁷ /で）を表 2および表 3に示す。なお、 αは塊状のガラスを直径 5 mm、長さ 2 0 mmの棒状に加工し、示差熱膨張計を用いて測定した。

次に、これらガラス粉末を、ェチルセルロース（バインダ）、 α テルビネオール（溶剤 Α) またはジエチレンダルコールモノブチルエーテルアセテート（溶剤 Β) と、表 2および表 3に質量百分率表示で示す割合で混合しガラスペーストとした。

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表 2

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表 3

次に、先に例 A〜Gについてしたと同様の方法により銀樹の長さを測定した。すなわち、図 2の点線で示す部分に各ガラスペーストを表 4および表 5の第 1層から第 3層までの欄に示す順序で塗布した。例 1〜5においては積層される無機物粉末層は 2層（第 2層が最上層）、例 6においては積層される無機物粉末層は 3層 (第 3層が最上層）であり、いずれも実施例である。例 7および例 8は無機物粉末層は 1層（単層）でありいずれも比較例である。各無機物粉末層を焼成して得られる各焼成体の厚さ（単位： / m) を以下のようにして求めた。結果を表 4、 5の、厚さ 1、厚さ 2、厚さ 3の欄に示す。

積層された各焼成体の厚さ：下層の一部を被覆しないように上層を積層した積層焼成体（階段状積層焼成体）を用いて測定した。すなわち、積層焼成体が階段状積層焼成体である以外は銀樹の長さの測定におけると同様に積層焼成体（階段状積層焼成体）を作製し、該積層焼成体の階段状の部分の各段差を測定すること P T/JP02/05797

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により各焼成体の厚さを求めた。

次に、表に示す焼成温度（単位：。 C) に 30分間保持する焼成を行って積層無機物粉末層または単層無機物粉末層を誘電体層とし、先に例 A〜Gについてしたと同様に、対向する櫛形状電極間に 140Vの直流電圧を印加した状態で、温度が 85°C、湿度が 80%に保持された恒温恒湿槽内に 2時間置いた後、取り出して銀樹の長さを測定した（単位： mm) 。

なお、前記誘電体層の εを次にような測定を行って求めた。すなわち、大きさが 5 cmX7. 5 cmであるガラス基板上の全面に銀ペーストを塗布し焼成後、前記誘電体層を形成したのと同様にして誘電体層を形成し、該誘電体層について 20で、 1 MHzにおける比誘電率を測定した。

表 4

例 1 2 3 4

第 1層 1一 1 2一 1 3 - 1 4一 1

厚さ 1 25 22 22 20

第 2層 1一 2 2-2 3-2 4-2

厚さ 2 5 10 7 10 厚さ 3

焼成温度 580 580 580 580

ε 9. 7 10. 1 1 0. 0 9. 4

銀樹 <0. 1 <0. 1 <0. 1 <0. 1

表 5

例 1においてはガラスペーストを塗布する方法を用いたが、例 1と同じガラス粉末を用いてグリーンシートとして貼り付ける方法も実施した。すなわち、第 1 層用、第 2層用としてそれぞれ例 1一 1、例 1—2のガラス粉末を使用し、質量百分率表示組成が、ガラス粉末 64. 2%、ポリブチルメタクリレート 16. 0 %、ジブチルフタレート 0. 6%、トルエン 1 9. 2 %となるように調合してポールミルで混合し、第 1層用ガラススラリーおよび第 2層用ガラススラリーを作製した。

次に、 PETフィルム上に第 2層用ガラススラリーを日本シーダースサービス社製バーコ一夕一（ROD No. 8) を用いて塗布し、 100でで 1時間乾燥した。次に、該第 2層用ガラススラリ一の上に第 1層用ガラススラリーを同社製バーコ一ター（ROD No. 30) を用いて塗布し、 100 で 1時間乾燥し PETフィルム上にグリーンシートを作製した。

該グリーンシートを PETフィルムから剥離し、例 1と同様に 1 cmX 3 cm の部分に貼り付け、 580でに 30分間保持する焼成を行なった。得られた誘電体層の厚さは 28 /xmであった。なお、第 2層用ガラススラリーを焼成して得られる焼成体の厚さは 7 / m、第 1層用ガラススラリーを焼成して得られる焼成体の厚さは 2 1； mであった。

次に、先に例 A〜Gについてしたと同様に、対向する櫛形状電極間に 140 V の直流電圧を印加した状態で、温度が 85で、湿度が 80%に保持された恒温恒湿槽内に 2時間置いた後、取り出した。銀樹の長さは 0. 1mm未満であった。纏卜.の利用の可能件

本発明によれば、消費電力が小さく、かつ信頼性の高い PDPを実現できる P D P前面板および P D P背面板を提供できる。

Claims

請求の範囲

1. アル力リ金属酸化物を 1モル％以上含有するガラス基板上に 2以上の金属電極を形成し、該 2以上の金属電極の各一部を被覆するように、低融点ガラス粉末を質量百分率表示で 50%以上含有する無機物粉末層を 2層以上積層し、焼成して金属電極付きガラス基板を製造する方法であって、金属電極から最も離れている最上層の無機物粉末層に含有されている低融点ガラス粉末の B₂0₃含有量が

40モル％未満であり、該最上層の無機物粉末層を焼成して得られる焼成体の厚さを 3 ^m以上とするべく該最上層の無機物粉末層の厚さが決められていることを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方法。

2. 前記 2層以上積層された無機物粉末層を焼成して得られ、前記 2以上の金属電極の各一部を被覆する誘電体層の比誘電率が 11以下である請求項 1に記載の金属電極付きガラス基板の製造方法。

3. 最上層の無機物粉末層に含有される低融点ガラス粉末が、下記酸化物基準のモル％表示で、

B₂〇₃ 0〜40%未満、

5 i 0₂ 0〜60 %、

Pb〇 0〜50%、

B i ₂0₃ 0〜 25 %、

Zn〇 0〜30%、

A 1₂0₃ 0〜20%、

MgO+CaO+S rO+BaO 0〜30%、

L i₂0 + Na₂0 + K₂0 0〜30%、

から本質的になり、 PbO + B i₂〇₃ + Z ηθが 30〜75%である請求項 1または 2に記載の金属電極付きガラス基板の製造方法。

4. 2層以上積層された無機物粉末層のうち、最上層の無機物粉末層を除く無機物粉末層に含有されている前記低融点ガラス粉末の B₂〇₃含有量がいずれも 4 0モル％以上である請求項 1、 2または 3に記載の金属電極付きガラス基板の製造方法。

5. B₂〇₃含有量が 40モル％以上である低融点ガラス粉末が、下記酸化物基準のモル％表示で、

B₂0₃ 40〜70 %,

S i 0₂ 0〜60 %，

P b〇 0〜50 %'

B i₂。₃ 0〜25 %，

Z ηθ 0〜30 %，

A 1₂0₃ 0〜20%、

MgO+CaO+S rO+B aO 0〜30%、

L i₂0 + Na₂〇 + K₂〇 0〜30%、

から本質的になる請求項 4に記載の金属電極付きガラス基板の製造方法。

6. 金属電極が質量百分率表示で 50 %以上の銀を含有する請求項 1 ~ 5のいずれかに記載の金属電極付きガラス基板の製造方法。