JPS60105137A - プラズマデイスプレイパネル - Google Patents
プラズマデイスプレイパネルInfo
- Publication number
- JPS60105137A JPS60105137A JP58211175A JP21117583A JPS60105137A JP S60105137 A JPS60105137 A JP S60105137A JP 58211175 A JP58211175 A JP 58211175A JP 21117583 A JP21117583 A JP 21117583A JP S60105137 A JPS60105137 A JP S60105137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- glass
- electrode wiring
- thin film
- melting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の属する分野の説明
本発明は表示面側基板の電極配線をＡＪ薄膜で形成した
プラズマティスプレィパネルに関する。
プラズマティスプレィパネルに関する。
（２）従来の技術の説明
プラズマディスプレイパネルはフラットディスプレイの
中でも大容量の表示が可能なこと、ちらつきが少ないこ
と、信頼性が商いこと等の優位性から各種（ＪＡ機器、
データ端末券の市場で広く使用されている。プラズマテ
ィスプレィパネルの構造断面図を第１図に７」り丁０表
７Ｊ＜面ガラス板ｌ上に電極配線２が形成されておフリ
ート端子部３によって外部回路に接続されている。
中でも大容量の表示が可能なこと、ちらつきが少ないこ
と、信頼性が商いこと等の優位性から各種（ＪＡ機器、
データ端末券の市場で広く使用されている。プラズマテ
ィスプレィパネルの構造断面図を第１図に７」り丁０表
７Ｊ＜面ガラス板ｌ上に電極配線２が形成されておフリ
ート端子部３によって外部回路に接続されている。
さらに電極配線は低融点ガラスから成る誘電体膜４で覆
われている。一方後面ガラス板５上にも電極配線６が形
成され％低融点ガラスから成る誘電体膜７で浚われてい
る０表示面、後面両基板の表示部分は耐放電材料である
ＭｇＵ膜８がスプレー法等で４Ｍされている。前面、板
面基板はクリットガラス９で組み合せ材層され。
われている。一方後面ガラス板５上にも電極配線６が形
成され％低融点ガラスから成る誘電体膜７で浚われてい
る０表示面、後面両基板の表示部分は耐放電材料である
ＭｇＵ膜８がスプレー法等で４Ｍされている。前面、板
面基板はクリットガラス９で組み合せ材層され。
放電空間１０全形成している。放電荒間ｌ１ｃｔｒｉ約
３５０ｔＯｒｒ のネオン等のガスが導入されている０
以上の如きプラズマディスプレイパネルに対して表示容
量の増大が強くめられてきており、これに応えるべく表
示画素ピッチのファイン化が強力に推し進められている
。
３５０ｔＯｒｒ のネオン等のガスが導入されている０
以上の如きプラズマディスプレイパネルに対して表示容
量の増大が強くめられてきており、これに応えるべく表
示画素ピッチのファイン化が強力に推し進められている
。
前面基板の電極配線は従来Ａｌｔ面導電膜であるネサ膜
ｆｃＶＤ法咎で形成していた・表示画素リファイン化’
ｘ 笑ＪＡｉ−る為に、このネサ膜で形成された電極配
線中の本川線化が必要となるが。
ｆｃＶＤ法咎で形成していた・表示画素リファイン化’
ｘ 笑ＪＡｉ−る為に、このネサ膜で形成された電極配
線中の本川線化が必要となるが。
これに伴い配線抵抗のＪ′ａ大、〜１譚不良の増力ｎと
いった問題か発生した。この問題を解決する目的で電極
配；ｆｉ？、ｌ！薄膜で形成する方法が採用されはじめ
−Ｃいる。勿ｉ：＋ｉｏ表７Ａパターン部はメツシュ状
、儲の爾状或いは峰の果状のパターンとなるよう形成さ
れている。ところが、このような構造の表４く面基似で
は次の様な問題点があった。すなわち表示■ガラスを辿
して金属元択會持つＡＡ薄膜重圏配線が外光を反射して
表示の視認性葡／、！ｕｋ＜Ｌでしまう。特に外光の明
るい場所での使用時ｖＣは表示パターンの誤認上ひきお
こす場合すらある・ （３） 発明の目的 本発明は表示画ガラス板上にＰｂＵ含Ｍ斌が６０ωｔ％
以下である１よ融点ガラス全塗布し、この上にＡｊ薄薄
膜電極配線影形成ることにょって、Ａｌ薄膜電極配線の
金属元択葡無くし、視認性を同上させるものである。
いった問題か発生した。この問題を解決する目的で電極
配；ｆｉ？、ｌ！薄膜で形成する方法が採用されはじめ
−Ｃいる。勿ｉ：＋ｉｏ表７Ａパターン部はメツシュ状
、儲の爾状或いは峰の果状のパターンとなるよう形成さ
れている。ところが、このような構造の表４く面基似で
は次の様な問題点があった。すなわち表示■ガラスを辿
して金属元択會持つＡＡ薄膜重圏配線が外光を反射して
表示の視認性葡／、！ｕｋ＜Ｌでしまう。特に外光の明
るい場所での使用時ｖＣは表示パターンの誤認上ひきお
こす場合すらある・ （３） 発明の目的 本発明は表示画ガラス板上にＰｂＵ含Ｍ斌が６０ωｔ％
以下である１よ融点ガラス全塗布し、この上にＡｊ薄薄
膜電極配線影形成ることにょって、Ａｌ薄膜電極配線の
金属元択葡無くし、視認性を同上させるものである。
（４）発明の構成および作用の説明
Ａ６は元来反応性に冨んだ金属である。従ってその反応
性に看目し、各種拐料との反応、相互作用ｆ：ｇ査した
透ＢＡ度が高いこと、作業温度が適切であること、プラ
ズマナイスプレイ中で安定なこと等の条件葡も加味して
検削した結果、硼硅醒鉛ガラス系の低融点ガラスが、最
適であることが明らかとなった。
性に看目し、各種拐料との反応、相互作用ｆ：ｇ査した
透ＢＡ度が高いこと、作業温度が適切であること、プラ
ズマナイスプレイ中で安定なこと等の条件葡も加味して
検削した結果、硼硅醒鉛ガラス系の低融点ガラスが、最
適であることが明らかとなった。
第２図にボテ様に表示面ガラス板２１上には融点ガラス
膜２２を塗布形成し、この上ｖｃ Ａ ｌ！薄膜電極配
線２３會形成する。これ以降は従来のプラズマディスプ
レイパネルと同様誘電体膜２４を形成する。誘電体膜の
焼成時（約６００ ”０゜３０分）に低融点ガラス膜２
２とＡＡ薄膜電極配線２３がその界面で反応し、Ａｌ薄
膜電化配線の金属光沢が失なわれる。
膜２２を塗布形成し、この上ｖｃ Ａ ｌ！薄膜電極配
線２３會形成する。これ以降は従来のプラズマディスプ
レイパネルと同様誘電体膜２４を形成する。誘電体膜の
焼成時（約６００ ”０゜３０分）に低融点ガラス膜２
２とＡＡ薄膜電極配線２３がその界面で反応し、Ａｌ薄
膜電化配線の金属光沢が失なわれる。
この反応性の大小は１成畝点ガラス中のＰｂ（Ｊ含有量
によって決まり、含有量が大きくなる程反応性が増し、
金属光沢の失なわれる程度も大きくなる。しかしながら
反応が進行しすぎると配線抵抗が増大し、断線に至る１
易合すらある。
によって決まり、含有量が大きくなる程反応性が増し、
金属光沢の失なわれる程度も大きくなる。しかしながら
反応が進行しすぎると配線抵抗が増大し、断線に至る１
易合すらある。
粕々のＰｂ０ 含有量の低融点ガラスを用いて実験した
結果ＰｂＯ含有量が７０ωｔ％ を越えるものでは反応
が著しく進行し、又６０ωｔ％から７０ωｔ％ の範囲
のものでｒよ焼１戎未１’Ｐ、ＡＩ薄膜の形成条件によ
ってＱよ反応が進み過ぎる場合があることがりＪらかに
なっｆ？：、。Ａｌ薄膜′電極配線の金属光沢はＰｂ９
の含南矩か６０ωｔチ以下の低電）点ガラスでも十分に
消費されることも明らかＶＣなった。
結果ＰｂＯ含有量が７０ωｔ％ を越えるものでは反応
が著しく進行し、又６０ωｔ％から７０ωｔ％ の範囲
のものでｒよ焼１戎未１’Ｐ、ＡＩ薄膜の形成条件によ
ってＱよ反応が進み過ぎる場合があることがりＪらかに
なっｆ？：、。Ａｌ薄膜′電極配線の金属光沢はＰｂ９
の含南矩か６０ωｔチ以下の低電）点ガラスでも十分に
消費されることも明らかＶＣなった。
低融点ガラス膜はそＶ微粉末をバインダー。
４１機溶剤とともＶＣペースト状とし、厚膜スクリーン
印刷する方法、或いは微−ｆｉ）末の懸濁液をスプレー
塗布する方法でガラス板に塗布され１．シかる後５５０
″０から６００℃の温度領域で焼成することによって形
成される。この時表面が出来る限り凹凸の少ないＸＦ−
担ν（ｆＪ：るより粒子径、塗布状態、焼成条件會選ぶ
ことによってＡｌ薄膜形成全容易にすることが出来る。
印刷する方法、或いは微−ｆｉ）末の懸濁液をスプレー
塗布する方法でガラス板に塗布され１．シかる後５５０
″０から６００℃の温度領域で焼成することによって形
成される。この時表面が出来る限り凹凸の少ないＸＦ−
担ν（ｆＪ：るより粒子径、塗布状態、焼成条件會選ぶ
ことによってＡｌ薄膜形成全容易にすることが出来る。
（５）効果の説明
以下に笑施例會示し、不発明の効果全開らかにする。厚
さ２ｍｍのソーダ板ガラス板に低画点ガラス粉末をスプ
レー法で厚さ８μとなるよう塗布した。これを大気中６
００υ ２０分間焼成した。焼成後低融点カラス膜は５
μの厚さとなった。この低融点ガラス膜全表面粗さｉｔ
及び走査型電子顕微鏡で測疋、観察した結果表間の凹凸
は０．２μ以下の平滑な状態が得られていることが明ら
かとなった・こり基板にスパッタリング法を用いＡｅを
厚さが２μとなるよう仮后させ、フォトエツチング法を
用い電極配Ｎｊｔ形成した。この後、誘電体膜で電極配
線を嶺い表示面基板を形成した。この表示面基板ではＡ
ｌ薄膜電極配線の金属光沢は全くシイめられフ゛、在認
性の良好なプラズマティスプレィがイち′られた。
さ２ｍｍのソーダ板ガラス板に低画点ガラス粉末をスプ
レー法で厚さ８μとなるよう塗布した。これを大気中６
００υ ２０分間焼成した。焼成後低融点カラス膜は５
μの厚さとなった。この低融点ガラス膜全表面粗さｉｔ
及び走査型電子顕微鏡で測疋、観察した結果表間の凹凸
は０．２μ以下の平滑な状態が得られていることが明ら
かとなった・こり基板にスパッタリング法を用いＡｅを
厚さが２μとなるよう仮后させ、フォトエツチング法を
用い電極配Ｎｊｔ形成した。この後、誘電体膜で電極配
線を嶺い表示面基板を形成した。この表示面基板ではＡ
ｌ薄膜電極配線の金属光沢は全くシイめられフ゛、在認
性の良好なプラズマティスプレィがイち′られた。
以上は通常のタイプのプラズマディスプレイパネルにつ
いて本発明の効果を述べたが、注入電荷を柿歯状電極に
沿って転移させる電荷転移型プラズマディスプレイにお
いても全く同様な効果がイけられることは占うまでもな
い。
いて本発明の効果を述べたが、注入電荷を柿歯状電極に
沿って転移させる電荷転移型プラズマディスプレイにお
いても全く同様な効果がイけられることは占うまでもな
い。
第１図は従来のプラズマディスプレイパネルのＭ［面図
、第２図は不発明による表示面１１１１１基板の断面図
である。 ｌ・・・・・表示面ガラス板、２・・・・・・電極配線
、３・・・・・・リード〕べに子部、４・・・・・・−
電体膜、５・・・・・後面ガラス板、６・・・・・電極
配線、７・・・・・誘電体、８・・・・・ＭｇＯ膜、９
・・・・・フリットガラス、２１・・・・・・表示面ガ
ラス板、２２・・・・・・低融点ガラス膜、２３・・・
・・Ａｅ薄膜電極配線、２４・・・・・・誘電体膜。 ／ ２ ４ ｚ ｌ 図 ２ど 鵠 ？図
、第２図は不発明による表示面１１１１１基板の断面図
である。 ｌ・・・・・表示面ガラス板、２・・・・・・電極配線
、３・・・・・・リード〕べに子部、４・・・・・・−
電体膜、５・・・・・後面ガラス板、６・・・・・電極
配線、７・・・・・誘電体、８・・・・・ＭｇＯ膜、９
・・・・・フリットガラス、２１・・・・・・表示面ガ
ラス板、２２・・・・・・低融点ガラス膜、２３・・・
・・Ａｅ薄膜電極配線、２４・・・・・・誘電体膜。 ／ ２ ４ ｚ ｌ 図 ２ど 鵠 ？図
Claims (1)
- 表示面側基板の電極配線をｔ’ｙｌ薄膜で形成している
プラズマティスプレィパイ・ルにおいて、該ＡＪ薄膜電
極配線がガラス板上に塗布された１）ｂＯ含有量が６０
ωｔ％以下の低融点ガラス膜上に形成されていることを
特許とするプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211175A JPS60105137A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | プラズマデイスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211175A JPS60105137A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | プラズマデイスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60105137A true JPS60105137A (ja) | 1985-06-10 |
| JPH0217898B2 JPH0217898B2 (ja) | 1990-04-23 |
Family
ID=16601647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58211175A Granted JPS60105137A (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | プラズマデイスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60105137A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03272969A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-04 | Tani Denki Kogyo Kk | チップ供給装置 |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP58211175A patent/JPS60105137A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0217898B2 (ja) | 1990-04-23 |
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