JP3522232B2 - 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス - Google Patents
誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラスInfo
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- JP3522232B2 JP3522232B2 JP2001105325A JP2001105325A JP3522232B2 JP 3522232 B2 JP3522232 B2 JP 3522232B2 JP 2001105325 A JP2001105325 A JP 2001105325A JP 2001105325 A JP2001105325 A JP 2001105325A JP 3522232 B2 JP3522232 B2 JP 3522232B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルにおいて、透明電極とバス電極を被覆するた
めの誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点
ガラスに関する。
レイパネルにおいて、透明電極とバス電極を被覆するた
めの誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点
ガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下単に
ＰＤＰと称する。）は、大画面のフルカラー表示装置と
して注目されている。特に、３電極面放電型のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、表示側の基板上に面放電を発生する複数の表示
電極対を誘電体層で被覆して形成し、背面側の基板上に
その表示電極対と直交するアドレス電極とそれを被覆す
る蛍光体層を形成した構成を特徴としている。そして、
表示電極対の一方を操作電極として順次アドレス電極と
の間で放電を発生させながら表示すべき映像を壁電荷の
かたちで書き込み、その後表示電極対の間に一斉に維持
電圧を印加して維持放電を発生させることを基本動作と
している。
ＰＤＰと称する。）は、大画面のフルカラー表示装置と
して注目されている。特に、３電極面放電型のＡＣ型Ｐ
ＤＰは、表示側の基板上に面放電を発生する複数の表示
電極対を誘電体層で被覆して形成し、背面側の基板上に
その表示電極対と直交するアドレス電極とそれを被覆す
る蛍光体層を形成した構成を特徴としている。そして、
表示電極対の一方を操作電極として順次アドレス電極と
の間で放電を発生させながら表示すべき映像を壁電荷の
かたちで書き込み、その後表示電極対の間に一斉に維持
電圧を印加して維持放電を発生させることを基本動作と
している。
【０００３】この維持放電で発生した紫外線により３原
色の蛍光体層が、ＲＧＢ（赤、緑、青）の蛍光色を発す
ることで、フルカラー表示が行われる。したがって、背
面側基板上の各蛍光体の発光色は表示側の基板上に形成
された表示電極対を通して出てくるための表示電極対と
しては透過濃度をなくすために透明電極材料が用いら
れ、さらにその抵抗値の低減のために金属バス電極を付
加した構成をとるのが普通である。
色の蛍光体層が、ＲＧＢ（赤、緑、青）の蛍光色を発す
ることで、フルカラー表示が行われる。したがって、背
面側基板上の各蛍光体の発光色は表示側の基板上に形成
された表示電極対を通して出てくるための表示電極対と
しては透過濃度をなくすために透明電極材料が用いら
れ、さらにその抵抗値の低減のために金属バス電極を付
加した構成をとるのが普通である。
【０００４】すなわち透明電極材料は、典型的にはＩＴ
Ｏ（酸化インジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2の混
合物）で構成される半導体であり、その導電率は金属な
どに比較すると低い。その為、その導電性を高める為に
透明電極の上に細い金属導電層が付加される。
Ｏ（酸化インジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2の混
合物）で構成される半導体であり、その導電率は金属な
どに比較すると低い。その為、その導電性を高める為に
透明電極の上に細い金属導電層が付加される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記、透明電
極とバス電極を被覆する誘電体層は、通常、基板上に低
融点ガラス材料層を形成した後、例えば６００℃程度の
高温で焼成することで形成される。この高温焼成工程
で、透明電極とその上に重ねたバス電極間との材料間の
イオン化傾向の違いにより、両電極間で電池効果が生じ
て、透明電極が薄くなる、或いは消失するという問題が
ある。透明電極が薄くなる、或いは、消失した場合に
は、表示電極対間での維持放電電圧が上昇し、ＰＤＰの
安定的な駆動が困難になる。本発明者等は先に特願平９
−０３８９３２において、誘電体材料に透明電極材料を
混合することで、透明電極の抵抗値の上昇を抑制するこ
とを提案した。しかしながら、透明電極材料の混合で
は、透明電極とバス電極の間の電池効果による透明電極
の問題は解決できず、局所的に透明電極が消失する問題
が残った。
極とバス電極を被覆する誘電体層は、通常、基板上に低
融点ガラス材料層を形成した後、例えば６００℃程度の
高温で焼成することで形成される。この高温焼成工程
で、透明電極とその上に重ねたバス電極間との材料間の
イオン化傾向の違いにより、両電極間で電池効果が生じ
て、透明電極が薄くなる、或いは消失するという問題が
ある。透明電極が薄くなる、或いは、消失した場合に
は、表示電極対間での維持放電電圧が上昇し、ＰＤＰの
安定的な駆動が困難になる。本発明者等は先に特願平９
−０３８９３２において、誘電体材料に透明電極材料を
混合することで、透明電極の抵抗値の上昇を抑制するこ
とを提案した。しかしながら、透明電極材料の混合で
は、透明電極とバス電極の間の電池効果による透明電極
の問題は解決できず、局所的に透明電極が消失する問題
が残った。
【０００６】かかる透明電極の消失の理由は必ずしも確
かではないが、誘電体層を高温で焼成している時に、透
明電極とバス電極の間で電池効果に起因した酸化還元反
応が発生し、透明電極材料が誘電体層に溶出するためと
推察される。そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、プラズマディスプレイパネルの透明電極が局所的に
消失するのを防止することができる誘電体層形成用低融
点ガラスペーストおよび低融点ガラスを提供することに
ある。
かではないが、誘電体層を高温で焼成している時に、透
明電極とバス電極の間で電池効果に起因した酸化還元反
応が発生し、透明電極材料が誘電体層に溶出するためと
推察される。そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、プラズマディスプレイパネルの透明電極が局所的に
消失するのを防止することができる誘電体層形成用低融
点ガラスペーストおよび低融点ガラスを提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する為
に、本発明は、放電空間を介して対向する一対の基板の
内の少なくとも一方の基板上に、透明電極とバス電極と
それを覆う誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパ
ネルの誘電体層を形成するための低融点ガラスペースト
および低融点ガラスであって、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2
Ｏ3 −ＺｎＯ系またはＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系のガラスに、バス電極の主成分をなす金
属の酸化物を含ませてなることを特徴としている。さら
に透明電極の主成分をなす酸化物をも含ませてなること
を特徴としている。
に、本発明は、放電空間を介して対向する一対の基板の
内の少なくとも一方の基板上に、透明電極とバス電極と
それを覆う誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパ
ネルの誘電体層を形成するための低融点ガラスペースト
および低融点ガラスであって、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2
Ｏ3 −ＺｎＯ系またはＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系のガラスに、バス電極の主成分をなす金
属の酸化物を含ませてなることを特徴としている。さら
に透明電極の主成分をなす酸化物をも含ませてなること
を特徴としている。
【０００８】具体的には、バス電極が銅を主成分とし、
誘電体層形成用低融点ペーストおよび低融点ガラスに酸
化銅を含ませてなる。
誘電体層形成用低融点ペーストおよび低融点ガラスに酸
化銅を含ませてなる。
【０００９】バス電極の主成分をなす金属の酸化物を誘
電体層形成用ペーストおよび低融点ガラスに含ませるこ
とにより、高温プロセスを経ても、透明電極が局所的に
消失することが防止される。
電体層形成用ペーストおよび低融点ガラスに含ませるこ
とにより、高温プロセスを経ても、透明電極が局所的に
消失することが防止される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例に
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。図１は、本発明の誘電体層形成用低融点ガラスペー
ストおよび低融点ガラスを適用する３電極面放電型のＡ
Ｃ型ＰＤＰの分解斜視図である。また、図２は、そのＰ
ＤＰの断面図である。まず、両方の図を参照してその構
造について説明する。この例では、表示側のガラス基板
１０の方向（図２に示した方向）に表示光が出ていく。
２０は、背面側のガラス基板である。表示側のガラス基
板１０上には、透明電極１１とその上（図面中は下）に
形成された導電性の高いバス電極１２からなるＸ電極１
３ＸとＹ電極１３Ｙが形成され、それらの電極対は、誘
電体層１４とＭｇＯからなる保護層１５で覆われてい
る。バス電極１２は、透明電極１１の導電性を補うため
に、Ｘ電極とＹ電極の反対側端部に沿って設けられる。
ついて図面に従って説明する。しかしながら、かかる実
施の形態例が本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。図１は、本発明の誘電体層形成用低融点ガラスペー
ストおよび低融点ガラスを適用する３電極面放電型のＡ
Ｃ型ＰＤＰの分解斜視図である。また、図２は、そのＰ
ＤＰの断面図である。まず、両方の図を参照してその構
造について説明する。この例では、表示側のガラス基板
１０の方向（図２に示した方向）に表示光が出ていく。
２０は、背面側のガラス基板である。表示側のガラス基
板１０上には、透明電極１１とその上（図面中は下）に
形成された導電性の高いバス電極１２からなるＸ電極１
３ＸとＹ電極１３Ｙが形成され、それらの電極対は、誘
電体層１４とＭｇＯからなる保護層１５で覆われてい
る。バス電極１２は、透明電極１１の導電性を補うため
に、Ｘ電極とＹ電極の反対側端部に沿って設けられる。
【００１１】このバス電極１２は、例えばクロム・銅・
クロムの三層構造のメタル電極である。また、透明電極
１１は、通常は、ＩＴＯ（INDIUM TIN OXIDE,酸化イン
ジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2 混合物）で構成さ
れ、十分な導電性を確保する為に、上記バス電極１２が
付加される。透明電極は酸化スズ膜（ネサ膜）で形成さ
れる場合もある。また、誘電体層１４は、通常、酸化鉛
を主成分とする低融点ガラス材料で形成され、より具体
的には、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系あるい
はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＢａＯ系のガ
ラスである。
クロムの三層構造のメタル電極である。また、透明電極
１１は、通常は、ＩＴＯ（INDIUM TIN OXIDE,酸化イン
ジウムＩｎ2 Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2 混合物）で構成さ
れ、十分な導電性を確保する為に、上記バス電極１２が
付加される。透明電極は酸化スズ膜（ネサ膜）で形成さ
れる場合もある。また、誘電体層１４は、通常、酸化鉛
を主成分とする低融点ガラス材料で形成され、より具体
的には、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系あるい
はＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＢａＯ系のガ
ラスである。
【００１２】背面ガラス基板２０上には、例えばシリコ
ン酸化膜からなる下地のパッシベーション膜２１上に、
ストライプ状のアドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３が設けら
れ、誘電体層２２で覆われている。また、これらのアド
レス電極Ａは、それぞれ基板２０上に形成されたストラ
イプ状の隔壁（リブ）２３の間に位置している。この隔
壁２３は、表示電極対方向に放電セルを分離する機能と
光のクロストークを防ぐ機能の二つの機能を有する。隣
接するリブ２３毎に赤、青、緑の蛍光体２４Ｒ，２４
Ｇ，２４Ｂがアドレス電極上及びリブ壁面を被覆するよ
うに塗り分けられている。
ン酸化膜からなる下地のパッシベーション膜２１上に、
ストライプ状のアドレス電極Ａ１，Ａ２，Ａ３が設けら
れ、誘電体層２２で覆われている。また、これらのアド
レス電極Ａは、それぞれ基板２０上に形成されたストラ
イプ状の隔壁（リブ）２３の間に位置している。この隔
壁２３は、表示電極対方向に放電セルを分離する機能と
光のクロストークを防ぐ機能の二つの機能を有する。隣
接するリブ２３毎に赤、青、緑の蛍光体２４Ｒ，２４
Ｇ，２４Ｂがアドレス電極上及びリブ壁面を被覆するよ
うに塗り分けられている。
【００１３】また、図２に示される通り、表示側基板１
０と背面側基板２０とは約１００μｍ程度のギャップを
保って組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅ
の放電用の混合ガスが封入される。図３は、上記の３電
極面放電型のＰＤＰのＸ，Ｙ電極とアドレス電極との関
係を示すパネルの平面図である。Ｘ電極Ｘ１ Ｘ１０は
横方向に並行して配列されかつ基板端部において共通接
続され、Ｙ電極Ｙ１Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設け
られかつ個別に基板端部に導出されている。これらの
Ｘ，Ｙ電極はそれぞれ対になって表示ラインを形成し、
表示のための維持放電電圧が交互に印加される。尚、Ｘ
Ｄ１，ＸＤ２及びＹＤ１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領
域の外側に設けられるダミー電極であり、パネルの周辺
部分の非線形性の特性を緩和する為に設けられている。
背面側基板２０上に設けられるアドレス電極Ａ１ Ａ１
４は、Ｘ，Ｙ電極と直交して設けられる。
０と背面側基板２０とは約１００μｍ程度のギャップを
保って組み合わされ、その間の空間２５にはＮｅ＋Ｘｅ
の放電用の混合ガスが封入される。図３は、上記の３電
極面放電型のＰＤＰのＸ，Ｙ電極とアドレス電極との関
係を示すパネルの平面図である。Ｘ電極Ｘ１ Ｘ１０は
横方向に並行して配列されかつ基板端部において共通接
続され、Ｙ電極Ｙ１Ｙ１０はＸ電極の間にそれぞれ設け
られかつ個別に基板端部に導出されている。これらの
Ｘ，Ｙ電極はそれぞれ対になって表示ラインを形成し、
表示のための維持放電電圧が交互に印加される。尚、Ｘ
Ｄ１，ＸＤ２及びＹＤ１，ＹＤ２はそれぞれ有効表示領
域の外側に設けられるダミー電極であり、パネルの周辺
部分の非線形性の特性を緩和する為に設けられている。
背面側基板２０上に設けられるアドレス電極Ａ１ Ａ１
４は、Ｘ，Ｙ電極と直交して設けられる。
【００１４】Ｘ，Ｙ電極はペアになって維持放電電圧が
交互に印加されるが、Ｙ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でアドレスのためのプラズマ
放電が発生される。表示電極期間に維持放電圧が印加さ
れると、図２に矢印で示された通り、誘電体層１４の表
面（実際には保護層１５の表面）上にアドレス放電で蓄
積された電荷による電圧とが合わさって、維持放電が発
生する。そして、その発生したプラズマから発生する紫
外線が蛍光層２２に照射されてそれぞれの色の光を発生
し、その光が図２に矢印で示された通り表示側の基板１
０上に出ていく。
交互に印加されるが、Ｙ電極は情報を書き込む時のスキ
ャン電極としても利用される。アドレス電極は、情報を
書き込む時に利用され、情報に従ってアドレス電極とス
キャン対象のＹ電極との間でアドレスのためのプラズマ
放電が発生される。表示電極期間に維持放電圧が印加さ
れると、図２に矢印で示された通り、誘電体層１４の表
面（実際には保護層１５の表面）上にアドレス放電で蓄
積された電荷による電圧とが合わさって、維持放電が発
生する。そして、その発生したプラズマから発生する紫
外線が蛍光層２２に照射されてそれぞれの色の光を発生
し、その光が図２に矢印で示された通り表示側の基板１
０上に出ていく。
【００１５】上記した通り、透明電極１１は、それ自体
導電性が余り高くない半導体層であるので、その側端縁
に金属のバス電極１２が設けられる。したがって、透明
電極１１の導電性が多少低くてもＸ電極１３ＸとＹ電極
１３Ｙの長手方向の抵抗は低く抑えられる。しかしなが
ら、前述したように誘電体層の形成プロセスにおいて、
透明電極が損傷すると、損傷部分においては他の部分に
比べてより高い放電電圧が要求され、全体としての安定
動作が困難となるわけである。
導電性が余り高くない半導体層であるので、その側端縁
に金属のバス電極１２が設けられる。したがって、透明
電極１１の導電性が多少低くてもＸ電極１３ＸとＹ電極
１３Ｙの長手方向の抵抗は低く抑えられる。しかしなが
ら、前述したように誘電体層の形成プロセスにおいて、
透明電極が損傷すると、損傷部分においては他の部分に
比べてより高い放電電圧が要求され、全体としての安定
動作が困難となるわけである。
【００１６】そこで、本発明の実施の形態例では、透明
電極１１の損傷による導電性の低下を防ぐようにするた
めに、透明電極１１とバス電極１２に接して被覆する誘
電体層１４を形成するために用いられる低融点ガラス材
料にバス電極の主成分の酸化物を含ませる。例えば、バ
ス電極１２がクロム・銅・クロムの三層構造の場合は、
誘電体層１４を形成するために用いられる低融点ガラス
材料の組成内に、酸化銅をドープさせる。その結果、そ
の後の高温の焼成工程を経ても、誘電体層１４とバス電
極１１との間の電池効果および酸化還元反応は防止さ
れ、透明電極の局所的な消失を避けることができる。
電極１１の損傷による導電性の低下を防ぐようにするた
めに、透明電極１１とバス電極１２に接して被覆する誘
電体層１４を形成するために用いられる低融点ガラス材
料にバス電極の主成分の酸化物を含ませる。例えば、バ
ス電極１２がクロム・銅・クロムの三層構造の場合は、
誘電体層１４を形成するために用いられる低融点ガラス
材料の組成内に、酸化銅をドープさせる。その結果、そ
の後の高温の焼成工程を経ても、誘電体層１４とバス電
極１１との間の電池効果および酸化還元反応は防止さ
れ、透明電極の局所的な消失を避けることができる。
【００１７】例えば、このようにバス電極１２の主成分
が銅の場合にその酸化物を誘電体層形成用低融点ガラス
材料に混入しておくと、透明電極１１およびバス電極１
２、そして誘電体層１４における電池効果及び酸化還元
反応は防止される。即ち、バス電極の主成分の銅がイオ
ン化して誘電体層１４側に一旦出た後、透明電極１１の
表面に流れてＩｎ2Ｏ3の還元反応を起こし、還元された
Ｉｎがさらにイオン化して、誘電体層１４のガラス中に
溶けだし、穴があくという電池効果および酸化還元反応
があらかじめ誘電体層中にＣｕＯおよびＩｎ2Ｏ3 をガ
ラス組成の一部として添付しておくことで抑制されるも
のと考えられる。
が銅の場合にその酸化物を誘電体層形成用低融点ガラス
材料に混入しておくと、透明電極１１およびバス電極１
２、そして誘電体層１４における電池効果及び酸化還元
反応は防止される。即ち、バス電極の主成分の銅がイオ
ン化して誘電体層１４側に一旦出た後、透明電極１１の
表面に流れてＩｎ2Ｏ3の還元反応を起こし、還元された
Ｉｎがさらにイオン化して、誘電体層１４のガラス中に
溶けだし、穴があくという電池効果および酸化還元反応
があらかじめ誘電体層中にＣｕＯおよびＩｎ2Ｏ3 をガ
ラス組成の一部として添付しておくことで抑制されるも
のと考えられる。
【００１８】図４から図７は、ＩＴＯからなる透明電極
１１及びクロム・銅・クロムからなるバス電極１２上
に、酸化銅と酸化インジウムを低融点ガラス材料に含有
させた低融点ガラス材料で形成した誘電体層１４の観察
結果を示す図である。サンプルとして、透明電極に、酸
化インジウムＩｎ2Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2を含むＩＴＯ
を、バス電極に、クロムではさんだ銅を、誘電体層形成
用低融点ガラス材料に、透明電極の主成分である酸化イ
ンジウムを混合した上ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3−Ｚｎ
Ｏ−ＢａＯ系のガラス組成を使用した。そして、そのガ
ラス組成内に１．０ｗｔ％の酸化銅をドープさせた例
（図４）、ガラス組成内に、０．５ｗｔ％の酸化銅をド
ープさせた例（図５）、同様に０．３ｗｔ％の酸化銅を
含ませた例（図６）、及び酸化銅を含有しない例（図
７）の４つのサンプルについて観察した。
１１及びクロム・銅・クロムからなるバス電極１２上
に、酸化銅と酸化インジウムを低融点ガラス材料に含有
させた低融点ガラス材料で形成した誘電体層１４の観察
結果を示す図である。サンプルとして、透明電極に、酸
化インジウムＩｎ2Ｏ3 と酸化スズＳｎＯ2を含むＩＴＯ
を、バス電極に、クロムではさんだ銅を、誘電体層形成
用低融点ガラス材料に、透明電極の主成分である酸化イ
ンジウムを混合した上ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3−Ｚｎ
Ｏ−ＢａＯ系のガラス組成を使用した。そして、そのガ
ラス組成内に１．０ｗｔ％の酸化銅をドープさせた例
（図４）、ガラス組成内に、０．５ｗｔ％の酸化銅をド
ープさせた例（図５）、同様に０．３ｗｔ％の酸化銅を
含ませた例（図６）、及び酸化銅を含有しない例（図
７）の４つのサンプルについて観察した。
【００１９】ガラス組成内に酸化銅を含ませる為には、
例えば、酸化鉛を主成分とするガラス粉末に酸化銅の粉
末を混合し、１３００℃程度の高温下で溶融する。これ
により、酸化銅は低融点ガラス組成に組み込まれる。そ
の後、溶融した状態から冷却し、粉末化し、溶剤とバイ
ンダによりペースト化してから、印刷、焼成を行う。焼
成温度は通常５８０℃乃至６００℃程度であり、この工
程で低融点ガラス粉末は溶融し、誘電体層を形成する。
例えば、酸化鉛を主成分とするガラス粉末に酸化銅の粉
末を混合し、１３００℃程度の高温下で溶融する。これ
により、酸化銅は低融点ガラス組成に組み込まれる。そ
の後、溶融した状態から冷却し、粉末化し、溶剤とバイ
ンダによりペースト化してから、印刷、焼成を行う。焼
成温度は通常５８０℃乃至６００℃程度であり、この工
程で低融点ガラス粉末は溶融し、誘電体層を形成する。
【００２０】図４〜図７の観察結果から明らかな通り、
誘電体層形成用低融点ガラス材料に透明電極の主成分で
ある酸化インジウムのみ含み、酸化銅を含ませないサン
プルである図７では、誘電体層形成用低融点ガラス材料
の高温焼成工程をへた後では、符号３０で示した黒点部
の如く、局所的に透明電極が消失していることがわか
る。それに対して、誘電体層形成用低融点ガラス材料に
透明電極の主成分である酸化インジウムを含み、かつ酸
化銅を含ませる図４〜図６では、誘電体層形成用低融点
ガラス材料の高温焼成工程をへても、透明電極の局所的
な消失は抑えられる。図７において、酸化銅をまったく
ドープしない場合には、符号３０で示したように、１μ
ｍ程度の穴が無数に発生している。それに対し、特に、
１．０ｗｔ％の酸化銅をドープした図４の場合は、透明
電極の消失、すなわち穴の発生はほぼ見受けられない。
また０．５ｗｔ％の酸化銅をドープした図５の場合に
も、ほぼ穴の発生は見受けられず、０．３ｗｔ％の酸化
銅をドープした図６の場合ですら、酸化銅をドープしな
い図７と比べると、穴の数が１／３以下に減少し、透明
電極の消失が抑制されている。上記の観察結果から、バ
ス電極１２に接して被覆する誘電体層１４を形成するた
めの低融点ガラス材料内に、透明電極の主成分及びバス
電極の主成分を含ませることが、焼成などの高温プロセ
スに対してバス電極を局所的に消失させない為に有効で
あることが理解される。
誘電体層形成用低融点ガラス材料に透明電極の主成分で
ある酸化インジウムのみ含み、酸化銅を含ませないサン
プルである図７では、誘電体層形成用低融点ガラス材料
の高温焼成工程をへた後では、符号３０で示した黒点部
の如く、局所的に透明電極が消失していることがわか
る。それに対して、誘電体層形成用低融点ガラス材料に
透明電極の主成分である酸化インジウムを含み、かつ酸
化銅を含ませる図４〜図６では、誘電体層形成用低融点
ガラス材料の高温焼成工程をへても、透明電極の局所的
な消失は抑えられる。図７において、酸化銅をまったく
ドープしない場合には、符号３０で示したように、１μ
ｍ程度の穴が無数に発生している。それに対し、特に、
１．０ｗｔ％の酸化銅をドープした図４の場合は、透明
電極の消失、すなわち穴の発生はほぼ見受けられない。
また０．５ｗｔ％の酸化銅をドープした図５の場合に
も、ほぼ穴の発生は見受けられず、０．３ｗｔ％の酸化
銅をドープした図６の場合ですら、酸化銅をドープしな
い図７と比べると、穴の数が１／３以下に減少し、透明
電極の消失が抑制されている。上記の観察結果から、バ
ス電極１２に接して被覆する誘電体層１４を形成するた
めの低融点ガラス材料内に、透明電極の主成分及びバス
電極の主成分を含ませることが、焼成などの高温プロセ
スに対してバス電極を局所的に消失させない為に有効で
あることが理解される。
【００２１】上記の実施の形態例では、バス電極材料と
して、酸化銅を主成分とするものを例に説明した。それ
以外の物質としては、バス電極の材料が、アルミ（Ａ
ｌ）、アルミ合金（Ａｌ Ｃｕ，Ａｌ Ｃｒ，Ａｌ Ｃ
ｕ Ｍｎ等）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）などといった材料であっ
ても同様の効果が期待できる。
して、酸化銅を主成分とするものを例に説明した。それ
以外の物質としては、バス電極の材料が、アルミ（Ａ
ｌ）、アルミ合金（Ａｌ Ｃｕ，Ａｌ Ｃｒ，Ａｌ Ｃ
ｕ Ｍｎ等）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）などといった材料であっ
ても同様の効果が期待できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、プ
ラズマディスプレイパネルの透明電極とバス電極を被覆
する誘電体層において、バス電極の主成分をなす金属の
酸化物を誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低
融点ガラス内に含ませることにより、透明電極が局所的
に消失することを防止することができる。
ラズマディスプレイパネルの透明電極とバス電極を被覆
する誘電体層において、バス電極の主成分をなす金属の
酸化物を誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低
融点ガラス内に含ませることにより、透明電極が局所的
に消失することを防止することができる。
【図１】本発明を適用するＰＤＰの分解斜視図である。
【図２】ＰＤＰの断面図である。
【図３】３電極面放電型のＰＤＰのＸ，Ｙ電極とアドレ
ス電極との関係を示すパネルの平面図である。
ス電極との関係を示すパネルの平面図である。
【図４】酸化銅を誘電体層形成用低融点ガラス材料に含
有させた時の本願の観察結果を示す図である。
有させた時の本願の観察結果を示す図である。
【図５】酸化銅を誘電体層形成用低融点ガラス材料に含
有させた時の本願の別の観察結果を示す図である。
有させた時の本願の別の観察結果を示す図である。
【図６】酸化銅を誘電体層形成用低融点ガラス材料に含
有させた時の本願の別の観察結果を示す図である。
有させた時の本願の別の観察結果を示す図である。
【図７】酸化銅を誘電体層形成用低融点ガラス材料に含
有させない時の観察結果を示す図である。
有させない時の観察結果を示す図である。
１０ 第一の基板
１１ 透明電極
１２ バス電極
１４ 誘電体層
２０ 第二の基板
Ａ アドレス電極
２５ 放電空間
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 只木 進二
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１
番１号 富士通株式会社内
(72)発明者 別井 圭一
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１
番１号 富士通株式会社内
(56)参考文献 特開 平10−21836（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−112265（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−287834（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−241571（ＪＰ，Ａ)
特開2001−35393（ＪＰ，Ａ)
特開2001−39734（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 11/00 - 11/04
H01J 17/00 - 17/49
C03C 8/14
Claims (4)
- 【請求項１】放電空間を介して対向する一対の基板の内
の少なくとも一方の基板上に、透明電極とバス電極とそ
れを覆う誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパネ
ルの前記誘電体層を形成するための低融点ガラス材料で
あって、 ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスに、前記バ
ス電極の主成分をなす金属の酸化物及び前記透明電極の
主成分をなす酸化物を含ませてなることを特徴とする誘
電体層形成用低融点ガラスペースト。 - 【請求項２】請求項１または２において、前記バス電極
が銅を主成分とし、前記ガラス組成に０．３〜１．０ｗ
ｔ％の酸化銅が含まれてなることを特徴とする誘電体層
形成用低融点ガラスペースト。 - 【請求項３】放電空間を介して対向する一対の基板の内
の少なくとも一方の基板上に、透明電極とバス電極とそ
れを覆う誘電体層とを備えるプラズマディスプレイパネ
ルの前記誘電体層を形成するための低融点ガラスであっ
て、 ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスに、前記バ
ス電極の主成分をなす金属の酸化物及び前記透明電極の
主成分をなす酸化物を含ませてなることを特徴とする誘
電体層形成用低融点ガラス。 - 【請求項４】請求項４または５において、前記バス電極
が銅を主成分とし、前記ガラス組成に０．３〜１．０ｗ
ｔ％の酸化銅が含まれてなることを特徴とする誘電体層
形成用低融点ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001105325A JP3522232B2 (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001105325A JP3522232B2 (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19680098A Division JP4129824B2 (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001297707A JP2001297707A (ja) | 2001-10-26 |
| JP3522232B2 true JP3522232B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=18958033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001105325A Expired - Fee Related JP3522232B2 (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 誘電体層形成用低融点ガラスペーストおよび低融点ガラス |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3522232B2 (ja) |
-
2001
- 2001-04-04 JP JP2001105325A patent/JP3522232B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001297707A (ja) | 2001-10-26 |
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