KR19990043634A - 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층 - Google Patents

Abstract

본 발명은 AC형 PDP의 개선된 유전층을 개시한다.

보호층의 크랙과 백탁화를 방지하기 위해 본 발명에서는 보호층과 동일계열의 재질을 포함하여 유전층을 형성하도록 함으로써 그 물성 차이를 감소시켜 열팽창율의 차이에 의한 PDP의 품질저하를 방지하였다.

Description

교류형 플라즈마 표시소자의 유전층

본 발명은 교류(AC)형 플라즈마 표시소자(PDP: Plasma Display Panel)에 관한 것으로, 특히 그 유전층에 관한 것이다.

기체방전현상을 화상표시에 이용하는 PDP의 기본적인 구성은 도1에서, 그 사이에 방전기체가 충전되는 방전공간(V)을 형성하는 두 기판(P1, P2)에 전극(E1, E2)을 교차 대향 배열하고, 격벽(B)으로 화소간을 구획한 구성의 직류(DC)형 PDP이다.

그러나 DC형 PDP는 화소 선택시에만 방전을 일으켜 메모리(memory) 효과가 없을 뿐 아니라 방전개시까지의 지연이 커 해상도가 높아질수록 듀티 사이클(duty cycle)이 단축됨으로써 휘도가 저하되는 문제가 있다.

이에 따라 어느 일측 전극(일반적으로 E1)상에 유전층(D)을 적층하여 그 표면에 대전되는 벽전하(wall charge)의 전자사태현상을 반복적으로 일으킴으로써 높은 방전강도 및 메모리효과를 달성하는 AC형 PDP가 주로 사용되고 있다.

유전층(D)의 표면에는 이를 피복하는 보호층(T)이 적층되는 바, 이것은 일반적으로 인쇄등 후막(厚膜)방법으로 형성되는 유전층(D)이 그다지 치밀하지 못하므로 그 틈새로 플라즈마가 침투하여 전극(E1)을 손상시키는 소위 이온 봄바드먼트(ion bombardment)현상을 일으키게 되어, 이의 방지를 위해 증착등 박막(薄膜)방법에 의해 치밀한 조직이 보호층(T)을 형성함으로써 유전층(D)의 플라즈마 침투를 방지하는 것이다.

일반적으로 유전층(D)은 일반적인 SiO₂계열 재질의 인쇄 및 소성(燒成)으로 구성되는 한편, 보호층(T)은 2차전자 방출효과가 우수한 MgO가 증착으로 구성되고 있다.

그런데 유전층(D)과 보호층(T)은 그 물성에 큰 차이가 있어 실제적으로 제조시나 사용시 일종의 절연파괴가 발생되어 PDP의 사용수명을 제한하게 된다.

즉 SiO₂계 유전층(D)에 비해 상당히 경질(硬質)로서 열팽창계수에 상당한 차이가 있는 MgO 보호층(T)은 제조과정에서의 소성이나 아웃가싱(outgassing), 고온배기등을 위한 열처리과정이나, 사용시의 온도상승등 반복적인 가열 및 냉각의 반복에 따라 크랙(crack)이 발생되기 쉽다.

즉 도2에 도시된 바와 같이 MgO 보호층(T)은 SiO₂계 유전층(D)에 비해 열팽창율이 상당히 작으므로 가열 및 냉각을 반복하면 보호층(T)이 손상되어 크랙(crack)을 발생하든가, 경계면이 분리되어 백탁화(白濁化)하는 등의 문제가 발생되는 것이다.

이에 따라 본 발명의 목적은 보호층의 크랙과 백탁화등 손상을 야기하지 않는 유전층을 제공하는 것이다.

제1도는 AC형 PDP의 구성을 보이는 단면도.

제2도는 종래 유전층의 문제점을 보이는 단면도.

제3도는 본 발명 유전층의 원리를 보이는 단면도이다.

* 도면의 주요부분에 사용된 부호의 설명

P1, P2 : 전면 및 배면기판 E1, E2 : 전극

T : 보호층 D : 유전층

상술한 목적의 달성을 위해 본 발명에 의한 유전층은 박막 보호층과 동일계열의 재질을 포함하여 후막 형성되는 것을 특징으로 한다.

그러면 형성방법에 의한 차이를 제외하면 보호층과 유전층의 물성이 유사해져 크랙등 보호층의 손상이 발생되지 않게 된다.

(실시예)

이와 같은 본 발명은 구체적 특징과 이점들은 첨부된 도면을 참조한 이하의 바람직한 실시예들의 설명으로 더욱 명확해질 것이다.

도3에서, 예를들어 전면기판(P1)의 전극(E1)상에 형성되는 유전층(D)과 보호층(T)은 본 발명 특징에 따라 동일계열의 재질을 포함하여 형성된다. 여기서 보호층(T)이 일반적인 MgO의 박막증착에 의한 박막 MgO 보호층(T)으로 형성된다면 후막 인쇄방법에 의한 유전층(D)은 MgO 재질을 적어도 일부 포함한다.

즉 인쇄방법에 의해 유전층(D)을 형성하려면 그 인쇄 페이스트는 유전재질 분말을 소성(燒成) 분말과 함께 휘발성 용제 및 물등에 분산시켜 조성된다.

일반적인 유전층 재질로 사용되는 SiO₂는 유전재질인 동시에 소성 가능(가열 및 용융에 의해 유리질의 피막 형성)한 재질이나 MgO는 소성 특성이 없으므로 MgO 분말은 SiO₂나 Al₂O₃등 소성재질과 혼합사용되는 것이 바람직하다.

그러면 후막인쇄방법에 의한 유전층(D)의 열팽창율등의 물성이 박막증착방법에 의한 보호층(T)과 차이가 적어지므로 종래 SiO₂계열 유전층을 사용하는 경우에 비해 크랙과 백탁화등의 문제가 현저히 감소된다.

이에 따라 본 발명은 AC형 PDP의 품질 향상에 큰 효과가 있다.

Claims (4)

1. 후막인쇄방법으로 형성되어 박막증착방법에 의한 보호층이 피복되는 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층에 있어서,

   상기 박막 보호층과 동일계열의 재질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층.
2. 제1항에 있어서,

   상기 보호층이 MgO로 조성되는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층.
3. 제1항 내지 제2항중의 어느 한 항에 있어서,

   상기 유전층의 인쇄페이스트가 MgO 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층.
4. 제3항에 있어서,

   상기 유전층의 인쇄페이스트가 소성재질로서 SiO₂또는 Al₂O₃중의 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 표시소자의 유전층.