JP2001206732A

JP2001206732A - 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置

Info

Publication number: JP2001206732A
Application number: JP2000275148A
Authority: JP
Inventors: Satoru Fujimine; 哲藤峰; Yumiko Aoki; 由美子青木; Tsuneo Manabe; 恒夫真鍋
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1999-11-19
Filing date: 2000-09-11
Publication date: 2001-07-31
Anticipated expiration: 2020-09-11
Also published as: JP4282885B2

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイ装置の前面基板の透過率
を高くできる電極被覆用低融点ガラスを得る。【解決手段】Ｃｕを含有し、そのＣｕＯ換算含有量が質
量百分率表示で０．１〜０．９％であり、ＭｏおよびＳ
ｂのいずれも含有しない電極被覆用低融点ガラス、およ
び、ＭｏまたはＳｂのいずれか１種以上とＣｕとを含有
し、ＣｕのＣｕＯ換算含有量が０．１〜０．９％、Ｃｕ
Ｏ＋ＭｏＯ₃＋Ｓｂ₂Ｏ₃が０．２〜１．４％である電極
被覆用低融点ガラス。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＴＯ（スズがド
ープされた酸化インジウム）または酸化スズ等の透明電
極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス、およびプラ
ズマディスプレイ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型の平板型カラー表示装置が注
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなければならない。画像の質の低下を
防ぐために、前記電極として透明電極が用いられてい
る。透明電極としては、ガラス基板上に形成されたＩＴ
Ｏまたは酸化スズの薄膜が多く用いられている。ここで
いう酸化スズは、フッ素、アンチモン、等がドープされ
た酸化スズを含む。

【０００３】前記表示装置の表示面として使用されるガ
ラス基板の表面に形成される透明電極は、精細な画像を
実現するために細い線状に加工される。そして各画素を
独自に制御するためには、このような微細に加工された
透明電極相互の絶縁性を確保する必要がある。ところ
が、ガラス基板の表面に水分が存在する場合やガラス基
板中にアルカリ成分が存在する場合、このガラス基板の
表面を介して若干の電流が流れることがある。このよう
な電流を防止するには、透明電極間に絶縁層を形成する
ことが有効である。また、透明電極間に形成される絶縁
層による画像の質の低下を防ぐためには、この絶縁層は
透明であることが好ましい。

【０００４】このような絶縁層を形成する絶縁材料とし
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いら
れている。最近大型平面カラーディスプレイ装置として
期待されているプラズマディスプレイ装置（以下ＰＤＰ
という。）においては、典型的には、表示面として使用
される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画
形成されており、該セル中でプラズマ放電を発生させる
ことにより画像が形成される。前記前面基板の表面には
透明電極が形成されており、この透明電極をプラズマか
ら保護するために、プラズマ耐久性に優れたガラスによ
り前記透明電極の被覆することが必須である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような電極被覆に
用いられるガラスは、通常はガラス粉末にして使用され
る。すなわち、前記ガラス粉末に必要に応じてフィラー
等を添加後ペースト化し、このようにして得られたガラ
スペーストを、透明電極が形成されているガラス基板に
塗布、焼成することによって前記透明電極を被覆する。

【０００６】このような電極被覆用ガラスには、電気絶
縁性の他に、軟化点がたとえば６５０℃以下であるこ
と、線膨張係数がたとえば８０×１０^-7／℃程度である
こと、焼成して得られる電極被覆ガラス層の透明性が高
いこと、等が求められており、種々のガラスが従来より
提案されている。たとえば、特開平１１−１８０７２６
号公報には、質量百分率表示で、ＰｂＯ＋Ｂｉ₂Ｏ₃：５
２〜６８％、Ｂ₂Ｏ₃：１４〜２８％、ＳｉＯ₂：０〜５
％、ＺｎＯ：６〜２３％、Ａｌ₂Ｏ₃：０〜８％、ＣｅＯ
₂：０〜５％、ＳｎＯ₂：０〜５％、から実質的になる非
結晶性ガラスが開示されている。

【０００７】しかし、ＰＤＰにおいては近年一層の画質
向上が求められており、これに伴ない前記電極被覆ガラ
ス層の透明性を一層高くすることが求められている。本
発明は、この課題を解決するための電極被覆用低融点ガ
ラスおよびプラズマディスプレイ装置、を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、Ｃｕを含有
し、そのＣｕＯ換算含有量が質量百分率表示で０．１〜
０．９％の範囲にあり、ＭｏおよびＳｂのいずれも含有
しない電極被覆用低融点ガラス、および、Ｃｕを含有
し、そのＣｕＯ換算含有量が質量百分率表示で０．１〜
０．９％の範囲にあり、かつ、ＭｏまたはＳｂのいずれ
か１種以上を含有し、質量百分率表示で、ＣｕのＣｕＯ
換算含有量、ＭｏのＭｏＯ₃換算含有量およびＳｂのＳ
ｂ₂Ｏ ₃換算含有量の合計が０．２〜１．４％の範囲にあ
る電極被覆用低融点ガラス、を提供する。

【０００９】また、本発明は、前面基板を有するプラズ
マディスプレイ装置であって、該前面基板を構成するガ
ラス基板上の透明電極が前記電極被覆用低融点ガラスに
より被覆されているプラズマディスプレイ装置、を提供
する。

【００１０】本発明者は、ＰＤＰにおける前記電極被覆
ガラス層の透明性低下の原因の一つが、以下に述べる炭
素含有不純物の前記電極被覆ガラス層への残留であると
推定し、本発明に至った。電極被覆用低融点ガラスは、
通常は粉末状にして使用される。電極被覆用低融点ガラ
ス粉末は、印刷性を付与するための有機ビヒクル等を用
いてガラスペーストとし、このガラスペーストを、ガラ
ス基板上に形成された電極上に塗布、焼成して電極を被
覆する。

【００１１】焼成して得られたこの電極被覆ガラス層
は、遷移金属等の着色成分を含有しない場合でも、茶色
または黒色に着色することが多い。この現象は、有機ビ
ヒクル等に含まれる炭素含有不純物が前記電極被覆ガラ
ス層に残留し、この炭素含有不純物が電極被覆ガラス層
を着色している現象であると考えられる。なお、前記茶
色の着色によって典型的には波長４００ｎｍの光の透過
率が低下する。なお、この炭素含有不純物は、ＰＤＰに
おいてプラズマが発生しているときに、電極被覆ガラス
層に存在する水等と反応して炭酸ガスとして電極被覆ガ
ラス層から放出され、これによりＰＤＰの輝度も低下す
ると考えられる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の電極被覆用低融点ガラス
（以下単に本発明のガラスという。）は、通常は粉末状
にして使用される。本発明のガラスの粉末は、印刷性を
付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペースト
とされ、これを、ガラス基板上に形成された電極上に塗
布、焼成して電極を被覆する。ここでいう有機ビヒクル
は、エチルセルロース等のバインダをα−テルピネオー
ル等の有機溶剤に溶解したものである。なお、本発明の
ガラスは、典型的には鉛ガラスまたは鉛ホウ酸塩ガラス
である。ＰＤＰにおいては、本発明のガラスは前面基板
の透明電極の被覆に好適に使用される。

【００１３】前記粉末の平均粒径は０．５μｍ以上であ
ることが好ましい。０．５μｍ未満では、焼成して得ら
れた電極被覆ガラス層中の気泡が多くなり透明性が低下
するおそれがあり、また、粉末状にするために要する時
間が顕著に増加するおそれがある。より好ましくは０．
７μｍ以上である。

【００１４】また、前記粉末の最大粒径は３５μｍ以下
であることが好ましい。ＰＤＰにおける前記電極被覆ガ
ラス層の厚さは通常４０μｍ以下であるが、前記最大粒
径が３５μｍ超ではこの電極被覆ガラス層の表面に凹凸
が発生しＰＤＰの画像がゆがむおそれがある。前記最大
粒径は、より好ましくは２０μｍ以下である。

【００１５】本発明のガラスの軟化点は４５０〜６５０
℃であることが好ましい。理由を以下に述べる。前記ガ
ラス基板としては、通常、ガラス転移点が５５０〜６２
０℃のものが用いられる。この場合、ガラス基板の変形
を避けるために、前記ガラスペーストの焼成は６２０℃
以下で行われる。焼成を６２０℃以下で行うためには、
本発明のガラスの軟化点は６５０℃以下であることが好
ましい。また、前記焼成時の早い段階で本発明のガラス
が軟化流動して電極を完全に被覆することによって焼成
時における電極の電気特性劣化を防止するためにも、軟
化点は６５０℃以下であることが好ましい。より好まし
くは６４０℃以下、特に好ましくは６３０℃以下であ
る。

【００１６】一方、ＰＤＰの前面基板において、ＩＴＯ
または酸化スズ等の透明電極のみでは電気抵抗が高すぎ
る場合、これら透明電極上にＡｇやＡｌや三層構造のＣ
ｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の金属層（以下、この金属層を金属電
極という。）を形成する場合がある。軟化点が４５０℃
未満のガラスによりこれら金属電極を被覆すると、金属
電極が侵食されたり、金属電極を介しての透明電極の侵
食が促進されたりするおそれがある。特に、焼成が５２
０℃以上で行われる場合、軟化点が４５０℃未満のガラ
スにより金属電極を被覆すると透明電極の侵食が顕著に
なる。また、この場合、軟化点が４５０℃以上５２０℃
未満のガラスにより金属電極を被覆すると、透明電極の
侵食はなくなるが、焼成時に電極被覆ガラス層中の気泡
が大きくなり電極被覆ガラス層の透過率が減少する。

【００１７】本発明のガラスの軟化点は５００℃以上で
あることがより好ましい。さらに好ましくは５２０℃以
上、特に好ましくは５５０℃以上、最も好ましくは５８
０℃以上である。

【００１８】また、軟化点が４５０℃以上であれば、焼
成時にガラスの軟化流動が始まる前にガラスペースト中
の有機ビヒクルは完全に揮発し、有機ビヒクル中の炭素
含有不純物の電極被覆ガラス層への大量残存、それに伴
なう電極被覆ガラス層の透過率低下、の防止も期待され
る。実際、有機ビヒクルの構成成分であるバインダとし
て使用されるエチルセルロースと、軟化点が６００℃で
あり平均粒径が３μｍであるガラス粉末とを乳鉢中で混
合して得られた混合粉末を、毎分１０℃で昇温しその重
量減少率と温度の関係を調べたところ、４５０℃で該重
量減少率は０となった。

【００１９】さらに、軟化点が５２０℃以上であれば電
極被覆ガラス層を単層構造にできる。これに対し、軟化
点が５２０℃未満では前記透明電極侵食現象のために単
層構造とすることは困難になり、軟化点が５２０℃未満
のガラスを上層、軟化点がたとえば５２０℃以上のより
軟化点が高いガラスを下層とする非単層構造にしなけれ
ばならなくなるおそれがある。ここでいう下層は透明電
極と直接接する層である。

【００２０】前記ガラス基板としては、通常、５０〜３
５０℃における平均線膨張係数が８０×１０^-7〜９０×
１０^-7／℃のものが用いられる。したがってこのような
ガラス基板と膨張特性をマッチングさせ、ガラス基板の
そりや強度の低下を防止するためには、本発明のガラス
の前記平均線膨張係数は６０×１０^-7〜９０×１０^-7／
℃であることが好ましく、７０×１０^-7〜８５×１０^-7
／℃であることがより好ましい。なお、５０〜３５０℃
における平均線膨張係数を以下では単に膨張係数とい
う。

【００２１】また、本発明のガラスの室温から４００℃
までの範囲における比抵抗、より典型的には室温から３
００℃までの範囲における比抵抗は、前記ガラス基板に
用いられるガラスの前記温度範囲における比抵抗の０．
１倍またはそれ以上であることが好ましい。この条件が
満たされないと電気絶縁性が不足するおそれがある。ガ
ラス基板に用いられるガラスの１５０℃における比抵抗
は典型的には１０¹¹Ω・ｃｍ程度である。このことから
本発明のガラスの１５０℃における比抵抗は１０¹⁰Ω・
ｃｍ以上であることが好ましく、１０¹¹Ω・ｃｍ以上で
あることがより好ましい。

【００２２】本発明のガラスの比誘電率は１８以下であ
ることが好ましい。１８超ではＰＤＰのセルの静電容量
が大きくなりすぎ、ＰＤＰの消費電力が増大するおそれ
がある。より好ましくは１２以下、特に好ましくは１
０．５以下、最も好ましくは１０以下である。

【００２３】本発明のガラスは焼成時に結晶化しないこ
とが好ましい。この観点からは、本発明のガラスの結晶
化温度Ｔ_cは焼成温度よりも高いことが好ましい。焼成
温度より８０℃以上高いことがより好ましい。ここでい
う結晶化温度は示差熱分析（ＤＴＡ）によって得られる
結晶化ピーク温度であり、結晶化ピークが認められない
場合は、Ｔ_c＝∞とする。

【００２４】前記Ｔ_cは７００℃以上であることが好ま
しい。７００℃未満では、通常行われる５００〜６２０
℃での焼成においてガラスが結晶化し透明性が低下する
おそれがある。より好ましくは７５０℃以上である。

【００２５】本発明のガラスの第１の態様においては、
ＭｏおよびＳｂのいずれも含有しないが、Ｃｕは必須成
分として含有する。質量百分率表示で、ＣｕＯとして換
算したＣｕ含有量（以下、ＣｕＯ含有量という。）が
０．１％未満では、電極被覆ガラス層の透過率が低下す
る。好ましくは０．２％以上、より好ましくは０．３％
以上である。０．９％超ではＣｕに起因する着色が濃く
なりすぎる。好ましくは０．８％以下、より好ましくは
０．７％以下である。なお、以下では含有量は質量百分
率で表す。

【００２６】次に本発明のガラスの第２の態様について
説明する。本発明のガラスの第２の態様においては、Ｃ
ｕを必須成分として含有し、その他にＭｏまたはＳｂの
いずれか１種以上を含有する。本態様におけるＣｕＯ含
有量は０．１〜０．９％である。０．１％未満では、電
極被覆ガラス層の透過率が低下する。好ましくは０．２
％以上、より好ましくは０．３％以上である。０．９％
超ではＣｕに起因する着色が濃くなりすぎる。好ましく
は０．８％以下、より好ましくは０．７％以下である。

【００２７】また、ＭｏＯ₃として換算したＭｏ含有量
（以下、ＭｏＯ₃含有量という。）、Ｓｂ₂Ｏ₃として換
算したＳｂ含有量（以下、Ｓｂ₂Ｏ₃含有量という。）お
よびＣｕＯ含有量の合計は０．２〜１．４％である。
０．２％未満では、電極被覆ガラス層の透過率が低下す
る。好ましくは０．３％以上である。１．４％超では、
Ｃｕ、ＭｏまたはＳｂに起因する着色が濃くなりすぎ
る。好ましくは１％以下、より好ましくは０．９％以下
である。

【００２８】ＭｏＯ₃含有量は１．２％以下であること
が好ましい。１．２％超では電極被覆ガラス層のＭｏに
起因する着色が濃くなりすぎるおそれがある。より好ま
しくは１％以下、特に好ましくは０．９％以下である。
Ｍｏを含有する場合、ＭｏＯ ₃含有量は０．１％以上で
あることが好ましい。より好ましくは０．２％以上、特
に好ましくは０．３％以上である。

【００２９】Ｓｂ₂Ｏ₃含有量は１．２％以下であること
が好ましい。１．２％超では電極被覆ガラス層のＳｂに
起因する着色が濃くなりすぎるおそれがある。より好ま
しくは１％以下、特に好ましくは０．９％以下である。
Ｓｂを含有する場合、Ｓｂ₂Ｏ₃含有量は０．１％以上で
あることが好ましい。より好ましくは０．２％以上、特
に好ましくは０．３％以上である。

【００３０】本発明のガラスは下記酸化物基準で、実質
的に、ＰｂＯ２５〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃ ０〜６０％、ＳｉＯ₂ ０〜４０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜２５％、Ｂｉ₂Ｏ₃ ０〜３５％、ＭｇＯ０〜４０％、ＣａＯ０〜４０％、ＳｒＯ０〜４０％、ＢａＯ０〜４０％、ＺｎＯ０〜５５％、Ｌｉ₂Ｏ０〜２０％、Ｎａ₂Ｏ０〜２０％、Ｋ₂Ｏ０〜２０％、ＣｕＯ０．１〜０．９％、ＭｏＯ₃ ０〜１．３％、Ｓｂ₂Ｏ₃ ０〜１．３％、からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０
％であることが好ましい。ここで、ＭｏＯ₃が０％かつ
Ｓｂ₂Ｏ₃が０％であるガラスは本発明のガラスの第１の
態様の好ましい態様であり、ＭｏＯ₃＋Ｓｂ₂Ｏ₃が０．
２〜１．４％であるガラスは本発明のガラスの第２の態
様の好ましい態様である。

【００３１】次に、上記好ましい組成について説明す
る。なお、ＣｕＯ、ＭｏＯ₃、Ｓｂ₂Ｏ ₃については先に
述べたので省略する。ＰｂＯは軟化点を低下させ、また
膨張係数を大きくする効果を有し、必須である。２５％
未満では、前記効果が小さすぎる。好ましくは３０％以
上である。８５％超では、比誘電率が大きくなりすぎ
る、または黄色着色が濃くなりすぎる。好ましくは８
３．８％以下、より好ましくは７５％以下である。

【００３２】Ｂ₂Ｏ₃は必須ではないが、ガラスを安定化
させるために、または焼成時のガラス流動性を高め電極
被覆ガラス層中の残存気泡を減少させて透過率を高くす
るために、６０％まで含有してもよい。６０％超では、
軟化点が高くなりすぎたり、ガラスが分相したりするお
それがある。好ましくは５５％以下である。Ｂ₂Ｏ₃を含
有する場合は、１０％以上含有することがより好まし
い。特に好ましくは１１％以上、最も好ましくは２３％
以上である。なお、前記残存気泡の大きさは典型的には
３０μｍである。

【００３３】ＳｉＯ₂は必須ではないが、ガラスを安定
化させるために、または銀発色現象を抑制するために、
４０％まで含有してもよい。ここでいう銀発色現象は、
ＰＤＰ前面基板のガラス基板上に形成された銀含有バス
電極をガラスで被覆した場合に、該ガラスに銀が拡散し
ガラスが茶色に着色しＰＤＰの画質が低下する現象であ
る。ＳｉＯ₂は前記銀の拡散を抑制する効果があると考
えられる。ＳｉＯ₂含有量が４０％超では、焼成時のガ
ラス流動性が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増
加して透過率が低下するおそれがある。ＳｉＯ₂含有量
は、より好ましくは３５％以下、さらに好ましくは１５
％以下、最も好ましくは１２％以下である。

【００３４】前記銀発色現象を特に抑制したい場合、Ｓ
ｉＯ₂含有量は５％以上であることが好ましい。より好
ましくは６．６％以上である。また、この場合、ＰｂＯ
含有量は８３．８％以下かつＢ₂Ｏ₃含有量は１１％以上
であることが好ましい。

【００３５】Ａｌ₂Ｏ₃は必須ではないが、ガラスを安定
化させるために２５％まで含有してもよい。２５％超で
はガラスが失透するおそれがある。より好ましくは１５
％以下、特に好ましくは１０％以下である。

【００３６】Ｂｉ₂Ｏ₃は必須ではないが、軟化点を低下
させるために３５％まで含有してもよい。３５％超では
ガラスが黄色に着色したり、比誘電率が大きくなりすぎ
たりするおそれがある。より好ましくは３０％以下、特
に好ましくは５％以下である。

【００３７】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはい
ずれも必須ではないが、ガラスの耐水性を高めるため
に、またはガラスの分相を抑制するために、それぞれ４
０％まで含有してもよい。なお、ガラスの比誘電率を特
に低下させたい場合はＭｇＯを含有することが好まし
い。これら成分のそれぞれの含有量が４０％超では焼成
時の結晶化が顕著となり透過率が低下するおそれがあ
る。より好ましくは３５％以下、特に好ましくは３０％
以下である。

【００３８】なお、ＭｇＯについては５％以下であるこ
とが最も好ましい。５％超では、焼成時のガラス流動性
が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増加して透過
率が低下するおそれがある。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯお
よびＢａＯの含有量の合計は４０％以下であることが好
ましい。より好ましくは３５％以下である。

【００３９】ＺｎＯは必須ではないが、軟化点を低下さ
せるために５５％まで含有してもよい。５５％超ではガ
ラスが失透するおそれがある。より好ましくは１０％以
下である。

【００４０】Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏはいずれも
必須ではないが、軟化点を低下させるために、それぞれ
２０％まで含有してもよい。２０％超では、ガラスの耐
水性が低下したり、膨張係数が大きくなりすぎたりする
おそれがある。より好ましくはそれぞれ５％以下であ
る。Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏの含有量の合計は２
０％以下であることが好ましい。より好ましくは５％以
下である。本発明のガラスは実質的に上記成分からなる
ことが好ましいが、この他の成分を本発明の目的を損な
わない範囲で１０％まで含有してもよい。

【００４１】本発明のプラズマディスプレイ装置（以下
本発明のＰＤＰという。）の前面基板においては、ガラ
ス基板の上に透明電極が形成されており、該透明電極が
形成されているガラス基板の表面が本発明のガラスによ
り被覆されている。前面基板に用いられるガラス基板の
厚さは通常２．８ｍｍであり、このガラス基板自体の波
長５５０ｎｍの光に対する透過率（以下Ｔ₅₅₀と記
す。）は典型的には９０％である。また、その濁度は典
型的には０．４％である。

【００４２】また、透明電極は、たとえば幅０．５ｍｍ
の帯状であり、それぞれの帯状電極が互いに平行となる
ように形成される。各帯状電極中心線間の距離は、たと
えば０．８３〜１．０ｍｍであり、この場合、透明電極
がガラス基板表面を占める割合は５０〜６０％である。

【００４３】本発明のＰＤＰの前面基板については、Ｔ
₅₅₀は７７％以上であることが好ましい。７７％未満で
はＰＤＰの画質が低下するおそれがある。より好ましく
は７９％以上、特に好ましくは８０％以上である。ま
た、その濁度は２１％以下であることが好ましい。２１
％超ではＰＤＰの画質が低下するおそれがある。より好
ましくは２０％以上、特に好ましくは１５％以下であ
る。

【００４４】本発明のＰＤＰは、たとえば交流方式のも
のであれば次のようにして製造される。図１に示すよう
に、ガラス基板１ａの表面にパターニングされた透明電
極２およびバス線（図示せず）を形成したのち、本発明
のガラスの粉末を塗布・焼成してガラス層３を形成し、
最後に保護膜として酸化マグネシウムの層（図示せず）
を形成し、前面基板１０とする。一方、ガラス基板１ｂ
の上には、パターニングされたアドレス用電極５を形成
したのち、ストライプ状に隔壁６を形成し、さらに蛍光
体層４を印刷・焼成して背面基板２０とする。

【００４５】前面基板１０と背面基板２０の周縁にシー
ル材（図示せず）をディスペンサで塗布し、透明電極２
とアドレス用電極５が対向するように組み立てた後、焼
成してプラズマディスプレイ装置とする。そしてプラズ
マディスプレイ装置内部を排気して、放電空間７にＮｅ
やＨｅ−Ｘｅなどの放電ガスを封入する。なお、上記の
例は交流方式のものであるが、本発明は直流方式のもの
にも適用できる。

【００４６】

【実施例】表のＰｂＯからＳｂ₂Ｏ₃までの欄に質量百分
率で示す組成となるように、原料を調合して混合し、１
３００℃の電気炉中で白金ルツボを用いて１時間溶融
し、薄板状ガラスに成形した後、ボールミルで粉砕し、
ガラス粉末を得た。例１〜１０は実施例、例Ａ１〜Ａ７
は比較例である。

【００４７】これらガラス粉末について、軟化点（単
位：℃）、膨張係数（単位：１０^-7／℃）および比誘電
率を以下に述べるようにして測定した。結果を表に示
す。なお、比誘電率は例３、４、Ａ２、７、８およびＡ
５について測定した。軟化点：示差熱分析計を用いて測定した。膨張係数：ガラス粉末を成形後、表に示す焼成温度（単
位：℃）で１０分間焼成して得た焼成体を直径５ｍｍ、
長さ２ｃｍの円柱状に加工し、熱膨張計で５０〜３５０
℃の平均線膨張係数を測定した。比誘電率：前記焼成体を５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ３ｍ
ｍに加工し、その表面に電極を蒸着して周波数１ＭＨｚ
での比誘電率を測定した。

【００４８】また、これらガラス粉末とエチルセルロー
スを質量比で１００：５となるように計りとって混合
し、得られた混合物２ｇを直径１２ｍｍの円柱状の型に
入れて成形し円柱状試料とした。この円柱状試料を、ガ
ラス粉末の軟化点で３０分間焼成し、円盤状の焼成体を
得た。この焼成体の色を表に示す。焼成体の色が茶色ま
たは黒色のものは焼成体中の炭素含有不純物の量が多い
ものと考えられる。したがって、例Ａ２、Ａ３、Ａ５、
Ａ６、Ａ７の焼成体の炭素含有不純物の量は多いと考え
られる。

【００４９】さらに、これらガラス粉末１００ｇを有機
ビヒクル２５ｇと混練し、ガラスペーストを作製した。
前記有機ビヒクルは、ジエチレングリコールモノブチル
エーテルモノアセテートまたはα−テルピネオールにエ
チルセルロースを質量百分率表示で７〜１８％溶解した
ものである。

【００５０】次に、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ
２．８ｍｍのガラス基板を用意し、このガラス基板の表
面に、膜厚が２００ｎｍで幅が０．５ｍｍのＩＴＯ透明
電極を、各ＩＴＯ透明電極の中心線間距離が１．０ｍｍ
となるように平行に多数形成した。前記ガラス基板は、
質量百分率で表わした組成が、ＳｉＯ₂：５８％、Ａｌ₂
Ｏ₃：７％、Ｎａ₂Ｏ：４％、Ｋ₂Ｏ：６．５％、Ｍｇ
Ｏ：２％、ＣａＯ：５％、ＳｒＯ：７％、ＢａＯ：７．
５％、ＺｒＯ₂：３％、ガラス転移点が６２６℃、膨張
係数が８３×１０^-7／℃、であるガラスからなる。な
お、前記ＩＴＯ透明電極はガラス基板の片面に形成され
ている。

【００５１】ＩＴＯ透明電極が形成されている３０ｍｍ
×３０ｍｍの部分に前記ガラスペーストを均一にスクリ
ーン印刷後、１２０℃で１０分間乾燥した。このガラス
基板を昇温速度１０℃／分で、表に示す焼成温度になる
まで加熱し、さらにその温度に３０分間保持して、焼成
した。透明電極を被覆するガラス層の厚さは３０μｍで
あった。

【００５２】前記焼成後のガラス基板について、波長５
５０ｎｍの光の透過率（単位：％）および濁度（単位：
％）を以下に述べるようにして測定した。結果を表に示
す。透過率：（株）日立製作所製の自記分光光度計Ｕ−３５
００（積分球型）を用いて波長５５０ｎｍの光の透過率
を測定した。サンプルのない状態を１００％とした。濁度：（株）スガ試験器製のヘーズメータ（ハロゲン球
を用いたＣ光源）を使用した。ハロゲン球からの光をレ
ンズを通して平行光線とし、サンプルに入射させ、積分
球により全光線透過率Ｔ_tと拡散透過率Ｔ_dを測定した。
濁度は、濁度（％）＝（Ｔ_d／Ｔ_t）×１００により算出した。

【００５３】例１、２と例Ａ１、例３、４、５と例Ａ
２、例６と例Ａ３、例７と例Ａ４、例８と例Ａ５、例９
と例Ａ６、例１０と例Ａ７、を比較すると、ＣｕＯを
０．１〜０．９％の範囲で含有することにより、透過率
が高くなり、また濁度が低下していることがわかる。

【００５４】また、例３、４、Ａ２、７、８およびＡ５
について銀発色現象を次のようにして調べた。先に使用
したガラス基板と同じガラスからなる大きさ５０ｍｍ×
７５ｍｍ、厚さ２．８ｍｍのガラス基板上の４５ｍｍ×
４５ｍｍの部分にスクリーン印刷用銀ペーストを均一に
スクリーン印刷後、１２０℃で１０分間乾燥した。この
ガラス基板を昇温速度１０℃／分で５８０℃まで加熱
し、さらにその温度に１５分間保持して、焼成し、厚さ
５μｍの銀焼成体を形成した。

【００５５】ガラス基板上に形成された銀焼成体の全面
を覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷し、乾
燥、焼成して厚さ３０μｍのガラス層を形成した。前記
乾燥および焼成の条件は先に述べたガラスペーストの場
合と同じとした。

【００５６】ガラス基板上に銀焼成体、さらにその上に
ガラス層が形成されたサンプルについて、前記ガラス層
側に光を入射するようにして、波長５５０ｎｍの光の反
射率Ｒ₅₅₀（単位：％）と波長４３０ｎｍの光の反射率
Ｒ₄₃₀（単位：％）とを前記自記分光光度計によって測
定した。Ｒ₅₅₀−Ｒ₄₃₀（単位：％）を表の銀発色の欄に
示す。波長として４３０ｎｍを選択したのは、銀発色原
因となる銀コロイドの吸収ピークに相当するからであ
り、一方、波長として５５０ｎｍを選択したのは、銀コ
ロイドの吸収ピークから充分離れているからである。Ｒ
₅₅₀−Ｒ₄₃₀が２０％以上のものは銀発色現象が顕著であ
り好ましくない。より好ましくは１５％以下、特に好ま
しくは５％以下である。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【表２】

【００５９】

【発明の効果】本発明のガラスを用いることにより、ガ
ラス基板上の透明電極を被覆するガラス層の透明性を高
くできる。また、前記ガラス層中の炭素含有不純物残存
量が減少しＰＤＰにおける輝度低下が起りにくくなる。
さらに、ガラス基板上の銀電極を被覆するガラス層の銀
発色現象を抑制できる。また、電極を被覆するガラス層
の比誘電率を小さくできる。

【００６０】本発明のＰＤＰにおいては、その前面基板
の透過率が高く、画質が優れている。また、輝度低下が
起りにくい。さらに、前面基板の銀電極を被覆するガラ
ス層の銀発色現象を抑制でき、この点でも画質が向上す
る。また、消費電力も低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマディスプレイ装置を示す断面
図。

【符号の説明】

１ａ：ガラス基板１ｂ：ガラス基板２：透明電極３：ガラス層４：蛍光体層５：アドレス用電極６：隔壁７：放電空間１０：前面基板２０：背面基板

フロントページの続きＦターム(参考） 4G062 AA08 AA09 AA15 BB04 DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DC05 DC06 DD01 DE01 DE02 DE03 DE04 DE05 DE06 DF04 DF05 DF06 DF07 EA01 EA02 EA03 EA04 EA10 EB01 EB02 EB03 EB04 EC01 EC02 EC03 EC04 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA02 GA03 GA04 GA05 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH08 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM05 MM12 NN29 NN32 PP13 PP14 PP16 5C040 GD07 GD09 JA02 KA04 KA08 KB03 KB13 KB19 KB28 MA03 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｃｕを含有し、そのＣｕＯ換算含有量が質
量百分率表示で０．１〜０．９％の範囲にあり、Ｍｏお
よびＳｂのいずれも含有しない電極被覆用低融点ガラ
ス。
【請求項２】Ｃｕを含有し、そのＣｕＯ換算含有量が質
量百分率表示で０．１〜０．９％の範囲にあり、かつ、
ＭｏまたはＳｂのいずれか１種以上を含有し、質量百分
率表示で、ＣｕのＣｕＯ換算含有量、ＭｏのＭｏＯ₃換
算含有量およびＳｂのＳｂ₂Ｏ ₃換算含有量の合計が０．
２〜１．４％の範囲にある電極被覆用低融点ガラス。
【請求項３】下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質
的に、ＰｂＯ２５〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃ ０〜６０％、ＳｉＯ₂ ０〜４０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜２５％、Ｂｉ₂Ｏ₃ ０〜３５％、ＭｇＯ０〜４０％、ＣａＯ０〜４０％、ＳｒＯ０〜４０％、ＢａＯ０〜４０％、ＺｎＯ０〜５５％、Ｌｉ₂Ｏ０〜２０％、Ｎａ₂Ｏ０〜２０％、Ｋ₂Ｏ０〜２０％、ＣｕＯ０．１〜０．９％、ＭｏＯ₃ ０〜１．３％、Ｓｂ₂Ｏ₃ ０〜１．３％、からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０
％である請求項１または２に記載の電極被覆用低融点ガ
ラス。
【請求項４】ＰｂＯが８３．８％以下、ＳｉＯ₂が５％
以上かつＢ₂Ｏ₃が１１％以上である請求項３に記載の電
極被覆用低融点ガラス。
【請求項５】軟化点が４５０〜６５０℃の範囲にある請
求項１〜４のいずれかに記載の電極被覆用低融点ガラ
ス。
【請求項６】５０〜３５０℃における平均線膨張係数が
６０×１０^-7〜９０×１０^-7／℃の範囲にある請求項１
〜５のいずれかに記載の電極被覆用低融点ガラス。
【請求項７】比誘電率が１２以下である請求項１〜６の
いずれかに記載の電極被覆用低融点ガラス。
【請求項８】前面基板を有するプラズマディスプレイ装
置であって、該前面基板を構成するガラス基板上の透明
電極が請求項１〜７のいずれかに記載の電極被覆用低融
点ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装
置。