JPH09167566A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH09167566A JPH09167566A JP32723695A JP32723695A JPH09167566A JP H09167566 A JPH09167566 A JP H09167566A JP 32723695 A JP32723695 A JP 32723695A JP 32723695 A JP32723695 A JP 32723695A JP H09167566 A JPH09167566 A JP H09167566A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＣ型ＰＤＰの誘電体層の保護層の改良に関
し、放電開始電圧を低下させ、耐スパッタ性を向上させ
ることが可能となる誘電体層の保護層を具備するＰＤＰ
及びその製造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明のＰＤＰは、前面ガラス基板１上
に形成した放電電極２を誘電体層３で被覆し、この誘電
体層３上に保護層を備えたプラズマディスプレイパネル
において、この保護層が、ＭｇＯ結晶層４とＭｇＯ蒸着
層５の積層構造体からなるように構成し、本発明のＰＤ
Ｐの製造方法は、上記の保護層を形成するに際し、この
誘電体層３の表面にＭｇＯ結晶層４を形成した後、この
ＭｇＯ結晶層４の表面をイオンクリーニングしてからこ
のＭｇＯ結晶層４表面にＭｇＯ蒸着層５を形成する工程
を含むように構成する。
し、放電開始電圧を低下させ、耐スパッタ性を向上させ
ることが可能となる誘電体層の保護層を具備するＰＤＰ
及びその製造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 本発明のＰＤＰは、前面ガラス基板１上
に形成した放電電極２を誘電体層３で被覆し、この誘電
体層３上に保護層を備えたプラズマディスプレイパネル
において、この保護層が、ＭｇＯ結晶層４とＭｇＯ蒸着
層５の積層構造体からなるように構成し、本発明のＰＤ
Ｐの製造方法は、上記の保護層を形成するに際し、この
誘電体層３の表面にＭｇＯ結晶層４を形成した後、この
ＭｇＯ結晶層４の表面をイオンクリーニングしてからこ
のＭｇＯ結晶層４表面にＭｇＯ蒸着層５を形成する工程
を含むように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略称する）の誘電体
層の保護層の改良に関するものである。
ィスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略称する）の誘電体
層の保護層の改良に関するものである。
【０００２】近年のＰＤＰのカラー化に伴い、ＡＣ型Ｐ
ＤＰがテレビ受像機のフルカラー表示装置として用いら
れるようになり、特にハイビジョン映像用の大型フラッ
トディスプレイとして注目されている。
ＤＰがテレビ受像機のフルカラー表示装置として用いら
れるようになり、特にハイビジョン映像用の大型フラッ
トディスプレイとして注目されている。
【０００３】このような用途に用いるためには、ＰＤＰ
の大型化とともに高精細化、長寿命化が必要である。以
上のような状況から、大型且つ高精細、長寿命のＰＤＰ
が要望されている。
の大型化とともに高精細化、長寿命化が必要である。以
上のような状況から、大型且つ高精細、長寿命のＰＤＰ
が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来のＰＤＰについて、図４により詳細
に説明する。図４は従来のＰＤＰの主要部を示す図であ
る。
に説明する。図４は従来のＰＤＰの主要部を示す図であ
る。
【０００５】従来のＰＤＰの主要部は図４に示すよう
に、ソーダライムガラスからなる板厚３mmの前面ガラス
基板11の表面には隣接して対となる平行な２本の表示用
放電電極12の複数対と、この放電電極12を被覆する低融
点ガラスからなる膜厚50μm の誘電体層13と、この誘電
体層13の表面に保護膜となる膜厚10,000ÅのＭｇＯ層15
が形成されている。
に、ソーダライムガラスからなる板厚３mmの前面ガラス
基板11の表面には隣接して対となる平行な２本の表示用
放電電極12の複数対と、この放電電極12を被覆する低融
点ガラスからなる膜厚50μm の誘電体層13と、この誘電
体層13の表面に保護膜となる膜厚10,000ÅのＭｇＯ層15
が形成されている。
【０００６】このＭｇＯ層15の形成方法としては、一般
的には蒸着法が用いられるが、その他の方法として、液
体状の有機酸金属塩を用いるスプレー法或いは塗布法
や、ＭｇＯ微粉末を含むペーストを塗布する微粉末塗布
法も用いられている。
的には蒸着法が用いられるが、その他の方法として、液
体状の有機酸金属塩を用いるスプレー法或いは塗布法
や、ＭｇＯ微粉末を含むペーストを塗布する微粉末塗布
法も用いられている。
【０００７】一方、ソーダライムガラスからなる板厚３
mmの背面ガラス基板16の表面には、アドレス電極17と放
電部を画定する帯状の隔壁（図示せず）とが互いに並行
して形成されている。この前面ガラス基板11とは電極形
成面を対向させて重ね合わされた後、その周囲が封止さ
れ、これら基板の間に形成された放電空間内を排気して
から、99.9％のネオン(Ne)と0.1 ％のキセノン(Xe)との
混合ガスを放電用ガスとして封入している。
mmの背面ガラス基板16の表面には、アドレス電極17と放
電部を画定する帯状の隔壁（図示せず）とが互いに並行
して形成されている。この前面ガラス基板11とは電極形
成面を対向させて重ね合わされた後、その周囲が封止さ
れ、これら基板の間に形成された放電空間内を排気して
から、99.9％のネオン(Ne)と0.1 ％のキセノン(Xe)との
混合ガスを放電用ガスとして封入している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のＡ
Ｃ型ＰＤＰにおいては、二次電子放出比γを大きくする
ように放電開始電圧を低下させることと、寿命を長くす
るように耐スパッタ性を向上させる必要から保護層が設
けられ、この保護層として一般的にはＭｇＯ蒸着層が用
いられている。蒸着法によりこの保護層を形成すると下
地の誘電体膜が低融点ガラスであるため、まず、膜厚数
千Åのアモルファス層が形成され、その後徐々に結晶層
が形成される。しかしＰＤＰの使用時間が長くなると、
この結晶層がスパッタされて膜厚が薄くなり、スパッタ
がアモルファス層に到達すると、駆動電圧が急激に上昇
して、設定されている駆動電圧よりも高くなり、ＰＤＰ
の寿命になるという問題点があった。
Ｃ型ＰＤＰにおいては、二次電子放出比γを大きくする
ように放電開始電圧を低下させることと、寿命を長くす
るように耐スパッタ性を向上させる必要から保護層が設
けられ、この保護層として一般的にはＭｇＯ蒸着層が用
いられている。蒸着法によりこの保護層を形成すると下
地の誘電体膜が低融点ガラスであるため、まず、膜厚数
千Åのアモルファス層が形成され、その後徐々に結晶層
が形成される。しかしＰＤＰの使用時間が長くなると、
この結晶層がスパッタされて膜厚が薄くなり、スパッタ
がアモルファス層に到達すると、駆動電圧が急激に上昇
して、設定されている駆動電圧よりも高くなり、ＰＤＰ
の寿命になるという問題点があった。
【０００９】蒸着法以外の液体状の有機酸金属塩を用い
るスプレー法或いは塗布法においては、一工程では2,00
0〜3,000Å程度の膜厚の保護層しか形成することができ
ず、また、ＭｇＯ微粉末を含むペーストを塗布する微粉
末塗布法においては、形成された保護層内に空隙が生じ
るという問題点があった。
るスプレー法或いは塗布法においては、一工程では2,00
0〜3,000Å程度の膜厚の保護層しか形成することができ
ず、また、ＭｇＯ微粉末を含むペーストを塗布する微粉
末塗布法においては、形成された保護層内に空隙が生じ
るという問題点があった。
【００１０】本発明は以上のような状況から、放電開始
電圧を低下させ、耐スパッタ性を向上させることが可能
となる誘電体層の保護層を具備するＰＤＰ及びその製造
方法の提供を目的としたものである。
電圧を低下させ、耐スパッタ性を向上させることが可能
となる誘電体層の保護層を具備するＰＤＰ及びその製造
方法の提供を目的としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のＰＤＰは、Ｍｇ
Ｏ結晶層とＭｇＯ蒸着層との積層体からなる保護層を具
備するように構成する。
Ｏ結晶層とＭｇＯ蒸着層との積層体からなる保護層を具
備するように構成する。
【００１２】本発明においては、蒸着によるＭｇＯ層の
下層にＭｇＯ微粉末もしくは、ＭｇＯを含む有機酸金属
塩を用いてＭｇＯ結晶層を形成するので、誘電体層の表
面のＭｇＯ結晶層を厚くすることができ、結晶度も向上
させることが可能となるので、耐スパッタ性の良好な、
長寿命のＰＤＰを供することが可能となる。
下層にＭｇＯ微粉末もしくは、ＭｇＯを含む有機酸金属
塩を用いてＭｇＯ結晶層を形成するので、誘電体層の表
面のＭｇＯ結晶層を厚くすることができ、結晶度も向上
させることが可能となるので、耐スパッタ性の良好な、
長寿命のＰＤＰを供することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下図１〜図３により本発明の実
施例について詳細に説明する。図１は本発明のＰＤＰの
主要部を示す図、図２は本発明のＰＤＰの製造方法の実
施例を工程順に示す図、図３は本発明のＰＤＰの試験時
間と放電電圧の変化量との関係を示す図である。
施例について詳細に説明する。図１は本発明のＰＤＰの
主要部を示す図、図２は本発明のＰＤＰの製造方法の実
施例を工程順に示す図、図３は本発明のＰＤＰの試験時
間と放電電圧の変化量との関係を示す図である。
【００１４】本発明のＰＤＰは図１に示すように、ソー
ダライムガラスからなる板厚３mmの前面ガラス基板１の
表面には従来例と同様に放電電極２、低融点ガラスから
なる膜厚50μm の誘電体層３が形成されている。
ダライムガラスからなる板厚３mmの前面ガラス基板１の
表面には従来例と同様に放電電極２、低融点ガラスから
なる膜厚50μm の誘電体層３が形成されている。
【００１５】この誘電体層３の表面には本発明の特徴に
従って、スクリーン印刷法及び加熱焼結により形成した
膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結晶層４と、このＭｇＯ結晶層４
の表面に蒸着法により形成した膜厚 8,000ÅのＭｇＯ蒸
着層５とからなる二層構造の保護層が形成されている。
従って、スクリーン印刷法及び加熱焼結により形成した
膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結晶層４と、このＭｇＯ結晶層４
の表面に蒸着法により形成した膜厚 8,000ÅのＭｇＯ蒸
着層５とからなる二層構造の保護層が形成されている。
【００１６】一方、ソーダライムガラスからなる板厚３
mmの背面ガラス基板６の表面には、アドレス電極７と放
電部を画定する帯状の隔壁（図示せず）とが互いに並行
して形成されている。この前面ガラス基板１には電極形
成面を対向させて重ね合わされた後、その周囲が封止さ
れ、これら基板の間に形成された放電空間内を排気して
から、99.9％のネオン(Ne)と0.1 ％のキセノン(Xe)との
混合ガスを放電用ガスとして封入している。
mmの背面ガラス基板６の表面には、アドレス電極７と放
電部を画定する帯状の隔壁（図示せず）とが互いに並行
して形成されている。この前面ガラス基板１には電極形
成面を対向させて重ね合わされた後、その周囲が封止さ
れ、これら基板の間に形成された放電空間内を排気して
から、99.9％のネオン(Ne)と0.1 ％のキセノン(Xe)との
混合ガスを放電用ガスとして封入している。
【００１７】このようなＰＤＰの第１〜第５の製造方法
を図２により工程順に詳細に説明する。第１〜第５の製
造方法は、ＭｇＯ結晶層の形成工程は異なるが、他の製
造工程は同一であるから、第１の製造方法について詳細
に説明する。
を図２により工程順に詳細に説明する。第１〜第５の製
造方法は、ＭｇＯ結晶層の形成工程は異なるが、他の製
造工程は同一であるから、第１の製造方法について詳細
に説明する。
【００１８】まず図２(a) に示すように、前面ガラス基
板１の表面に放電電極２を形成し、この前面ガラス基板
１と放電電極２とを被覆する膜厚50μm の誘電体層３を
形成した後、この誘電体層３の表面に結晶化したＭｇＯ
微粉末をスクリーン印刷法で塗布して乾燥した後、 500
℃で焼結して膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結晶層４を形成す
る。
板１の表面に放電電極２を形成し、この前面ガラス基板
１と放電電極２とを被覆する膜厚50μm の誘電体層３を
形成した後、この誘電体層３の表面に結晶化したＭｇＯ
微粉末をスクリーン印刷法で塗布して乾燥した後、 500
℃で焼結して膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結晶層４を形成す
る。
【００１９】次に図２(b) に示すように、蒸着法により
このＭｇＯ結晶層４の表面に膜厚が8,000ÅのＭｇＯ蒸
着層５を形成する。その後、図１に示すようにアドレス
電極７が形成されているソーダライムガラスからなる板
厚３mmの背面ガラス基板６の周囲と、この前面ガラス基
板１の周囲とを封止し、これらの前面ガラス基板１と背
面ガラス基板６との間の放電空間内の空気を排気し、9
9.9％のネオン(Ne)と0.1 ％のキセノン(Xe)との混合ガ
スを放電用ガスとして封入する。
このＭｇＯ結晶層４の表面に膜厚が8,000ÅのＭｇＯ蒸
着層５を形成する。その後、図１に示すようにアドレス
電極７が形成されているソーダライムガラスからなる板
厚３mmの背面ガラス基板６の周囲と、この前面ガラス基
板１の周囲とを封止し、これらの前面ガラス基板１と背
面ガラス基板６との間の放電空間内の空気を排気し、9
9.9％のネオン(Ne)と0.1 ％のキセノン(Xe)との混合ガ
スを放電用ガスとして封入する。
【００２０】ＰＤＰの第２の製造方法においては、第１
の製造方法において行う結晶化したＭｇＯ微粉末のスク
リーン印刷法の代わりに、酢酸マグネシウムやプロピオ
ン酸マグネシウム等の有機酸金属塩のペーストをスクリ
ーン印刷法により塗布して乾燥した後 500℃で焼結して
膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結晶層４を形成する。
の製造方法において行う結晶化したＭｇＯ微粉末のスク
リーン印刷法の代わりに、酢酸マグネシウムやプロピオ
ン酸マグネシウム等の有機酸金属塩のペーストをスクリ
ーン印刷法により塗布して乾燥した後 500℃で焼結して
膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結晶層４を形成する。
【００２１】ＰＤＰの第３の製造方法においては、第１
の製造方法において行う結晶化したＭｇＯ微粉末のスク
リーン印刷法の代わりに、酢酸マグネシウムやプロピオ
ン酸マグネシウム等の有機酸金属塩と結晶化したＭｇＯ
微粉末の混合ペーストをスクリーン印刷法により塗布し
て乾燥した後 500℃で焼結して膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結
晶層４を形成する。
の製造方法において行う結晶化したＭｇＯ微粉末のスク
リーン印刷法の代わりに、酢酸マグネシウムやプロピオ
ン酸マグネシウム等の有機酸金属塩と結晶化したＭｇＯ
微粉末の混合ペーストをスクリーン印刷法により塗布し
て乾燥した後 500℃で焼結して膜厚 2,000ÅのＭｇＯ結
晶層４を形成する。
【００２２】ＰＤＰの第４の製造方法においては、第１
の製造方法において行う結晶化したＭｇＯ微粉末のスク
リーン印刷法の代わりに、結晶化したＭｇＯ微粉末と低
融点ガラスの混合ペーストをスクリーン印刷法により塗
布して乾燥した後 500℃で焼結して膜厚 2,000ÅのＭｇ
Ｏ結晶層４を形成する。
の製造方法において行う結晶化したＭｇＯ微粉末のスク
リーン印刷法の代わりに、結晶化したＭｇＯ微粉末と低
融点ガラスの混合ペーストをスクリーン印刷法により塗
布して乾燥した後 500℃で焼結して膜厚 2,000ÅのＭｇ
Ｏ結晶層４を形成する。
【００２３】ＰＤＰの第５の製造方法においては、上記
の第１の製造方法においてＭｇＯ結晶層４を形成し、蒸
着前にイオンガンにて約５分間クリーニングを行ってい
る。これらの第１〜第５の製造方法により製造したＰＤ
Ｐの試験時間と放電電圧の変化量との関係を図３に示
す。
の第１の製造方法においてＭｇＯ結晶層４を形成し、蒸
着前にイオンガンにて約５分間クリーニングを行ってい
る。これらの第１〜第５の製造方法により製造したＰＤ
Ｐの試験時間と放電電圧の変化量との関係を図３に示
す。
【００２４】図３に示すように、従来のＰＤＰの放電電
圧の変化量は、試験時間が 1,000時間位までは本発明の
各実施例の放電電圧の変化量と殆ど変わらないが、 1,2
00時間位になると著しく大きくなり、本発明の効果が明
白になる。
圧の変化量は、試験時間が 1,000時間位までは本発明の
各実施例の放電電圧の変化量と殆ど変わらないが、 1,2
00時間位になると著しく大きくなり、本発明の効果が明
白になる。
【００２５】本発明の各実施例を比較すると、実施例３
の放電電圧の変化量が最も少なく、次に実施例１にイオ
ンクリーニング工程を追加して行った実施例５の放電電
圧の変化量が少なく、ついで実施例４、実施例１、実施
例２の順に放電電圧の変化量が多くなっている。
の放電電圧の変化量が最も少なく、次に実施例１にイオ
ンクリーニング工程を追加して行った実施例５の放電電
圧の変化量が少なく、ついで実施例４、実施例１、実施
例２の順に放電電圧の変化量が多くなっている。
【００２６】なお、本発明は上記の３電極面放電型ＡＣ
ＰＤＰに限らず、２本の電極を有する面放電型或いは対
向放電型のＡＣＰＤＰにも適用できるのはいうまでもな
い。
ＰＤＰに限らず、２本の電極を有する面放電型或いは対
向放電型のＡＣＰＤＰにも適用できるのはいうまでもな
い。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば誘電体層の表面のＭｇＯ結晶層を厚くすること
ができ、結晶度も向上させることが可能となり、また、
耐スパッタ性を向上させることができるので、長寿命の
ＰＤＰを製造することが可能となる利点があり、著しい
経済的及び、信頼性向上の効果が期待できるＰＤＰ及び
その製造方法の提供が可能である。
によれば誘電体層の表面のＭｇＯ結晶層を厚くすること
ができ、結晶度も向上させることが可能となり、また、
耐スパッタ性を向上させることができるので、長寿命の
ＰＤＰを製造することが可能となる利点があり、著しい
経済的及び、信頼性向上の効果が期待できるＰＤＰ及び
その製造方法の提供が可能である。
【図１】 本発明のＰＤＰの主要部を示す図
【図２】 本発明のＰＤＰの製造方法の実施例を工程順
に示す図
に示す図
【図３】 本発明のＰＤＰの試験時間と放電電圧の変化
量との関係を示す図
量との関係を示す図
【図４】 従来のＰＤＰの主要部を示す図
１ 前面ガラス基板 ２ 放電電極 ３ 誘電体層 ４ ＭｇＯ結晶層 ５ ＭｇＯ蒸着層 ６ 背面ガラス基板 ７ アドレス電極
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成した放電電極を誘電体層で
被覆し、該誘電体層上に保護層を備えたプラズマディス
プレイパネルにおいて、前記保護層が、ＭｇＯ結晶層と
ＭｇＯ蒸着層の積層構造体からなることを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記ＭｇＯ結晶層が、ＭｇＯ微粉末、マ
グネシウム微粉末、マグネシウムの有機酸金属塩、或い
はこれらの部材の複合体からなることを特徴とする請求
項１記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 請求項２記載のＭｇＯ結晶層がさらに低
融点ガラスを含むことを特徴とするプラズマディスプレ
イパネル。 - 【請求項４】 請求項１記載の保護層を形成するに際
し、前記誘電体層の表面にＭｇＯ結晶層を形成した後、
該ＭｇＯ結晶層の表面をイオンクリーニングしてから当
該ＭｇＯ結晶層表面にＭｇＯ蒸着層を形成する工程を含
むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32723695A JP3677571B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32723695A JP3677571B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167566A true JPH09167566A (ja) | 1997-06-24 |
| JP3677571B2 JP3677571B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=18196854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32723695A Expired - Fee Related JP3677571B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3677571B2 (ja) |
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- 1995-12-15 JP JP32723695A patent/JP3677571B2/ja not_active Expired - Fee Related
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