JPH0217898B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0217898B2 JPH0217898B2 JP58211175A JP21117583A JPH0217898B2 JP H0217898 B2 JPH0217898 B2 JP H0217898B2 JP 58211175 A JP58211175 A JP 58211175A JP 21117583 A JP21117583 A JP 21117583A JP H0217898 B2 JPH0217898 B2 JP H0217898B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode wiring
- display
- film
- melting point
- low melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の属する分野の説明
本発明は表示面側基板の電極配線をAl薄膜で
形成したプラズマデイスプレイパネルに関する。
形成したプラズマデイスプレイパネルに関する。
(2) 従来の技術の説明
プラズマデイスプレイパネルはフラツトデイス
プレイの中でも大容量の表示が可能なこと、ちら
つきが少ないこと、信頼性が高いこと等の優位性
から各種OA機器、データ端末等の市場で広く使
用されている。プラズマデイスプレイパネルの構
造断面図を第１図に示す。表示面ガラス板１上に
電極配線２が形成されておりリード端子部３によ
つて外部回路に接続されている。
プレイの中でも大容量の表示が可能なこと、ちら
つきが少ないこと、信頼性が高いこと等の優位性
から各種OA機器、データ端末等の市場で広く使
用されている。プラズマデイスプレイパネルの構
造断面図を第１図に示す。表示面ガラス板１上に
電極配線２が形成されておりリード端子部３によ
つて外部回路に接続されている。
さらに電極配線は低融点ガラスから成る誘電体
膜４で覆われている。一方後面ガラス板５上にも
電極配線６が形成され、低融点ガラスから成る誘
電体膜７で覆われている。表示面、後面両基板の
表示部分は耐放電材料であるMgO膜８がスプレ
ー法等で被着されている。前面、後面基板はフリ
ツトガラス９で組み合せ封着され、放電空間１０
を形成している。放電空間には約350torrのネオ
ン等のガスが導入されている。以上の如きプラズ
マデイスプレイパネルに対して表示容量の増大が
強く求められてきており、これに応えるべく表示
画素ピツチのフアイン化が強力に推し進められて
いる。
膜４で覆われている。一方後面ガラス板５上にも
電極配線６が形成され、低融点ガラスから成る誘
電体膜７で覆われている。表示面、後面両基板の
表示部分は耐放電材料であるMgO膜８がスプレ
ー法等で被着されている。前面、後面基板はフリ
ツトガラス９で組み合せ封着され、放電空間１０
を形成している。放電空間には約350torrのネオ
ン等のガスが導入されている。以上の如きプラズ
マデイスプレイパネルに対して表示容量の増大が
強く求められてきており、これに応えるべく表示
画素ピツチのフアイン化が強力に推し進められて
いる。
前面基板の電極配線は従来透面導電膜であるネ
サ膜をCVD法等で形成していた。表示画素のフ
アイン化を実現する為に、このネサ膜で形成され
た電極配線巾の細線化が必要となるが、これに配
線抵抗の増大、断線不良の増加といつた問題が発
生した。この問題を解決する目的で電極配線を
Al薄膜で形成する方法が採用されはじめている。
勿論表示パターン部はメツシユ状、櫛の歯状或い
は蜂の巣状のパターンとなるよう形成されてい
る。ところが、このような構造の表示面基板では
次の様な問題点があつた。すなわち表示面ガラス
を通して金属光沢を持つAl薄膜電極配線が外光
を反射して表示の視認性を悪くしてしまう。特に
外光の明るい場所での使用時には表示パターンの
誤認をひきおこす場合すらある。
サ膜をCVD法等で形成していた。表示画素のフ
アイン化を実現する為に、このネサ膜で形成され
た電極配線巾の細線化が必要となるが、これに配
線抵抗の増大、断線不良の増加といつた問題が発
生した。この問題を解決する目的で電極配線を
Al薄膜で形成する方法が採用されはじめている。
勿論表示パターン部はメツシユ状、櫛の歯状或い
は蜂の巣状のパターンとなるよう形成されてい
る。ところが、このような構造の表示面基板では
次の様な問題点があつた。すなわち表示面ガラス
を通して金属光沢を持つAl薄膜電極配線が外光
を反射して表示の視認性を悪くしてしまう。特に
外光の明るい場所での使用時には表示パターンの
誤認をひきおこす場合すらある。
(3) 発明の目的
本発明は表示面ガラス板上にPbO含有量が
60ωt％以下である低融点ガラスを塗布し、この
上にAl薄膜電極配線を形成することによつて、
Al薄膜電極配線の金属光沢を無くし、視認性を
向上させるものである。
60ωt％以下である低融点ガラスを塗布し、この
上にAl薄膜電極配線を形成することによつて、
Al薄膜電極配線の金属光沢を無くし、視認性を
向上させるものである。
(4) 発明の構成および作用の説明
Alは元来反応性に富んだ金属である。従つて
その反応性に着目し、各種材料との反応、相互作
用を調査した透明度が高いこと、作業温度が適切
であること、プラズマデイスプレイ中で安定なこ
と等の条件をも加味して検討した結果、硼硅酸鉛
ガラス系の低融点ガラスが、最適であることが明
らかとなつた。
その反応性に着目し、各種材料との反応、相互作
用を調査した透明度が高いこと、作業温度が適切
であること、プラズマデイスプレイ中で安定なこ
と等の条件をも加味して検討した結果、硼硅酸鉛
ガラス系の低融点ガラスが、最適であることが明
らかとなつた。
第２図に示す様に表示面ガラス板２１上に低融
点ガラス膜２２を塗布形成し、この上にAl薄膜
電極配線２３を形成する。これ以降は従来のプラ
ズマデイスプレイパネルと同様誘電体膜２４を形
成する。誘電体膜の焼成時（約600℃、30分）に
低融点ガラス膜２２とAl薄膜電極配線２３がそ
の界面で反応し、Al薄膜電極配線の金属光沢が
失なわれる。
点ガラス膜２２を塗布形成し、この上にAl薄膜
電極配線２３を形成する。これ以降は従来のプラ
ズマデイスプレイパネルと同様誘電体膜２４を形
成する。誘電体膜の焼成時（約600℃、30分）に
低融点ガラス膜２２とAl薄膜電極配線２３がそ
の界面で反応し、Al薄膜電極配線の金属光沢が
失なわれる。
この反応性の大小は低融点ガラス中のPbO含有
量によつて決まり、含有量が大きくなる程反応性
が増し、金属光沢の失なわれる程度も大きくな
る。しかしながら反応が進行しすぎると配線抵抗
が増大し、断線に至る場合すらある。種々のPbO
含有量の低融点ガラスを用いて実験した結果PbO
含有量が70ωt％を越えるものでは反応が著しく
進行し、又60ωt％から70ωt％の範囲のものでは
焼成条件、Al薄膜の形成条件によつては反応が
進み過ぎる場合があることが明らかになつた。
Al薄膜電極配線の金属光沢はPbOの含有量が
60ωt％以下の低融点ガラスでも十分に消費され
ることも明らかになつた。
量によつて決まり、含有量が大きくなる程反応性
が増し、金属光沢の失なわれる程度も大きくな
る。しかしながら反応が進行しすぎると配線抵抗
が増大し、断線に至る場合すらある。種々のPbO
含有量の低融点ガラスを用いて実験した結果PbO
含有量が70ωt％を越えるものでは反応が著しく
進行し、又60ωt％から70ωt％の範囲のものでは
焼成条件、Al薄膜の形成条件によつては反応が
進み過ぎる場合があることが明らかになつた。
Al薄膜電極配線の金属光沢はPbOの含有量が
60ωt％以下の低融点ガラスでも十分に消費され
ることも明らかになつた。
低融点ガラス膜はその微粉末をバインダー、有
機溶剤とともにペースト状とし、厚膜スクリーン
印刷する方法、或いは微粉末の懸濁液をスプレー
塗布する方法でガラス板に塗布され、しかる後
550℃から600℃の温度領域で焼成することによつ
て形成される。この時表面が出来る限り凹凸の少
ない平担になるよう粒子径、塗布状態、焼成条件
を選ぶことによつてAl薄膜形成を容易にするこ
とが出来る。
機溶剤とともにペースト状とし、厚膜スクリーン
印刷する方法、或いは微粉末の懸濁液をスプレー
塗布する方法でガラス板に塗布され、しかる後
550℃から600℃の温度領域で焼成することによつ
て形成される。この時表面が出来る限り凹凸の少
ない平担になるよう粒子径、塗布状態、焼成条件
を選ぶことによつてAl薄膜形成を容易にするこ
とが出来る。
(5) 効果の説明
以下に実施例を示し、本発明の効果を明らかに
する。厚さ２mmのソーダ板ガラス板に低融点ガラ
ス粉末をスプレー法で厚さ8μとなるよう塗布し
た。これを大気中600℃20分間焼成した。焼成後
低融点ガラス膜は5μの厚さとなつた。この低融
点ガラス膜を表面粗さ計及び走査型電子顕微鏡で
測定、観察した結果表面の凹凸は0.2μ以下の平滑
な状態が得られていることが明らかとなつた。こ
の基板にスパツタリング法を用いAlを厚さが2μ
となるよう被着させ、フオトエツチング法を用い
電極配線を形成した。この後、誘電体膜で電極配
線を覆い表示面基板を形成した。この表示面基板
ではAl薄膜電極配線の金属光沢は全く認められ
ず、視認性の良好なプラズマデイスプレイが得ら
れた。
する。厚さ２mmのソーダ板ガラス板に低融点ガラ
ス粉末をスプレー法で厚さ8μとなるよう塗布し
た。これを大気中600℃20分間焼成した。焼成後
低融点ガラス膜は5μの厚さとなつた。この低融
点ガラス膜を表面粗さ計及び走査型電子顕微鏡で
測定、観察した結果表面の凹凸は0.2μ以下の平滑
な状態が得られていることが明らかとなつた。こ
の基板にスパツタリング法を用いAlを厚さが2μ
となるよう被着させ、フオトエツチング法を用い
電極配線を形成した。この後、誘電体膜で電極配
線を覆い表示面基板を形成した。この表示面基板
ではAl薄膜電極配線の金属光沢は全く認められ
ず、視認性の良好なプラズマデイスプレイが得ら
れた。
以上は通常のタイプのプラズマデイスプレイパ
ネルについて本発明の効果を述べたが、注入電荷
を櫛歯状電極に沿つて転移させる電荷転移型プラ
ズマデイスプレイにおいても全く同様な効果が得
られることは言うまでもない。
ネルについて本発明の効果を述べたが、注入電荷
を櫛歯状電極に沿つて転移させる電荷転移型プラ
ズマデイスプレイにおいても全く同様な効果が得
られることは言うまでもない。
第１図は従来のプラズマデイスプレイパネルの
断面図、第２図は本発明による表示面側基板の断
面図である。 １……表示面ガラス板、２……電極配線、３…
…リード端子部、４……誘電体膜、５……後面ガ
ラス板、６……電極配線、７……誘電体、８……
MgO膜、９……フリツトガラス、２１……表示
面ガラス板、２２……低融点ガラス膜、２３……
Al薄膜電極配線、２４……誘電体膜。
断面図、第２図は本発明による表示面側基板の断
面図である。 １……表示面ガラス板、２……電極配線、３…
…リード端子部、４……誘電体膜、５……後面ガ
ラス板、６……電極配線、７……誘電体、８……
MgO膜、９……フリツトガラス、２１……表示
面ガラス板、２２……低融点ガラス膜、２３……
Al薄膜電極配線、２４……誘電体膜。
Claims (1)
- １ 表示面側基板の電極配線をAl薄膜で形成し
ているプラズマデイスプレイパネルにおいて、該
Al薄膜電極配線がガラス板上に塗布されたPbO
含有量が60ωt％以下の低融点ガラス膜上に形成
されていることを特徴とするプラズマデイスプレ
イパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211175A JPS60105137A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | プラズマデイスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211175A JPS60105137A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | プラズマデイスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60105137A JPS60105137A (ja) | 1985-06-10 |
| JPH0217898B2 true JPH0217898B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=16601647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58211175A Granted JPS60105137A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | プラズマデイスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60105137A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03272969A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-04 | Tani Denki Kogyo Kk | チップ供給装置 |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP58211175A patent/JPS60105137A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03272969A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-04 | Tani Denki Kogyo Kk | チップ供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60105137A (ja) | 1985-06-10 |
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