JP3430554B2 - Ac型プラズマディスプレイパネル - Google Patents
Ac型プラズマディスプレイパネルInfo
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Description
プレイパネル、特に表示電極にサステン電圧を印加する
ICドライバーの負担を軽減できるAC型プラズマディ
スプレイパネルに関する。 【0002】 【従来の技術】従来のAC型のプラズマディスプレイパ
ネルは、図1に示すように、微小間隙を介して互いの内
面を対向させた前面基板10' と背面基板20の周辺部を封
止材25により封止して内部空間を形成し、この内部空間
に、たとえばネオンガスにキセノンガスを混合してなる
放電ガスを充填して形成される。 【0003】なお、このAC型プラズマディスプレイパ
ネルの構造そのものは、後述する本発明の一実施例のA
C型プラズマディスプレイパネルの構造と異なるところ
はない。 【0004】このような構成を有するAC型プラズマデ
ィスプレイパネルの輝度(動作時の輝度、以下同じ)
は、DC型プラズマディスプレイパネルのそれよりも高
いが、さらに輝度を上げる有力な方策として視覚側とな
る上記前面基板10' の表示電極12を、導電性を有する酸
化物、たとえば酸化錫(SnO2)系酸化物で形成することも
少なくない。 【0005】このような前面基板10' は、図1及び図3
で示すように、透明な表示電極12を表面上に形成したガ
ラス基板11と、このガラス基板11上にスクリーン印刷等
で被着させた粉末状の酸化鉛をガラスペースト31を大気
中等の酸化雰囲気中において600℃前後の温度で1時
間ほど焼成して形成した誘電体層13' と、この誘電体層
13' 上に酸化マグネシウム(MgO) を蒸着して形成した保
護膜(図示せず)とでなるものである。 【0006】ところで、従来の前面基板10' の誘電体層
13' となるガラスペースト31は、その焼成 (溶融時) に
於ける脱泡性の向上を図るために、粉末状の酸化鉛の重
量比(ガラスペースト31に含まれる全無機系組成物に対
する重量比) を75%程度としている( 図2(b) 参照)
。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなガラスペースト31を前述したような条件で焼成する
と、600℃程度の温度で溶融状態にあるガラスペース
ト31の酸化鉛と表示電極12(酸化錫系酸化物)とが反応
し、当初30Ω程度であった表示電極12の面積抵抗値が
40%程度増加する。 【0008】このような表示電極12の面積抵抗値の大幅
な増加は、以下に説明するように表示電極12にサステン
電圧を印加し、AC型プラズマディスプレイパネルを動
作させるICドライバー33-1,33-2 (図3(c) 参照) に
大きな負担となる。 【0009】すなわち、AC型プラズマディスプレイパ
ネルを動作させる際には、表示電極12の電極12-1,12-2
にICドライバー33-1,33-2 をそれぞれ接続し、電極12
-1,12-2 に極性の異なる電圧を交互に印加する必要があ
る。 【0010】したがって、表示電極12 (電極12-1,12-2)
の面積抵抗値が上述のように大幅に大きくなると、ΔV1
(ICドライバー33-1に接続したバス電極12-1' と電極
12-1の内面側間の電圧ドロップ) とΔV2 (ICドライバ
ー33-2に接続したバス電極12-2' と電極12-2の内面側間
の電圧ドロップ) も大きくなり、ICドライバー33-1,3
3-2 はより高いサステン電圧をバス電極12-1',12-2' に
それぞれ供給することが必要となり、その負担が増大す
ることとなる。 【0011】なお、バス電極12-1'(12-2')は、電極12-1
(12-2)の表面の外側領域に密着 (接続) した線路抵抗の
低い導体である。ところで、本発明の発明者は、酸化錫
系酸化物はもとより酸化インジウム系酸化物で形成した
表示電極の面積抵抗値の変化率はガラスペーストに含ま
れる酸化鉛の比率に依存し、酸化鉛の比率が低下するに
従って焼成時における表示電極12の面積抵抗値の変化率
も小さくなる事実を発見した(図2(a) 参照) 。 【0012】図2は、表示電極の抵抗値変化率とガラス
ペーストの説明図で、図2(a) における試料はガラス基
板11と同じガラス基板(その表面に形成されている表示
電極は酸化錫系で面積抵抗が30Ω) 、このガラス基板
上に誘電体層を形成する際のガラスペーストの焼成条件
は大気中で600℃1時間の焼成である。 【0013】本発明は、上述した事実に基づいてなされ
たものであって、その目的はICドライバーの負担を軽
減できるAC型プラズマディスプレイパネルを提供する
ことにある。 【0014】 【課題を解決するための手段】前記目的は、図1に示す
ように、透明の前面基板11上に、酸化錫又は酸化インジ
ウム系酸化物からなる複数の透明な表示電極12を配列す
るとともに、これら各表示電極を、粉末状の酸化鉛と酸
化硼素と酸化珪素を含むガラスペーストを焼成して形成
される誘電体層13により被覆してなるAC型プラズマデ
ィスプレイパネルにおいて、酸化鉛がガラスペーストに
含まれる無機系組成物に対して重量比で60%を越えな
いことを特徴とするAC型プラズマディスプレイパネル
により達成される。 【0015】 【作用】本発明のAC型プラズマディスプレイパネルの
前面基板10の誘電体層13は、含有する全無機系組成物に
対して酸化鉛が重量比で60%を越えないガラスペース
トの焼成により形成している。 【0016】したがって、誘電体層13の形成時における
表示電極12の面積抵抗値の増加は数%であり、従来の誘
電体層13を形成する際の表示電極12の面積抵抗値の変化
率より大幅に小さくなって前述の電圧ドロップ (ΔV1及
びΔV2; 図3(c) 参照) が減少し、ICドライバー33-
1,33-2 (図3(c) 参照) の負担は軽減する。 【0017】 【実施例】以下、本発明の一実施例のAC型プラズマデ
ィスプレイパネルについて図1〜図3を参照して説明す
る。なお、本明細書においては、同一部品、同一材料等
に対しては全図をとおして同じ符号を付与してある。 【0018】本発明の第1の実施例のAC型プラズマデ
ィスプレイパネル(図1参照)は、従来のAC型プラズ
マディスプレイパネルと同様に、微小間隙を介して互い
の内面を対向させた前面基板10と背面基板20の周辺部を
封止材25により封止して内部空間を形成し、この内部空
間Sに放電ガスを充填して形成される。 【0019】ところで、本発明に係る前面基板10の誘電
体層13も、従来例のAC型プラズマディスプレイパネル
の前面基板10' の誘電体層13' と同様に、ガラス基板11
上にガラスペースト32を印刷したのち、このガラスペー
スト32を大気中で600℃前後の温度で1時間焼成して
形成したものである(図3参照)。 【0020】このガラスペースト32が含む酸化鉛は重量
比で60% (図2(b) 参照) であるから、このガラスペ
ースト32を上記条件で焼成して誘電体層13を形成した際
における表示電極12の面積抵抗値の増加は、精々数%で
ある( 図2(a) 参照) 。 【0021】したがって、本発明の一実施例のAC型プ
ラズマディスプレイパネルにおけるΔV1及びΔV2は、従
来例におけるΔV1及びΔV2よりそれぞれ小さくなるため
に、ICドライバー33-1,33-2 の負担は軽減することと
なる。 【0022】 【発明の効果】以上説明したように本発明は、動作にお
いて表示電極にサステン電圧を印加するICドライバー
の負担を軽減できるAC型プラズマディスプレイパネル
の提供を可能とする。
的な側断面図 【図2】は、表示電極の抵抗値変化率とガラスペースト
の説明図であって、図2(a) はガラスペーストに含まれ
る酸化鉛の重量比と表示電極の抵抗変化の関係を示す
図、図2(b) はガラスペーストの組成を示す図 【図3】は、誘電体層の形成方法とサステン電圧の印加
方法の説明図であって、図3(a) はガラスペーストを被
着したガラス基板の模式的な側断面図、図3(b) は誘電
体層が形成されたガラス基板の模式的な側断面図、図3
(c) は表示電極へのサステン電圧の印加方法を模式的に
示す要部側断面図 【符号の説明】 10,10'は、前面基板 11は、ガラス基板 (基板) 12は、表示電極 12-1,12-2 は、電極 12-1',12-2' は、バス電極 13,13'は、誘電体層 20は、背面基板 25は、封止材 31,32 は、ガラスペースト 33-1,33-2 は、ICドライバー
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】透明の前面基板上に、酸化錫又は酸化イン
ジウム系酸化物からなる複数の透明な表示電極を配列す
るとともに、これら各表示電極を、粉末状の酸化鉛と酸
化硼素と酸化珪素を含むガラスペーストを焼成して形成
される誘電体層により被覆してなるAC型プラズマディ
スプレイパネルにおいて、 前記酸化鉛が前記ガラスペーストに含まれる無機系組成
物に対して重量比で60%を越えないことを特徴とする
AC型プラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11834293A JP3430554B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Ac型プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11834293A JP3430554B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Ac型プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH06333503A JPH06333503A (ja) | 1994-12-02 |
JP3430554B2 true JP3430554B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=14734314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP11834293A Expired - Fee Related JP3430554B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Ac型プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3430554B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
JPH11180726A (ja) * | 1997-03-28 | 1999-07-06 | Asahi Glass Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用基板および低融点ガラス組成物 |
JP2002075227A (ja) | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 気体放電表示装置およびプラズマアドレス液晶表示装置ならびにその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP11834293A patent/JP3430554B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06333503A (ja) | 1994-12-02 |
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