JPH11180726A - プラズマディスプレイパネル用基板および低融点ガラス組成物 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用基板および低融点ガラス組成物Info
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- JPH11180726A JPH11180726A JP10024838A JP2483898A JPH11180726A JP H11180726 A JPH11180726 A JP H11180726A JP 10024838 A JP10024838 A JP 10024838A JP 2483898 A JP2483898 A JP 2483898A JP H11180726 A JPH11180726 A JP H11180726A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C3/04—Glass compositions containing silica
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- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C3/0745—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc containing more than 50% lead oxide, by weight
-
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- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C3/14—Silica-free oxide glass compositions containing boron
- C03C3/142—Silica-free oxide glass compositions containing boron containing lead
Abstract
(57)【要約】
【課題】透明性が高く、絶縁ガラス層の形成により生じ
るガラス基板内の歪みも少ない、プラズマディスプレイ
パネル用基板を得る。 【解決手段】ガラス基板上に設けられた電極の被覆材と
して、軟化点が５１０℃以下で、５０〜３５０℃の平均
熱膨張係数が７０×１０-7〜８５×１０-7／℃である非
結晶性ガラスを用いた。
るガラス基板内の歪みも少ない、プラズマディスプレイ
パネル用基板を得る。 【解決手段】ガラス基板上に設けられた電極の被覆材と
して、軟化点が５１０℃以下で、５０〜３５０℃の平均
熱膨張係数が７０×１０-7〜８５×１０-7／℃である非
結晶性ガラスを用いた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイの電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス組成
物およびプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用基板
に関する。
レイの電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス組成
物およびプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用基板
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型の薄型平板型カラー表示装置
としてＰＤＰが注目を集めている。このような表示装置
においては、前面基板、背面基板および隔壁によりセル
が区画形成されており、セル中でプラズマ放電を発生さ
せることにより画像を形成する。
としてＰＤＰが注目を集めている。このような表示装置
においては、前面基板、背面基板および隔壁によりセル
が区画形成されており、セル中でプラズマ放電を発生さ
せることにより画像を形成する。
【０００３】前面基板のガラス基板上には細線状の電極
が形成されている。これら電極間の絶縁を確保してプラ
ズマを安定に発生するとともに、これら電極がプラズマ
に侵食されるのを防ぐため、これら電極は絶縁ガラス層
で被覆される。このガラス層はパネル作製工程や表示操
作中に割れやクラックが発生しないためにガラス基板と
熱膨張特性が所定の関係に整合している必要がある。
が形成されている。これら電極間の絶縁を確保してプラ
ズマを安定に発生するとともに、これら電極がプラズマ
に侵食されるのを防ぐため、これら電極は絶縁ガラス層
で被覆される。このガラス層はパネル作製工程や表示操
作中に割れやクラックが発生しないためにガラス基板と
熱膨張特性が所定の関係に整合している必要がある。
【０００４】ＰＤＰの基板用ガラス材料としては、ソー
ダライムシリケートガラス等が知られており、その５０
〜３５０℃の平均熱膨張係数は約８０×１０-7〜９０×
１０ -7／℃である。このような基板にガラス層を形成す
る場合、基板の強度を確保するためには、５０〜３５０
℃の平均熱膨張係数が７０×１０-7〜８５×１０-7／℃
の範囲にある低融点ガラスが好ましいといわれている。
ダライムシリケートガラス等が知られており、その５０
〜３５０℃の平均熱膨張係数は約８０×１０-7〜９０×
１０ -7／℃である。このような基板にガラス層を形成す
る場合、基板の強度を確保するためには、５０〜３５０
℃の平均熱膨張係数が７０×１０-7〜８５×１０-7／℃
の範囲にある低融点ガラスが好ましいといわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような絶縁ガラス
層を形成するためには、蒸着法やスパッタ法といった真
空プロセスを用いる方法やゾルゲル法といった化学的な
形成方法も採りうるが、形成効率が悪いため高コストに
なったり、形成された層の信頼性が低いなどの問題があ
る。
層を形成するためには、蒸着法やスパッタ法といった真
空プロセスを用いる方法やゾルゲル法といった化学的な
形成方法も採りうるが、形成効率が悪いため高コストに
なったり、形成された層の信頼性が低いなどの問題があ
る。
【０００６】そこで、通常は、低融点ガラス粉末を有機
ビヒクルと混練したものを塗布し、焼成することにより
このような絶縁ガラス層を形成する方法が採用される。
ところが、このようにして得られた絶縁ガラス層は透明
性が低い。ＰＤＰの前面基板に用いる絶縁ガラス層の透
明性が低いと、プラズマにより発光する蛍光体の光を有
効に取り出すことができないため、表示品位を低下させ
るおそれがある。
ビヒクルと混練したものを塗布し、焼成することにより
このような絶縁ガラス層を形成する方法が採用される。
ところが、このようにして得られた絶縁ガラス層は透明
性が低い。ＰＤＰの前面基板に用いる絶縁ガラス層の透
明性が低いと、プラズマにより発光する蛍光体の光を有
効に取り出すことができないため、表示品位を低下させ
るおそれがある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、ガラス基板上に設け
られた電極の被覆材として、軟化点が５１０℃以下で、
５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が７０×１０-7〜８５
×１０-7／℃である非結晶性ガラスを用いたことを特徴
とするＰＤＰ用基板を提供する。
決するためになされたものであり、ガラス基板上に設け
られた電極の被覆材として、軟化点が５１０℃以下で、
５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が７０×１０-7〜８５
×１０-7／℃である非結晶性ガラスを用いたことを特徴
とするＰＤＰ用基板を提供する。
【０００８】また、酸化物基準重量表示で、ＰｂＯ＋Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ：５２〜６８％、Ｂ2 Ｏ3：１４〜２８％、Ｓ
ｉＯ2 ：０〜５％、ＺｎＯ：６〜２３％、Ａｌ2 Ｏ3 ：
０〜８％、ＣｅＯ2 ：０〜５％、ＳｎＯ2 ：０〜５％か
ら実質的になる非結晶性低融点ガラス組成物を提供す
る。
ｉ2 Ｏ3 ：５２〜６８％、Ｂ2 Ｏ3：１４〜２８％、Ｓ
ｉＯ2 ：０〜５％、ＺｎＯ：６〜２３％、Ａｌ2 Ｏ3 ：
０〜８％、ＣｅＯ2 ：０〜５％、ＳｎＯ2 ：０〜５％か
ら実質的になる非結晶性低融点ガラス組成物を提供す
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明者らは、鋭意研究の結果、
前記絶縁ガラス層の透明性の低さの原因が以下の３点で
あることを見出した。 （１）焼成工程でガラス層に取り込まれる微小な気泡の
存在、（２）焼成中に生じるガラス成分の結晶化、
（３）焼成中に生じる有機ビヒクルの炭化によって生成
し、酸化することなくガラス中に残留したカーボンによ
るガラスの着色。
前記絶縁ガラス層の透明性の低さの原因が以下の３点で
あることを見出した。 （１）焼成工程でガラス層に取り込まれる微小な気泡の
存在、（２）焼成中に生じるガラス成分の結晶化、
（３）焼成中に生じる有機ビヒクルの炭化によって生成
し、酸化することなくガラス中に残留したカーボンによ
るガラスの着色。
【００１０】上記知見に基づき、本発明のうちの１つの
発明では、ガラス基板上に設けられた電極の被覆材とし
て、軟化点が５１０℃以下で、５０〜３５０℃の平均熱
膨張係数が７０×１０-7〜８５×１０-7／℃である非結
晶性ガラスを用いることにより絶縁ガラス層の透明性低
下の問題を解決する。
発明では、ガラス基板上に設けられた電極の被覆材とし
て、軟化点が５１０℃以下で、５０〜３５０℃の平均熱
膨張係数が７０×１０-7〜８５×１０-7／℃である非結
晶性ガラスを用いることにより絶縁ガラス層の透明性低
下の問題を解決する。
【００１１】電極材料の電気特性は約６００℃以上に加
熱すると低下するため、低融点ガラス粉末の焼成は約６
００℃以下の温度で行わなくてはならない。本発明で
は、５１０℃以下の軟化点を有する低融点ガラスを用い
ることにより、焼成中に低融点ガラスを充分に軟化流動
させ、取り込まれた気泡を浮上させて脱泡できる。
熱すると低下するため、低融点ガラス粉末の焼成は約６
００℃以下の温度で行わなくてはならない。本発明で
は、５１０℃以下の軟化点を有する低融点ガラスを用い
ることにより、焼成中に低融点ガラスを充分に軟化流動
させ、取り込まれた気泡を浮上させて脱泡できる。
【００１２】さらに、本発明では、非結晶性ガラスを電
極の被覆材として用いることにより、絶縁ガラス層の高
い透明性を確保する。ここでいう非結晶性ガラスとは６
００℃以下の温度に３０分間保持することにより、結晶
が析出しないガラスをいう。
極の被覆材として用いることにより、絶縁ガラス層の高
い透明性を確保する。ここでいう非結晶性ガラスとは６
００℃以下の温度に３０分間保持することにより、結晶
が析出しないガラスをいう。
【００１３】また、絶縁ガラス層の５０〜３５０℃の平
均熱膨張係数を７０×１０-7〜８５×１０-7／℃の範囲
とすることにより、ガラス層形成後の基板強度の低下を
防止できる。
均熱膨張係数を７０×１０-7〜８５×１０-7／℃の範囲
とすることにより、ガラス層形成後の基板強度の低下を
防止できる。
【００１４】しかし、上記の特性を満足するガラスを得
ることは簡単でない。すなわち、軟化点を低くするため
には融剤として機能する成分（ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 など）
を比較的大量に含有させることが必要になるとともに、
熱膨張係数を基板と整合させるためには熱膨張を低下さ
せる成分（ＺｎＯなど）を含有させる必要がある。一方
で、６００℃近傍の温度域ではこれらの成分が結晶析出
成分として機能するため非結晶性のガラスが得られにく
いからである。
ることは簡単でない。すなわち、軟化点を低くするため
には融剤として機能する成分（ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 など）
を比較的大量に含有させることが必要になるとともに、
熱膨張係数を基板と整合させるためには熱膨張を低下さ
せる成分（ＺｎＯなど）を含有させる必要がある。一方
で、６００℃近傍の温度域ではこれらの成分が結晶析出
成分として機能するため非結晶性のガラスが得られにく
いからである。
【００１５】本発明者らは研究の結果、かかる用途に使
用できるホウ酸鉛系のガラス組成を見いだした。すなわ
ち、酸化物基準重量表示で、ＰｂＯ＋Ｂｉ2 Ｏ3 ：５２
〜６８％、Ｂ2 Ｏ3 ：１４〜２８％、ＳｉＯ2 ：０〜５
％、ＺｎＯ：６〜２３％、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜８％、Ｃｅ
Ｏ2 ：０〜５％、ＳｎＯ2 ：０〜５％から実質的になる
非結晶性低融点ガラス組成物である。以下に、この組成
物の各成分について説明する。以下、重量％を単に％と
して表記する。
用できるホウ酸鉛系のガラス組成を見いだした。すなわ
ち、酸化物基準重量表示で、ＰｂＯ＋Ｂｉ2 Ｏ3 ：５２
〜６８％、Ｂ2 Ｏ3 ：１４〜２８％、ＳｉＯ2 ：０〜５
％、ＺｎＯ：６〜２３％、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜８％、Ｃｅ
Ｏ2 ：０〜５％、ＳｎＯ2 ：０〜５％から実質的になる
非結晶性低融点ガラス組成物である。以下に、この組成
物の各成分について説明する。以下、重量％を単に％と
して表記する。
【００１６】ＰｂＯまたはＢｉ2 Ｏ3 はガラスを低融点
化するために必須な成分であり、少なくともいずれか一
方を含有し、合量では５２〜６８％含有することが好ま
しい。含有量が合量で５２％未満では、ガラスの軟化温
度が高くなり、約６００℃以下で充分に透明な層の形成
が困難となるおそれがある。好ましくは５３％以上であ
る。一方、含有量が合量で６８％超では、低融点ガラス
の膨張係数が大きくなり、絶縁ガラス層が黄色に着色す
る傾向が生じる場合がある。好ましくは６４％以下であ
る。特に、Ｂｉ2 Ｏ3 はガラス層を黄色に着色する傾向
が強いため、無色透明の絶縁ガラス層を得るためには、
Ｂｉ2 Ｏ3 の含量は４０％以下とすることが好ましい。
化するために必須な成分であり、少なくともいずれか一
方を含有し、合量では５２〜６８％含有することが好ま
しい。含有量が合量で５２％未満では、ガラスの軟化温
度が高くなり、約６００℃以下で充分に透明な層の形成
が困難となるおそれがある。好ましくは５３％以上であ
る。一方、含有量が合量で６８％超では、低融点ガラス
の膨張係数が大きくなり、絶縁ガラス層が黄色に着色す
る傾向が生じる場合がある。好ましくは６４％以下であ
る。特に、Ｂｉ2 Ｏ3 はガラス層を黄色に着色する傾向
が強いため、無色透明の絶縁ガラス層を得るためには、
Ｂｉ2 Ｏ3 の含量は４０％以下とすることが好ましい。
【００１７】Ｂ2 Ｏ3 はＰｂＯ系低融点ガラスを安定な
ガラスとする成分であり、１４〜２８％含有することが
好ましい。含有量が１４％未満では、低融点ガラスが焼
成中に結晶化して透明性を損ねるおそれがある。また、
相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低融点ガラス
の膨張係数が大きくなるおそれがある。含有量が２８％
超では、相対的に含有されるＰｂＯ量が少なくなり低融
点ガラスの軟化点が高くなるおそれがある。
ガラスとする成分であり、１４〜２８％含有することが
好ましい。含有量が１４％未満では、低融点ガラスが焼
成中に結晶化して透明性を損ねるおそれがある。また、
相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低融点ガラス
の膨張係数が大きくなるおそれがある。含有量が２８％
超では、相対的に含有されるＰｂＯ量が少なくなり低融
点ガラスの軟化点が高くなるおそれがある。
【００１８】ＳｉＯ2 は必須成分ではないが、ＰｂＯ系
低融点ガラスを安定なガラスとするために加えうる。５
％超ではガラスの軟化温度が高くなり、低融点ガラスの
焼成中の結晶化を促進し、透明性を損ねるおそれがあ
る。また、相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低
融点ガラスの膨張係数が大きくなるおそれがある。
低融点ガラスを安定なガラスとするために加えうる。５
％超ではガラスの軟化温度が高くなり、低融点ガラスの
焼成中の結晶化を促進し、透明性を損ねるおそれがあ
る。また、相対的に含有されるＰｂＯの量が多くなり低
融点ガラスの膨張係数が大きくなるおそれがある。
【００１９】ＺｎＯは低融点ガラスの熱膨張係数を小さ
くするための成分であり、６〜２３％含有することが好
ましい。含有量が６％未満では低融点ガラスの熱膨張係
数が大きくなるおそれがある。好ましくは９％以上であ
る。含有量が２３％超では低融点ガラスが焼成中に結晶
化して透明性を損ねるおそれがある。好ましくは２１％
以下である。
くするための成分であり、６〜２３％含有することが好
ましい。含有量が６％未満では低融点ガラスの熱膨張係
数が大きくなるおそれがある。好ましくは９％以上であ
る。含有量が２３％超では低融点ガラスが焼成中に結晶
化して透明性を損ねるおそれがある。好ましくは２１％
以下である。
【００２０】Ａｌ2 Ｏ3 は必須成分ではないが、ＰｂＯ
系低融点ガラスを安定なガラスとするために加えること
ができる。８％超では低融点ガラスの焼成中の結晶化を
促進し、透明性を損ねるおそれがある。
系低融点ガラスを安定なガラスとするために加えること
ができる。８％超では低融点ガラスの焼成中の結晶化を
促進し、透明性を損ねるおそれがある。
【００２１】ＣｅＯ2 は必須成分ではないが、ガラス中
に残留したカーボンを酸化しガラス着色を防止するため
に加えることができる。５％超では低融点ガラスの黄色
化を促進し、透明性を損ねるおそれがある。
に残留したカーボンを酸化しガラス着色を防止するため
に加えることができる。５％超では低融点ガラスの黄色
化を促進し、透明性を損ねるおそれがある。
【００２２】ＳｎＯ2 は必須成分ではないが、ガラス中
に残留したカーボンを酸化しガラス着色を防止するため
に加えることができる。５％超では低融点ガラスの粘度
が増大して気泡の浮上が困難となり、透明性を損ねるお
それがある。
に残留したカーボンを酸化しガラス着色を防止するため
に加えることができる。５％超では低融点ガラスの粘度
が増大して気泡の浮上が困難となり、透明性を損ねるお
それがある。
【００２３】上記のガラス組成においては、これらの成
分の他にも、低融点ガラスの熱膨張係数や化学的耐久
性、軟化温度、透明性、ガラスの安定性を調整するため
に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 等を本発明の効果を損しない範囲（好
ましくはそれぞれ低融点ガラス組成中の１０％以下）で
適宜含有させうる。また、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ
等のアルカリ金属酸化物やＦ等のハロゲン成分もガラス
の軟化点を低下させる成分として、電気的特性等を阻害
しない範囲（好ましくはそれぞれ低融点ガラス組成中の
１０％以下）で加えてもよい。
分の他にも、低融点ガラスの熱膨張係数や化学的耐久
性、軟化温度、透明性、ガラスの安定性を調整するため
に、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 等を本発明の効果を損しない範囲（好
ましくはそれぞれ低融点ガラス組成中の１０％以下）で
適宜含有させうる。また、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ
等のアルカリ金属酸化物やＦ等のハロゲン成分もガラス
の軟化点を低下させる成分として、電気的特性等を阻害
しない範囲（好ましくはそれぞれ低融点ガラス組成中の
１０％以下）で加えてもよい。
【００２４】本発明のＰＤＰ用基板は、透明性が高い。
具体的には、２．８ｍｍ厚のソーダライムシリケートガ
ラスに２５〜３０μｍ程度の厚みのガラス層を形成した
場合の標準Ｃ光源による可視光透過率を８０％以上にす
ることができる。
具体的には、２．８ｍｍ厚のソーダライムシリケートガ
ラスに２５〜３０μｍ程度の厚みのガラス層を形成した
場合の標準Ｃ光源による可視光透過率を８０％以上にす
ることができる。
【００２５】本発明で低融点ガラス層による絶縁性被覆
を形成する方法としては、ガラスを微粉末に粉砕し、こ
の微粉末ガラスを有機溶剤中に分散混合しインク状に
し、スクリーン印刷等の手法で電極が形成された板ガラ
ス上に塗布し、有機溶剤を乾燥後、焼成し、低融点ガラ
スを緻密に焼結する方法が一般的である。しかし本発明
の目的が達成できるガラス層を形成しうる方法であれば
これに限定されない。
を形成する方法としては、ガラスを微粉末に粉砕し、こ
の微粉末ガラスを有機溶剤中に分散混合しインク状に
し、スクリーン印刷等の手法で電極が形成された板ガラ
ス上に塗布し、有機溶剤を乾燥後、焼成し、低融点ガラ
スを緻密に焼結する方法が一般的である。しかし本発明
の目的が達成できるガラス層を形成しうる方法であれば
これに限定されない。
【００２６】
【実施例】表のガラス組成（重量％）に示す組成となる
ように、酸化鉛、酸化ビスマス、無水ホウ酸、ケイ砂、
酸化亜鉛、酸化第二スズ、酸化第二セリウム、酸化アル
ミニウムを混合し、１３００℃にて１時間白金ルツボ中
で溶融し、薄板状のガラスに成形した後、ボールミルで
粉砕し、低融点ガラス粉末を得た。これらガラスの軟化
点（℃）、５０〜３５０℃の平均熱膨張係数（１０-7／
℃）をそれぞれ表の「ガラス軟化点」、「ガラス熱膨張
係数」の欄に記載した。
ように、酸化鉛、酸化ビスマス、無水ホウ酸、ケイ砂、
酸化亜鉛、酸化第二スズ、酸化第二セリウム、酸化アル
ミニウムを混合し、１３００℃にて１時間白金ルツボ中
で溶融し、薄板状のガラスに成形した後、ボールミルで
粉砕し、低融点ガラス粉末を得た。これらガラスの軟化
点（℃）、５０〜３５０℃の平均熱膨張係数（１０-7／
℃）をそれぞれ表の「ガラス軟化点」、「ガラス熱膨張
係数」の欄に記載した。
【００２７】例１〜例１３は実施例、例１４〜例２３は
比較例であり、例１４、例２１、例２２は５０〜３５０
℃の平均熱膨張係数が８５×１０-7／℃を超える例であ
り、例１５、例２０は軟化点が５１０℃を超える例であ
り、例１６〜１９、例２３は焼成中に結晶が析出する結
晶性ガラスの例である。表の「結晶性」の欄で、「有」
とあるものは結晶性ガラス、「無」とあるものは非結晶
性ガラスである。
比較例であり、例１４、例２１、例２２は５０〜３５０
℃の平均熱膨張係数が８５×１０-7／℃を超える例であ
り、例１５、例２０は軟化点が５１０℃を超える例であ
り、例１６〜１９、例２３は焼成中に結晶が析出する結
晶性ガラスの例である。表の「結晶性」の欄で、「有」
とあるものは結晶性ガラス、「無」とあるものは非結晶
性ガラスである。
【００２８】この粉末１００ｇを、ジエチレングリコー
ルモノブチルエーテルアセテートにエチルセルロースを
７重量％溶解した有機ビヒクル２５ｇと混練し、ペース
ト状インクを作製した。
ルモノブチルエーテルアセテートにエチルセルロースを
７重量％溶解した有機ビヒクル２５ｇと混練し、ペース
ト状インクを作製した。
【００２９】ついで１００ｍｍ角で厚さ２．８ｍｍのソ
ーダライムシリケートガラス基板（５０〜３５０℃の平
均熱膨張係数＝８８×１０-7／℃）を用意して、その基
板の片面のほぼ中央の５０ｍｍ角の領域に上記ペースト
を均一にスクリーン印刷をし、１２０℃で１０分間乾燥
させた。このガラス基板を昇温速度毎分１０℃で表の
「焼成温度」の欄の温度（℃）まで加熱し、３０分間保
持して焼成を行った。
ーダライムシリケートガラス基板（５０〜３５０℃の平
均熱膨張係数＝８８×１０-7／℃）を用意して、その基
板の片面のほぼ中央の５０ｍｍ角の領域に上記ペースト
を均一にスクリーン印刷をし、１２０℃で１０分間乾燥
させた。このガラス基板を昇温速度毎分１０℃で表の
「焼成温度」の欄の温度（℃）まで加熱し、３０分間保
持して焼成を行った。
【００３０】焼成後の低融点ガラス層の膜厚（μｍ）を
測定して「低融点ガラス膜厚」の欄に記載した。また標
準Ｃ光源による可視光透過率（％）を測定して「焼成後
基板光透過率」の欄に記載した。この値は８０％以上で
あることが好ましい。
測定して「低融点ガラス膜厚」の欄に記載した。また標
準Ｃ光源による可視光透過率（％）を測定して「焼成後
基板光透過率」の欄に記載した。この値は８０％以上で
あることが好ましい。
【００３１】さらに、焼成したガラス基板の低融点ガラ
スで被覆された領域を幅１５ｍｍとなるように切り出
し、切断面を光学研磨した後、断面方向に偏光顕微鏡
（干渉計）で観察し、ガラス基板表面部の歪み応力（ｋ
ｇ／ｃｍ2 ）を光弾性法により算定し、「ガラス基板内
の歪み」の欄に記載した。なお、「＋」は圧縮応力を示
し、「−」は引張応力を示す。この値は、−１２〜＋１
２ｋｇ／ｃｍ2 であることが好ましい。
スで被覆された領域を幅１５ｍｍとなるように切り出
し、切断面を光学研磨した後、断面方向に偏光顕微鏡
（干渉計）で観察し、ガラス基板表面部の歪み応力（ｋ
ｇ／ｃｍ2 ）を光弾性法により算定し、「ガラス基板内
の歪み」の欄に記載した。なお、「＋」は圧縮応力を示
し、「−」は引張応力を示す。この値は、−１２〜＋１
２ｋｇ／ｃｍ2 であることが好ましい。
【００３２】本発明の実施例の基板はすべて、可視光透
過率が８０％以上であり、透明性が高いことがわかる。
ガラス基板内の歪みも−１２〜＋１２ｋｇ／ｃｍ2 の範
囲内にあり、ガラス基板と絶縁ガラス層との熱膨張係数
の整合性が高いことがわかる。
過率が８０％以上であり、透明性が高いことがわかる。
ガラス基板内の歪みも−１２〜＋１２ｋｇ／ｃｍ2 の範
囲内にあり、ガラス基板と絶縁ガラス層との熱膨張係数
の整合性が高いことがわかる。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】
【表５】
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明のＰＤＰ用基板は透
明性が高く、絶縁ガラス層の形成により生じるガラス基
板内の歪みも少ないため、ＰＤＰ用として有用である。
また、本発明の低融点絶縁用ガラス組成物は、約６００
℃以下の低温の焼成で、非常に高い光透過率を示すとと
もに、ソーダライムガラス基板に対して熱膨張特性が整
合し、歪みをほとんど生じないため、焼成中の基板の割
れやクラック発生を有効に抑制できるため、ＰＤＰの前
面基板の電極被覆材料としてきわめて有用である。
明性が高く、絶縁ガラス層の形成により生じるガラス基
板内の歪みも少ないため、ＰＤＰ用として有用である。
また、本発明の低融点絶縁用ガラス組成物は、約６００
℃以下の低温の焼成で、非常に高い光透過率を示すとと
もに、ソーダライムガラス基板に対して熱膨張特性が整
合し、歪みをほとんど生じないため、焼成中の基板の割
れやクラック発生を有効に抑制できるため、ＰＤＰの前
面基板の電極被覆材料としてきわめて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真鍋 恒夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 (72)発明者 青木 由美子 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】ガラス基板上に設けられた電極の被覆材と
して、軟化点が５１０℃以下で、５０〜３５０℃の平均
熱膨張係数が７０×１０-7〜８５×１０-7／℃である非
結晶性ガラスを用いたことを特徴とするプラズマディス
プレイパネル用基板。 - 【請求項２】非結晶性ガラスがホウ酸鉛系ガラスである
請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用基板。 - 【請求項３】非結晶性ガラスが、酸化物基準の重量表示
で、 ＰｂＯ＋Ｂｉ2 Ｏ3 ：５２〜６８％、 Ｂ2 Ｏ3 ：１４〜２８％、 ＳｉＯ2 ： ０〜 ５％、 ＺｎＯ ： ６〜２３％、 Ａｌ2 Ｏ3 ： ０〜 ８％、 ＣｅＯ2 ： ０〜 ５％、 ＳｎＯ2 ： ０〜 ５％、 から実質的になる請求項１または２記載のプラズマディ
スプレイパネル用基板。 - 【請求項４】酸化物基準の重量表示で、 ＰｂＯ＋Ｂｉ2 Ｏ3 ：５２〜６８％、 Ｂ2 Ｏ3 ：１４〜２８％、 ＳｉＯ2 ： ０〜 ５％、 ＺｎＯ ： ６〜２３％、 Ａｌ2 Ｏ3 ： ０〜 ８％、 ＣｅＯ2 ： ０〜 ５％、 ＳｎＯ2 ： ０〜 ５％、 から実質的になる非結晶性低融点ガラス組成物。
- 【請求項５】軟化点が５１０℃以下である請求項４記載
のガラス組成物。 - 【請求項６】５０〜３５０℃の平均熱膨張係数が７０×
１０-7〜８５×１０-7／℃である請求項４または５記載
のガラス組成物。 - 【請求項７】プラズマディスプレイの電極を被覆するた
めに用いた請求項４、５または６記載のガラス組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10024838A JPH11180726A (ja) | 1997-03-28 | 1998-02-05 | プラズマディスプレイパネル用基板および低融点ガラス組成物 |
| US09/047,313 US5948537A (en) | 1997-03-28 | 1998-03-25 | Substrate for a plasma display panel and low melting point glass composition |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7843897 | 1997-03-28 | ||
| JP9-280903 | 1997-10-14 | ||
| JP9-78438 | 1997-10-14 | ||
| JP28090397 | 1997-10-14 | ||
| JP10024838A JPH11180726A (ja) | 1997-03-28 | 1998-02-05 | プラズマディスプレイパネル用基板および低融点ガラス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11180726A true JPH11180726A (ja) | 1999-07-06 |
Family
ID=27284804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10024838A Withdrawn JPH11180726A (ja) | 1997-03-28 | 1998-02-05 | プラズマディスプレイパネル用基板および低融点ガラス組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH11180726A (ja) |
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| US8183168B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-05-22 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing electrode-formed glass substrate |
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| US3841883A (en) * | 1973-07-31 | 1974-10-15 | Ibm | Bi{11 O{11 {11 CONTAINING Pbo-Zno-B{11 O{11 {11 LOW TEMPERATURE SEALING GLASS |
| US3873330A (en) * | 1973-11-19 | 1975-03-25 | Ibm | Bi{hd 2{b O{HD 3 {B and Al{hd 2{b O{HD 3{B containing PbO-ZnO-B{HD 2{B O{HD 3 {B low temperature sealing glass |
| JPS5330269A (en) * | 1976-09-02 | 1978-03-22 | Fujitsu Ltd | Gas discharge display unit |
| US4578619A (en) * | 1983-06-22 | 1986-03-25 | Burroughs Corporation | Glass composition and gas-filled display panel incorporating the glass |
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-
1998
- 1998-02-05 JP JP10024838A patent/JPH11180726A/ja not_active Withdrawn
- 1998-03-25 US US09/047,313 patent/US5948537A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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